JPH08138225A

JPH08138225A - 磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録装置

Info

Publication number: JPH08138225A
Application number: JP27248094A
Authority: JP
Inventors: Kazusukatsu Igarashi; 万壽和五十嵐; Masaaki Futamoto; 正昭二本; Kenji Furusawa; 賢司古澤; Yuichi Kokado; 雄一小角; Masamichi Terakado; 正倫寺門
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1994-11-07
Filing date: 1994-11-07
Publication date: 1996-05-31

Abstract

(57)【要約】【目的】耐衝撃性の高い絶縁性基板を用いた十分かつ
安定な保磁力を有する高密度記録に好適な磁気記録媒体
を提供する。【構成】絶縁性基板１１上に導電膜２を形成し、その
上に直接又は下地膜を介して磁性膜１３、保護膜１６の
順に積層して磁気記録媒体を作製する。その際、絶縁性
基板１１の側面の少なくとも一部に導電性領域１を形成
し、バイアススパッタ装置の金属製基板保持部に印加さ
れるバイアス電圧が導電性領域１を介して導電膜２に確
実に伝達されるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータの補助記
録装置等として用いられる磁気記録装置用の磁気記録媒
体に係り、さらに詳しくは、耐衝撃性の高い絶縁性基板
を用いて高い記録密度を実現するのに好適な磁気記録媒
体及びこれを用いた磁気記録装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】情報化社会の進行と共に、日常的に扱う
情報量は増加の一途を辿っている。これに伴って、磁気
記録装置に対する高密度、高記録容量化の要求が強くな
っている。代表的な磁気記録装置である磁気ディスク装
置を高密度化していった場合、一般に、従来の電磁誘導
型磁気ヘッドでは、再生出力が低下し、再生が困難にな
る。このため、特開昭５１−４４９１７号記載の様に、
記録用磁気ヘッドと再生用磁気ヘッドを別にし、再生用
磁気ヘッドとして、高記録密度化した場合にも高い出力
の得られる磁気抵抗効果を利用した磁気ヘッドを用いる
ことが検討されている。この磁気抵抗効果型の磁気ヘッ
ドは再生出力が高く、かつ、ヘッドの抵抗が低いため発
生する熱雑音が小さい。このため、従来、電磁誘導型磁
気ヘッドから発生する大きなノイズに隠れていた磁気記
録媒体に起因するノイズが装置全体のノイズに対して大
きな割合を占めるようになる。したがって、磁気抵抗効
果型磁気ヘッドを用いて高記録密度化を実現するために
は、磁気記録媒体に起因するノイズ（媒体ノイズ）を低
減する必要がある。

【０００３】一方、高記録密度化にともない磁気ヘッド
と磁気記録媒体の距離を縮める必要があるため保護膜
も、従来のスパッタ法によるカーボン膜に代えてプラズ
マＣＶＤによるダイヤモンドライクカーボン膜が提案さ
れている。さらに、磁気ヘッドと磁気記録媒体の位置決
め精度を上げるために、磁気ヘッド固着防止のためのテ
クスチャーを保護膜のエッチングにより形成する方法が
試みられている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】媒体ノイズを低減化す
るには媒体の保磁力を高めてやる必要があるが、パソコ
ン等に使われる耐衝撃性の高い絶縁性基板を用いると十
分な保磁力が得られないという問題があった。これに対
し、特願平６−４９０９０号において、絶縁性基板上に
導電膜を形成し、これにバイアス電圧を印加しながら磁
性膜を成膜して必要な保磁力を確保する方法を提案して
いる。バイアス電圧を印加しながら磁性膜を成膜する
と、磁性膜中にＡｒ等のスパッタリングガス粒子が侵入
して結晶格子に歪みが発生し、異方性エネルギーが高く
なって保磁力が向上すると考えられる。

【０００５】上記、絶縁性基板上の導電膜にバイアス電
圧を印加しながら成膜する方法は電極治具が必要であ
り、これに対してさらに提案した導電膜の基板側面への
周り込みを利用する方法では、磁気特性が不安定である
という問題があった。特に絶縁性基板の両面に磁性膜を
成膜する場合に両者の特性が違ってしまい問題である。
また、導電膜付絶縁性基板への上記プラズマＣＶＤによ
るダイヤモンドライクカーボン膜の成膜や、テクスチャ
ー形成のためのプラズマエッチング過程などのプラズマ
処理では、基板への電流の流入があるので、基板と基板
保持部との接触点にスパークが発生し基板が溶解すると
いう問題もある。

【０００６】本発明の目的は、耐衝撃性の高い絶縁性基
板を用いて、電極治具なしに十分かつ安定な保磁力を確
保した高密度記録に好適な磁気記録媒体、及びこれを用
いて１平方インチあたり７００メガビット以上の記録密
度を実現する磁気記録装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的は、基板と基板
保持部との間の導電性を十分にとることによって達成さ
れる。図１、２を用いて本発明の原理を説明する。磁気
特性が不安定な理由、及びダイヤモンドライクカーボン
膜の成膜中、プラズマエッチングなどのプラズマ処理中
にスパークが発生する原因について検討した結果、従来
方式では、成膜中の基板保持部３と磁性膜１３との導電
性が不十分であることがその原因であるとの結論に達し
た。そこで、基板と基板保持部との間の導電性を十分に
とる方法を種々検討し、絶縁性基板１１の側面に導電性
領域１を形成することが有効であることを見いだした。
側面は、基板の厚み方向の面で、円盤状基板の内側又は
外側に存在する。この面は、必ずしも磁性膜１３面に垂
直である必要はなく、例えば面取りにより複数の面から
構成されていてもよい。また、導電性領域１は必ずしも
絶縁性基板１１の全側面に形成する必要はなく、基板を
基板保持部３で保持したとき、その基板保持部３との接
触が確保されるようにして形成されていればよい。

【０００８】図１は本発明の磁気記録媒体断面構造を模
式的に示したものである。絶縁性基板１１上に導電膜
２、磁性膜１３、保護膜１６の順に積層されており、絶
縁性基板１１の側面には導電性領域１が形成されてい
る。導電性領域１は、図２に示すように導電膜２を介し
て、金属性の基板保持部３と磁性膜１３との導電性を良
好に保つように働く。導電性領域１のこのような働きに
より、基板保持部３に印加したバイアス電圧を安定に磁
性膜１３へ導くことが可能となり、またプラズマＣＶＤ
によるダイヤモンドライクカーボン膜の成膜やプラズマ
エッチングなどのプラズマ処理中では、基板１１へ流入
した電流を円滑に流出させるのでスパークの発生を抑え
ることができる。導電性領域１と磁性膜１３との間の抵
抗が１００Ω未満であると、より一層の効果が期待でき
る。

【０００９】図３に示すような導電膜２と磁性膜１３と
の間に下地膜１２があると、磁性膜１３の磁気特性を導
電膜２の性質にかかわりなく制御することが可能とな
る。なお、磁性膜成膜後の、プラズマＣＶＤによるダイ
ヤモンドライクカーボン膜の成膜やプラズマエッチング
などのプラズマ処理におけるスパークの発生回避だけに
着目すると、磁性膜は導電性を有するので、新たに導電
膜を形成しなくともすでに成膜されている磁性膜を前記
導電膜として利用することにより同様の効果を得ること
ができる。

【００１０】絶縁性基板の両面に磁性膜が積層されてい
ると、基板で片面のみの磁気記録媒体に比べて２倍の記
録容量が得られる。この際、両面の磁性膜の磁気特性が
同じである方が装置設計上好ましい。そこで、両面の磁
性膜間に導電性を与え、バイアス電圧が等しく印加され
るようにするのがよい。導電性領域１は、Ｃ，Ｚｎ，Ｒ
ｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｃ
ｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｇｅ，Ｗの中から選
ばれた少なくとも一つ以上の金属もしくは合金、又はＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｎｂ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒの中から選ばれ
た少なくとも一つ以上の元素とＰ，Ｂ，Ｓｉの中から選
ばれた少なくとも一つ以上の元素との合金，又は，Ｆｅ
−Ｚｒ，Ｌａ−Ｃｕ，Ｃａ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｃｒ−Ｐ−
Ｃ，Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ合金を主成分とするのがよい。

【００１１】特に、Ｃ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕを含む金属や
合金は、導電性が高く、薄くても十分な機能が得られ
る。また、Ｃ，Ａｕ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｖを含む金属や合金
は、柔軟性があり、基板保持部３との高い密着性が得ら
れ、接触抵抗が低減して良好である。Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ，Ｎｂ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒの中から選ばれた少なくとも
一つ以上の元素とＰ，Ｂ，Ｓｉの中から選ばれた少なく
とも一つ以上の元素との合金、又はＦｅ−Ｚｒ，Ｌａ−
Ｃｕ，Ｃａ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｃｒ−Ｐ−Ｃ，Ｆｅ−Ｓｉ−
Ｂ合金を主成分とすると、アモルファス構造を取るので
導電膜２としても兼ねることができ、構造を単純にでき
る。なかでもＦｅ−Ｃｒ−Ｐ−Ｃ合金は耐食性が高く装
置の信頼性向上に有効である。また、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ合
金は非常に硬いため、導電膜２として用いると、より高
い対衝撃性が期待できる。

【００１２】上記磁気記録媒体と、磁気記録媒体駆動部
と、磁気ヘッドと、磁気ヘッド駆動部と、記録再生信号
処理系を有する磁気記録装置において、再生用磁気ヘッ
ドとして通常のインダクティブ型を用いることにより１
平方インチあたり７００メガビット以上、さらにＭＲ
（磁気抵抗）型又はＧＭＲ（巨大磁気抵抗）型磁気ヘッ
ドを用いることにより、１平方インチあたり１ギガビッ
ト以上の記録密度を実現する磁気記録装置を提供するこ
とが可能となる。

【００１３】

【作用】絶縁性基板の外周面又は内周面に形成された導
電性領域は、バイアススパッタリング等による成膜時に
金属性の基板保持部と磁性膜との導電性を良好に保ち、
基板保持部に印加したバイアス電圧を安定に磁性膜へ導
く作用をする。またプラズマＣＶＤによるダイヤモンド
ライクカーボン膜の成膜やプラズマエッチングなどのプ
ラズマ処理中では、基板へ流入した電流を円滑に流出さ
せるのでスパークの発生を抑えることができる。

【００１４】本発明の磁気記録媒体は十分かつ安定な保
磁力を確保することができるので、再生用磁気ヘッドと
して通常のインダクティブ型と組み合わせることにより
１平方インチあたり７００メガビット以上、さらにＭＲ
（磁気抵抗）型又はＧＭＲ（巨大磁気抵抗）型磁気ヘッ
ドと組み合わせることにより、１平方インチあたり１ギ
ガビット以上の記録密度を実現する磁気記録装置を提供
することが可能となる。ＭＲ型又はＧＭＲ型の磁気ヘッ
ドは高感度なので、ヘッド走行方向に測定した残留磁束
密度Ｂｒと磁性膜の総膜厚δとの積Ｂｒ×δの値が１０
０Ｇμｍ以下で使用しないと、ヘッドからもノイズが発
生してしまう。

【００１５】

【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。〔実施例１〕図１に断面略図を示す磁気記録媒体を作製
した。絶縁性基板１１としては強化ガラスを用いた。絶
縁性基板には、有機樹脂、セラミックス等を用いてもよ
い。まず基板１１の側面に、Ａｇ−Ｃｕ合金の導電性領
域１を厚さ２０ｎｍ蒸着した。導電性領域１は、Ｃ，Ｚ
ｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃ
ｕ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｇｅ，Ｗの中
から選ばれた少なくとも一つ以上の金属や合金を用いて
もよい。続いて、スパッタガスとして３ｍＴｏｒｒのア
ルゴンを用いてスパッタリング法により、導電膜２、磁
性膜１３、及び保護膜１６を成膜し、さらにその上に潤
滑層を形成した。ここで、導電膜２は厚さ５ｎｍのＴａ
膜とした。磁性膜１３はＣｏ−１８ａｔ％Ｃｒ−８ａｔ
％Ｐｔ合金とＳｉＯ₂の混合ターゲットを用いて成膜し
た厚さ２０ｎｍの合金層とした。保護膜１６は厚さ２０
ｎｍの炭素とし、潤滑層は吸着性のパーフルオロアルキ
ルエーテルとした。

【００１６】前記導電性領域１は、図２に示すように、
導電膜２を介して金属性の基板保持部３と磁性膜１３と
の導電性を良好に保つ作用をする。磁性膜１３の成膜時
には、基板保持部３を通して−２００ボルトのバイアス
電圧を印加した。その結果、保磁力はバイアス無しの場
合の１８００エルステッドに比べて、２２００エルステ
ッドまで上昇した。同じ構成の媒体を連続して１００枚
作成し、保磁力を測定したが、すべて２１５０〜２２５
０エルステッドの範囲の中に入っていた。これは、導電
性領域１を設けないでバイアス印加した場合に保磁力が
１９００〜２４００エルステッドの範囲に分散したこと
と比較すると、得られる特性が極めて安定していること
を示している。

【００１７】スパッタガスは全工程でアルゴンを用いた
が、ネオン、キセノン、クリプトン等の希ガスを用いる
と１００エルステッド程度の保磁力の増大効果がある。
また、磁性膜１３の形成に先立ち、微量の酸素ガスを添
加したアルゴンガスを用いたＲＦエッチングにより導電
膜２の表面を酸化する酸素プラズマ処理を行うと、保磁
力がさらに１００エルステッド程度増大する。この酸素
プラズマ処理においても、通常１０回に１回程度の割合
でスパークが発生するが、導電性領域１を側面に形成し
た基板ではスパークは発生しない。

【００１８】潤滑層形成前には、カーボン保護膜上にテ
フロン微粒子を付着させ、プラズマエッチングし、１０
ｎｍの長さのテクスチャーを形成した。ここでも通常２
０回に１回程度の割合で発生するスパークが、導電性領
域１を側面に形成した基板では発生しなかった。磁性膜
１３の材質としては、上記ＣｏＣｒＰｔの代わりに、Ｃ
ｏＣｒＰｔＴａ，ＣｏＰｔ，ＣｏＮｉ，ＣｏＦｅ，Ｃｏ
Ｃｒ，ＣｏＩｒ，ＣｏＷ，ＣｏＲｅ，ＣｏＮｉＺｒ，Ｃ
ｏＣｒＴａあるいはＣｏＮｉＣｒを用いた場合にも同等
の効果が得られた。

【００１９】〔実施例２〕図３に断面略図を示す磁気記
録媒体を作製した。この磁気記録媒体は、強化ガラス、
あるいは、有機樹脂、セラミックス等の絶縁性基板１１
の側面に成膜されたＡｇ−Ｃｕ合金導電性領域１と、図
示したＡ，Ｂの両面にスパッタリング法により形成され
た膜厚１００ｎｍのＮｉ−Ｐ導電膜２、厚さ３０ｎｍの
Ｃｒ下地膜１２、厚さ３０ｎｍのＣｏ−１６ａｔ％Ｃｒ
−６ａｔ％Ｔａ合金磁性膜１３、及び厚さ４０ｎｍのプ
ラズマＣＶＤによるダイヤモンドライクカーボン保護膜
１６、さらにその上に形成された潤滑層により構成され
る。潤滑層は吸着性のパーフルオロアルキルエーテルで
ある。Ｘ線回折法によると、磁性膜１３は六方晶でその
ｃ軸は面内にあることが分かった。

【００２０】Ａｇ−Ｃｕ合金導電性領域１は、Ｎｉ−Ｐ
導電膜２に先立ち、図４に示すようなドーナッツ状のタ
ーゲット２１を用いてスパッタリング法により２０ｎｍ
の厚さに成膜した。このときターゲット電極２２の背後
にある磁石により、ターゲット２１のみがスパッタリン
グされるようにしてある。導電性領域１としてＣ，Ｚ
ｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃ
ｕ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｇｅ，Ｗの中
から選ばれた少なくとも一つ以上の金属や合金、又はＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｎｂ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒの中から選ばれ
た少なくとも一つ以上の元素とＰ，Ｂ，Ｓｉの中から選
ばれた少なくとも一つ以上の元素との合金、又はＦｅ−
Ｚｒ，Ｌａ−Ｃｕ，Ｃａ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｃｒ−Ｐ−Ｃ，
Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ合金を主成分とする合金を用いてもよ
い。

【００２１】導電性領域１と導電膜２を同じ材質とする
場合には、基板より大きめのターゲットを用いてスパッ
タ成膜したり、あらかじめ絶縁性基板１１を無電解メッ
キ液に浸すなどして一体成型してもよい。導電性領域１
の厚みが厚いほど、Ａ，Ｂ面間の抵抗が低くなって良
い。磁性膜１３の成膜時には、図２に示す基板保持部３
を通して−３００ボルトのバイアス電圧を印加した。カ
ー効果を用いて保磁力を測定すると、Ａ面の保磁力は２
１２０エルステッド、Ｂ面の保磁力は２２００エルステ
ッドであった。このときＡ，Ｂ面間の抵抗値は９０オー
ムであった。Ａ，Ｂ面間の抵抗値に対する、「Ａ面とＢ
面の保磁力の差」を「Ａ面とＢ面の保磁力の和」で除し
た値を示したのが図５である。Ａ，Ｂ面間の抵抗値が１
００オームより小さいとき、Ａ面とＢ面の保磁力の差が
ほぼ無視できる大きさとなった。

【００２２】ダイヤモンドライクカーボン保護膜１６
は、作業ガスとしてメタンを用いてプラズマＣＶＤ法に
よって作成した。成膜中のスパーク発生数は、Ａ，Ｂ面
間の抵抗値に依存する。図６は、Ａ，Ｂ面間の抵抗値に
対する１００枚中のスパーク発生数を示したものであ
る。Ａ，Ｂ面間の抵抗値が１００オームより小さいと
き、スパークの発生をほぼ抑えることができた。

【００２３】〔実施例３〕図７に断面略図を示す多層膜
磁気記録媒体を作製した。本実施例の磁気記録媒体は、
円周部を面取りした強化ガラス、あるいは、有機樹脂、
セラミックス等で構成される絶縁性基板１１の両面に、
実施例１と同じ条件でスパッタリング法により形成され
た、厚さ１０ｎｍのＴｉ導電膜２、厚さ３０ｎｍのＣｒ
下地膜１２、Ｃｏ−１８ａｔ％Ｃｒ−１２ａｔ％Ｐｔ合
金磁性膜１３、及び厚さ４０ｎｍのカーボン保護膜１６
と、さらにその上に形成された潤滑層とにより構成され
る。

【００２４】円周部を面取りした絶縁性基板１１を用い
れば、図７の左側に示されているように、導電膜２の成
膜時に基板側面にも成膜されるので、ここが導電性領域
１として作用する。磁性膜の厚さは３０ｎｍとし、成膜
時のバイアス電圧は、−１００〜−２００ボルトとし
た。このとき、図２に示す基板保持部３の材質をＣ，Ａ
ｕ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｖを含む金属や合金とすると柔軟性が
あり、接触抵抗が低下するので好都合である。この構造
の媒体は、１平方インチあたり１ギガビットを越えない
記録密度の媒体の作製に好適である。図７左の構造を持
つ媒体の導電性領域１と磁性膜１３間の抵抗は、導電膜
２の厚さを十分にとれば１００オーム以下にすることが
できる。

【００２５】記録密度が１平方インチあたり１ギガビッ
トを越える媒体には、図７右に示すように、導電膜２の
成膜前に絶縁性基板１１の側面へ導電性領域１を形成し
ておく方が良好である。ここでは、実施例２のようなス
パッタ法や蒸着法などによって図７右に示す導電性領域
１を形成し、引き続いて導電膜２をスパッタした。導電
性領域１は、あらかじめ別の真空容器中にて、複数枚の
基板を重ねるなどして、複数枚の基板に対して同時に形
成することもできる。磁性膜の厚さは２０ｎｍとし、成
膜時のバイアス電圧は、−３００〜−５００ボルトとし
た。図７右の構造を持つ媒体では、導電性領域１と磁性
膜１３間の抵抗及びＡ，Ｂ両面の磁性膜１３間の抵抗を
共に下げることができ、バイアス電圧の印加やプラズマ
ＣＶＤによるダイヤモンドライクカーボン保護膜の作
成、プラズマエッチング処理が良好に行える。

【００２６】超伝導帯磁率計（ＳＱＵＩＤ）により測定
した室温における保磁力は、図７左の構造の媒体で２１
５０〜２２５０エルステッドの範囲の中に入っていた。
これは、円周部を面取りしていない絶縁性基板１１を導
電性領域１を設けずにバイアス電圧を印加して成膜した
場合の１９００〜２３００エルステッドに比べてバラツ
キが少なく、極めて安定した特性が得られることを示し
ている。また、図７右の構造の媒体では、２４５０〜２
５５０エルステッドとこれもバラツキのない安定した保
磁力が得られた。

【００２７】次に、記録再生特性を測定した。測定は、
媒体と磁気ヘッドの相対速度を１２ｍ／ｓ、浮上スペー
シングを５０ｎｍとし、実効ギャップ長が３５０ｎｍの
記録用電磁誘導型薄膜磁気ヘッドと再生用磁気抵抗効果
型磁気ヘッドを複合した磁気ヘッドを用いて行った。そ
の結果、媒体ノイズは、導電性領域１を設けずにバイア
ス印加して成膜した場合に比べて、図７左の構造の媒体
で約１割、図７右の構造の媒体で約２割低減された。出
力半減記録密度（Ｄ₅₀）は、導電性領域１を設けずにバ
イアス印加して成膜した場合の８０ｋＦＣＩに比べて、
図７左の構造の媒体で１００ｋＦＣＩで、図７右の構造
の媒体で１２０ｋＦＣＩであった。この結果、図７右の
構造の媒体は、１平方インチあたり１ギガビットを越え
る記録密度で記録再生ができることがわかった。

【００２８】〔実施例４〕実施例１〜３に示した媒体を
基板の両面に形成したディスク４枚と再生部に（巨大）
磁気抵抗効果を有する複合型薄膜磁気ヘッド７個とＮｉ
−Ｆｅ合金を記録再生用磁極とするサーボ用の薄膜ヘッ
ドとを組み合わせた磁気記録装置を試作した。本装置
は、平面図９に示すように磁気記録媒体８１、磁気記録
媒体駆動部８２、磁気ヘッド８３、磁気ヘッド駆動部８
４、記録再生信号系８５などの部品から構成される。

【００２９】この磁気記録装置を使用し、浮上スペーシ
ング５０ｎｍにおいてエラーが発生するまでの平均時間
を求めたところ、従来装置と同程度であり信頼性が高い
ことを実証できた。また、本実施例で試作した磁気記録
装置はヘッド浮上量が低いため、信号の記録再生におけ
る位相マージンが広くなり、従来媒体を用いた浮上スペ
ーシング８０ｎｍの装置に比べて面記録密度を３倍に高
めることができ、小型で大容量の磁気記録装置を提供で
きた。本装置を用いてトラック幅が３μｍ以下のＭＲヘ
ッドで再生した場合に１３０ｋＢＰＩ以上の高い記録密
度においてＳ／Ｎが４以上、さらにオーバーライト（Ｏ
／Ｗ）特性が２６ｄＢ以上の大容量磁気記録装置が得ら
れた。特に、４ｋＴＰＩ以上の高記録密度時にも本実施
例の媒体はトラック幅方向の書きにじみが十分に行なわ
れるため、高いＳ／Ｎが得られた。また、テクスチャー
を保護膜の加工により形成するため、サーボ信号の品位
も高く、良好なヘッド位置決めが可能であった。本実施
例における磁気記録装置を、１メートルの高さから木製
の床に静かに落下させた後、同様の測定を行ったが、落
下前後で記録再生特性の違いは見られなかった。

【００３０】

【発明の効果】本発明に寄れば、耐衝撃性の高い絶縁性
基板上においても、十分かつ安定な保磁力を確保した高
密度記録に好適な磁気記録媒体、及びこれを用いて１平
方インチあたり７００メガビット以上の記録密度を実現
する磁気記録装置を提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による磁気記録媒体の一実施例の断面略
図。

【図２】導電性領域の作用を説明する図。

【図３】磁気記録媒体の他の実施例の構造断面図。

【図４】導電性領域の成膜方法を説明する図。

【図５】ＡＢ面間保磁力差の磁性膜間抵抗値依存性を示
す図。

【図６】成膜中のスパーク発生数の磁性膜間抵抗値依存
性を示す図。

【図７】磁気記録媒体の他の実施例の構造断面図。

【図８】磁気記録装置の略図。

【符号の説明】

１…導電性領域、２…導電膜、３…基板保持部、１１…
絶縁性基板、１２…下地膜、１３…磁性膜、１６…保護
膜、２１…ターゲット、２２…ターゲット電極、８１…
磁気記録媒体、８２…磁気記録媒体駆動部、８３…磁気
ヘッド、８４…磁気ヘッド駆動部、８５…記録再生信号
系

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者小角雄一神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者寺門正倫神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社日立製作所ストレージシステム事業部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁性基板上に導電膜を形成し、その上
に直接又は下地膜を介して磁性膜、保護膜の順に積層し
た磁気記録媒体において、前記絶縁性基板の側面の少な
くとも一部に導電性領域を有し、該導電性領域は前記磁
性膜との間に導電性を有することを特徴とする磁気記録
媒体。
【請求項２】前記導電性領域と磁性膜と間の抵抗は１
００Ω未満であることを特徴とする請求項１記載の磁気
記録媒体。
【請求項３】絶縁性基板の両面に下地膜、磁性膜、保
護膜の順に積層されている磁気記録媒体において、両面
の磁性膜間に導電性があることを特徴とする磁気記録媒
体。
【請求項４】絶縁性基板の両面に導電膜を形成し、そ
の上に直接又は下地膜を介して磁性膜、保護膜の順に積
層した磁気記録媒体において、両面の磁性膜間に導電性
があることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項５】両面の磁性膜間の抵抗は１００Ω未満で
あることを特徴とする請求項３又は４記載の磁気記録媒
体。
【請求項６】基板側面の少なくとも一部に導電性領域
を有することを特徴とする請求項３、４又は５記載の磁
気記録媒体。
【請求項７】導電性領域は、Ｃ，Ｚｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，
Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｔ
ｉ，Ｖ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｇｅ，Ｗの中から選ばれた少なく
とも一つ以上の金属もしくは合金、又はＦｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ，Ｎｂ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒの中から選ばれた少なくとも
一つ以上の元素とＰ，Ｂ，Ｓｉの中から選ばれた少なく
とも一つ以上の元素との合金、又はＦｅ−Ｚｒ，Ｌａ−
Ｃｕ，Ｃａ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｃｒ−Ｐ−Ｃ，Ｆｅ−Ｓｉ−
Ｂ合金を主成分とすることを特徴とする請求項１、２又
は６記載の磁気記録媒体。
【請求項８】磁気記録媒体と、磁気記録媒体駆動部
と、磁気ヘッドと、磁気ヘッド駆動部と、記録再生信号
処理系とを含む磁気記録装置において、前記磁気記録媒
体としてヘッド走行方向に測定した残留磁束密度Ｂｒと
磁性膜の総膜厚δとの積Ｂｒ×δの値が１００Ｇμｍ以
下である請求項１〜７のいずれか１項記載の磁気記録媒
体を用い、再生用磁気ヘッドとして磁気抵抗効果型ヘッ
ド又は巨大磁気抵抗効果型ヘッドを用いることを特徴と
する磁気記録装置。