JPS6319308B2 - - Google Patents
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- JPS6319308B2 JPS6319308B2 JP57131834A JP13183482A JPS6319308B2 JP S6319308 B2 JPS6319308 B2 JP S6319308B2 JP 57131834 A JP57131834 A JP 57131834A JP 13183482 A JP13183482 A JP 13183482A JP S6319308 B2 JPS6319308 B2 JP S6319308B2
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 15
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000036571 hydration Effects 0.000 description 1
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
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- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
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- H—ELECTRICITY
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
利用産業分野
この発明は、軟質磁性材料、あるいは非磁性材
料からなる基板上に被着されたAl2O3、SiO2から
なる絶縁薄膜表面を、精密平面に加工した後、磁
性被膜を被着し、磁気特性を大きく向上させた薄
膜磁気ヘツド用基板の製造方法に関する。
料からなる基板上に被着されたAl2O3、SiO2から
なる絶縁薄膜表面を、精密平面に加工した後、磁
性被膜を被着し、磁気特性を大きく向上させた薄
膜磁気ヘツド用基板の製造方法に関する。
背景技術
今日、コンピユーター用を始め、オーデイオ
用、VTR用等の磁気ヘツドは、記録密度の高密
度化ならびに耐摩耗特性の改善が強く求められて
おり、このため、I.C.テクノロジーを用いて製造
する薄膜磁気ヘツドが最適と考えられている。
用、VTR用等の磁気ヘツドは、記録密度の高密
度化ならびに耐摩耗特性の改善が強く求められて
おり、このため、I.C.テクノロジーを用いて製造
する薄膜磁気ヘツドが最適と考えられている。
この薄膜磁気ヘツド基板材料として、Mn−Zn
フエライト、Ni−Znフエライト、センダスト等
の軟質磁性材料、あるいは、Al2O3−TiC系材料
などのAl2O3系セラミツク材料のような耐摩耗
性、精密加工性等にすぐれた非磁性材料が基板と
して用いられる。
フエライト、Ni−Znフエライト、センダスト等
の軟質磁性材料、あるいは、Al2O3−TiC系材料
などのAl2O3系セラミツク材料のような耐摩耗
性、精密加工性等にすぐれた非磁性材料が基板と
して用いられる。
この薄膜磁気ヘツド製造工程において、導電性
のある基板は、この基板の上に積層されるパーマ
ロイ、センダスト等の軟磁性材料、あるいはCu、
Al等のコンダクターとの電気的絶縁性を保障す
る上で、第１図に示す如く、まず、精密研摩され
た基板１表面の上に、非導電性で機械的強度と硬
度の高いAl2O3、SiO2等の絶縁薄膜２が構成され
る。さらに、この絶縁薄膜２の上に上記磁性被膜
３等が形成される。
のある基板は、この基板の上に積層されるパーマ
ロイ、センダスト等の軟磁性材料、あるいはCu、
Al等のコンダクターとの電気的絶縁性を保障す
る上で、第１図に示す如く、まず、精密研摩され
た基板１表面の上に、非導電性で機械的強度と硬
度の高いAl2O3、SiO2等の絶縁薄膜２が構成され
る。さらに、この絶縁薄膜２の上に上記磁性被膜
３等が形成される。
かかる絶縁膜の形成方法としては、真空蒸着
法、CVD法（Chemical Vapour Deposition）、
スパツタリング法等の薄膜形成技術が適用され
る。
法、CVD法（Chemical Vapour Deposition）、
スパツタリング法等の薄膜形成技術が適用され
る。
前記絶縁膜の膜厚は数μｍから50μｍ程度あ
り、この薄膜表面は前記基板の精密加工度及び薄
膜形成条件で膜面の表面粗度は粗くなる。この表
面粗度の粗い膜面に直接、数μｍの磁性膜を形成
すると高周波領域でバルク材（たとえばスパツタ
リング用ターゲツト）の磁気特性と比べ低下す
る。
り、この薄膜表面は前記基板の精密加工度及び薄
膜形成条件で膜面の表面粗度は粗くなる。この表
面粗度の粗い膜面に直接、数μｍの磁性膜を形成
すると高周波領域でバルク材（たとえばスパツタ
リング用ターゲツト）の磁気特性と比べ低下す
る。
また、従来は、絶縁膜の表面層をダイヤモンド
のパウダー等の機械研摩によつて、表面粗さの改
善が行なわれるが、その表面層には加工歪やスク
ラツチが残留し、被着磁性材料膜の磁気特性は充
分改善されない問題があつた。
のパウダー等の機械研摩によつて、表面粗さの改
善が行なわれるが、その表面層には加工歪やスク
ラツチが残留し、被着磁性材料膜の磁気特性は充
分改善されない問題があつた。
発明の目的
この発明は、上述の問題点を解決するもので、
基板上に被着されたAl2O3あるいはSiO2からなる
絶縁薄膜上に被着される磁性被膜の磁気特性を改
善向上させることを目的とし、磁気特性のすぐれ
た薄膜磁気ヘツド基板が得られる製造方法を目的
としている。
基板上に被着されたAl2O3あるいはSiO2からなる
絶縁薄膜上に被着される磁性被膜の磁気特性を改
善向上させることを目的とし、磁気特性のすぐれ
た薄膜磁気ヘツド基板が得られる製造方法を目的
としている。
発明の構成
この発明は、基板に被着した絶縁薄膜上にさら
に被着される磁性被膜の磁気特性を改善向上させ
ることを目的に、種々検討した結果、前記絶縁薄
膜の表面性状を特定表面粗度となし、加工歪を除
去した後、磁性被膜を被着することにより、磁性
被膜の磁気特性が大きく向上することを知見し、
完成したものである。
に被着される磁性被膜の磁気特性を改善向上させ
ることを目的に、種々検討した結果、前記絶縁薄
膜の表面性状を特定表面粗度となし、加工歪を除
去した後、磁性被膜を被着することにより、磁性
被膜の磁気特性が大きく向上することを知見し、
完成したものである。
この発明は、
軟質磁性材料、あるいは非磁性材料からなる基
板上に被着されたAl2O3あるいはSiO2からなる絶
縁薄膜表面を、 粒径0.1μｍ以下のMgO、SiO2、Al2O3の単独又
は混合微細粉末を純水中に0.5wt％〜20wt％懸濁
させた懸濁液中にて、 ポリツシヤーを用いて加圧回転させて研摩をし
た後、 前記絶縁薄膜上に磁性被膜を被着することを特
徴とする薄膜磁気ヘツド用基板の製造方法であ
る。
板上に被着されたAl2O3あるいはSiO2からなる絶
縁薄膜表面を、 粒径0.1μｍ以下のMgO、SiO2、Al2O3の単独又
は混合微細粉末を純水中に0.5wt％〜20wt％懸濁
させた懸濁液中にて、 ポリツシヤーを用いて加圧回転させて研摩をし
た後、 前記絶縁薄膜上に磁性被膜を被着することを特
徴とする薄膜磁気ヘツド用基板の製造方法であ
る。
この発明の製造方法を詳述すると、
Mn−Znフエライト、Ni−Znフエライト、セ
ンダスト等の軟質磁性材料、あるいは、Al2O3−
TiC系材料などのAl2O3系セラミツク材料などの
非磁性材料からなる基板上に、 Al2O3あるいはSiO2からなる絶縁薄膜を被着形
成し、 粒径0.1μｍ以下のMgO、SiO2、Al2O3の単独ま
たは混合微細粉末を純水中に所定割合で懸濁させ
た液を貯めた容器内に、 例えば、硬質クロス、Sn等からなる円盤型の
ポリツシヤーを回転可能に配設して、 前記のAl2O3あるいはSiO2からなる絶縁薄膜が
被着された基板を、この懸濁液中でポリツシヤー
表面に所定荷重で当接させ、両者を相対的に回転
させて研摩を行なつた後、 前記精密平面となつた絶縁薄膜上に、所要の磁
性被膜を被着する方法である。
ンダスト等の軟質磁性材料、あるいは、Al2O3−
TiC系材料などのAl2O3系セラミツク材料などの
非磁性材料からなる基板上に、 Al2O3あるいはSiO2からなる絶縁薄膜を被着形
成し、 粒径0.1μｍ以下のMgO、SiO2、Al2O3の単独ま
たは混合微細粉末を純水中に所定割合で懸濁させ
た液を貯めた容器内に、 例えば、硬質クロス、Sn等からなる円盤型の
ポリツシヤーを回転可能に配設して、 前記のAl2O3あるいはSiO2からなる絶縁薄膜が
被着された基板を、この懸濁液中でポリツシヤー
表面に所定荷重で当接させ、両者を相対的に回転
させて研摩を行なつた後、 前記精密平面となつた絶縁薄膜上に、所要の磁
性被膜を被着する方法である。
この発明において、ポリツシヤー材及び回転速
度、荷重圧力は、微細粉末の粒径や純水中の懸濁
量、被加工材等の条件により適宜選定すればよ
い。
度、荷重圧力は、微細粉末の粒径や純水中の懸濁
量、被加工材等の条件により適宜選定すればよ
い。
また、MgO、SiO2、Al2O3の単独又は混合微
細粉末の粒径を0.1μｍ以下としたのは、0.1μｍを
超えると表面層に加工歪が導入され、表面粗度も
劣下するためである。
細粉末の粒径を0.1μｍ以下としたのは、0.1μｍを
超えると表面層に加工歪が導入され、表面粗度も
劣下するためである。
また、純水中に懸濁させる微細粉末の量は、
0.5wt％未満では研摩効果が少く、20wt％を超え
ると、各微粉末による水和熱の発生、あるいはゲ
ル化し易く、かつ、粘性が大きくなり、研摩能率
が低下するため、0.5〜20wt％とした。さらに、
この懸濁液は研摩能率及び腐食性の点からアルカ
リ性領域で用いるのが望ましい。
0.5wt％未満では研摩効果が少く、20wt％を超え
ると、各微粉末による水和熱の発生、あるいはゲ
ル化し易く、かつ、粘性が大きくなり、研摩能率
が低下するため、0.5〜20wt％とした。さらに、
この懸濁液は研摩能率及び腐食性の点からアルカ
リ性領域で用いるのが望ましい。
実施例
次に、この発明を実施例に基づいて説明する。
第１図において基板１として、精密研摩された
50φ×4tmm寸法のAl2O3−TiC材を用いて、15μｍ
のAl2O3絶縁薄膜２を形成した。
50φ×4tmm寸法のAl2O3−TiC材を用いて、15μｍ
のAl2O3絶縁薄膜２を形成した。
この時の膜面粗度は、半径0.5μｍのスタイラス
で測定した場合、200Åであつた。
で測定した場合、200Åであつた。
この試料の研摩条件は、まず、粒径が約100Å
のMgO微粉末を純水中に5wt％となるように懸
濁させて研摩液とした。
のMgO微粉末を純水中に5wt％となるように懸
濁させて研摩液とした。
ポリツシヤーには硬質クロスを使用し、0.5
Kg／cm2の荷重、40rpmの回転数で、前記研摩液中
でポリツシユした。
Kg／cm2の荷重、40rpmの回転数で、前記研摩液中
でポリツシユした。
その結果、表面粗さが20Å以下で極めて良好な
精密平面が得られ、加工能率も良好であつた。
精密平面が得られ、加工能率も良好であつた。
本発明例 Ａ
同時に、この試料にダイヤモンド研摩を施し、
研摩条件として、粒径2μｍのダイヤモンド粉末
を使用し、ポリツシヤーとしてSn盤を使用して、
ラツプ仕上した結果、表面粗さは200Åであつた。
研摩条件として、粒径2μｍのダイヤモンド粉末
を使用し、ポリツシヤーとしてSn盤を使用して、
ラツプ仕上した結果、表面粗さは200Åであつた。
比較例 Ｂ
本発明例Ａ、比較例Ｂ、それに研摩を施さない
試料（比較例Ｃ）の３種を準備し、各絶縁薄膜上
に2.4μｍ膜厚のパーマロイからなる磁性被膜３を
形成した。
試料（比較例Ｃ）の３種を準備し、各絶縁薄膜上
に2.4μｍ膜厚のパーマロイからなる磁性被膜３を
形成した。
前記の各種磁性被膜３における、周波数と透磁
率相対値の関係についての試験結果を第２図に示
す。
率相対値の関係についての試験結果を第２図に示
す。
第２図から明らかなように、この発明方法によ
り得られた薄膜磁気ヘツド用基板は、薄膜ヘツド
の実用域である高周波領域（5MHz）で、比較例
Ｂの機械研摩した試料や比較例Ｃの研摩のない試
料に比べ、特性が２倍近く向上することが分つ
た。
り得られた薄膜磁気ヘツド用基板は、薄膜ヘツド
の実用域である高周波領域（5MHz）で、比較例
Ｂの機械研摩した試料や比較例Ｃの研摩のない試
料に比べ、特性が２倍近く向上することが分つ
た。
発明の効果
実施例から明らかなように、この発明の製造方
法によつて、絶縁薄膜表面は20Å以下の精密平面
に研摩され、その上に被着される磁性被膜の磁気
特性が、従来の機械研摩による基板のものに比べ
て、大きく向上する効果が得られる。
法によつて、絶縁薄膜表面は20Å以下の精密平面
に研摩され、その上に被着される磁性被膜の磁気
特性が、従来の機械研摩による基板のものに比べ
て、大きく向上する効果が得られる。
第１図は、基板に薄膜を形成する工程を示す説
明図、第２図は本発明、比較例における被着膜に
ついての周波数と透磁率相対値との関係を示すグ
ラフである。 図中、１……基板、２……絶縁薄膜、３……磁
性被膜。
明図、第２図は本発明、比較例における被着膜に
ついての周波数と透磁率相対値との関係を示すグ
ラフである。 図中、１……基板、２……絶縁薄膜、３……磁
性被膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 軟質磁性材料、あるいは非磁性材料からなる
基板上に被着されたAl2O3またはSiO2からなる絶
縁薄膜表面を、 粒径0.1μｍ以下のMgO、SiO2、Al2O3の単独又
は混合微細粉末を純水中に0.5wt％〜20wt％懸濁
させた懸濁液中にて、 ポリツシヤーを用いて加圧回転させて研摩を施
した後、 前記絶縁薄膜上に磁性被膜を被着することを特
徴とする薄膜磁気ヘツド用基板の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57131834A JPS5924958A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法 |
| US06/471,491 US4608293A (en) | 1982-07-27 | 1983-03-02 | Composite substrate for a thin-film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57131834A JPS5924958A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2681283A Division JPS5921008A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 複合基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5924958A JPS5924958A (ja) | 1984-02-08 |
| JPS6319308B2 true JPS6319308B2 (ja) | 1988-04-22 |
Family
ID=15067184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57131834A Granted JPS5924958A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4608293A (ja) |
| JP (1) | JPS5924958A (ja) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59185015A (ja) * | 1983-04-04 | 1984-10-20 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツドおよびその製造方法 |
| JPS61126606A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-14 | Alps Electric Co Ltd | 垂直磁気記録用磁気ヘツド |
| JPS61159701A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-19 | 株式会社東芝 | サ−マルヘツドおよびその製造方法 |
| DE3546325C2 (de) * | 1985-01-17 | 1994-06-01 | Hitachi Metals Ltd | Magnetisches Aufzeichnungsmedium |
| US4698251A (en) * | 1985-01-22 | 1987-10-06 | Victor Company Of Japan, Limited | Magnetic recording medium and method of producing the same |
| JPS61172754A (ja) * | 1985-01-26 | 1986-08-04 | Kyocera Corp | サ−マルヘツド |
| DE3685230D1 (de) * | 1985-02-15 | 1992-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetkopf. |
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