JP2000113443A

JP2000113443A - 磁気記録媒体及び磁気ディスク装置

Info

Publication number: JP2000113443A
Application number: JP10280241A
Authority: JP
Inventors: Kenji Sato; 賢治佐藤; Yuki Yoshida; 祐樹吉田; Iwao Okamoto; 巌岡本; Masaki Shinohara; 正喜篠原
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1998-10-01
Filing date: 1998-10-01
Publication date: 2000-04-21

Abstract

(57)【要約】【課題】耐衝撃性に優れたガラス等を基板として使用
することができ、基板と下地膜との間に密着層を介在さ
せることが不要であり、しかも、高い再生出力に結びつ
く高い保磁力を有するとともに、ノイズを低減し、Ｓ／
Ｎ比を向上させることのできる高密度記録が可能な磁気
記録媒体を提供すること。【解決手段】非磁性の基板上に磁性金属材料からなる
磁性膜を設けてなりかつ、基板と磁性膜との間に、磁性
膜の磁化容易方向を膜面内とすることを目的としかつク
ロムを主成分するＣｒ系下地膜が介在せしめられてなる
磁気記録媒体において、基板とＣｒ系下地膜との間に、
基板に隣接する形で、クロムを主成分としかつ燐を含有
する追加のＣｒＰ系下地膜がさらに設けられているよう
に構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体に関
し、さらに詳しく述べると、高い保磁力Ｈｃにより高密
度記録を可能とするとともに、再生出力及びＳ／Ｎ比を
向上させ、また、基板から下地膜に及ぼされる悪影響を
防止した磁気記録媒体に関する。本発明はまた、このよ
うな磁気記録媒体を使用した、情報の記録及び再生を行
うための磁気ディスク装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】情報処理技術の発達に伴い、コンピュー
タの外部記憶装置に用いられる磁気ディスク装置に対し
て高密度化の要求が高まっている。具体的には、かかる
磁気ディスク装置の再生ヘッド部において、従来の巻線
型のインダクティブ薄膜磁気ヘッドに代えて、磁界の強
さに応じて電気抵抗が変化する磁気抵抗素子を使用した
磁気抵抗効果型ヘッド、すなわち、ＭＲヘッドを使用す
ることが主流になっている。ＭＲヘッドは、磁性体の電
気抵抗が外部磁界により変化する磁気抵抗効果を記録媒
体上の信号の再生に応用したもので、従来のインダクテ
ィブ薄膜磁気ヘッドに較べて数倍も大きな再生出力幅が
得られること、イングクタンスが小さいこと、大きなＳ
／Ｎ比が期待できること、などを特徴としている。ま
た、このＭＲヘッドとともに、異方性磁気抵抗効果を利
用したＡＭＲヘッド、巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭ
Ｒヘッド、そしてその実用タイプであるスピンバルブＧ
ＭＲヘッドの使用も始まっている。

【０００３】さらに、高密度記録の要求を満たすため
に、磁気ディスク装置において用いられるべき磁気記録
媒体においても、上記したＭＲヘッド、ＡＭＲヘッドあ
るいはＧＭＲヘッド（スピンバルブヘッドを含む）に対
応する特性が必要である。磁気記録媒体では、高い保磁
力Ｈｃにより高密度記録を可能とするとともに、Ｓ／Ｎ
比の向上のため、特に低ノイズであることが求められて
いる。

【０００４】従来の技術では、通常、磁気記録媒体の製
造のため、アルミニウム基板などのような非磁性の基板
上にコバルトを主成分とする合金からなる磁性膜を形成
している。また、基板と磁性膜の間には、クロムあるい
はその合金からなる非磁性下地膜が介在せしめられてい
る。この非磁性下地膜は、磁性膜の磁化容易方向を膜面
内とすることを目的としている。さらにこのＣｒ系下地
膜の上にコバルトを主成分とする合金からなる磁性膜を
形成している。また、アルミニウム基板の場合には、一
般的には硬度を高めるために、その基板の表面にＮｉＰ
メッキが施されている。さらに、このような磁気記録媒
体において低ノイズ化を達成するため、磁性粒子間の磁
気的相互作用の切断のために追加の合金元素を添加する
こと、磁性膜を構成する磁性粒子の粒径を小さくするこ
と、などが行われている。例えば、特開昭６３−１４８
４１１号公報には、高密度記録装置に好適な、低ノイズ
高密度記録用磁気記録媒体が開示されている。この磁気
記録媒体は、その磁性膜が、Ｃｏ−Ｎｉ系合金あるいは
Ｃｏ−Ｃｒ系合金に対して、第３の添加元素として、Ｔ
ａ、Ｍｏ、Ｗのいずれか、もしくはそれらの合金を添加
したことを特徴としている。

【０００５】ところで、最近の傾向として、ノート型パ
ソコンに搭載する磁気ディスク装置を考慮した場合、ア
ルミニウム基板に代えて耐衝撃性に優れたガラスあるい
はそれに類する基板を磁気記録媒体の基板として使用す
ることが望ましい。ガラス基板を有する磁気記録媒体は
すでに多数が報告されており、例えば、特開平７−７３
４２７号公報は、図１に断面で略示するように、ガラス
基板２１と、その上に形成された、非磁性基板側に形成
された第１の層（クロムを含む）２２と磁性層側に形成
された第２の層（クロム及びモリブデンを含む）２３と
を備えた下地層と、コバルト及び白金が含まれている磁
性層２４とを有する磁気記録媒体２０を開示している。
磁性層２４上にはクロム層２５ａ及びカーボン層２５ｂ
からなる保護層２５が設けられており、保護層２５上に
はさらに潤滑層２６が施されている。また、特開平８−
２２７５１６号公報は、図２に断面で略示するように、
ガラス基板３１と、その上に順次形成された、アルミニ
ウム（Ａｌ）薄膜３２ａ、Ｃｒ薄膜３２ｂ、ＣｏＭｏ薄
膜３２ｃ、第１磁性層３３、非磁性層３４、第２磁性層
３５、第１保護層３６ａ、第２保護層３６ｂ、そして潤
滑層３７とを有する磁気記録媒体３０を開示している。

【０００６】しかしながら、磁気記録媒体の基板として
ガラス基板を使用した場合には、その基板の上にＣｒ、
ＣｒＭｏなどのＣｒ系下地膜を直接に成膜しただけで
は、満足し得るＳ／Ｎ比を得ることができない。実際、
磁気記録媒体においてガラス基板を用いた場合、通常の
Ｃｒ系下地膜では媒体ノイズが異常に増加するというこ
とが認識されている。

【０００７】良好なＳ／Ｎ比を得るための別の手法とし
て、従来広く使用されている、非磁性ＮｉＰ膜を表面に
有するアルミニウム基板に対する「テクスチャ処理」を
利用することも考えられる。すなわち、アルミニウム基
板の表面に対してテクスチャ処理を施すことによって、
磁性膜の磁化容易方向をさらに円周方向に向かせること
ができ、よって、Ｓ／Ｎ比の向上に寄与することができ
るからである。しかし、本発明者らの知見によると、ア
ルミニウム基板に代えてガラス基板の表面にテクスチャ
処理を施した場合、アルミニウム基板の場合と同様な、
円周方向への磁気異方性は生じない。

【０００８】良好なＳ／Ｎ比を得るためのさらに別の手
法として、従来のアルミニウム基板などと同様に、Ｎｉ
Ｐ膜をメッキ法やスパッタ法で成膜することが考えられ
る。しかし、ガラス基板の上にＮｉＰ膜を成膜する場
合、使用する成膜方法にかかわらず、基板に対するＮｉ
Ｐ膜の密着性が悪く、密着性の改良が必要である。密着
性向上の方法としては、例えば、Ｃｒ、Ｔｉなどの密着
層をＮｉＰ膜の下に設ける方法や、基板の表面をテクス
チャ処理して表面粗さ（平均）Ｒａが０．５μｍ程度ま
で粗らす方法を採用することができる。しかし、前者の
方法は製造工程が複雑になるなどの不都合を伴い、後者
の方法は加工性に劣るなどの欠点を有している。さら
に、ＮｉＰ膜自体にも、それをメッキ法で成膜する場
合、数μｍ程度の厚さとなり、媒体の耐衝撃性は基板の
硬さよりもむしろＮｉＰ膜に強く依存するようになり、
結果として媒体の耐衝撃性が低下することとなる。ま
た、メッキの場合、ＮｉＰ膜の表面をポリッシュ処理す
る必要がある。ＮｉＰ膜を使用しなくとも、それと同等
もしくはそれ以上の良好なＳ／Ｎ比を保証し得る磁気記
録媒体を提供することが望ましい。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
したような従来の技術のいろいろな問題点を解決して、
耐衝撃性に優れたガラスあるいはそれに類する非磁性材
料を基板として使用することができるものでり、しか
し、下地膜の密着性が良好であるので、従来の技術のよ
うに基板と下地膜との間に密着層を介在させることが不
要であり、しかも、高い再生出力に結びつく高い保磁力
を有するとともに、ノイズを低減し、Ｓ／Ｎ比を向上さ
せることのできる高密度記録が可能な磁気記録媒体、特
に面内磁気記録媒体を提供することにある。

【００１０】また、本発明のもう１つの目的は、上記し
たような本発明による磁気記録媒体を使用した磁気ディ
スク装置を提供することにある。本発明の上記した目的
及びその他の目的は、以下の詳細な説明から容易に理解
することができるであろう。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、その１つの面
において、非磁性の基板上に磁性金属材料からなる磁性
膜を設けてなりかつ、前記基板と前記磁性膜との間に、
前記磁性膜の磁化容易方向を膜面内とすることを目的と
しかつクロム（Ｃｒ）を主成分するＣｒ系下地膜が介在
せしめられてなる磁気記録媒体において、前記基板と前
記Ｃｒ系下地膜との間に、前記基板に隣接する形で、ク
ロムを主成分としかつ燐（Ｐ）を含有する追加のＣｒＰ
系下地膜がさらに設けられていることを特徴とする磁気
記録媒体にある。

【００１２】また、本発明は、そのもう１つの面におい
て、磁気記録媒体において情報の記録を行うための記録
ヘッド部及び情報の再生を行うための再生ヘッド部を備
えた磁気ディスク装置であって、前記磁気記録媒体が、
上記しかつ以下において詳細に説明する本発明の磁気記
録媒体であり、そして前記再生ヘッド部が磁気抵抗効果
型ヘッドを備えていることを特徴とする磁気ディスク装
置にある。

【００１３】また、本発明の磁気ディスク装置において
用いられる磁気抵抗効果型ヘッドは、好ましくは、高性
能を発揮可能な、ＭＲヘッド、ＡＭＲヘッド又はＧＭＲ
ヘッドである。

【００１４】

【発明の実施の形態】引き続いて、本発明をその好まし
い実施の形態を参照して説明する。本発明による磁気記
録媒体は、非磁性の基板上に磁性金属材料からなる磁性
膜を設けてなりかつ、前記基板と前記磁性膜との間に、
前記磁性膜の磁化容易方向を膜面内とすることを目的と
しかつクロムを主成分するＣｒ系下地膜が介在せしめら
れてなるものであり、本発明の範囲内においていろいろ
な層構成を採用することができる。

【００１５】本発明の磁気記録媒体の好ましい１例は、
それを断面で示すと、図３に示す通りである。すなわ
ち、磁気記録媒体１０は、非磁性の基板１の上に、下地
膜４を介して、磁性金属材料からなる磁性膜５を設けて
構成することができる。ここで、基板１はガラス基板で
ある。ガラス基板１と磁性膜３との間に介在せしめられ
た下地膜２は、ガラス基板１に隣接する形で設けられ
た、クロムを主成分としかつ燐を含有する追加のＣｒＰ
系下地膜２（以下、「第１の下地膜」とも呼ぶ）と、磁
性膜３の磁化容易方向を膜面内とすることを目的としか
つクロムを主成分するＣｒ系下地膜３（以下、「第２の
下地膜」とも呼ぶ）とからなる。磁性膜５は、以下にお
いて詳細に説明するように、円周方向を磁化容易方向と
し、かつコバルトを主成分として含有する任意の磁性金
属材料（合金）から構成することができ、磁性膜５を構
成する合金は、好ましくは、コバルトに追加してクロム
及び白金を含有することができ、かつ、必要に応じて、
タンタル、ニオブなどを組み合わせて含有することがで
きる。さらに、図示の例では、この技術分野において一
般的に行われているように、保護膜６が最上層を構成し
ている。保護膜４は、好ましくは、カーボンあるいはダ
イヤモンドライクカーボンからなる。

【００１６】本発明の磁気記録媒体において、その基体
として用いられる非磁性の基板は、ガラスあるいはそれ
に類する非磁性材料から構成することができる。適当な
基板材料としては、以下に列挙するものに限定されない
けれども、ガラス、カーボン、シリコンなどを挙げるこ
とができる。なお、本発明の実施においてはガラス基板
を使用するのが特に有利であり、以下の説明においても
これを中心にして説明することにする。

【００１７】ガラス基板は、この技術分野において常用
のガラス基板のなかから、適当なものを選択して使用す
ることができる。適当なガラス基板としては、以下に列
挙するものに限定されるわけではないけれども、例え
ば、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス、
無アルカリガラス、結晶化ガラスなどを挙げることがで
きる。これらのガラス基板は、必要に応じて、その表面
に無方向性の凹凸を有していてもよい。

【００１８】また、このようなガラス基板は、その表面
を清浄に処理した後で有利に使用することができる。ガ
ラス基板表面の清浄化は、常用の技法に従って行うこと
ができ、例えば、超純水、アルカリ洗浄剤、中性洗剤等
を使用した脱脂工程やイオン交換水を使用した洗浄工程
などを組み合わせて使用することができる。また、この
ような清浄化工程に追加して、必要に応じて、基板表面
の活性化処理などを施してもよい。

【００１９】本発明の磁気記録媒体において、ガラス基
板と磁性膜との間に介在せしめられる下地膜は、前記し
たように、少なくとも、第１のＣｒＰ系下地膜と、第２
のＣｒ系下地膜とからなる。必要に応じて、第３、第
４、…の下地膜が組み込まれていてもよく、しかし、本
発明の実施に当たっては、第１のＣｒＰ系下地膜がガラ
ス基板に隣接する形で設けられていることが必須であ
る。本発明では特に、以下において具体的に説明するけ
れども、燐を含有するＣｒ系下地膜（ＣｒＰ系下地膜）
を基板と密着させることを通じて、従来の技術において
不可避であった、基板から下地膜本体（第２のＣｒ系下
地膜）に対する悪影響を効果的に防止できるという効果
がある。

【００２０】第１のＣｒＰ系下地膜は、特に基板の引き
起こす第２の下地膜に対する悪影響を阻止するためのバ
リヤ層として機能することができ、あわせて、基板に対
する第２の下地膜の密着を改良するための密着改善層と
しても機能することができる。この第１のＣｒＰ系下地
膜は、通常、クロムの単独から構成してもよく、さもな
ければ、この技術分野で通常行われているように、クロ
ムと他の金属との合金から構成してもよい。適当な合金
としては、例えば、ＣｒＷ、ＣｒＶ、ＣｒＴｉ、ＣｒＭ
ｏなどがあり、特にＣｒＭｏが好ましい。さらに、第１
の下地膜は、燐を含有することが必須であり、その濃度
（Ｐ濃度）は、所望とする効果によっていろいろに変更
することができるというものの、通常、１０ａｔ％ある
いはそれを上回ることが好ましく、さらに好ましくは、
１０〜３０ａｔ％の範囲である。本発明者らの知見によ
ると、第１のＣｒＰ系下地膜のＰ濃度が１０ａｔ％以上
である場合、以下に説明する表面酸化の効果が大であ
る。

【００２１】第１のＣｒＰ系下地膜は、好ましくは、例
えばマグネトロンスパッタ法などのスパッタ法により、
常用の成膜条件により形成することができる。適当な成
膜条件として、例えば、約１５０〜３００℃の成膜温
度、約１〜１０ｍＴｏｒｒのＡｒガス圧力、そして約１
００〜３００ＶのＤＣ負バイアスを挙げることができ
る。また、必要に応じて、スパッタ法に代えて、他の成
膜法、例えば蒸着法、イオンビームスパッタ法等を使用
してもよい。かかる下地膜の膜厚は、所望とする効果に
応じて広く変更することができるというものの、通常、
５〜４０nmの範囲である。

【００２２】さらに、第１のＣｒＰ系下地膜は、酸化処
理された表面を有していて、その表面の上に第２のＣｒ
系下地膜が積層されることが好ましい。本発明者らの知
見によると、このような酸化処理された表面が、ＣｒＰ
系下地膜の所期の作用に大きく影響を与えることができ
る。ＣｒＰ系下地膜に対する酸化処理された表面の付与
は、いろいろな技法によって行うことができるというも
のの、ＣｒＰ系下地膜を成膜した後の磁気記録媒体を、
第２のＣｒ系下地膜を成膜する前、大気に暴露すること
によって行うことが容易である。まったく予想されなか
ったことであるが、ＣｒＰ系下地膜の表面を酸化処理し
たことの結果、Ｓ／Ｎ比を約８ｄＢもしくはそれ以上ま
で向上させることができ、これはＮｉＰ膜を使用した場
合の効果に匹敵する。例えば、燐を含有しないＣｒＭｏ
下地膜に同様な酸化処理を施しても、同じようなＳ／Ｎ
比の向上を認めることができない。さらに、このＣｒＰ
系下地膜は、ＮｉＰ膜とは異なって、Ｃｒ、Ｔｉ等の密
着層を設けることを必要としないばかりでなく、それよ
りも硬く、しかもそれと同等の電磁変換特性を奏し得る
という点でも注目に値する。

【００２３】上記したような酸化処理に加えて、ＣｒＰ
系下地膜は、その表面において機械的テクスチャ処理を
施されていることが好ましい。すなわち、ＣｒＰ系下地
膜は、その表面に円周方向に形成された浅い筋状の突起
部及び溝部（凹凸）を有している状態で使用されるのが
好ましい。下地膜表面のテクスチャ処理は、磁気記録媒
体の製造において一般的に用いられている技法に従って
機械的に行うことができる。適当なテクスチャ処理とし
て、例えば、砥石研磨テープ、遊離砥粒などの研磨手段
で下地膜の表面を研磨することが挙げられる。ＣｒＰ系
下地膜の表面に機械的テクスチャ処理を施して円周方向
に凹凸を形成することにより、Ｓ／Ｎ比を向上させ、な
おかつヘッド走行性を改善するという効果を得ることが
できる。

【００２４】本発明の磁気記録媒体では、上記したＣｒ
Ｐ系下地膜の上にクロムを主成分とする第２の下地膜
（Ｃｒ系下地膜）を形成した後、磁性膜が設けられる。
第２のＣｒ系下地膜は、先に説明した第１のＣｒＰ系下
地膜と同様に構成することができる。すなわち、この下
地膜は、特に、クロムのみを主成分とする金属材料ある
いはクロム及びモリブデンを主成分とする金属材料から
有利に構成することができる。本発明の磁気記録媒体の
場合、特にその磁性膜に白金を含ませるようなときに
は、その直下の下地膜となるこの第２の下地膜は、好ま
しくは、クロム及びモリブデンを主成分とする金属材料
から構成することができる。すなわち、モリブデンの添
加によって、格子面間隔を広げることができ、また、磁
気記録膜の組成、特に白金量によって広がる磁気記録膜
の格子面間隔に対して下地膜の格子面間隔を近くしてや
ることにより、磁性膜（ＣｏＣｒ系合金）のＣ軸の面内
への優先配向を促すことができるからである。適当な下
地膜の材料の例として、例えば、Ｃｒ、ＣｒＷ、Ｃｒ
Ｖ、ＣｒＴｉ、ＣｒＭｏなどを挙げることができる。こ
のような下地膜は、好ましくは、例えばマグネトロンス
パッタ法などのスパッタ法により、常用の成膜条件によ
り形成することができる。適当な成膜条件として、例え
ば、約１５０〜３００℃の成膜温度、約１〜１０ｍＴｏ
ｒｒのＡｒガス圧力、そして約１００〜３００ＶのＤＣ
負バイアスを挙げることができる。また、必要に応じ
て、スパッタ法に代えて、他の成膜法、例えば蒸着法、
イオンビームスパッタ法等を使用してもよい。

【００２５】かかる第２の下地膜の膜厚は、種々のファ
クタに応じて広い範囲で変更することができるというも
のの、好ましくは、Ｓ／Ｎ比を高めるため、５〜６０nm
の範囲である。この第２の下地膜の膜厚が５nmを下回る
と、磁気特性が十分に発現しないおそれがあり、また、
反対に６０nmを上回ると、ノイズが増大する傾向があ
る。

【００２６】本発明の磁気記録媒体において、磁性膜
は、この技術分野において一般的に行われているよう
に、コバルトを主成分とする合金、例えばＣｏ−Ｎｉ系
合金、Ｃｏ−Ｃｒ系合金などから形成することができ、
Ｃｏ−Ｃｒ系合金から構成するのが特に好ましい。ま
た、磁性膜は、このような２成分系合金から形成するこ
とに加えて、その他の元素、例えば白金、タンタル、ニ
オブ、タングステン、カーボンなどを任意に追加して調
製した三元系合金、四元系合金あるいは五元系合金から
形成することが好ましく、むしろこのような多元合金か
ら形成したほうが特性的に有利である。本発明者らの知
見によると、以下においてさらに具体的に説明するけれ
ども、磁性膜は、Ｃｏ−Ｃｒ系合金からなっていて、１
７ａｔ％以上の濃度でＣｒを含有することが好ましい。
なお、参考までに記載すると、低ノイズ化のために磁性
膜のＣｒ濃度を高めるとして、ガラス基板の上に本発明
において必須の第１のＣｒＰ系下地膜が不存在である場
合には、磁性膜のＣｒ濃度が１５ａｔ％をピークにそれ
以上高くなると、垂直方向に磁化容易軸が向きやすくな
り、Ｓ／Ｎ比が低下する。換言すると、ＣｒＰ系下地膜
は、高Ｃｒ濃度の磁性膜において特にその効果を発揮す
ることができる。

【００２７】さらに、磁性膜は、図３に示すように単層
であってもよく、あるいは、２層もしくはそれ以上の多
層構造であってもよく、さらに、多層構造の場合、磁性
膜の中間に非磁性の膜が介在せしめられていてもよい。
さらに具体的に説明すると、本発明の磁気記録媒体にお
いて用いられる磁性膜は、好ましくは、円周方向を磁化
容易方向とし、かつコバルトを主成分として含有し、ク
ロム及び白金を含み、さらにタンタル又はタンタル及び
ニオブを組み合わせて有する四元系合金あるいは五元系
合金から形成することができる。ここで、主成分として
のコバルトに組み合わせて用いられるクロム及び白金の
量は、好ましくは、クロム１７〜２１ａｔ％、及び白金４〜１０ａｔ％、である。

【００２８】さらに具体的に説明すると、この磁性膜
の、コバルト、クロム、白金及びタンタルの４元素から
構成される四元系合金は、好ましくは、次式により表さ
れる組成範囲：Ｃｏ_bal.−Ｃｒ_17-21−Ｐｔ_4-10−Ｔａ_x （上式中、_bal.はバランス量を意味し、そしてｘは１〜
５ａｔ％である）にある。

【００２９】また、コバルト、クロム、白金、タンタル
及びニオブの５元素から構成される五元系合金は、好ま
しくは、次式により表される組成範囲：Ｃｏ_bal.−Ｃｒ_17-21−Ｐｔ_4-10−Ｔａ_x−Ｎｂ_y （上式中、_bal.はバランス量を意味し、そしてｘ＋ｙは
１〜５ａｔ％である）にある。このような五元系合金に
おいて、タンタル及びニオブの添加量は、好ましくは、
同等であるかもしくはほぼ同等である。

【００３０】本発明の磁気記録媒体において、かかる磁
性膜は、いかなる組成を有するかにかかわりなく、特に
それが四元系合金であるかあるいは五元系合金であるか
にかかわりなく、約３０〜１２０Ｇμm のｔＢｒ（磁性
膜の膜厚ｔと残留磁化密度Ｂｒの積）を有していること
が好ましい。本発明の磁性膜は、従来の磁性膜に比較し
て薄く構成したことにより、特にＭＲヘッドをはじめと
した磁気抵抗効果型ヘッド用として最適である。

【００３１】非磁性のガラス基板上に本発明に特有の下
地膜を介して設けられる磁性膜は、上記したように、Ｃ
ｏＣｒＰｔＴａなどの四元系合金から、あるいはＣｏＣ
ｒＰｔＴａＮｂなどの五元系合金から構成されるものが
好ましい。かかる磁性膜は、好ましくは、スパッタ法に
より、特定の成膜条件下で有利に形成することができ
る。スパッタ法としては、上記した下地膜の成膜と同
様、例えばマグネトロンスパッタ法などを使用すること
ができる。適当な成膜条件として、例えば、約１００〜
３５０℃の成膜温度、好ましくは約２００〜３２０℃の
温度、特に好ましくは２５０℃前後の温度、約１〜１０
ｍＴｏｒｒのＡｒガス圧力、そして約８０〜４００Ｖの
ＤＣ負バイアスを挙げることができる。また、必要に応
じて、スパッタ法に代えて、他の成膜法、例えば蒸着
法、イオンビームスパッタ法等を使用してもよい。磁性
膜の形成の好ましい１例を示すと、スパッタ法で、ＤＣ
負バイアスの印加下に、１５０〜３５０℃の成膜温度
で、上記の元素群から有利に形成することができる。

【００３２】特に、本発明の磁気記録媒体では、上記し
た磁性膜及び前記下地膜のすべてを、それぞれ、スパッ
タ法により成膜するのが好ましい。すなわち、すべての
膜をスパッタ法により成膜するとともに、それぞれの膜
の膜厚を所定厚さ以下に調整することによって、ガラス
基板の耐衝撃性を維持することができるなどの効果を得
ることができる。

【００３３】また、本発明の磁気記録媒体は、必要に応
じてかつ、好ましくは、その最上層として、上記した磁
性膜の上方に、この技術分野において屡々採用されてい
るように、保護膜を有することができる。適当な保護膜
としては、例えば、カーボンの単独もしくばその化合物
からなる層、例えばＣ層、ＷＣ層、ＳｉＣ層、Ｂ₄Ｃ
層、水素含有Ｃ層など、あるいは特により高い硬度を有
するという点で最近注目されているダイヤモンドライク
カーボン（ＤＬＣ）の層を挙げることができるできる。
特に、本発明の実施に当たっては、カーボンあるいはＤ
ＬＣからなる保護膜を有利に使用することができる。こ
のような保護膜は、常法に従って、例えば、スパッタ
法、蒸着法などによって形成することができる。かかる
保護膜の膜厚は、種々のファクタに応じて広い範囲で変
更することができるというものの、好ましくは、約５〜
１５nmである。

【００３４】また、上記したような保護膜に代えて、例
えば、下記の公開特許公報に開示されるようなアモルフ
ァス水素化カーボン膜（ａ−Ｃ：Ｈ膜）あるいはそれに
類する保護膜を使用してもよい。例えば、特開平５−８
１６６０号公報には、スパッタ法により形成されたアモ
ルファス水素化カーボン膜からなる保護膜が開示されて
いる。また、特開平６−３４９０５４号公報には、ＣＳ
Ｓ耐久性の改良と薄膜化のため、スパッタ法による水素
含有カーボン保護膜を、水素含有率の低い下層のカーボ
ン膜と水素含有率の高い上層のカーボン膜との少なくと
も２層膜構造とすることが開示されている。さらに、最
近、スパッタａ−Ｃ：Ｈ膜に代わるべきものとして、プ
ラズマＣＶＤ法により形成したアモルファス水素化カー
ボン膜（ＰＣＶＤａ−Ｃ：Ｈ膜）も開示されている。例
えば、特開平７−７３４５４号公報には、プラズマＣＶ
Ｄ法において、反応性ガスとしてＣＨ₄ガス、ＣＦ₄な
どを使用することを特徴とするカーボン保護膜製造方法
が開示されている。

【００３５】本発明の磁気記録媒体は、上記したような
必須の層及び任意に使用可能な層に加えて、この技術分
野において常用の追加の層を有していたり、さもなけれ
ば、含まれる層に任意の化学処理等が施されていてもよ
い。例えば、上記した保護膜の上に、フルオロカーボン
樹脂系の潤滑層が形成されていたり、さもなければ、同
様な処理が施されていてもよい。

【００３６】さらにまた、本発明は、そのもう１つの面
において、上記しかつ以下に詳細に説明する本発明の磁
気記録媒体を使用した磁気ディスク装置にある。本発明
の磁気ディスク装置において、その構造は特に限定され
ないというものの、基本的に、磁気記録媒体において情
報の記録を行うための記録ヘッド部及び情報の再生を行
うための再生ヘッド部を備えている装置を包含する。特
に、再生ヘッド部は、以下に説明するように、磁界の強
さに応じて電気抵抗が変化する磁気抵抗素子を使用した
磁気抵抗効果型ヘッド、すなわち、ＭＲヘッドを備えて
いることが好ましい。

【００３７】本発明の磁気ディスク装置において、好ま
しくは、磁気抵抗効果素子及び該磁気抵抗効果素子にセ
ンス電流を供給する導体層を有し、磁気記録媒体からの
情報の読み出しを行う磁気抵抗効果型の再生ヘッド部
と、薄膜で形成された一対の磁極を有し、磁気記録媒体
への情報の記録を行う誘導型の記録ヘッド部とが積層さ
れてなる複合型の磁気ヘッドを使用することができる。
磁気抵抗効果型の再生ヘッドは、この技術分野において
公知のいろいろな構造を有することができ、そして、好
ましくは、異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲヘッド
又は巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲヘッド（スピン
バルブＧＭＲヘッド等を含む）を包含する。再生ヘッド
部の導体層は、いろいろな構成を有することができるけ
れども、好ましくは、１．導体層の膜厚に関して、磁気抵抗効果素子の近傍部
分を比較的に薄く形成し、その他の部分を厚く形成した
もの、２．導体層の膜厚及び幅員に関して、磁気抵抗効果素子
の近傍部分のそれを比較的に薄くかつ細く形成し、その
他の部分を厚くかつ幅広に形成したもの、を包含する。
導体層の膜厚及び必要に応じて幅員を上記のように調整
することは、いろいろな手法に従って行うことができる
ものの、特に、導体層の多層化によって膜厚の増加を図
ることによりこれを達成することが推奨される。

【００３８】特に上記したような構成の磁気ディスク装
置を使用すると、従来の複合型の磁気ヘッドに比較し
て、記録ヘッド部の磁極の湾曲を小さくするとともに導
体層の抵抗を下げ、オフトラックが小さい範囲であれ
ば、精確にかつ高感度で情報を読み出すことができる。
本発明の磁気ディスク装置は、好ましくは、その記録ヘ
ッド部及び再生ヘッド部を図４及び図５に示すような積
層構造とすることができる。図４は、本発明の磁気ディ
スク装置の原理図で、また、図５は、図４の線分Ｂ−Ｂ
にそった断面図である。

【００３９】図４及び図５において、参照番号１１は磁
気記録媒体への情報の記録を行う誘導型の記録ヘッド
部、１２は情報の読み出しを行う磁気抵抗効果型の再生
ヘッド部である。記録ヘッド部１１は、ＮｉＦｅ等から
なる下部磁極（上部シールド層）１３と、一定間隔をも
って下部磁極１３と対向したＮｉＦｅ等からなる上部磁
極１４と、これらの磁極１３及び１４を励磁し、記録ギ
ャップ部分にて、磁気記録媒体に情報の記録を行わせる
コイル１５等から構成される。

【００４０】再生ヘッド部１２は、好ましくはＡＭＲヘ
ッドやＧＭＲヘッド等でもって構成されるものであり、
その磁気抵抗効果素子部１２Ａ上には、磁気抵抗効果素
子部１２Ａにセンス電流を供給するための一対の導体層
１６が記録トラック幅に相応する間隔をもって設けられ
ている。ここで、導体層１６の膜厚は、磁気抵抗効果素
子部１２Ａの近傍部分１６Ａが薄く形成され、他の部分
１６Ｂは厚く形成されている。

【００４１】図４及び図５の構成では、導体層１６の膜
厚が、磁気抵抗効果素子部１２Ａの近傍部分１６Ａで薄
くなっているため、下部磁極（上部シールド層）１３等
の湾曲が小さくなっている。このため、磁気記録媒体に
対向する記録ギャップの形状もあまり湾曲せず、情報の
記録時における磁気ヘッドのトラック上の位置と読み出
し時における磁気ヘッドのトラック上の位置に多少ずれ
があっても、磁気ディスク装置は正確に情報を読み出す
ことができ、オフトラック量が小さいにもかかわらず読
み出しの誤差が生じるという事態を避けることができ
る。

【００４２】一方、導体層１６の膜厚が、磁気抵抗効果
素子部１２Ａの近傍以外の部分１６Ｂでは厚く形成され
ているため、導体層１６の抵抗を全体として小さくする
こともでき、その結果、磁気抵抗素子部１２Ａの抵抗変
化を高感度で検出することが可能になり、Ｓ／Ｎ比が向
上し、また、導体層１６での発熱も避けることができ、
発熱に起因したノイズの発生も防げる。

【００４３】上記したような磁気抵抗効果型の磁気ヘッ
ドは、その多数個を薄膜技術を用いてセラミック製ヘッ
ド基板上に形成した後、ヘッド基板をヘッド毎に切り出
し、所定の形状に加工することによって製造することが
できる。さらに、本発明による磁気ディスク装置の好ま
しい１例は、図６及び図７に示す通りである。なお、図
６は磁気ディスク装置の平面図（カバーを除いた状
態）、図７は図６の線分Ａ−Ａにそった断面図である。

【００４４】これらの図において、参照番号５０はベー
スプレート５１上に設けられたスピンドルモータ５２に
よって回転駆動される磁気記録媒体としての複数枚（図
示の例では３枚）の磁気ディスクである。参照番号５３
はベースプレート５１上に回転可能に設けられたアクチ
ュエータである。このアクチュエータ５３の一方の回転
端部には、磁気ディスク５０の記録面方向に延出する複
数のヘッドアーム５４が形成されている。このヘッドア
ーム５４の回転端部には、スプリングアーム５５が取り
付けられ、更に、このスプリングアーム５５のフレクシ
ャー部に前述のスライダ４０が図示しない絶縁膜を介し
て傾動可能に取り付けられている。一方、アクチュエー
タ５３の他方の回転端部には、コイル５７が設けられて
いる。ベースプレート５１上には、マグネット及びヨー
クで構成された磁気回路５８が設けられ、この磁気回路
５８の磁気ギャップ内に、上記コイル５７が配置されて
いる。そして、磁気回路５８とコイル５７とでムービン
グコイル型のリニアモータ（ＶＣＭ：ボイスコイルモー
タ）が構成されている。そして、これらベースプレート
５１の上部はカバー５９で覆われている。

【００４５】次に、上記構成の磁気ディスク装置の作動
を説明する。磁気ディスク５０が停止している時には、
スライダ４０は磁気ディスク５０の退避ゾーンに接触し
停止している。次に、磁気ディスク５０がスピンドルモ
ータ５２によって、高速で回転駆動されると、この磁気
ディスク５０の回転による発生する空気流によって、ス
ライダ４０は微小間隔をもってディスク面から浮上す
る。この状態でコイル５７に電流を流すと、コイル５７
には推力が発生し、アクチュエータ５３が回転する。こ
れにより、ヘッド（スライダ４０）を磁気ディスク５０
の所望のトラック上に移動させ、データのリード／ライ
トを行なうことができる。

【００４６】この磁気ディスク装置では、磁気ヘッドの
導体層として、磁気抵抗効果素子部の近傍部分を薄く形
成し他の部分を厚く形成したものを用いているため、記
録ヘッド部の磁極の湾曲を小さくすると共に導体層の抵
抗を下げ、オフトラックが小さい範囲であれば正確にか
つ高感度に情報を読み出すことができる。

【００４７】

【実施例】以下、本発明をその典型的な実施例を参照し
て説明する。なお、本発明はこれらの実施例によって限
定されるものではないことを理解されたい。例１磁気記録媒体（磁気ディスク）の作製化学強化されかつよく洗浄された表面を有するディスク
状のアルミノシリケートガラス基板の上に、ＤＣマグネ
トロンスパッタ装置により、ＣｒＭｏＰ膜（第１の下地
膜として）及びＣｒＭｏ１０（ａｔ％）膜（第２の下地
膜として）を順次スパッタ成膜した。まず、成膜工程に
入る前にスパッタ室内を５×１０^-8Ｔｏｒｒ以下に排気
し、赤外線ランプで加熱し、Ａｒガスを導入してスパッ
タ室内を５ｍＴｏｒｒに保持し、Ｃｒ７８．３−Ｍｏ
８．７−Ｐ１３（ａｔ％）ターゲットを用いてＣｒＭｏ
Ｐ膜を成膜した。ＣｒＭｏＰ膜の膜厚は、その効果を評
価するため、０nm（成膜せず）〜１００nmの間で変更し
た。

【００４８】第１の下地膜、（ＣｒＭｏ１０）₈₇Ｐ
₁₃（ａｔ％）膜の形成後、スパッタ室を大気に開放し、
その室内に配置したガラス基板の下地膜表面に大気暴露
した。基板温度を２５０℃まで高めた後、その上にＣｒ
Ｍｏ１０（ａｔ％）膜を成膜した。この場合、上記した
成膜工程と同様に、下地膜の成膜前にスパッタ室内を５
×１０^-8Ｔｏｒｒ以下に排気し、基板温度を２５０℃に
高め、Ａｒガスを導入してスパッタ室内を５ｍＴｏｒｒ
に保持し、ＣｒＭｏ膜を膜厚２５nmで成膜した。さらに
続けて、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ膜をそのｔＢｒが５０〜
１２０Ｇμｍ（１５〜３５nm厚に相当）となるように合
金ターゲットからスパッタ成膜した。ＣｏＣｒＰｔＴａ
Ｎｂ膜の組成式はＣｏ₇₂Ｃｒ₁₉Ｐｔ₅Ｔａ₂Ｎｂ₂であ
る。先に図３を参照して説明したような層構成の本発明
の磁気ディスク（以下、「磁気ディスク１」と呼ぶ）が
得られた。

【００４９】さらに続けて、比較に供するため、下記の
相違点を除いて上述の手法を繰り返して、４種類の比較
用の磁気ディスクＡ〜Ｄを作製した。磁気ディスクＡ…
第１の下地膜において、ＣｒＭｏＰ膜の大気暴露を省略
磁気ディスクＢ…第１の下地膜において、ＣｒＭｏＰ膜
に代えてＣｒＭｏ膜を使用（ここで、ＣｒＭｏ膜は、第
２の下地膜の形成と同様な成膜条件下で膜厚１００nmで
成膜）磁気ディスクＣ…磁気ディスクＢにおいて、Ｃｒ
Ｍｏ膜の大気暴露を省略磁気ディスクＤ…第１の下地膜
において、ＣｒＭｏＰ膜に代えてＮｉＰ膜を使用（ここ
で、ＮｉＰ膜は、ＣｒＭｏＰ膜と同様な成膜条件下、Ｎ
ｉＰをＮｉ₂Ｐターゲットから膜厚１００nmで成膜）例２磁気ディスクの評価前記例１において作製した磁気ディスク１ならびに比較
用磁気ディスクＡ〜Ｄについて、下記の項目に関して特
性の評価を行った。なお、組成分析にはＥＤＸ、磁気測
定にはＶＳＭを用いた。（１）媒体の孤立波Ｓ／Ｎの、ＣｒＭｏＰ膜の膜厚依存
性磁気ディスク１において、第１の下地膜（ＣｒＭｏ１０
Ｐ１３膜）のいろいろな膜厚における孤立波Ｓ／Ｎを測
定したところ、添付の図８に曲線Ｉでプロットするよう
な結果が得られた。ここで、Ｓ／Ｎの測定は、リード幅
１μｍでの孤立波出力と記録密度１６０ｋＦＣＩにおけ
る媒体ノイズの実効値に基づいて実施した。すなわち、Ｓ／Ｎ＝２０ log（Ｓrms ／Ｎrms ）である。

【００５０】比較のため、磁気ディスクＡ、Ｂ、Ｃ及び
Ｄについても同様な手法に従い孤立波Ｓ／Ｎを測定した
ところ、それぞれ曲線IIならびに点ＣｒＭｏ／Ｉ、Ｃｒ
Ｍｏ／II及びＮｉＰ／Ｉでプロットするような結果が得
られた。図８に記載の結果から、本発明による磁気ディ
スクのようにＣｒＭｏＰ膜を有する層構成とし、しかも
それを大気暴露した場合には、同じＣｒＭｏＰ膜を有し
ていても大気暴露を伴わない場合よりも、孤立波Ｓ／Ｎ
に関して実に約６〜８ｄＢの向上を図ることができると
いうこと、また、ＣｒＭｏＰ膜の膜厚に関して見た場
合、約５〜１００nmの範囲では孤立波Ｓ／Ｎが変動する
こともないこと、すなわち、膜厚マージンは広いこと、
が分かる。また、点ＣｒＭｏ／ＩとＣｒＭｏ／IIから理
解されるように、このような優れたＳ／Ｎ向上効果はま
た、Ｐを含有しないＣｒＭｏ膜を用いたのでは達成する
ことができない。

【００５１】また、図８ではプロットしていないけれど
も、ＣｒＭｏＰ膜からＭｏを除いたＣｒＰ膜において
も、曲線Ｉに比較可能な満足し得る結果が得られた。実
験の結果から一般的に考察するに、低ノイズ化のために
磁性膜のＣｒ濃度を高くするが、ガラス基板でＣｒＰ系
下地膜（第１の下地膜）がない場合、磁性膜のＣｒ濃度
が１５ａｔ％をピークにそれ以上高くなると、垂直方向
に磁化容易軸が向きやすくなり、Ｓ／Ｎが低下する。特
にＣｒＰ膜は、高Ｃｒ濃度の磁性膜に組み合わせて使用
した時に有効である。

【００５２】さらに、同じく図８ではプロットしていな
いけれども、ＣｒＭｏＰ膜の表面に円周方向に機械的テ
キスチャ処理を施した方が施さない場合よりも、媒体Ｓ
／Ｎ比の向上に有効であり、ヘッド走行性も改善し得る
ということが判明した。（２）ＮｉＰ膜とＣｒＭｏＰ膜の密着性の比較磁気ディスク１において、ＣｒＭｏ１０Ｐ１３膜の成膜
後、その膜のガラス基板に対する密着性をスクラッチテ
スタを使用して評価したところ、図９にプロットするよ
うな結果が得られた。図示されるように、加重を０gfか
ら１００gfまで徐々に増加したけれども、その途中で膜
剥離は発生せず、密着性は極めて良好であることを立証
した。

【００５３】対照的に、ＣｒＭｏ１０Ｐ１３膜に代えて
ＮｉＰ膜を第１の下地膜として使用した磁気ディスクＤ
では、同じく図９にプロットするように、３２．１gfの
加重のところで層剥離が発生した。この結果は、ＮｉＰ
膜はＣｒＭｏＰ膜に比較して密着性に劣ることを示して
いる。（３）ＮｉＰ膜とＣｒＭｏＰ膜の膜強度の比較磁気ディスク１において、ＣｒＭｏ１０Ｐ１３膜の成膜
後、その膜の膜硬度を米国ＮａｎｏＩｎｓｔｒｕｍｅ
ｎｔｓ社製の押し込み試験器（ＴｈｅＮａｎｏＩｎ
ｄｅｎｔｅｒ II）を使用して測定したところ、図１０
にプロットするような結果が得られた。次いで、ＣｒＭ
ｏ１０Ｐ１３膜に代えてＮｉＰ膜を第１の下地膜として
使用した磁気ディスクＤにおいて、同じようにＮｉＰ膜
の膜硬度を測定した。同じく図９にプロットするような
結果が得られた。これらの結果から、ＣｒＭｏＰ膜は、
膜硬度に関しても、ＮｉＰ膜よりも優れていることを立
証している。例３前記例１に記載の手法に従って、下記の層構成を有する
磁気ディスク２を作製した。なお、本例では、ＣｏＭｏ
Ｐ膜において、Ｐ濃度を０〜１３ａｔ％の範囲で変更し
た。

【００５４】 ─────────────────────────────── カーボン保護膜８nm ─────────────────────────────── Ｃｏ₇₂Ｃｒ₁₉Ｐｔ₅Ｔａ₂Ｎｂ₂磁性膜２５nm ─────────────────────────────── ＣｏＭｏ１０膜（第２の下地膜）２５nm ─────────────────────────────── ＣｏＭｏＰ０〜１３（ａｔ％）膜（第１の下地膜）５０nm ─────────────────────────────── ガラス基板 ─────────────────────────────── （成膜温度２５０℃）この磁気ディスク２において、保磁力ＨｃのＰ濃度依存
性を評価したところ、添付の図１１にプロットするよう
な結果が得られた。図示のグラフから、垂直保磁力Ｈｃ
はＰ濃度の増加とともに低下し、Ｐ濃度が５ａｔ％以上
になったところで良好な配向性を示すことが分かる。好
ましいＰ濃度の上限は、ターゲットが作製可能な３０ａ
ｔ％近傍にあると理解される。例４前記例１に記載の手法に従って、下記の層構成を有する
比較用磁気ディスクＥを作製した。なお、本例では、比
較のため、ガラス基板に代えてＮｉＰメッキ付きのアル
ミニウム基板を使用し、磁性膜をＣｏ₇₂Ｃｒ₁₉Ｐｔ₅Ｔ
ａ₂Ｎｂ₂膜からＣｏ₆₈Ｃｒ₂₀Ｐｔ₁₀Ｔａ₂膜に変更
し、ＣｏＭｏ１０膜を省略し、さらに、ＣｏＭｏＰ膜に
おいて、Ｐ濃度を０〜５ａｔ％の範囲で変更した。

【００５５】 ─────────────────────────────── カーボン保護膜１０nm ─────────────────────────────── Ｃｏ₆₈Ｃｒ₂₀Ｐｔ₁₀Ｔａ₂磁性膜２５nm ─────────────────────────────── ＣｏＭｏＰ０〜５（ａｔ％）膜２５nm ─────────────────────────────── ＮｉＰメッキ付きのアルミニウム基板 ─────────────────────────────── （成膜温度２８０℃）この磁気ディスクＥにおいて、保磁力ＨｃのＰ濃度依存
性を評価したところ、添付の図１２にプロットするよう
な結果が得られた。図示のグラフから、面内保磁力Ｈｃ
はＰ濃度の増加とともに低下していくことが分かる。

【００５６】

【発明の効果】以上の説明から理解されるように、本発
明によれば、耐衝撃性に優れたガラスあるいはそれに類
する非磁性材料を基板として使用することができるもの
であり、しかし、下地膜の密着性が良好であるので、従
来の技術のように基板と下地膜との間に密着層を介在さ
せることが不要であり、しかも、高い再生出力に結びつ
く高い保磁力を有するとともに、ノイズを低減し、Ｓ／
Ｎ比を向上させることのできる高密度記録が可能な磁気
記録媒体、特に面内磁気記録媒体を提供することができ
る。また、本発明によれば、このような磁気記録媒体を
使用した、従来の磁気記録媒体に比較して媒体Ｓ／Ｎ比
を高めることができ、従来装置に比較して高密度記録が
可能な磁気ディスク装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の磁気記録媒体の一例を示す断面図であ
る。

【図２】従来の磁気記録媒体のもう１つの例を示す断面
図である。

【図３】本発明による磁気記録媒体の好ましい１例を示
す断面図である。

【図４】本発明の磁気ディスク装置の原理を示す断面図
である。

【図５】図４の磁気ディスク装置の線分Ｂ−Ｂにそった
断面図である。

【図６】本発明の磁気ディスク装置の好ましい１例を示
す平面図である。

【図７】図６の磁気ディスク装置の線分Ａ−Ａにそった
断面図である。

【図８】孤立波媒体Ｓ／ＮのＣｒＭｏＰ膜厚依存性を示
すグラフである。

【図９】ＮｉＰ膜とＣｒＭｏＰ膜の密着性を比較するグ
ラフである。

【図１０】ＮｉＰ膜とＣｒＭｏＰ膜の膜硬度を比較する
グラフである。

【図１１】本発明による磁気記録媒体における、保磁力
ＨｃのＰ濃度依存性を示すグラフである。

【図１２】従来の磁気記録媒体における、保磁力Ｈｃの
Ｐ濃度依存性を示すグラフである。

【符号の説明】

１…非磁性のガラス基板２…第１の下地膜３…第２の下地膜４…下地膜５…磁性膜６…保護膜１０…磁気記録媒体１１…記録ヘッド部１２…再生ヘッド部１３…下部磁極１４…上部磁極１５…コイル１６…導体層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者岡本巌神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号富士通株式会社内 (72)発明者篠原正喜神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号富士通株式会社内Ｆターム(参考） 5D006 AA02 BB02 CA01 CA05 CA06 CB04 DA03 EA03 FA09 5D112 AA02 AA03 AA05 AA07 BA02 BA03 BB05 BC05 BD04 FA04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性の基板上に磁性金属材料からなる
磁性膜を設けてなりかつ、前記基板と前記磁性膜との間
に、前記磁性膜の磁化容易方向を膜面内とすることを目
的としかつクロム（Ｃｒ）を主成分するＣｒ系下地膜が
介在せしめられてなる磁気記録媒体において、前記基板と前記Ｃｒ系下地膜との間に、前記基板に隣接
する形で、クロムを主成分としかつ燐（Ｐ）を含有する
追加のＣｒＰ系下地膜がさらに設けられていることを特
徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】前記基板が、ガラス、カーボン及びシリ
コンからなる群から選ばれた１員であることを特徴とす
る請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】前記ＣｒＰ系下地膜がスパッタ法により
成膜されたものであることを特徴とする請求項１又は２
に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】前記ＣｒＰ系下地膜が第３の成分として
モリブデン（Ｍｏ）を含有することを特徴とする請求項
１〜３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】前記ＣｒＰ系下地膜が酸化処理された表
面を有していることを特徴とする請求項１〜４のいずれ
か１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】前記ＣｒＰ系下地膜の酸化処理された表
面が、前記磁気記録媒体を大気に暴露することによって
形成されたものであることを特徴とする請求項５に記載
の磁気記録媒体。
【請求項７】前記ＣｒＰ系下地膜の酸化処理された表
面がさらに機械的テクスチャ処理を施されていることを
特徴とする請求項５又は６に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】前記ＣｒＰ系下地膜のＰ濃度が１０ａｔ
％以上であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか
１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】前記磁性膜が１７ａｔ％以上の濃度でＣ
ｒを含有する磁性金属材料から形成されていることを特
徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の磁気記録
媒体。
【請求項１０】前記磁性膜が３０〜１２０Ｇμm のｔ
Ｂｒ（磁性膜の膜厚ｔと残留磁化密度Ｂｒの積）を有し
ていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に
記載の磁気記録媒体。
【請求項１１】前記磁性膜の上に、カーボン又はダイ
ヤモンドライクカーボンからなる保護膜をさらに有して
いることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に
記載の磁気記録媒体。
【請求項１２】磁気記録媒体において情報の記録を行
うための記録ヘッド部及び情報の再生を行うための再生
ヘッド部を備えた磁気ディスク装置であって、前記磁気
記録媒体が請求項１〜１１のいずれか１項に記載の磁気
記録媒体であり、そして前記再生ヘッド部が磁気抵抗効
果型ヘッドを備えていることを特徴とする磁気ディスク
装置。
【請求項１３】前記磁気抵抗効果型ヘッドが、ＭＲヘ
ッド、ＡＭＲヘッド又はＧＭＲヘッドであることを特徴
とする請求項１２に記載の磁気ディスク装置。