JP2002050031A - 多層テクスチャー層 - Google Patents

多層テクスチャー層

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JP2002050031A JP2001180869A JP2001180869A JP2002050031A JP 2002050031 A JP2002050031 A JP 2002050031A JP 2001180869 A JP2001180869 A JP 2001180869A JP 2001180869 A JP2001180869 A JP 2001180869A JP 2002050031 A JP2002050031 A JP 2002050031A
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バーテロ ジェラルド
Javier Wong
ウォング ジャビエール
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 耐腐食性を改良すると同時に、データストレ
ージ用途で使用する磁気ディスクの磁気特性を最大化す
るための方法。 【解決手段】 基体を供給する工程と、基体１０２上に
第1の層４０２を形成する工程とを含み、第1の層は第一
級の耐摩耗性を有する。第1の層上にNi含有層等の第2の
層５０４を形成する工程を含み、Ni含有層は前記第一級
の耐摩耗性よりも低い第二級の耐摩耗性を有する。さら
に、Ni含有層に溝を形成する工程を含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】本発明は、データストレージ用途で使用さ
れる磁気ディスクの製造技術、本明細書に記載された通
りに製造したディスク及びそのようなディスクを組み込
んだディスクドライブに関する。それ故、特に、本発明
は耐腐食性及び磁気特性を改良する磁気ディスク及び製
造方法に関する。ガラス又はメッキしたニッケルリン
（NiP）で覆われたアルミニウム等の基体の使用は、デ
ータストレージ用磁気ディスクを製造するベースとし
て、よく知られている。議論の目的で、図１は具体例と
してアルミ合金基体（１０２）を示す。基体（１０２）
上に、ニッケルリンの層（１０４）が配置され、典型的
には無電解メッキ等の堆積方法により形成される。典型
的には、NiP層は数ミクロンの厚さでメッキされる。引
き続いて実質的な量を研磨し、滑らかな表面を形成する
ために、この厚さが必要とされる。NiP層の析出したま
まの表面は粗いため（それはアルミニウム基体の相対的
に粗い表面のためである）、研磨は相対的に大掛かりで
ある。また厚いNiPは、軟質なアルミニウム基体の表面
と比較して硬い表面を提供するために必要であり、ディ
スクドライブの作動中の突然の激しい衝撃（“ディンギ
ング（dinging）”）によって生じるダメージを減少さ
せる。典型的にはNiP層（１０４）上に配置される追加
の層、例えば典型的にはクロム（Cr）（本明細書におい
て、Cr又はCr層はCr合金を含むものと理解されるべきで
ある）を含む下地層（underlayer）、該Cr下地層上に配
置される磁性材料（例えばコバルト合金又は鉄合金等）
の上塗り層（overlayer）及び保護層が存在する。
【０００２】予備知識として、NiP層は典型的にはテク
スチャー加工されて、表面（overlying）磁性層におい
て磁気モーメントの優先的な配向度を提供する。一般
に、NiP層はダウントラック（downtrack）方向にテクス
チャー溝を形成することによってテクスチャー加工され
る。本明細書で使用される用語として、ダウントラック
方向は、一般にディスクの半径方向に対して垂直又はほ
ぼ垂直であると理解されるべきであり、同心、直行平行
線又はアットタイムノンパラレルパターン（at times n
on-parallel patterns）を含んでもよい。テクスチャー
溝はコバルト合金層のダウントラック方向に沿った磁気
モーメントの優先的な配列を生じる。
【０００３】当業者によく知られているように、この磁
気モーメントの優先的な配列は、ダウントラック方向に
おける増大する保磁力及びヒステリシス直角度（hyster
esissquareness）を与えて、等方性層と比較して、磁性
層において高密度でビットデータを高い信頼性で記憶さ
せておくことを可能にする。ダウントラック方向におい
てより高い磁性の残留磁気（Mr）を生じるため、高い直
角度は重要である。知られているように、シグナル強度
はMrと磁性層の厚さ（T）の積、即ちMrTに比例する。シ
グナルについて、高いMrTを有することは望ましいが、
読み出し／書き込み電極と磁性層との間の有効空間損失
（effective space loss）を1マイクロインチ（μ”）
以下に減少させなければならない。有効空間損失は磁性
層のほぼ中心と読み出し及び書き込み電極との間の距離
である。このため、磁性層の厚さ（T）を減少させる傾
向が続いていた。従って、優先的な配向によって提供さ
れるより高いMrで、より薄い磁性層が使用されるが、一
方で充分なMrTを保持する。磁性層の厚さの減少のほか
に、空間損失を減少させるその他の方法としては、保護
層の厚さを減少させること、及び読み出し及び書き込み
動作の際のヘッド-媒体間隔を減少させることが挙げら
れる。
【０００４】テクスチャー加工方法に戻って、現行技術
では、NiP層は典型的には機械的研磨方法を用いてテク
スチャー加工される。ある場合には、機械的研磨方法
は、その上に研磨粒子を有するテープを用いてダウント
ラック方向に沿ってNiP層を本質的に研磨する。残念な
がら、機械的研磨方法はNiP層に広い溝を掘る（gouge）
傾向にあり、深すぎる幾つかの溝を形成することが明ら
かとなった。さらに、高い尾根が掘られた溝に沿って形
成される。図２はテクスチャー加工したNiP層の原子間
力顕微鏡（AFM）走査図である。図２の水平及び垂直ス
ケールが互いに異なっていることは理解されるであろ
う。明らかなように、溝（２０２）等の幾つかの溝は過
度に深く、狭いが、その他は、好ましい磁気配向を生じ
るのにほぼ望ましい深さである。さらに深い溝（２０
２）に沿っている尾根（２０３）は所望するよりも高
い。これらの溝の不均一性はより均一な分布の粒子を有
する研磨スラリーを用いて、また研磨方法をより正確に
制御することによって最小化できるが、機械的研磨方法
のまさに機械的性質は不均一性を完全に排除することを
不可能にしている。
【０００５】図３Ａは深い溝により生じる問題を具体的
に示す。図３Ａに示されたような溝の図はスケールを必
要としないことは理解されるであろう。図３Ａにおい
て、層（３０６）は保護層を表す。層（３０６）の下
に、図３Ａに示していないその他の層が存在することは
理解されるであろう。そのような層としては、例えば1
層以上の下地層、1層以上磁性層、1層以上の保護層及び
1層以上の例えばスパッタ蒸着により堆積される追加の
層が挙げられる。保護層（３０６）は典型的には炭素含
有層を含む。層（３０６）が堆積されるため、深い溝
（３０２）の深さ及びプロファイルは層（３０６）がNi
P表面を充分に覆うのを困難にしている。結果として、
層（３０６）の空隙や隙間は深い溝（３０２）の付近に
存在するかもしれない。層（３０６）の下の層は、その
厚さ及びその他の因子に依存して、深い溝に空隙を有す
るかもしれないし、有しないかもしれない。隙間の結果
として、層（３０６）の下の種々の層の1層以上及び／
又はNiP層及び／又は基体は水分に曝されて、腐食を生
じる。Co合金層は特に腐食されやすく、懸念の主要因で
ある。さらに、その他の層及び基体材料も種々の度合い
で腐食されやすい。少なくとも、腐食はヘッドによって
ピックアップされる粒子の発生を導き、結果としてドラ
イブ特性を低下させる。
【０００６】図３Ａの溝（３０２）に対して、溝（３０
４）は望ましいプロファイルについてのものであり、層
（３０６）は溝（３０４）の領域で全表面を被覆でき
る。層（３０６）が良い水分障壁であり、水分が層（３
０６）の下の層に浸透できないため、腐食は防止され
る。層（３０６）の隙間の形成は、層（３０６）の厚さ
が減少するためより起こりやすく、図３Ａで示した問題
は、将来製品を悪化させることが予想される。上述のよ
うにテクスチャー加工の際に生じるかもしれないさらな
る問題は、図３Ａの尾根（３０５）等の掘られた溝に沿
った尾根の形成である。高い点を被う種々の層の堆積被
覆率は一般に良いが、特に薄い保護層によって非常に鋭
い点を被うことができないこともあり、そのため下の層
は曝され、従って腐食されやすくなる。さらなる懸念
は、MRヘッド、GMRヘッド等との衝突するために充分に
高い尾根に関して発生し、そのような衝突はMR電極の温
度上昇を生じて、誤ったシグナルを発生する。この失敗
のメカニズムは熱アスペリティ（thermal asperity）と
称される。このため、製造の後工程の1つとして、すべ
ての層を堆積した後、研磨工程が行われ、どのような高
い点も効果的に取り去る。研磨の際に、凸凹が取り去ら
れる場合、層（３０６）の一部も同様に取り去られる。
又、この問題は薄い保護層で特に顕著である。少なくと
も、このために、Co合金層等、1層以上が曝され、その
部分で腐食を生じる。
【０００７】腐食感受率を決定するため、ディスクは高
温高湿環境にさらされ、又は塩酸（HCl）試験にかけら
れる。次いでディスクは暗視野光学顕微鏡で検査され
る。図３Ｂはディスク上の腐食部の顕微鏡写真を示し、
該腐食部は暗い背景に明るい領域又はスポットとして現
れる。明らかなように、多くの腐食部がラインに沿って
生じている。これは、幾つかのテクスチャーラインにお
いて上記の尾根又は広い溝によるものである。
【０００８】ガラス基体は特に難題を提供する。その硬
さのために、またテクスチャー加工がテクスチャーライ
ンに沿って微視的な割れ目を生じるために、ガラス基体
にテクスチャー加工することは困難である。さらに、テ
クスチャー加工したガラスは、テクスチャー加工したNi
P層で行われた方法において好ましい配向をもたらさな
いことが明らかとなった。ガラスは非金属的であるた
め、通常の方法でNiP層をメッキできない。NiP層は、米
国特許第5,250,339号に記載されるように真空蒸着され
る。しかし、そのような膜は、NiP膜を剥離から防ぎ、
均一な表面を提供するために、十分な厚さでなければな
らないことがその中で主張される。'339特許はNiP層に
ついて0.03ミクロンの低限を示すが、均一な表面仕上げ
は約0.1ミクロンのNiP厚さになるまで得られていないこ
とがその中のデータから明らかである。
【０００９】さらに、ガラスは不良熱伝導体であるた
め、熱アスペリティ問題が悪化する。さらに、浮上量
（fly heights）が減少するため、媒体とヘッドとの接
触が時々生じる。このことは媒体温度の局所的な上昇を
招き、一様に拡散しない場合には、シグナルのベースラ
インシフトを生じる。前述の理由により、真空蒸着金属
層等の熱伝導層又は厚い無電解メッキNiP層（初めに下
地層を形成してガラス基体上にメッキ可能にした後）を
種々の媒体層の下に設けることが望ましいと知られてい
る。材料の熱伝導性に依存して、そのような層は、典型
的には約0.1ミクロン以上でなければならない。さら
に、該層は、ガラス基体に達し、スラリーが基体表面を
ひっかくように欠陥を生じるテクスチャー加工方法のあ
らゆる可能性を排除するために十分な厚さでなければな
らない。厚いNiP層の１つの問題は、本明細書に記載し
たように深く広い溝及び高い尾根の形成である。増大す
る層の厚さの他の問題は、層間剥離を生じるような内部
応力の増大である。真空蒸着により形成した厚い層のさ
らなる問題は相対的に高いコストである。
【００１０】米国特許第5,681,635号及び第5,855,951号
はガラスセラミック基体上の硬質膜の使用を提案する。
その中で記載される膜は、擬拡散領域（pseudo-diffusi
on region）及び層とガラスセラミック基体の間の傾斜
界面領域（graded interfacial region）を形成する能
力を基に選択される。特に、堆積材料はセラミック基体
材料と相互作用し、基体強度を増加する圧縮応力が生じ
る。この層上に、軟質で、テクスチャー加工可能な層が
堆積される。記載された具体的な材料は、硬質下地層と
して窒化チタン（TiN）層、続いてより軟質なチタン（T
i）リッチTiN層である。残念ながら、これら特許に記載
された層は幾つかの理由により実用的でない。第1に、
記載された幾つかの材料は本質的に結晶性である。その
ような材料は充分に大きな厚さにおいて結晶面を形成
し、その結晶麺は表面粗さを増大させる。例えば、具体
的な膜の粗さRaは1マイクロインチ（μ”）未満を示
す。現在の、また将来のディスクの要求される粗さRaは
1μ”よりもかなり小さいため、この範囲の粗さを有す
る表面は受け入れられない。さらに、上記特許に記載さ
れる材料はあまり知られていない、又はディスクドライ
ブ利用における特徴が明らかでなく、特に提案されてい
るTiリッチTiNテクスチャー層において、所望するテク
スチャー構造を形成することが非常に困難であるかもし
れない。下層について0.5から5.0ミクロン（μm）、テ
クスチャー層について100から150ナノメーター（nm）
（即ち0.1から0.15μm）の厚さは相対的に厚く、結果と
して増大するコストをもたらす。
【００１１】上述の点から、NiP層等のテクスチャー層
のダウントラック方向に形成された溝を使用する磁気媒
体において磁気特性を改良するために、改良した技術及
び構造が要求される。好ましくは、そのような媒体は以
下の特徴の1つ以上を有すべきである。それは非常に低
い浮上量（接触又はほぼ接触）記録の要求を両立しなけ
ればならない。ヘッドがディスクの表面近くを浮上する
ため、すべり要求（glide requirements）はより厳し
く、研磨の前に高い点が実質的に減少していなければ、
結果としてかなり多くの腐食部を生じる。又さらに、媒
体は、将来の高密度媒体の要求を満たす必要から継続的
に減少する保護層の厚さを許容できなければならない。
保護層のあらゆる空隙は結果として腐食部を生じ、この
問題は保護層がより薄くなるとより悪くなることが予想
される。現在、技術状況は、面密度が増えつづける将来
において使用される薄い厚さとして、約50Å程度の薄い
保護層を要求する。
【００１２】さらに、テクスチャー加工用として使用さ
れるいずれの層も、特にガラス基体で用いられる場合に
は、相対的に薄い厚さで加工されるのが好ましい。これ
は、ガラスが低浮上量を必要とする滑らかな表面及び埋
め込まれる粒子等の欠陥に耐えるほど非常に硬質の表面
を示すために重要である。薄いテクスチャー層は、ガラ
ス層の利点を本質的に示す。特にガラスについて、さら
に好ましい特色は、材料が良い熱伝導性を有し、熱を拡
散し、読み出し操作の際の時折のヘッド-媒体接触によ
り生じる局所的な温度上昇の効果を緩和することであ
る。また、不伝導性基体上をスパッタリングする際にバ
イアスが掛けられるため、層は同様に良い電気伝導性を
有することが望まれる。また、層は、層間剥離を防止
し、高価な追加の付着層を避けるために、ガラス基体に
対して良い付着力を有すべきである。さらに、真空蒸着
は高価な工程であるため、より低コストを達成するため
に、薄い層が望まれる。さらに、これらの基体が、典型
的には通常のアルミニウム基体よりも遥かに高価である
ため、ガラス、ガラスセラミック及び同様の基体につい
てあらゆる金属被覆方法及び構造は相対的に簡易で、低
コストでなければならない。
【００１３】また、結晶性の層は面を形成する傾向にあ
り、表面粗さを増加するため、テクスチャー層はアモル
ファスであることが好ましい。また、テクスチャー層は
ニッケルリン（NiP）等の特徴が明らかであり、理解さ
れている材料を含むことが好ましく、媒体のデザインは
これらの既知の有利な特徴で行なわれ、媒体の磁気特性
上のその効果を含む。層の材料は、それ自体で良い耐腐
食性を示さなければならない。これに関して、アモルフ
ァス層は、通常腐食を加速する結晶粒界の欠如のため一
般に優れた耐腐食性を有するので（結晶形態である同じ
材料と比較してさえ）、アモルファス構造はさらに好ま
しい。
【００１４】発明の概要 一の実施態様において、本発明は耐腐食性を改良すると
同時に、ハードディスクドライブ利用において使用され
る磁気ディスクの磁気特性を最大にするための方法に関
する。本発明は基体を供給する工程及び基体上に第1の
層を形成する工程を含み、第1の層は第一級の耐摩耗性
（first degree of abrasion resistance）を有する。
本発明は第1の層上に第2の層を形成する工程を含み、第
2の層は第一級の耐摩耗性よりも低い第二級の耐摩耗性
（second degree of abrasion resistance）を有す
る。本発明は、さらに第2の層にダウントラック溝を形
成する工程を含む。他の実施態様において、本発明はデ
ータストレージ用磁気ディスクに関し、該磁気ディスク
は基体及び基体上に配置した第1の層を含み、第1の層は
第一級の耐摩耗性を有する。磁気ディスクは、さらに第
1の層上に配置した第2の層を含み、第2の層は第二級の
耐摩耗性を有し、第一級の耐摩耗性は第二級の耐摩耗性
よりも高く、第2の層はその上にダウントラック溝を有
する。
【００１５】さらに他の実施態様において、本発明はデ
ータを保存するための磁気ディスクドライブに関し、該
磁気ディスクドライブは、基体と、基体上に配置した第
1の層（第1の層は第一級の耐摩耗性を有する）と、第1
の層上に配置した第2の層（第2の層は第二級の耐摩耗性
を有し、第一級の耐摩耗性は第二級の耐摩耗性よりも高
く、第2の層はその上にダウントラック溝を有する）
と、第2の層上に配置した磁性層を含む磁気ディスクを
含む。磁気ディスクドライブは、さらに磁気ディスクを
回転させるために磁気ディスクと結合したモーターと、
磁気ディスクからデータを読み出し、磁気ディスクにデ
ータを書き込むために磁性層と空間的に少し離れた関係
（spaced-apart relationship）で配置された読み書き
ヘッドを含む。さらに、磁気ディスクに近接した読み書
きヘッドを保持するためのアームと、読み書きヘッドが
磁気ディスク上の所望する位置に配置されるようにアー
ムを移動させるためのアクチュエーターが含まれる。好
ましくは、本発明の実施態様は、第1の層についてアモ
ルファス層の使用、ニッケルニオブ（NiNb）の使用、第
2の層についてアモルファスで、NiP等の非磁性ニッケル
含有層の使用、第1及び第2の層の小さい形成したままの
表面粗さ、及び第2の層及び両方合わせたの層の相対的
に薄い厚さを含む1つ以上の有利な特徴を有しする。本
発明のこれらの及びその他の特徴を、以下の図面と共に
本発明の詳細な説明においてより詳しく説明する。本発
明は、添付図面において実施例として具体的に示される
が、本発明を限定するものではなく、図面においては、
同じ数値は同じ要素を指す。
【００１６】好ましい実施態様の詳細な説明 ここで、本発明を、添付図面で具体的に示した通りに、
その好ましい幾つかの実施態様に関して詳細に説明す
る。以下の説明において、特定の基体材料、層材料、厚
さ等の多くの特定した説明が本発明のより完全な理解を
提供するために示される。しかし、本発明が幾つかの又
はすべてのこれらの特定の説明なしに実施できること
は、当業者にとって明らかであろう。その他の例におい
て、よく知られた工程及び／又は構造は、本発明を不必
要に不明瞭にするため詳細に説明しない。
【００１７】一の実施態様において、本発明はテクスチ
ャー層のダウントラック方向に形成された溝を使用する
磁気媒体の磁気特性を改良するための装置及び方法に関
する。一の実施態様において、テクスチャー層はNi含有
層である。検討する目的で、NiP層がテクスチャー層と
して記載される。一の実施態様において、1層がNiP層の
下に配置される。この下層はNiP層よりも高い硬度、即
ち機械的摩耗方法に対して高い耐摩耗性を有する。下層
は、好ましくは基体と同程度の硬さ又は基体より硬く、
テクスチャー加工方法は基体に浸透せず、また改良した
耐衝撃性を提供する。機械的摩耗の際、NiP層を通して
摩食される場合においても、下層は基体表面の深い溝の
形成を防ぐ。この層を提供することにより、NiPは溝を
掘ることなしに、又は凸凹なしに、所望の粗さ（Ra）及
び溝の頂部から谷までの高さでテクスチャー加工され
る。一の実施態様において、下層は、好ましくはアモル
ファス又は実質的にアモルファス層から形成され、結晶
面は形成されない。言い換えれば、アモルファス層は、
典型的には相対的に滑らかであり、低浮上量ドライブで
必要とされる。また、アモルファス層の使用は、表面層
の格子構造の好ましくない又は作為的でないゆがみを防
ぐ。好ましい実施態様において、下層はニッケルニオブ
（NiNb）層である。しかし、好適な硬度及び／又は耐摩
耗性を有する（即ち、NiP層よりも硬い及び／又はより
優れた耐摩耗性であり、好ましくは基体材料とほぼ同等
の硬さ又はより硬い）その他の材料又は合金を使用しも
よいことは考慮される。また、好ましくは使用される材
料は相対的に高い熱伝導度を有して、サーマルアスペリ
ティ及び背景セクションにおいて記載したベースライン
シフトの問題を防止又は緩和し、また適度に高い電気伝
導性を有して、スパッタリングの際の基体バイアスを許
容する。
【００１８】例として、窒化チタン（TiN）、炭化タン
グステン（WC）等の材料を下層に用いてもよい。そのよ
うな層を使用する場合、それらは、好ましくはアモルフ
ァスの形態又は充分に薄い厚さで堆積され、大きな結晶
面は形成されない。特に、硬質なアモルファス膜を容易
に形成できる材料、例えばニオブ合金及びタンタル合金
は本発明の実施に好適である。さらに、下層は基体に対
して良い付着力を有するべきである。さらに、幾つかの
実施態様において、徐々に変化するよりも下層とテクス
チャー層の間に明瞭な界面が存在することが所望され、
テクスチャー加工は界面で確実に、また繰り返して止ま
る。NiNbは、特に好適であることが見出され、ガラス含
有基体に対して良い付着力、高い熱伝導性、高い電気伝
導性、優れた耐摩耗性を有し、アモルファスであり、非
常に滑らかな表面で堆積され得る。さらに、層自体は耐
腐食性が高い。
【００１９】本発明は任意の好適な基体、特にガラス、
高密度炭素、チタン等の材料からなる基体上で実施して
もよい。ガラス基体は種々の方法、例えば浮動（floati
ng）方法、圧伸形成（drawing）方法、融解（fusion）
方法又は加圧（pressing）方法により製造してもよい。
典型的には、ガラスはシリケートガラス、例えばアルミ
ノシリケート又はボロシリケートであるが、添加剤を含
まない、又は異なる添加剤又は追加の添加剤を含むその
他のガラスのタイプも同様に使用され得る。ガラスセラ
ミック材料は幾つかの結晶性材料を含む。本明細書で使
用したように、ガラス基体はガラスを含むいずれの基体
をも意味し、例えばアモルファスガラス基体又はガラス
セラミック基体である。有利な特性を有する基体、例え
ばガラス基体で、本発明は基体の有利な特性を充分に利
用することができる。例えばガラスについて、ガラスの
非常に滑らかな（即ち、低粗さ）表面品質が保たれ、ガ
ラスのその他の利点は、通常のアルミ基体と比較して埋
め込まれた粒子に対してより低感受性である。本明細書
に記載したように、これは本発明で使用してもよい堆積
された下層及びテクスチャー層の相対的に薄い厚さで特
に真実である。さらに下層は摩耗に耐性を有するため、
それは基体の引っ掻き傷や結果として生じる欠陥の問題
を防止する。下地層のないガラスで生じるかもしれない
さらなる問題は、ガラスの材料と一般に使用される洗浄
剤又は周囲の水分との反応による小さな“ミクロ”スパ
イクの形成である（図９参照）。本発明の実施態様はこ
れらの問題を減少し、排除する。
【００２０】議論を促進するために、図４は基体（１０
２）を含む磁気媒体ディスクの一部を簡略化した図に表
した。基体（１０２）上に下層（４０２）が配置されて
いる。本明細書で使用される用語として、他の層（又は
同義語）の“上（above or over）”である層は、その
間に任意の中間層が存在するか否かに関わらず、該層が
他の層上に配置していることを意味する。同様に、他の
層（又は同義語）の“下（below or underneath）であ
る層は、その間に任意の中間層が存在するか否かに関わ
らず、該層型の層の下に配置していることを意味する。
前に記載したように、下層（４０２）は、好ましくはNi
P層にダウントラック溝を形成するために使用した機械
的摩耗方法に対して充分な耐摩耗性を有する材料から形
成され、NiP層を摩耗させた場合、下層の摩耗率がNiP層
の摩耗率よりも低くなる。図４の場合において、下層は
ニッケルニオブ層である。ニッケルニオブ層は約20から
70％のニッケルと約30から80％のニオブである。幾つか
の実施態様において、ニッケルニオブ層は約40から60％
のNi及び60から40％のNbである。さらに、層はその他の
添加剤を含んでもよい。本明細書で使用される、ニッケ
ルリン（又はNiP）又はニッケルニオブ（NiNb）の用語
は、それぞれ正確な組成又はその他の添加剤の存在に関
わらず、ニッケル及びリン又はニッケル及びニオブを有
する任意の材料を含んでもよい。
【００２１】さらに、下層（４０２）は、好ましくは結
果として滑らかな表面で堆積されるアモルファス層であ
る。好ましくは、堆積された下層（４０２）の表面粗さ
（Ra）は約50Å未満であり、より好ましくは約25Å未満
であり、最も好ましくは約10Å未満である。幾つかの実
施態様において、堆積したままの表面のRaは約5Å以下
である。換言すれば、下層は基体の滑らかな表面にどん
な追加の粗さも加えず、層表面の粗さは基体のRaの実質
的なコピーである。本明細書で使用される粗さRaは、10
μmの走査長さで測定した谷間粗さの算術的な平均ピー
クを意味する。粗さRaは原子間力顕微鏡（AFM）を用い
て測定してもよい。
【００２２】図５において、テクスチャー層（５０４）
は好ましい実施態様においてNiP層を含み、下層（４０
２）の上に形成される。このテクスチャー層（５０４）
は、下層（４０２）と同様に、任意の好適な堆積方法を
用いて堆積してもよい。好ましい方法としては、スパッ
タリング、化学蒸着、蒸発及びイオンビーム蒸着が挙げ
られるが、その他の方法を使用してもよい。相対的に簡
単であり、よく知られており、対費用効果が高く、現在
基本的に設置されている装置を利用するために、スパッ
タリングは特に好ましい。従って、好ましい実施態様に
おいて、下層（４０２）はスパッタ蒸着により形成さ
れ、続いてテクスチャー層（５０４）をin-situスパッ
タ蒸着で形成する。また、テクスチャー層（５０４）
は、好ましくは相対的に薄く及び／又はアモルファスで
あり、従って下層（４０２）について上で記載した範囲
の蒸着したままの表面粗さを示す。
【００２３】図６Ａは、ダウントラック溝が機械的摩耗
方法によりNiP層（５０４）に形成された後の図５の磁
気ディスクを示す。図６Ａに見られるように、下層（４
０２）の存在は、NiP層（５０４）の一部が摩耗された
後、過度に深い溝又は過度に高い尾根の形成を防止す
る。それ故、図２の状況に比べて、溝は実質的により均
一である。この手法において、後に蒸着した層は、例え
ば広い溝を掘ることにより又は凹凸を磨いて除去するこ
とにより生じる保護層の空隙により、非常に多くの腐食
部分を形成することなしに、磁気特性について所望した
程度の薄さである。図６Ｂは、NiP層（５０４）上の薄
い保護層（６０６）の被覆を示す。明らかなように、保
護層（６０６）は空隙又は隙間なしに表面を均一に被覆
する。その他の層（示していない）はNiP層（５０４）
及び保護層（６０６）の間に存在することは理解される
であろう。
【００２４】記録密度が増大し、層の厚さ及び溝がより
小さくなるため、この下層の均一性増大効果は特に重要
である。特に、背景セクションにおいて記載したよう
に、有効空間損失を減少させるために、磁性層は厚さが
減少する。クロム合金層はよく知られているように非常
に優れた耐腐食特性を有し、より薄い厚さの傾向を継続
させる。同様に、保護層は、厚さの減少傾向を継続さ
せ、有効空間損失を減少させて、充分に強いシグナルを
達成することが予想される。薄くなるこれらの層で、溝
全体の被覆の問題はより重要になり、本発明の利点は、
ますます重要な役割を果たすことが期待される。さら
に、減少する保護層の厚さ及びほぼ接触記録について、
凸凹がないこと及び均一な溝が存在することは、熱アス
ペリティ及びベースラインシフトによる読み込みエラー
の防止を助ける。さらに、一様な溝は、保護層により、
より完全に表面を被覆させ、摩擦及び粒子の発生に対す
る感受性を低くする。こうして、ダウントラック溝に関
係する磁気特性に加えて、本発明により形成される溝
は、その方向に関わらず、改善した摩擦特性を提供す
る。
【００２５】背景セクションにおいて記載したように、
ダウントラック溝が磁気特性の優先的な配向を提供する
ことは公知である。溝が続いて形成されるクロムフィル
ム（例えば、クロムモリブデン（CrMo）及びクロムバナ
ジウム（CrV））に、ディスクのダウントラック方向の
圧縮応力に対して半径方向に、相対的に低い圧縮応力度
をもたせることを発見した。換言すれば、応力緩和はク
ロム層の半径方向に生じる。このことは層の結晶の格子
構造のゆがみを生じ、続いて形成されるコバルト合金層
にバイアスをかけ、“C”軸を優先的にダウントラック
方向に配向させ、結果としてダウントラック方向に磁気
モーメントの優先的な配列を生じる。本発明の均一なテ
クスチャー加工はCrの小さく、均一な粒子を形成させ、
結果として媒体ノイズを減少させる。さらに、均一性は
改善した熱安定性を含む一貫性のある磁気特性を与え
る。
【００２６】一般に、堆積したNiP層が、充分な平均高
さの溝の形成が所望する配向比を達成するのに充分な厚
さである方法を提供することが望ましい。換言すると、
幾つかの実施態様において、所望するサイズの溝にとっ
て必要とされるほぼちょうどの量（例えば25から150
Å）があり、テクスチャー加工方法が明らかなバルクの
除去なしに溝を形成することが望ましい。対称的に、従
来のアルミニウム上のNiPにおいて、研磨加工方法が欠
陥（例えばテクスチャー加工方法により除去されること
が必要な引っ掻き傷）を放置するため、テクスチャー加
工方法はNiPの厚さを除去することが必要であった。別
の実施態様において、上層の厚さは溝の頂から谷までの
平均高さよりもわずかに大きく、テクスチャー加工方法
は層のバルク厚さのある量を除去する。これは、テクス
チャー加工の所望する割合について充分な厚さを保証
し、NiP層のテクスチャー加工の妥当な範囲を下層に達
する前に生じさせる。とにかく、その層の厚さは、一般
に、方法及び磁気特性について必要最小限に保たれ、基
体の滑らかな表面状態を保持することを助け、材料コス
トを減少させ、処理量を増加させる。さらに、所望する
サイズの溝を形成するのに必要なほぼちょうどの厚さに
することによって、方法はより制御しやすく、深く広い
溝及び高い尾根が防止される。
【００２７】さらに、テクスチャー加工方法は、溝の平
均深さがほぼ下層のレベルに達する場合に、テクスチャ
ー加工が停止するように企図される。下層は過度に深く
広い溝を防止してピンホールの存在及び腐食を防止する
が、テクスチャー加工方法を過度に長く継続させること
は、溝を平らにする効果を有し、配向比を低下させ、磁
気特性をも低下させる。このため、優れた耐腐食性を達
成する最適位置が存在し、非常に優れた磁気特性が達成
される。平均的に、溝がちょうど下層に達する場合に、
幾つかの実施態様において方法はほぼ停止するように企
図してもよいが、溝の深さに対する下限に達するまでの
間、テクスチャー加工方法は、平均的に滑らかになり過
ぎることを防止するこの位置で停止するように（即ち、
配向比の低下を防止するように）企図してもよい。
【００２８】表１は、1つの具体的方法について腐食に
関するテクスチャー加工の効果を具体的に示す。表１を
作成するために使用した媒体は、その上に堆積した約10
00ÅのNiNb下層を有し、次いで約200ÅのNiP層を有する
ガラス基体を含んでいる。その後、異なるディスクを表
に示したようにテクスチャー加工し、続いて通常のクリ
ーニング工程及びCrMo下地層、1層以上のCo合金磁性層
及び炭素保護層を堆積した。
【００２９】
【表１】 表１
【００３０】表１において、テクスチャー加工の程度は
スラリー分配量のパルス数で与えられる。各パルスは、
約3秒間隔で発生し、一定量のスラリー（例えば1又は数
滴）を分配する。このため、より多量のパルスはより長
いテクスチャー加工方法に対応し、従って多くのNiPを
除去する。表１から明らかなように、ピンホール密度は
テクスチャー加工なしで21/mm2である。これは、基体表
面のランダムな不規則性のためである（図９参照）。欠
陥は研磨工程“チョッピングオフ（chopping off）”の
ためにこれらの不規則性を生じ、前に記載したように、
腐食に敏感な層を曝す。予備的テクスチャー加工（4パ
ルス）は腐食感受性を増加させる（126/mm2）。これは
最小のテクスチャー加工のみであるためであり、不充分
なテクスチャー加工がそれらを平らにするため高い尾根
が存在し、テクスチャー加工がまだ下層上にあるために
深い溝が存在するためである。追加のテクスチャー加工
は着実に腐食感受性を減少させている（8パルスの場合
に明らかなように）。その後は、追加のテクスチャー加
工は腐食感受性がさらに減少することを示した。明らか
なように、腐食サイトは12パルス以上で実質的に排除さ
れている。
【００３１】図７Ａ、７Ｂ及び７Ｃは、約300ÅのNiPで
堆積した以外は、表１に関して記載されたものと同様の
方法で処理された一組のディスクについて、NiP除去、
配向比及び腐食サイト密度をプロットした。ここで、図
７Ａを参照すると、テクスチャー加工時間の関数として
NiPの除去量が示される。NiP除去は、テクスチャー加工
後の重量損失の測定し、次いで除去された層の厚さに換
算することにより決定される。明らかなように、約100
秒のテクスチャー加工後、材料の除去は水平になり、Ni
P層がテクスチャー加工方法により実質的に除去される
と、NiNb層の除去は、その層のより大きな耐摩耗性によ
り生じないか、生じてもわずかであることを示してい
る。図７Ｂは、NiP除去の関数としてMrTの配向比を示
す。初めに（テクスチャー加工なし）、配向比は1に近
い。テクスチャー加工の程度が増加すると、配向比はよ
り多くの、また一般により深い溝を形成するため増加す
る。しかし、テクスチャー加工の程度を増加し続ける
と、下層に達し、配向比は徐々に減少する。これは、下
層に達すると、NiP層の残りが研磨されている間、その
層のテクスチャー加工は生じてもわずかであり、又は前
に記載したように滑らかになるという事実のためであ
る。
【００３２】ここで、図７Ｃを参照すると、テクスチャ
ー加工の程度の関数として腐食サイトの数が示される。
テクスチャー加工なしで、有意な数の腐食サイトが存在
する。これを理解するために、その層上に堆積したNiNb
の層及びNiP層を有するテクスチャー加工していない基
体表面を示す図９を簡単に引用する。明らかなように、
テクスチャー加工していない基体表面は非常に多くのス
パイク又は高い点を有し、その幾つかは参照符（９０
１）が付される。これらのスパイクは、標準的なガラス
クリーニング工程に曝された後又は水分へのその他の曝
露によってガラス基体上に本来生じる。テクスチャー加
工なしでは、研磨されるまで、これらの高い点は残る。
1度研磨されれば、1層以上、特に保護層はスパイク領域
で除去され、下層は水分に曝される。テクスチャー加工
方法はこれらのスパイクを除去して、それらは方法の研
磨工程でもはや存在しない。
【００３３】図７Ｃに戻って、幾つかのテクスチャー加
工が行われた場合、最初に多くの腐食サイトが、NiP層
の厚さ中の深い広い溝の形成により増加し、高い尾根の
形成によっても増加する。最終的に、テクスチャー加工
が下地層と接触する場合、尾根はワーンダウン（warn d
own）され、前に形成された広い溝は、本明細書に記載
した下層の存在によって、さらなる溝の形成なしに排除
され、結果として腐食サイトを減少させる。多数の腐食
サイトが増加するテクスチャー加工に従って減少する事
実は、本発明のNiNb層が耐腐食性に優れていることの証
拠である。従来技術において、NiP層は、典型的には本
明細書に記載した層よりもかなり厚いことに注意すべき
であり、生じ得る広い溝及び尾根の形成の範囲を制限し
ない。従って、従来技術で予想され得る多くの欠陥は、
典型的には図７Ｂに示される最大付近又はそれを超え、
所望される配向比に依存する。換言すれば、欠陥の数の
最大値は、本発明において、下地層なしで約90Åで生じ
るが、欠陥の数は、本発明の硬い下地層なしでは上昇し
続ける（又は良くても最終的に水平に）ことが予想され
得る。
【００３４】図７Ｂに示されるように、配向比は、約17
5ÅのNiP除去で最大値に達する。一般に、腐食の量が許
容される場合、ほぼこの点（最大の配向比に達する）で
作動させることが望ましい。しかし、さらに耐腐食性が
必要な場合には、この点の右で作動させることが望まし
いく、そのような点での保磁力及び直角力は充分に高
い。これに関して、最も高い配向比が達成されることが
一般に必要でないことが見出された。一般により高い配
向比はより高い保磁力及び直角力で生じるが、配向比に
おける小さな利益は、典型的には充分に改良された磁気
特性を与えず、耐腐食性の明らかな減少を正当化し、わ
ずかに低い配向比と減少した腐食とのトレードオフは許
容される。例えば、図７Ｃに示されるように、腐食サイ
トの数は約210ÅのNiP除去でゼロに減少する。図７Ｂに
戻って、210ÅのNiP除去で、配向比は約1.8であり、そ
れは約160ÅのNiP除去の約1.95のピーク値から磁気特性
のわずかな減少しか示さない。このように、優れた磁気
特性は優れた耐腐食性と共に達成される。最大の配向比
の左で作動させることは一般に望ましくなく、腐食サイ
トの数が増加し、同時に配向比は減少する。しかし、あ
る場合には、プロセス時間の減少（処理量の増加）又は
その他の理由で所望する場合であって、保磁力及び腐食
の結果が許容限界内である場合には、多少左で作動させ
ることは望ましいであろう。
【００３５】また、その他の改良が、例えば結晶学又は
媒体の種々の下地層又は磁性層の組成で利用される場合
には、より程度の大きいテクスチャー加工で作動させる
ことは望ましいであろうし、そのような媒体のための配
向比は与えられた程度のテクスチャー加工について図７
Ｂで示されるよりも大きい。換言すれば、小さな溝で高
い配向比を達成する媒体は、腐食制御のために必要な程
度でテクスチャー加工されるが、非常に高い配向比を提
供するため、特に本発明によって提供される腐食防止の
利益を得る。
【００３６】図８Ａ、８Ｂ及び８Ｃは、それぞれ表１に
関して記載された、約200Åの堆積したままのNiP層厚さ
を有する媒体について、テクスチャー加工時間の関数と
してNiP除去、NiP除去の関数としてMrT配向比、及びNiP
除去の関数として腐食サイトの数を示す。明らかなよう
に、結果は図７Ａから７Ｃで示される厚いNiP層で示さ
れるものに匹敵する。図８Ａから８Ｃの200Åのフィル
ムの最大配向比が図７Ａから７Ｃの300Åのフィルムの
ものほど大きくないことに注意されたい。これは、200
Åフィルムが、同様に高い配向比を達成するほど、平均
で、充分に高い溝を提供しない事実によるであろう。そ
れでもまだ、配向比は相対的に高く、図８Ａから８Ｃの
フィルムのノイズ及び熱的安定性が大変良いことが明ら
かとなった。本発明は、ダウントラック溝で形成した媒
体において特に有利な点を有するが、本発明は、本明細
書に記載したように、優れた摩擦特性及び低腐食を提供
することによってテクスチャー加工（例えばラジアルテ
クスチャー加工、ランダムテクスチャー加工又はその他
の加工）のいずれのタイプの媒体においても利点を有す
る。これらの利点は、浮上量が減少する場合に特に重要
なものである。
【００３７】実施例 アモルファスガラスにより形成される3 1/2インチ径磁
気媒体ディスク上に、下層をニッケルニオブにより形成
し、それは、例えば約25から約5,000Åの範囲の厚さ、
より好ましくは約100から約2,000Åの範囲の厚さ、最も
好ましくは約500から1500Åの範囲の厚さであってもよ
い。この特定の実施例において、下層は約1,000Åの厚
さであった。前述のように、厚さは、層が充分な熱伝導
性を提供し、ベースラインシフトを軽減する程度である
のが好ましいが、滑らかな表面を保持し、コストを減少
させ、情報量を増加させるために、これよりも小さいも
のが好ましくい。さらに、より薄い厚さは、層の内部応
力をより低くする。下層上に、NiP層は、例えば約25か
ら約1,000Åの範囲の厚さ、より好ましくは約75から約3
00Åの範囲の厚さ、もっとも好ましくは約100から200Å
の範囲の厚さであってもよい。この特定の実施例におい
て、NiP層は約150Åの厚さであった。その他の堆積した
ままの厚さは、使用したテクスチャー加工方法で除去さ
れる材料の量に依存して使用してもよい。
【００３８】ダウントラックテクスチャー溝をNiP層に
形成した後、クロム層（例えばCrMo）をNiP層上に堆積
した。このクロム層は、約50から約500Åの範囲の厚
さ、より好ましくは約100から約200Åの範囲の厚さであ
ってもよい。この特定の実施例において、クロム層は約
150Å厚さであった。コバルト合金を含む磁性層をクロ
ム層上に堆積した。このコバルト合金層は約50から約30
0Åの範囲の厚さ、より好ましくは約100から約200Åの
範囲の厚さであってもよい。この特定の実施例におい
て、コバルト合金層は約150Å厚さであった。異なる厚
さの層、材料及びその他の層を上述のものに加えて又は
代えて使用してもよいことは認められるであろう。
【００３９】産業上の利用性 本明細書で開示した本発明の磁気ディスクは磁気ディス
クドライブで使用してもよい。1つの具体的な装置にお
いて、1つ以上の本発明の磁気ディスクをスピンドルに
乗せてもよく、それを数千RPM（例えば10,000RPM以上）
のスピードでモータによって回転させる。1つ以上読み
書きヘッドをアーム上に乗せてもよく、読み書きヘッド
を与えられた本発明の磁気ディスク上の特定の位置に移
動するためにアームを動かし、本発明の磁気ディスクの
データの読み出し及び／又は書き込みを行う。これらの
磁気ディスクドライブの構成及び動作は従来のものであ
る（本明細書中の本発明の磁気ディスク以外）。ある具
体的な磁気ディスクドライブの追加の情報は、米国特許
第4,949,202号（Kim）、第5,025,335号（Stefansky）、
第5,027,241号（Hatch）を閲覧することによって得ら
れ、それらすべての文献は、本明細書に組み込まれるも
のとする。
【００４０】本発明は幾つかの好ましい実施態様によっ
て説明されるが、本発明の範囲に含まれる変更、置換及
び均等なものが存在する。記載されたいずれの実施態様
の個々の局面は、その他のいずれの実施態様においても
使用してよい。また、本発明の方法及び装置を実行する
多くの別の方法が存在することに注意すべきである。従
って、特許請求の範囲が、本発明の真の意図及び範囲に
含まれる変更、置換及び均等なもののすべてを含むもの
と解釈されることを意図する。
【図面の簡単な説明】
【図１】基体バルク及び表面NiP層を含む具体的な基体
を示す。
【図２】そこに形成される深い広い溝及び高い尾根を有
するテクスチャー加工されたNiP層のAFMスキャンを示
す。
【図３Ａ】基体表面上の深い広い溝及び高い尾根により
生じるかもしれない腐食感受性を示す。
【図３Ｂ】図３Ａに具体的に示された基体表面上に生じ
るかもしれない腐食サイトを示す。
【図４】本発明の一の実施態様に従って、テクスチャー
溝及び尾根の形成を防止する目的で、硬質で、アモルフ
ァスの層を含み、良い熱伝導性を提供し、同時に高い磁
気特性を容易に達成する基体を示す。
【図５】本発明の一の実施態様に従って、テクスチャー
加工のためのNi含有アモルファス表面層を含む図４の基
体を示す。
【図６Ａ】本発明の一の実施態様に従って、ダウントラ
ック溝が機械的摩耗方法によりNi含有層に形成された後
の図５の磁気ディスクを示す。
【図６Ｂ】図６Ａの磁気ディスク上に堆積した後の保護
層の被覆を示す。
【図７Ａ】第1の初期NiP層厚に対して、本発明の実施態
様である方法について、テクスチャー加工時間の関数と
してNiP除去を示す。
【図７Ｂ】第1の初期NiP層厚に対して、本発明の実施態
様である方法について、NiP除去の関数としてMrT配向比
を示す。
【図７Ｃ】第1の初期NiP層厚に対して、本発明の実施態
様である方法について、NiP除去の関数として腐食サイ
トの数を示す。
【図８Ａ】第2の初期NiP層厚に対して、本発明の実施態
様である方法について、テクスチャー加工時間の関数と
してNiP除去を示す。
【図８Ｂ】第2の初期NiP層厚に対して、本発明の実施態
様である方法について、NiP除去の関数としてMrT配向比
を示す。
【図８Ｃ】第2の初期NiP層厚に対して、本発明の実施態
様である方法について、NiP除去の関数として腐食サイ
トの数を示す。
【図９】第1の層及び第2の層を堆積した後、テクスチャ
ー加工しないガラス基体表面を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジャビエール ウォング アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94116 サン フランシスコ ウロア ス トリート 4239 (72)発明者 ツ チェン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95030 モンテ セレノ グレゴリー プ レイス 18225 Ｆターム(参考） 5D006 CB07 CB08 5D112 BA03 BA04 BA09 GA09

Claims (46)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基体を供給する工程と、前記基体上に、
    第一級の耐摩耗性を有し、実質的にアモルファスである
    第1の層を形成する工程と、前記第1の層上に、前記第一
    級の耐摩耗性よりも低い第二級の耐摩耗性を有する第2
    の層を形成する工程と、前記第2の層に溝を形成する工
    程を含むデータストレージ用磁気ディスクの製造方法。
  2. 【請求項２】 前記第1の層がニッケルニオブを含む請
    求の範囲第１項記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記基体がガラスを含む請求の範囲第２
    項記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記基体がガラスセラミックを含む請求
    の範囲第３項記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記基体上に、クロム含有下地層、磁性
    層及び保護層からなる群から選択される層を1層以上形
    成する工程をさらに含む請求の範囲第1項記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記第2の層がNiPを含む請求の範囲第１
    項記載の方法。
  7. 【請求項７】 基体と、前記基体上に配置した、第一級
    の耐摩耗性を有し、実質的にアモルファスである第1の
    層と、前記第1の層上に配置した、第二級の耐摩耗性を
    有し、前記第一級の耐摩耗性は前記第二級の耐摩耗性よ
    りも高く、層上に溝を有する第2の層を含むデータスト
    レージ用磁気ディスク。
  8. 【請求項８】 前記第1の層がニッケルニオブを含む請
    求の範囲第７項記載の磁気ディスク。
  9. 【請求項９】 前記基体がガラスを含む請求の範囲第７
    項記載の磁気ディスク。
  10. 【請求項１０】 基体を含む磁気ディスクであって、前
    記基体上に配置した、第一級の耐摩耗性を有し、実質的
    にアモルファスである第1の層と、前記第1の層上に配置
    した、第二級の耐摩耗性を有し、前記第一級の耐摩耗性
    は前記第二級の耐摩耗性よりも高く、層上に溝を有する
    第2の層と、前記第2の層上に配置した磁性層とを含む磁
    気ディスクと、前記磁気ディスクを回転させるために前
    記磁気ディスクと連結したモーターと、前記磁気ディス
    クからデータを読み出し、前記磁気ディスクにデータを
    書き込むために配置された読み書きヘッドと、前記読み
    書きヘッドを保持するためのアームと、前記読み書きヘ
    ッドが前記磁気ディスク上の所望する位置に配置される
    ように前記アームを移動させるためのアクチュエーター
    とを含むデータを保存するための磁気ディスクドライ
    ブ。
  11. 【請求項１１】 前記第1の層がニッケルニオブを含む
    請求の範囲第１０項記載の磁気ディスクドライブ。
  12. 【請求項１２】 基体を供給する工程と、前記基体上に
    第一級の耐摩耗性を有し、ニオブを含む第1の層を形成
    する工程と、前記第1の層上に前記第一級の耐摩耗性よ
    りも低い第二級の耐摩耗性を有する第2の層を形成する
    工程と、前記第2の層に溝を形成する工程とを含むデー
    タストレージ用磁気ディスクを製造する方法。
  13. 【請求項１３】 前記第1の層がニッケルニオブを含む
    請求の範囲第１２項記載の方法。
  14. 【請求項１４】 前記基体がガラスを含む請求の範囲第
    １３項記載の方法。
  15. 【請求項１５】 前記基体がガラスセラミックを含む請
    求の範囲第１４項記載の方法。
  16. 【請求項１６】 前記基体上に、クロム含有下地層、磁
    性層及び保護層からなる群から選択される層を１層以上
    形成する工程をさらに含む請求の範囲第１２項記載の方
    法。
  17. 【請求項１７】 前記第2の層がNiPを含む請求の範囲第
    １２項記載の方法。
  18. 【請求項１８】 基体と、前記基体上に配置した、第一
    級の耐摩耗性を有し、ニオブを含む第1の層と、前記第1
    の層上に配置した、第二級の耐摩耗性を有し、前記第一
    級の耐摩耗性は前記第二級の耐摩耗性よりも高く、層上
    に溝を有する第2の層とを含むデータストレージ用磁気
    ディスク。
  19. 【請求項１９】 前記第2の層がNiPを含む請求の範囲第
    １８項記載の磁気ディスク。
  20. 【請求項２０】 基体を含む磁気ディスクであって、前
    記基体上に配置した、第一級の耐摩耗性を有し、ニオブ
    を含む第1の層と、前記第1の層上に配置した、第二級の
    耐摩耗性を有し、前記第一級の耐摩耗性は前記第二級の
    耐摩耗性よりも高く、層上に溝を有する第2の層と、前
    記第2の層上に配置した磁性層とを含む磁気ディスク
    と、前記磁気ディスクを回転させるために前記磁気ディ
    スクと連結したモーターと、前記磁気ディスクからデー
    タを読み出し、前記磁気ディスクにデータを書き込むた
    めに配置された読み書きヘッドと、前記読み書きヘッド
    を保持するためのアームと、前記読み書きヘッドが前記
    磁気ディスク上の所望する位置に配置されるように前記
    アームを移動させるためのアクチュエーターとを含むデ
    ータを保存するための磁気ディスクドライブ。
  21. 【請求項２１】 前記第1の層がニッケルニオブを含む
    請求の範囲第２０項記載の磁気ディスクドライブ。
  22. 【請求項２２】 基体を供給する工程と、前記基体上に
    第一級の耐摩耗性を有する第１の層を形成する工程と、
    前記第1の層上に前記第一級の耐摩耗性よりも低い第二
    級の耐摩耗性を有し、ニッケルを含む第2の層を形成す
    る工程と、前記第2の層に溝を形成する工程とを含むデ
    ータストレージ用磁気ディスクを製造する方法。
  23. 【請求項２３】 前記第2の層がNiPを含む請求の範囲第
    ２２項記載の方法。
  24. 【請求項２４】 前記基体がガラスを含む請求の範囲第
    ２２項記載の方法。
  25. 【請求項２５】 前記基体がガラスセラミックを含む請
    求の範囲第２４項記載の方法。
  26. 【請求項２６】 クロム含有下地層、磁性層及び保護層
    からなる群から選択される層を1層以上形成する工程を
    さらに含む請求の範囲第２２項記載の方法。
  27. 【請求項２７】 基体と、前記基体上に配置した第一級
    の耐摩耗性を有する第1の層と、前記第1の層上に配置し
    た第二級の耐摩耗性を有し、ニッケルを含み、前記第一
    級の耐摩耗性は第二級の耐摩耗性よりも高く、層上に溝
    を有する第2の層とを含むデータストレージ用磁気ディ
    スク。
  28. 【請求項２８】 第2の層がNiPを含む請求の範囲第２７
    項記載の磁気ディスク。
  29. 【請求項２９】 前記基体がガラスを含む請求の範囲第
    ２７項記載の磁気ディスク。
  30. 【請求項３０】 基体を含む磁気ディスクであって、前
    記基体上に配置した、第一級の耐摩耗性を有する第1の
    層と、前記第1の層上に配置した、第二級の耐摩耗性を
    有し、前記第一級の耐摩耗性は前記第二級の耐摩耗性よ
    りも高く、ニッケルを含み、層上に溝を有する第2の層
    と、前記第2の層上に配置した磁性層とを含む磁気ディ
    スクと、前記磁気ディスクを回転させるために前記磁気
    ディスクと連結したモーターと、前記磁気ディスクから
    データを読み出し、前記磁気ディスクにデータを書き込
    むために配置された読み書きヘッドと、前記読み書きヘ
    ッドを保持するためのアームと、前記読み書きヘッドが
    前記磁気ディスク上の所望する位置に配置されるように
    前記アームを移動させるためのアクチュエーターとを含
    むデータを保存するための磁気ディスクドライブ。
  31. 【請求項３１】 前記第1の層がNiPを含む請求の範囲第
    ３０項記載の磁気ディスクドライブ。
  32. 【請求項３２】 基体を供給する工程と、前記基体上に
    第一級の耐摩耗性を有する第1の層を形成する工程と、
    前記第1の層上に前記第一級の耐摩耗性より低い第二級
    の耐摩耗性を有し、その表面がその形成後に50Å以下の
    粗さRaを有する第2の層を形成する工程と、前記第2の層
    に溝を形成する工程とを含むデータストレージ用磁気デ
    ィスクを製造する方法。
  33. 【請求項３３】 前記基体がガラスを含む請求の範囲第
    ３２項記載の方法。
  34. 【請求項３４】 前記粗さRaが25Å以下である請求の範
    囲第３２項記載の方法。
  35. 【請求項３５】 前記粗さRaが10Å以下である請求の範
    囲第３２項記載の方法。
  36. 【請求項３６】 基体と、前記基体上に配置した第一級
    の耐摩耗性を有する第1の層と、前記第1の層上に配置し
    た第二級の耐摩耗性を有し、前記第一級の耐摩耗性は前
    記第二級の耐摩耗性よりも高く、その形成後に50Å以下
    の粗さRaを有し、層上に溝を有する第2の層とを含むデ
    ータストレージ用磁気ディスク。
  37. 【請求項３７】 基体を含む磁気ディスクであって、前
    記基体上に配置した、第一級の耐摩耗性を有する第1の
    層と、前記第1の層上に配置した、第二級の耐摩耗性を
    有し、前記第一級の耐摩耗性は前記第二級の耐摩耗性よ
    りも高く、その形成後に50Å以下の粗さRaを有し、層上
    に溝を有する第2の層と、前記第2の層上に配置した磁性
    層とを含む磁気ディスクと、前記磁気ディスクを回転さ
    せるために前記磁気ディスクと連結したモーターと、前
    記磁気ディスクからデータを読み出し、前記磁気ディス
    クにデータを書き込むために配置された読み書きヘッド
    と、前記読み書きヘッドを保持するためのアームと、前
    記読み書きヘッドが前記磁気ディスク上の所望する位置
    に配置されるように前記アームを移動させるためのアク
    チュエーターとを含むデータを保存するための磁気ディ
    スクドライブ。
  38. 【請求項３８】 基体を供給する工程と、前記基体上に
    第一級の耐摩耗性を有する第1の層を形成する工程と、
    前記第1の層上に前記第一級の耐摩耗性より低い第二級
    の耐摩耗性を有し、約500Å以下の厚さで形成される第2
    の層を形成する工程と、前記第2の層に溝を形成する工
    程とを含むデータストレージ用磁気ディスクを製造する
    方法。
  39. 【請求項３９】 前記第1の層がニッケルニオブを含む
    層である請求の範囲第３８項記載の方法。
  40. 【請求項４０】 前記基体がガラスを含む請求の範囲第
    ３８項記載の方法。
  41. 【請求項４１】 前記第２の層がNiPを含む請求の範囲
    第３８項記載の方法。
  42. 【請求項４２】 基体と、前記基体上に配置した第一級
    の耐摩耗性を有する第1の層と、前記第1の層上に配置し
    た第二級の耐摩耗性を有し、前記第一級の耐摩耗性は前
    記第二級の耐摩耗性よりも高く、約500Å以下の厚さを
    有し、層上に溝を有する第2の層とを含むデータストレ
    ージ用磁気ディスク。
  43. 【請求項４３】 前記第1の層がニッケルニオブを含む
    請求の範囲第４２項記載の磁気ディスク。
  44. 【請求項４４】 前記基体がガラスを含む請求の範囲第
    ４２項記載の磁気ディスク。
  45. 【請求項４５】 基体を含む磁気ディスクであって、前
    記基体上に配置した、第一級の耐摩耗性を有する第1の
    層と、前記第1の層上に配置した、第二級の耐摩耗性を
    有し、前記第一級の耐摩耗性は前記第二級の耐摩耗性よ
    りも高く、約500Å以下の厚さを有し、層上に溝を有す
    る第2の層と、前記第2の層上に配置した磁性層とを含む
    磁気ディスクと、前記磁気ディスクを回転させるために
    前記磁気ディスクと連結したモーターと、前記磁気ディ
    スクからデータを読み出し、前記磁気ディスクにデータ
    を書き込むために配置された読み書きヘッドと、前記読
    み書きヘッドを保持するためのアームと、前記読み書き
    ヘッドが前記磁気ディスク上の所望する位置に配置され
    るように前記アームを移動させるためのアクチュエータ
    ーとを含むデータを保存するための磁気ディスクドライ
    ブ。
  46. 【請求項４６】 前記第１の層がニッケルニオブを含む
    請求の範囲第４５項記載の磁気ディスクドライブ。
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