JPS6288137A - 磁気ディスク用基板の製造方法 - Google Patents

磁気ディスク用基板の製造方法

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JPS6288137A
JPS6288137A JP60229150A JP22915085A JPS6288137A JP S6288137 A JPS6288137 A JP S6288137A JP 60229150 A JP60229150 A JP 60229150A JP 22915085 A JP22915085 A JP 22915085A JP S6288137 A JPS6288137 A JP S6288137A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 利用産業分野 この発明は、セラミックス材料からなる磁気ディスク用
基板の製造方法に係り、表面が無孔・無歪表面ガラス層
からなり、すぐれた表面粗度を有する磁気ディスク用基
板の製造方法に関する。
背景技術 一般に、磁気ディスク用基板としては、次のような特性
が要求される。
（１）０．３μｍ以下の低い磁気ヘッド浮上高さに伴な
い磁気ヘッドの安定な浮上と記録特性の安定性を得るた
め、研摩後の基板表面粗度がすぐれていること、 （２）基板表面に形成される磁性薄膜の欠陥の要因とな
る突起や礼状のへこみがないこと、 （３）Ｖ！械加工、研摩あるいは使用時の高速・回転に
十分耐える機械的強度を有すること、 （４）耐食性、耐候性、及び耐熱性にすぐれること。
従来、磁気ディスク用基板には、アルミニウム合金が使
用されているが、アルミニウム合金基板では、材料の結
晶異方性、材料欠陥及び（第１１中に存在する非金属介
在物等のため、＃ｊ！！械加工や研摩加工にａ３いて、
即金、属介在物が基板表面に突起として残存したり、あ
るいは脱落して凹みを生じ、十分研摩を施しても精々　
２００八程度の表面粗度しか得られず、突起や凹み、う
ねりのある表面状態では、高密度磁気記録用磁気ディス
ク用基板材としては十分でない。
すなわち、磁気ディスク基板表面の加工の良否が、その
まま、磁気ディスクのランアウト、加速度成分、媒体の
信号エラー等に影響するのである。
ところで、アルミニウム合金の基板の場合、金屈材斜の
ため、ビッカース硬度も１００に９倫理度（セラミック
の場合６Ｃ）Ｏｋ、４２以上）でめり、曲げ強度も１０
００にツ４（セラミックの場合４０００ｋＣＪ４以上）
であって、高密度磁気記録となるに従って、スクラッチ
、疵、平坦度、うねりなどの形状精度も厳しくなるため
、加工は一層困難となっている。
また、アルミニウム合金基板の場合、砥粒加工の際に、
砥粒が表面凹みに埋め込まれやすく、欠陥となり、ざら
に、表面の耐食性、耐候性を高めて汚染を防ぐ上で、旋
削工程、ポリッシング工程。
保管の際、清浄度、防錆、汚れ等には十分な配慮が必要
となる。
アルミニウム合金基板の改善のため、その表面に高硬度
の膜を形成する方法が提案されており、例えば、アルミ
ニウム合金柾板表面にアルマイト層を形成して硬度を増
加させ、研摩加工性を向上させる方法が取られるが、ア
ルマイト形成中にアルミニウム合金中の微量不純物（Ｆ
ｅ、　ｔ’Ｉｎ、　ＳＬ）が金属間化合物として析出す
るため、アルマイト処理後、上記化合物部分が凹みの発
生要因となっている。
また、アルミニウム合金母材の高純度化を計ることは、
製造工程上至難に近く、ざらに、耐食性。
清浄度の面でも取り扱いが問題となる。
また、アルミニウム合金表面へのスパッタリングやメッ
キによって薄膜磁性媒体を形成する場合、該合金と磁性
膜との化学反応や拡散の問題を生じ、更に、磁性膜被着
時の熱処理により、基板の変形と共に基板回転時の面振
れ、加速度か増加する問題がある。
一方、アルミニウム合金基板上に、５ｊ０２゜／Ｖ２Ｏ
３等の酸化物をスパッタリングによって形成する方法も
提案されているが、該合金基板とスパッタ形成後の被膜
との密ｎ力が弱いという欠点がめった。
今日、アルミナ系セラミック材料が、アルミニウム合金
梢料に比べて、耐熱性、耐摩耗性、耐候性、絶縁性、及
び機械的強度のすぐれているため、各種分野の広範囲な
用途に利用されているが、磁気ディスク用基板としては
、基板表面に薄膜磁性媒体を形成する必要並びに、媒体
の薄膜化、高密度化に伴ない、アルミナ系セラミック塁
板表面の無孔化・無歪化を計ることが切望されている。
一般に、セラミック基板の製造方法として、単結晶法、
金型成形、ラバープレス、ドクターブレード法等により
成形後に焼結する方法、ざらに高密度化のため、ホラ１
〜プレス法、熱間静水圧プレス法がλ口られているが、
前者の単結晶化法では製造コストが高い上に、大口径基
板のシｌ造か困デ（［で必り、また、後者のホットプレ
スや熱間静水圧プレスにより高密度化された基板てあっ
て心、　５だ以下の微細孔が基仮に存在するため、磁気
ディスク用基板に要することは、表面微細欠陥によるド
ロップアウトの発生、ヘッドクラッシコ等の信頼性を損
う等の問題があった。
また、一般に、磁気ディスク基板等に適用しｊ７る表面
研摩法として、メカノケミカルｒｉＪｌｆ法は、シリコ
ン基板、ＧＧＧ結品、フェライト等の表面物性を劣化さ
せることなく精密表面に仕上げる方法として公知でおる
が、微細孔の存在するセラミックス材料にこのメカノケ
ミカル研摩法を適用する場合は、微細孔がセラミックス
表面に露出した状態となり、薄膜媒体を被着する該基板
材としては不十分であり、また、アルミナ系セラミック
材にメカノケミカル研摩法を適用すると、各材質あるい
は結品面での化学浸蝕速度が異なるため、微細孔の露出
と同時に精品段差を生ずる問題があった。
そこで、セラミックス材オテ！（からなるμを気ディス
ク用基板の欠点を解決し、すぐれＩＣ表面′Ａ１１度を
有し、かつ無孔で無歪みの表面を有するセラミックス系
磁気ディスク用基板を目的として検討した結果、アルミ
ナ系セラミック材料表面に、ガラスコーティングし、被
善後に特定の条件のメカノケミカル研摩を施し、すぐれ
た表面粗度でかつ無孔・無歪のガラスコーティング膜を
設けた磁気ディスク用基板を開発した。
しかし、セラミックス材料基板表面に種々の製法で被着
したガラスコーティング膜中、例えば、外径１３０ｍｍ
φＸ内径４０ｍｍφのディスク板のガラスコーティング
膜中には、０．５１Ｊｍ〜５ｐｍの径の気泡が約１００
個程度表面に露出するため、磁気記録媒体を被覆して磁
気ディスクとなした際に、記録信号が前記気泡部にてエ
ラーあるいはノイズの発生原因となり、磁気ディスク使
用時の信頼性の低下を招来し、これを解決するには前記
気泡の露出を１０個以下にする必要があった。
発明の目的 この発明は、上述の問題点に鑑み、セラミックス材料か
らなる磁気ディスク用基板の欠点を解決し、すぐれた表
面粗度を有し、かつ無孔で無歪みの表面を有するカラス
コーティング膜を有するセラミックス系磁気ディスク用
基板において、ガラスコーティング膜の気泡をｆＩ！減
させて、磁気ディスク使用時の信頼性を向上させた磁気
ディスク用基板の製造方法を目的としている。
発明の構成 この発明は、磁気ディスク用基板として、要求される無
孔・無歪ですぐれた表面粗度を有するセラミックス系該
基板を目的に種々検討した結果、アルミナ系セラミック
材料表面に、ガラスコーティングし、ついで該材料を熱
間静水圧プレス処理し、ざらに特定の条件のメカノケミ
カル研摩を施し、すぐれた表面粗度でかつ無孔・無歪・
無気泡のガラスコーティング膜を設けることによって、
前述した磁気ディスク用基板として要求される条件を満
足した磁気ディスク用アルミナ系セラミック基板が得ら
れることを知見したものである。
すなわら、この発明は、 ５Ａｍ以下のｍ細孔を有し、相対理論密度が９０％以上
のアルミナ系セラミック材料からなる基板表面に、該基
板との熱膨張係数差が２ｘｌＯ−６、／ｄｅｇ以下、以
下熱軟化点０　’Ｃ以上のガラスコーティング膜を形成
し、熱間静水圧プレス処理した後、該コーティング膜を
、粒径１．０〃ｍ以下のＦｅｚＯ３，５ＬＯ２゜ＭｏＯ
、Ｃａ０ｅまたはＡρ２０３微粉のうち少なくとも１種
を、０．１ｗｔ％〜５０ｗｔ％純水中に懸濁した懸濁液
で、０．０５ｋｇ４〜２に９４の相対的ラップ荷重で研
摩加工し、表面粗度（Ｒｚ）が１８０Ａ以下でかつ無孔
無歪表面を有する０、３．ｕｎ〜２００Ａｔｍ膜厚みの
カラスコーティング膜を設けることを特徴とする磁気デ
ィスク用基板の製造方法である。
この発明による磁気ディスク用基板は、研摩後の基板表
面粗度がすぐれているため、０．３．ａｍ以下の浮上高
さにおける磁気ヘッドの安定な浮上と記録特性の安定性
が得られ、また、ガラスコーティング膜に気泡がなく、
基板表面に形成される磁性薄膜の欠陥の要因となる突起
や礼状の凹みがなく、磁性薄膜の密着性、特性、信頼性
が向上し、さらに・機械加工、研摩あるいは使用時の高
速・回転に十分耐える機械的強度を有し、耐食性、耐候
性。
及び耐熱性にすぐれており、該基板に要求される条件を
すべて満足する。
発明の限定条件 この発明において、アルミナ系セラミック材は、／Ｖ２
Ｏ３を主成分とし、その仙に金属酸化物を含イ１するも
ので１、金型成形、押出成形、射出成形、シート成形等
により成型され、焼成９！Ｕ理されて得られるものであ
る。また、アルミナ系セラミック材Ｈの微細孔大きざが
５μｍを越えると、材料表面にガラスコーティングした
際に、微細孔部に気泡が発生して膜精度が劣化するため
、微細孔は５．！７ｍ以下が望ましく、好ましくは３μ
ｍ以下にする必要がある。
ざらに、アルミナ系セラミック材料の相対理論密度を９
０％以上としたのは、上記した微細孔の大きざが５μｍ
以上となりやすいためである。
ガラスコーティング膜に用いるカラスには、基板との熱
膨張係数差が２Ｘ１０−６　／ｄｅｇ以下、以下熱軟化
点０’Ｃ以上を満足する、 ソーダ石灰刀ラス（Ｎａ２０−ＣａＯ−５；、ｏ、２系
）、鉛カラス（ＰｂＯ−３Ｌｎ、、系）、 ハリｆクムガラス（ＢａＯＡ１２０３ＳｉＯ２系）、ホ
ウケイ酸ガラス（Ｎａ２０−９２０３−８Ｌ０２系）、
アルミナケイ酸ガラス（Ａｌ２Ｏ７５ｉ０２系）、１ノ
チヤアルミナケイ酸ガラス（Ｌｉ２０　　／Ｖ２Ｏ３−
５Ｌ○、系）等のケイ酸塩ガラス、 鉛ホウ酸カラス（ＰｂＯＢ　２０：？　　５ｉＯ２）、
アルミナホウ酸カラス（＃２０ａ−Ｂ２０３）等のホウ
酸塩ガラス、 アルミナリン酸ガラス（４１２０ｇ　　Ｐ２Ｏ：ｉ）、
などを用いることができる。
この発明にお（、プるカラスの軟化点を４００　°Ｃ以
上としたの１，１．４００’Ｃ未満では熱膨張係数が大
きくなりすぎて、基板のそれに合致せず、化学的に安定
性を欠き好ましくないためである。
このガラスコーティング膜と前記基板との熱膨張係数（
２０°Ｃ〜歪点（ガラスの粘度的１０１４・５ボイズに
相当する温度））の差は、差が大きくなると相互応力か
増し、そりや破壊等の問題が生じるため、両省の熱膨張
係数の相対差が ２Ｘ１０−６　、／’ｄｅり以下て必ることか必要であ
り、また、カラスコーティング膜表面に圧縮応力が掛る
方が好ましいため、コーティング膜材料の熱膨張係数が
、該基板材料の熱膨張係数にり小さいは・うか望ましい
。また、ツノラス」−ディング膜と前記基板との熱膨張
係数（２０℃〜歪点）は、同一傾向を有するものか最も
好ましい。
基板表面にガラスコーティング膜を設けたのら、熱間静
水圧プレス処理を施し、さら１こガラスコーティング膜
のｌｉＩ’Ｆ摩加工方法を行うが、その条件１は、粒径
１．Ｏｎ＋ｎＬＸｌ”Ｕ）Ｆｅ２０３　、５Ｌ０２．　
ＭｇＯ、Ｃｅ０２ｉたｔ、１Ｍ２ｃｈ　Ｒ扮Ｕ’）うら
少なくとも１種を、０．　Ｉｗｔ％〜５０ｗｔ％純水中
に懸濁した懸濁液で、０．０５に、讐〜２に９４の相対
的ラップｖｊ重で研摩加工し、粒径がｉ、ｏ、、ｍを越
えるとコーティング膜表面に疵が発生し、表面粗度か劣
化するため好ましくすく、また、懸濁液の該微粉末含ｔ
−７ｍがＯ，１ｗｔ％未満であると研摩効果が少なく、
５０ｗｔ％を越えるど微粉末による粘性の増加にともな
い、研摩抵抗が増加するため、０，１〜ｙｔ％〜５０ｗ
ｔ％とする。
また、純水には、有機汚濁物や浮遊物を含まない水で、
イオン交換水ヤ蒸溜水がよく、ラップ詔には、Ｓｎ　、
はんだ合金、Ｐｂ等の軟質金属あるいは硬質クロス等が
適しており、ラップ荷重は、０．０５につ着未満では所
要の表面粗度が得られず、かつ加工能率が悪く、また、
２ｋＣＪ４を越えると、加工能率の点では望ましいが、
研摩粘度が劣化するため、０．０５　ｋｇ４〜２’ｑ４
の相対的ラップ荷重とする。
メカノケミカル４Ｊｔ摩ｊ稔のガラスコーティングｌｉ
の厚みは、アルミ犬塁仮が表面に露出せず、均一にコー
ティングされていることか必要でかつ研摩精度を考慮づ
ると０．３μ（１１以上の膜厚みが必要であるが、２０
０．ａｍを越えると、基板との熱膨張係数の差にＪ−っ
て生じる応力が、塁坂内に大きな歪みをもたらす恐れが
おるため、０．３如〜２００郁とする。
また、カラスコーティング膜表面粗度（Ｒｚ）を１８０
Å以下と（ッたの（ま、１８０人を越えるとディスクの
特性を劣化させるためて必る。
りｆましい実ｔＭ態様 この発明にあけるアルミナ系セラミック基利の組成は、
スパッター法によりガラスコーティング膜を形成する場
合には、Ａｌ２Ｏ３、Ｍ２Ｏ３−ＴｉＣ系、ＡｈＯ：＋
　　’ｒ＝ｏ、、系、ＡｈＯ３Ｆｅ２Ｏ３−Ｔ、Ｃ系等
、Ａｌ２Ｏ３を主成分とし、そのほかに金、巳酸化物を
含有するアルミナ系セラミック基月が好ましく、また、
グレージング法によりガラスコーティング膜を形成する
場合１こは、／Ｖ２Ｏ３、Ｍ２Ｏ５−Ｔｉｏ２系等、Ａ
ｌ２Ｏ３を主成分とし、その１ユかに金、司酸化物を含
了了するアルミナ系セラミックス十才が好ましく、金型
成形、ラハーブ１ノス、ドクターブレード法等により成
形され、さらに熱間成形法（ＨＰ法）、熱間静水圧プレ
ス法（＋−ＩＩＰ＞にて加圧焼結処理して得られるしの
か好ましい。また、該組成にＭｇＯ。
ＮｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３等の公知の粒成長抑制剤やその他の
焼結助剤を含有ざぜることができろ。
また、アルミノ−系セラミック基板Ｈの平均精品粒径は
、５．ａｍｉｍミス好ましく、理論密度９０％Ｊズ十の
一般市販）ｆＡ格品を用いることができる３゜この発明
において、アルミナ系セラミック基板へのガラスコーテ
ィング膜は、グレージング法。
スパッタ法、蒸着法、イオンブレーティング法等の被着
方法で、均一な膜厚みを得て表面の研摩加工を可能なら
しめるが、コーティング膜の形成に際し、５ｉ０２膜を
先に形成したのち、所要のガラスコーティングを行なう
と、基板とコーティングガラスとの接着密度及び濡れ性
を改善することができる。
また、スパッタ用ガラスとしては、前述した種々のガラ
スのうち軟化点が５００°Ｃ以上の高融点ガラスが、タ
ーゲット強度が高くなり、ターゲットへの負荷電圧を高
くできるため好ましく、グレージング用ガラスとしては
、軟化点が４００’Ｃ〜７５０°Ｃのガラスが好ましく
、４００’Ｃ未満では熱膨服係数が大きくなりすぎて、
基板のそに合致せず、化学的に安定性を欠き好ましくな
く、また、７５０’Ｃを越えると、熱処理温度が高くな
りすぎるため好ましくない。
また、ガラスコーティング膜の研摩加工前の被看膜Ｊ７
みは、０．５．ａｍ〜２２０麺が望ましく、均一な膜厚
みを得て表面の研摩加工を可能ならしめるのに必要な膜
厚みであり、さらに熱膨張１系数差に起因して基板内に
歪が発生するのを防止するためでおる。
この発明によるカラスコーティング膜の厚みは、用途や
使用する材質等に応じて種々選定されるが、基板への被
着方法としてグレージング法を用いた場合は、膜厚みが
１０１１ｍ未渦では１均一なコーティング膜とすること
が困難であり、前述した条件のメカノケミカル研摩によ
って所要の表面粗度及び無孔化無歪化が得られず、また
、２２０Ｉｉｍを越えると、基板との熱膨張係数差によ
り生じる応力によって基板内に大きな歪を発生させる恐
れがおるため、膜厚みは１０項〜２２０Ｊ、ｔＩＴ＋と
する必要がおる。
スパッタ法の場合は、膜厚みが５４ｍ未満では、均一な
コーティング膜とすることが困難であり、前述した条件
のメカノケミカル研摩によって所要の表面粗度及び無孔
化無歪化が得られず、また、２２０１１ｍを越えると、
基板との熱膨張係数差により生じる応力によって基板内
に大きな歪を発生させる恐れがあるため、膜厚みは５Ｂ
ｒｎ〜２２０．ａｍとする必要があり、さらに、膜形成
速度の点から、好ましくは１５双ｍ〜２５１１ｍ厚みで
ある。
また、コーティング膜のメカノケミカル研摩１変の厚み
は、研摩精度を考慮して、被着方法がグレージング法の
場合は、３μｍ〜２００μｍでおり、スパッタ法の場合
は、０．３１１ｍ〜２００．ｚｍであり、ざらに好まし
くは１０Ａｒｒ１〜２ｏ、ｎである。
カラスコーティング膜を設けた後の基板に、熱間静水圧
プレス処理を施すが、望ましくは、酸素含有量が１０％
以下のＡｒ、　　Ｎ２ガス等の不活性雰囲気中で、ガラ
スの粘性が１０６ボイズ〜１０８ポイズに相当する温度
で、１０に９着〜２０００ｋｇ、Ｊの条件で処理する必
要がある。
ガラスの粘性が１０６ボイス未満の温度ではガラスの流
動が少なく、気泡減少効果が少ない。また、１０８ポイ
ズを越える温度では、粘性が増大しすぎて、コーティン
グ被膜の形状を損う恐れがあり好ましくない。また、圧
力が１０ｋｉＪ未満では、気泡減少の効果が少なく、２
０００に’ｊＪを越えると、設備コストの増大を招来し
好ましくない。
発明の効果 この発明による磁気ディスク用基板は、研摩後の基板表
面粗度がすぐれているため、０．３ｐｍ以下の浮上高さ
における磁気ヘッドの安定な浮上と記録特性の安定性が
得られ、また、基板表面に形成される磁性薄膜の欠陥の
要因となる突起や礼状の凹み及びガラスコーティング膜
の気泡がなく、磁性薄膜の密着性、特性、信頼性の向上
が１ｑられ、ざらに、機械加工、研摩あるいは使用時の
高速・回転に十分耐える機械的強度を有し、耐食性、耐
候性、及び耐熱性にすぐれており、該基板に要求される
条件のすべてを満足する。
また、この発明によるアルミナ系セラミック基板を、両
面記録用磁気ディスクに用いる場合は、該基板両面にガ
ラスコーティング膜を形成し、両面を同時にメカノケミ
カル研摩加工することにより、両面の薄膜中の内部応力
は相殺され、平坦度がすぐれ、かつ表面粗度並びに無孔
化無歪化のすぐれた基（反か）Ｊられる。
所定のガラスコーティング膜を被着し、熱間静水圧プレ
ス処理したアルミナ系セラミックからなるこの発明によ
る磁気ディスク用基板は、ｊＪｔ　Ｉ加工での形状精度
の管理か従来と比較して容易であり、さらに、基板自体
の耐食性、耐候性に特別配慮する必要かなく、表面の汚
染も、ガラスコーティングをスパッタで行なう際に、ス
パッタクリーニングによって清浄化することができる利
点がある。
また、従来のアルミニウム合金のものは、合金の旋削加
工した際に、表面に加工変質層が残存するのに対して、
この発明によるアルミナ系セラミック基板は、メカノケ
ミカル研摩仕上げによって、表面にはバルクでの応力歪
が生じることがなく、基板に被着される磁性′ａ膜への
歪みの転写が生じない利点かある。
ずなわら、基板表面にガラスコーティング膜を設けるた
め、ガラス膜結晶かアモルファスの均一構造となってお
り、かつ熱間静水圧プレス処理により気泡もなく、この
光１１ｆ月ＪＪｚるメカノケミカル研摩によって加工歪
ｔ）発生さｔ！ないことが可能となった。
上述したように、この発明の磁気ディスク用基板を用い
ることにより、信頼性が箸しく向上した高密度磁気ディ
スク記録媒体を製作することができ、また、出発シリカ
・アルミナ系セラミック基別に理論密度９０％以上の規
格品が使用でき、量産性にすぐれている。
実施例 実、咀例１ 阜仮には、組成かＡｌ２Ｏ，９９，７％で、圧縮成形後
、１−Ｉ　Ｉ　Ｐ’［Ｉ１１！（ａ−施し、５．４ｍ以
下の微ｔＵｊ孔をイ１し、平均結晶粒径が４４０−有し
、相対理論密度か９７％で、熱膨張係数が７７ｘｌＯ−
７／ｄｃｇ　、寸法１３０柵φＸ２冊厚みのアルミナ系
セラミック基板を用いた。
つぎに、上記のアルミナ系セラミック基板の表面を精密
ラップ法により表面粗度０．２．ｍ以下に精密研摩した
。
熱膨張係１（２０’Ｃ〜歪点）が６５ｘｌＯ−７／ｄｅ
ｇ、軟化点５６５°Ｃ１平均扮末拉径が３００メツシユ
スルーのＰｂＯ２５ｉ０２　　Ｂ　２０３系カラスをペ
ース１〜状にし、これを上記基板の研摩表面に、１００
．ａｍ厚みで、回転数８０Ｏｒｐｍのスピンコーティン
グし、空気中。
１０５０’Ｃ，４時間保持する条件でガラスコーティン
グした。
コーティング時の昇温速度は、５０Ｑ’Ｃ／　ｈｒ、冷
１０速度は歪点までは５００°Ｃ／ｈｒであり、歪点に
て１時間保持し歪取りを行なってから徐冷した。ガラス
コーティング膜の膜厚みは６０ＡＬＩｎであった。
カラスコーティング膜を設けたアルミナセラミックス材
を、１％０７分圧のＡＴ雰囲気中で、６００°Ｃ（カラ
スの粘性１０７ポイズに相当する温度）、５００に９４
の条件で、熱間静水圧プレス処理した。
次に、該コーティング膜を、粒径０．１．ｑｔｎ（７）
ＣｅＯ２微粉末を、純水中に１０ｗｔ％懸濁した懸濁液
で、ラップ盤にクロス盤を用い、０．５ｋｑ４の相対的
ラップ荷重で研摩加工し、表面粗度（Ｒｚ）を４０人に
仕上げた。この際の研摩代は２０加で平坦度はｍｍでお
った。また、カラスコーティング膜には気泡が全く見ら
れイ＾かった。
接触針ｔ’ｌ−０，１ｕｍＲＯ）薄膜段差測定型（丁ａ
＋ｙｓｔｅｐ）により、上記の研摩１変のコーティング
、膜の表面状況を測定し、その結果を第１図Ａに示ず１
、また、同様に、コーティング前の基板の表面状況を測
定し、その結果を第１図Ｂに示す。
第」図より、アルミナ系セラミック基板表面の微細孔は
、熱間静水圧プレス処理したコーティング膜の研摩によ
り表面の無孔化が１７られて、１１′３つ、表面粗度（
Ｒｚ）４０八に仕上げられたことか明らかである。
まｔこ、このａノ（摩仕上げしたＶ面の欠陥をカランＩ
−すると、熱間静水圧プレス処理前のものについては、
５０〜１５０個／枚でおるのに対し、熱間静水圧プレス
処理後のものについては、５〜１０個／′枚であった。
実施例２ 塁仮には、組成がＡｂ○３９９．５ｗｔ％からなり、成
形後、熱間静水圧プレス処理を施し、（〕郁以下の微細
孔をイ１し、８１′７均結晶粒径４如、相月理論密度が
９７％で、熱膨張係数（２０℃〜５１０’Ｃ）が７７Ｘ
１０−７　／ｄｅｇ、寸法９０ｍｍφＸ　１．５ｍｍ厚
みのＡｌ２Ｏ３セラミック基板を用いた。
つぎに、上記の基板表面を精密ラップ法により表面粗度
２００Ａ以下に精密研摩した。
熱膨張係数（２０℃〜５１０℃）が ７４ｘｌＯ−’　／ｄｅｇ　、軟化点８５０℃、歪点６
１０℃のＢａＯ５ｉｄｅ系ガラスからなる寸法直径３５
０＋ｎｍＸ厚み６ｍｍのターゲツト板を用い、高周波ス
パッタ装置により、スパッタアルゴン圧１ｘｉｏ　−ｓ
　　ｍｂａｒに到達排気後に、基板表面の洗浄のため、
スパッタクリーニングより、表面層を５００Ａ程度除去
し、スパッタリングした。
正スパッタの投入パワーは５　ｋＷであり、基板側に負
のバイアス（−１００Ｖ）を印加した。バイアス効果に
より、セラミックボア部のステップカバレージが図られ
、ボア部にもアルミナが付着した。また、スパッタ膜面
の表面粗度は５００Ａであった。
なお、従来の酸化物のスパッタ法では、スパッタ速度が
遅く、被着に時間を要したが、電極間距離を４０ｍｍと
して投入パワーを大ぎくしたことにより、スパッタレー
トは５００Ａ／ｍｉｎで、２０Ｊ厚み形成するのに４０
０分を要した。
ガラスコーティング膜を設けたアルミナセラミックス材
を、１％０２分圧のＡｒ雰囲気中で、８００’Ｃ（ガラ
スの粘性１０８ポイズに相当する温度）、５００均、ａ
の条件で、熱間静水圧プレス処理した。
次に、該コーティング膜を、粒径０．０１ａ；ｎの５Ｌ
Ｏ＝微粉末を、純水中に５ｗｔ％懸濁した懸？ｊｉ液で
、ラップ盤にＳｎを用い、ｏ、５ｓ４の相対的ラップ荷
重で研摩加工し、表面粗度（Ｒｚ）を４０Ａに仕上げた
。
この際の研摩代は５Ｉで平坦度は１１であった。
また、ガラスコーティング膜には気泡が全く見られなか
った。このときの表面欠陥をカウントすると、熱間静水
圧プレス処理前のものについては、３０〜８０個／枚で
あるのに対し、熱間静水圧プレス処理後のものについて
は、約５個／枚　程度であった。
接触針径０．１．ｉ７ｍＲの薄膜段差測定器（Ｔａｌｙ
ｓｔｅｐ）により、上記の研摩後のコーティング膜の表
面状況及びコーティング前の基板の表面状況を測定した
ところ、第１図と同様の結果を得た。
実施例から明らかなように、基板表面に形成される磁性
薄膜の欠陥の要因となるセラミックス基板の微細孔、突
起や礼状の凹み及び基板表面に被着したガラスコーティ
ング膜の気泡がなく、磁性薄膜の密着性、特性、信頼性
の向上が得られることが分る。
【図面の簡単な説明】
第１図Ａ図とＢ図は、実施例において、薄膜段差測定器
（丁ａｌｙｓｔｅｐ　＞により、基板表面に被着して研
摩後のコーティング膜の表面状況と、コーティング前の
基板の表面状況を示すグラフである。 出願人　　住友特殊金屈株式会社 第１図 （Ａ） （Ｂ）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ５μｍ以下の微細孔を有し、相対理論密度が９０％以上
    のアルミナ系セラミック材料からなる基板表面に、該基
    板との熱膨張係数差が２×１０＾−＾６／ｄｅｇ以下、
    軟化点が４００℃以上のガラスコーティング膜を形成し
    、熱間静水圧プレス処理した後、該コーティング膜を、
    粒径１．０μｍ以下のＦｅ＿２Ｏ＿３、ＳｉＯ＿２、Ｍ
    ｇＯ、ＣｅＯ＿２またはＡｌ＿２Ｏ＿３微粉のうち少な
    くとも１種を、０．１ｗｔ％〜５０ｗｔ％純水中に懸濁
    した懸濁液で、０．０５ｋｇ／ｃｍ＾２〜２ｋｇ／ｃｍ
    ＾２の相対的ラップ荷重で研摩加工し、表面粗度（Ｒｚ
    ）が１８０Å以下でかつ無孔無歪表面を有する０．３μ
    ｍ〜２００μｍ膜厚みのガラスコーティング膜を設ける
    ことを特徴とする磁気ディスク用基板の製造方法。
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