JPH0241089B2 - - Google Patents
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- JPH0241089B2 JPH0241089B2 JP58123548A JP12354883A JPH0241089B2 JP H0241089 B2 JPH0241089 B2 JP H0241089B2 JP 58123548 A JP58123548 A JP 58123548A JP 12354883 A JP12354883 A JP 12354883A JP H0241089 B2 JPH0241089 B2 JP H0241089B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- substrate
- layer
- silicon
- deposited
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7373—Non-magnetic single underlayer comprising chromium
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一般的に磁気記録デイスクに関し、さ
らに具体的にはシリコン基板を使用して形成され
たこの様なデイスクに関する。
らに具体的にはシリコン基板を使用して形成され
たこの様なデイスクに関する。
磁気記録において、アルミニウム基板上に微粒
子もしくは薄膜磁気被膜を有するデイスクの使用
は周知である。この様な型の被膜の各々は、特に
現在及び将来使用される高ビツト密度記録パター
ンのために必要とされる極めて薄い被膜の場合に
は、被膜を完全に満足のいかないものにするとい
う問題を有する。
子もしくは薄膜磁気被膜を有するデイスクの使用
は周知である。この様な型の被膜の各々は、特に
現在及び将来使用される高ビツト密度記録パター
ンのために必要とされる極めて薄い被膜の場合に
は、被膜を完全に満足のいかないものにするとい
う問題を有する。
アルミニウム基板上の微粒子磁気被膜は、特に
極めて薄い場合に、デイスクに関連する磁気変換
器との接触によつて耐用性が限られる。アルミニ
ウム基板上に磁気被膜をスパツタリング蒸着もし
くは電着する事によつて通常形成される薄膜磁気
デイスクは一般に微粒子被膜の場合よりも薄い磁
気被膜を与える。しかしながら、薄膜デイスクは
主に重量と付着される薄膜層のためにアルミニウ
ムである事が要求される金属基板との反応によつ
て著しい腐食をしばしば生ずる。この様なデイス
クは基板と薄膜磁性層間及び薄膜磁性層上に２乃
至それ以上の保護層の付着を必要とする。明らか
に、この様な保護層は薄膜デイスクのコストを著
しく高くする。さらに微粒子及び薄膜磁気デイス
クは通常被膜の厚さと比較して実質上厚い基板を
使用し、この様なデイスクのいくつかを含む組立
体の重量を著しく重くする。
極めて薄い場合に、デイスクに関連する磁気変換
器との接触によつて耐用性が限られる。アルミニ
ウム基板上に磁気被膜をスパツタリング蒸着もし
くは電着する事によつて通常形成される薄膜磁気
デイスクは一般に微粒子被膜の場合よりも薄い磁
気被膜を与える。しかしながら、薄膜デイスクは
主に重量と付着される薄膜層のためにアルミニウ
ムである事が要求される金属基板との反応によつ
て著しい腐食をしばしば生ずる。この様なデイス
クは基板と薄膜磁性層間及び薄膜磁性層上に２乃
至それ以上の保護層の付着を必要とする。明らか
に、この様な保護層は薄膜デイスクのコストを著
しく高くする。さらに微粒子及び薄膜磁気デイス
クは通常被膜の厚さと比較して実質上厚い基板を
使用し、この様なデイスクのいくつかを含む組立
体の重量を著しく重くする。
金属もしくは重合体の薄膜は基板の表面の形状
をなぞらえるのでアルミニウム基板における表面
の完全性（即ち振幅の変調及びヘツドの衝突を防
止するための表面荒さ、平坦度等）を達成するた
めの試みがこれ迄になされて来た。基板の研摩及
び被覆方法の改善がなされて来たが、将来の主た
るパホーマンスの改善も基板表面の完全性の増強
に依存する。
をなぞらえるのでアルミニウム基板における表面
の完全性（即ち振幅の変調及びヘツドの衝突を防
止するための表面荒さ、平坦度等）を達成するた
めの試みがこれ迄になされて来た。基板の研摩及
び被覆方法の改善がなされて来たが、将来の主た
るパホーマンスの改善も基板表面の完全性の増強
に依存する。
特願昭56−137895号（特開昭57−105826号）
は、磁気記録デイスク基板としてシリコンを用い
る構造を開示しているが、これはシリコン基板を
支持する強化コア部材を必要としている。
は、磁気記録デイスク基板としてシリコンを用い
る構造を開示しているが、これはシリコン基板を
支持する強化コア部材を必要としている。
本発明に従い、磁気記録デイスクは先ずシリコ
ン上に或る材料の層を付着する事によつてシリコ
ン基板上に形成され、これによつて磁気的パホー
マンス及びその後に付着される磁性層の付着力が
増強される。磁性層には薄い保護層が付着させら
れる。強化コア部材は本発明にとつて必要とされ
ない。
ン上に或る材料の層を付着する事によつてシリコ
ン基板上に形成され、これによつて磁気的パホー
マンス及びその後に付着される磁性層の付着力が
増強される。磁性層には薄い保護層が付着させら
れる。強化コア部材は本発明にとつて必要とされ
ない。
本発明に従い、シリコン基板は半導体市場で容
易に利用可能な通常のシリコン板を切断する事に
よつて形成され得る。基板は任意の適切な技法に
よつてシリコン板からスライスされ得る。この様
なシリコン板は15.24cmよりも大きな直径のもの
が利用可能である。基板ウエフアは0.043乃至
0.081cmの範囲の適当な厚さに切断され、両表面
が研摩され得る。これ等のシリコン基板の表面は
特に平坦で凹凸がない事が知られている。シリコ
ン基板に被膜を付着する前に、回転させるための
適切な構造体に対して仕上つた磁気記録デイスク
をクランプさせるための中央開孔がシリコン基板
に与えられる事が好ましい。この開孔は例えばレ
ーザ切断もしくはダイアモンド・コア穿孔によつ
て発生され得る。シリコン基板が先ず形成された
後、基板の両表面にRFスパツタリングによつて
下地層が付着させられる。この下地層は略4500Å
の厚さに昇華／蒸着されるCrである事が好まし
い。このシリコン表面上の下地層の付着は上層の
磁性層の磁性を増強するが、AlMgの如きシリコ
ン以外の基板上の下地層としてCrが同様に付着
させられる時は、磁性の増強は生じない事が発見
された。
易に利用可能な通常のシリコン板を切断する事に
よつて形成され得る。基板は任意の適切な技法に
よつてシリコン板からスライスされ得る。この様
なシリコン板は15.24cmよりも大きな直径のもの
が利用可能である。基板ウエフアは0.043乃至
0.081cmの範囲の適当な厚さに切断され、両表面
が研摩され得る。これ等のシリコン基板の表面は
特に平坦で凹凸がない事が知られている。シリコ
ン基板に被膜を付着する前に、回転させるための
適切な構造体に対して仕上つた磁気記録デイスク
をクランプさせるための中央開孔がシリコン基板
に与えられる事が好ましい。この開孔は例えばレ
ーザ切断もしくはダイアモンド・コア穿孔によつ
て発生され得る。シリコン基板が先ず形成された
後、基板の両表面にRFスパツタリングによつて
下地層が付着させられる。この下地層は略4500Å
の厚さに昇華／蒸着されるCrである事が好まし
い。このシリコン表面上の下地層の付着は上層の
磁性層の磁性を増強するが、AlMgの如きシリコ
ン以外の基板上の下地層としてCrが同様に付着
させられる時は、磁性の増強は生じない事が発見
された。
下地層の付着に続いて、磁性層が再びRFスパ
ツタリングによつて付着させられる。この磁性層
は米国特許第4245008号に説明されたFe、Co、
Cr磁性層の如き適切な型のものであり得る。こ
の特許に開示されている如く、磁性層は重量％で
０乃至55％のCo、８乃至22％のCr、及び残部の
主にFeより成る。この様な磁性層はRFスパツタ
リングによつて略300Åの厚さに付着させられる。
ツタリングによつて付着させられる。この磁性層
は米国特許第4245008号に説明されたFe、Co、
Cr磁性層の如き適切な型のものであり得る。こ
の特許に開示されている如く、磁性層は重量％で
０乃至55％のCo、８乃至22％のCr、及び残部の
主にFeより成る。この様な磁性層はRFスパツタ
リングによつて略300Åの厚さに付着させられる。
上記の如く形成された磁性薄膜は300乃至1000
エルステツドの範囲の保磁力及び略90％以上の磁
機方形比の如き優れた磁気的性質を有する事が発
見されている。
エルステツドの範囲の保磁力及び略90％以上の磁
機方形比の如き優れた磁気的性質を有する事が発
見されている。
上述の米国特許第4245008号に開示されたFe、
Co、Cr磁性層に代つて、他の磁性層を使用する
こともできる。例えばFe3O4の層がRFスパツタ
され、付着位置での酸化によつて磁性Fe2O3にさ
れる。適切な上層がこの磁性層を保護するために
与えられる。この様な上層は磁性層の磁気的特性
をを劣化させない様に十分薄く、硬くて耐久性の
あるセラミツク、重合体もしくは金属薄膜であり
得る。
Co、Cr磁性層に代つて、他の磁性層を使用する
こともできる。例えばFe3O4の層がRFスパツタ
され、付着位置での酸化によつて磁性Fe2O3にさ
れる。適切な上層がこの磁性層を保護するために
与えられる。この様な上層は磁性層の磁気的特性
をを劣化させない様に十分薄く、硬くて耐久性の
あるセラミツク、重合体もしくは金属薄膜であり
得る。
１つの特に魅力的な保護層は沈殿／浸漬プロセ
スによつて付着させられる直径70ÅのSiO2ビー
ズ及び50Å乃至100ÅのアモルフアスSiO2の単一
層によつて形成され得る事が発見された。
スによつて付着させられる直径70ÅのSiO2ビー
ズ及び50Å乃至100ÅのアモルフアスSiO2の単一
層によつて形成され得る事が発見された。
もし望まれるならば、変換器とデイスク表面間
に有害な接触を与える事なく、回転するデイスク
表面に関して狭い空気ベアリングをはさんで変換
器が容易に浮遊する様に保護上層の表面には潤滑
剤が与えられ得る。
に有害な接触を与える事なく、回転するデイスク
表面に関して狭い空気ベアリングをはさんで変換
器が容易に浮遊する様に保護上層の表面には潤滑
剤が与えられ得る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 表面上に実質上凹凸のないシリコン基板と、
該シリコン基板上にスパツタされた非磁性の下地
層と、該下地層上にスパツタされた磁性層と、該
磁性層上に設けられた非磁性保護層とより成る磁
気記録デイスク。 ２ 上記非磁性の下地層がCrである事を特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の磁気記録デイス
ク。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US44351582A | 1982-11-22 | 1982-11-22 | |
| US443515 | 1982-11-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5996539A JPS5996539A (ja) | 1984-06-04 |
| JPH0241089B2 true JPH0241089B2 (ja) | 1990-09-14 |
Family
ID=23761093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58123548A Granted JPS5996539A (ja) | 1982-11-22 | 1983-07-08 | 磁気記録デイスク |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0109481B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5996539A (ja) |
| DE (1) | DE3375340D1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0179382B1 (en) * | 1984-10-22 | 1992-03-04 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium |
| US5198309A (en) * | 1984-11-14 | 1993-03-30 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Magnetic recording member |
| JPS61233401A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-17 | Toshiba Corp | 磁気記録再生装置 |
| JPH02161617A (ja) * | 1988-03-15 | 1990-06-21 | Ulvac Corp | 面内記録型磁気記録体の製造方法 |
| CN116472322A (zh) * | 2020-11-19 | 2023-07-21 | 株式会社Moresco | 粘接剂组合物 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4376963A (en) * | 1980-12-19 | 1983-03-15 | International Business Machines Corporation | Composite magnetic recording disk |
| CA1188796A (en) * | 1981-04-14 | 1985-06-11 | Kenji Yazawa | Magnetic recording medium |
-
1983
- 1983-06-16 EP EP83105929A patent/EP0109481B1/en not_active Expired
- 1983-06-16 DE DE8383105929T patent/DE3375340D1/de not_active Expired
- 1983-07-08 JP JP58123548A patent/JPS5996539A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5996539A (ja) | 1984-06-04 |
| DE3375340D1 (en) | 1988-02-18 |
| EP0109481A2 (en) | 1984-05-30 |
| EP0109481A3 (en) | 1986-03-19 |
| EP0109481B1 (en) | 1988-01-13 |
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