JPH01273216A - 磁気記憶体及びその製造方法及び磁気記憶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気記・障装置（磁気ディスク装置、磁気ドラ
ム装置及び磁気テープ装置）及び、該磁気記憶装置に用
いられる磁気記憶体（以下、記憶体と呼ぶ）及びその製
造方法に関する。

〔従来の技術〕

金属磁性媒体（以下、金属媒体と呼ぶ）を有する記憶体
に於いては、記憶再生ヘッド（以下、ヘッドと呼ぶ）と
の接触に耐えるだけの充分な機械的信頼性と水分、塩素
等の方食環境に充分耐える耐食性が要求される。

従来より基板はアルマイト処理やＮ１−Ｐメツキ等の非
磁性メツキ処理後、鏡面化やすし目付けのための研磨が
施こされたＡ１合金基板等が用いられ、次にＮ１−Ｐ、
Ｎ１−Ｃｕ−Ｐ等の非磁性メツキやＣｒ、Ｂｉ等の被覆
の有無の後、強磁性金属媒体を被覆し、更に３ｉ０２　
（ポリケイ酸を、倉む）　、Ａ、ｉｌＮ、Ｃ，Ｓｉ３Ｎ
４とＡ　Ｊ　２０３の固溶体等の保護膜が被覆され、更
にパーフロロポリエーテルに代表される液体潤滑剤や高
級アルコールや脂肪酸に代表される固体潤滑剤の薄層が
被覆される。

上記記憶体は一応の耐久生能を有し、既に市場に出回り
始めているものの大きな欠点を有している。

上記記憶体を搭載した磁気記憶装置を４０°Ｃ８０％Ｒ
，Ｈ，の環境下に放置すると記憶体１枚の１〜２ケ所に
方食点が発生し、ディフェクトエラーに至る。又記憶体
とヘッドとの接触を繰り返すことにより、両者間の摩擦
係数が増大し、スピンドルモーターがしばしば停止に至
った。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の技術では、金属媒体の耐食性を充分に確保できす
、又記憶体とヘッド間の機械的信頼性を充分に確保でき
ないという課題を有していた。

本発明は上記の課題を解決するものであり、その目的と
するところは、水分や塩素等の環境下に於ける金属媒体
の耐食性を飛躍的に向上させるとともに、記憶体とヘッ
ド間の摩擦係数を大幅に低減し、且つその効果を長期に
維持しうる信頼性にｒ憂れた記憶体の製造、提供と該記
！ｉ体を用いた磁気記憶装置を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、基体上に金属磁性媒体が被覆され、この金属
磁性蝶棒上に酸化物、窒化物、炭化物及び炭素から選ば
れる少なくとも１種の物質より成る薄膜が被覆され、次
に分子の一方の末端にアミノ基を有し、他方の末端に加
水分解性基を有する有機金属化合物の少なくとも１種の
硬化膜が被覆され、更に少なくとも分子の末端にグリシ
ジル基を有するフッ化ポリエーテル重合体を被覆せしめ
た事を金属媒体は従来技術と同様の材料、製法によって
形成する。

酸化物、窒化物、炭化物は１．Ｉｌ、Ｂ、Ｙ、ＳＦ＋　
’ｒｔ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗから
選ばれる元素との化合物であり、その混合層、積層は任
意である。炭素はグラファ・イト、ダイヤモンド、アモ
ルファスの単独、混合、積層であり、いずれも１００〜
５００人の膜厚が適切である。

上記化合物及び炭素はスパッタリング法、イオンブレー
ティング法等のＰＶＤ法やＣＶＤ法で形成可能であり、
酸化物は有機金属化合物の塗布、焼成によっても得られ
る。

分子の一方の末端にアミノ基を有し、他方の末端に加水
分解性基を有する有機金属化合物は、ＮＨｚ−Ｃ２Ｈｔ
　−ＮＨ−Ｃ＋　Ｈｌ　−Ｍ−（ＯＲ）　！　　或いは
ＮＨフーＣＩ）ｌ侭−Ｍ−（ＯＲ）ｘ ＮＨｌ−ＣＯＮＨ−ＣＩＨＩ−ト（ＯＲＩ　Ｋ等ここで
ＭはＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ或いは１゛ａであり
、Ｒは炭素数が１〜４のアルキル基又は水素でありそし
てＸはＭの金属元素の価数である。

に代表される。上述の有機金属化合物は単独或いは混合
され、特にケイ素化合物の場合は弱酸水溶液の添加の有
無の後、アルコール類等の可溶性溶媒に希釈した後、ス
プレー法、スピンナー法、ディッピング法や超音波噴霧
吹は付は法等の既知の製法で塗布し、必要に応じて焼成
する。溶媒希釈の割合は得ないＷＡ厚に応じて適宜決定
する。又焼成は、５０〜２００℃、１分〜３０分で充分
であり膜厚は単分子層レベルから１００人が適切である
。

グリシジル基を有するフッ化ポリエーテル重合体は ここで、Ｒ′はアルキレン、シクロアルキレン、アロマ
ティックグループそして、アミノ基、或いは１そしてイ
ミノ基含有アルキレン、シクロアルキレン、アロマティ
ックグループ等である。

又Ｒｆは−Ｃｈ−０−（ＣＩＦ＋０）ｎ−（ＣＦ＋Ｏ）
ｍ−ＣＦ＋−或いＣＦ。

は、−ＣＦ２−０−（ＣＦ−ＣＦ２−０１ｎ−［ＣＦｌ
ｏ）　ｍ−ＣＦ２−であり、ｎ、ｍは１０以上の整数を
表わす。

で表わされる重合体等である。上述のフッ化ポリエーテ
ル重合体は、単独或いは混合し、更には、他の極性基（
−〇Ｈ基、−ＣＯＯＣＨ３基、−０００８基、−ＮＣＯ
基）を有するフッ化ポリエーテル重合体や、無極性基（
フオンブリンＺ−２５、同Ｚ−ＡＭ２００１等・・・フ
オンブリンはモンテフルオス社製）を有するフッ化ポリ
エーテル重合体と混合し、フロン１１３等の可溶性溶媒
に希釈した後、スプレー法、スピンナー法、ディッピン
グ法や超音波噴霧吹き付は法等の既知の製法で塗布し、
必要に応じて焼成する。

溶媒希釈の割合は得ない膜厚に応じて適宜決定する。

又焼成は５０−１５０℃、１分〜２０分で充分であり、
膜厚は２０〜１５０人が適切である。

〔作　用〕

本発明によれば、金属媒体に、硬度、緻密性に優れる酸
化物、窒化物、炭化物及び炭素から運ばれる少なくとも
１種の物質より成る膜厚を形成することにより、ヘッド
の衝撃摩耗からそして環境中の水分や塩素等から金属媒
体を保護する。

しかし、上記薄膜は、数１００人前後と薄く、ピンホー
ルレスにすることは困難である。又上記薄膜のうち炭素
以外は潤滑性に乏しく、最も優れる炭素膜に於いても、
潤滑性が不十分ななめ、各種の潤滑剤を薄膜上に積層化
せしめるのが一般的であった。しかしながら、上記の薄
膜と潤滑剤との固着力が弱いため、長期間に及ぶヘッド
と記憶体の接触摩耗により、潤滑剤が徐々に記憶体上か
ら除去され、初期の優れた潤滑効果が失われてしまった
。

本発明は、上記薄膜上に、分子の一方の末端にアミノ基
を有し、他方の末端に加水分解性基を有する有機金属化
合物の硬化膜を被覆せしめた後に少なくともグリシジル
基を有するフッ化ポリエーテル重合体を被覆せしめるも
のである。加水分解性基は、酸化物、窒化物、炭化物及
び炭素の最表面の活性基（−〇Ｈ１−ＣＯＯＨ等）との
親和力が強く、アミノ基は、フッ化ポリエーテル重合体
のグリシジル基との親和力が強く、該フッ化ポリエーテ
ル重合体が記憶体上に強固に固定化され、ヘッドの衝撃
摩耗によって記憶体上から除去される事を防ぐ。

又フッ化ポリエーテル重合体は潰れた撥水性を示し、防
錆作用を高める効果があり、上記の理由により、その効
果は長期間に亘り維持される。

以上により長期機械的信頼性及び保存信頼性に優れた記
憶体の製造、提供が可能になり、更に該記憶体を用いる
ことにより磁気記憶装置の信頼性を著るしく向上した。

〔実　施　例〕

鏡面仕上げされたディスク状アルミニウム合金基板上に
非磁性Ｎ１−Ｐ合金メツキを約１５μｍ厚に施こした後
、研磨により表面回度Ｒａ＝７０〜１２０人、Ｒｍｅｘ
＝７００〜１５００人に表面ずし目付は加工し、更にＣ
ｏ−Ｎ１−Ｐ合金メツキを約０．０５μｍ厚に施こした
。

次にマグネトロンスパッタ装置に上記基板をセットし、
５Ｘ１０−’ｔｏｒｒ以下まで排気した後、基板を８０
℃まで加熱し、吸着水分の除去後、Ａｒカスを導入し、
５Ｘ１０−’ｔｏｒｒにした後、第１表に示した材料を
ターゲットとして、パワー密度４Ｗ／−で成膜した。

次に同じく第１表に示す有機金属化合物をメタノールと
フロン１１３（混合比１対３体積比）に０．００５ｗ／
ｖ％の濃度で溶解し、ディッピング法（１０ｃｘｒ／　
ｌ１ｉｎ　）で塗布し、その後、１１０℃で１０分間焼
成した。

次に同じく第１表に示すフッ化ポリエーテル重合体をフ
ロン１１３に０．２ｗ／ｖ％の濃度で溶解し、ディッピ
ング法（１０ｃａｒ／　ｌ１ｌｉｎ　）で塗布し、その
後、１１０℃で１０分間焼成した。

第　　　１　　　表 分子量的３０００ Ｒ″はアルキレン或いは、アルキレンの水素の少なくと
も１部を弗素に置換したフロロアルキレンを示す。

上記製造方法により作製した記憶一体と、３３７０タイ
プの薄膜ヘッド（フライハイド０．１５μｍ、９ｎ／ｓ
ｅｃ　）を用い磁気記憶装置を作製し、下記試験によっ
て評価した。結果は第２表に示す。

（１）Ｃ３Ｓ耐久試験 Ｃ８Ｓ動作（立ち上がり、立ち下がり時間１０ｓｅｃ）
前後の外観変化、静摩擦係数と出力の低下率を求める。

（２）耐食性試験 ８０°Ｃ１９０％Ｒ，Ｈ，の環境下に放置して、放置時
間の経過をおって、ミックシングピット数を測定し、そ
の増加が認められた時点を寿命と判断した。

〔発明の効果〕

高記録密度対応の記憶体としての薄膜型記憶体を用いた
磁気記憶装置か登場して久しいが、長期信頼性を対する
不安からその使用は一部に限られていた。

本発明によれば、加温湯上で記憶体が用いられても金属
媒体は実用的に何等の影響を受けず、又増々硬質化、低
フライハイド化するヘッドを用いての機械的信頼性が高
いので、更に小型化し、厳しい環境下で用いられる磁気
記憶装置に搭載されても、記憶体、ヘッドはともに特性
劣化は、はとんど認められない。

以上のの如く、高記録密度対応の高耐久性記憶体の製造
、提供そして該記憶体を用いることにより信頼性の高い
磁気記憶装置の提供が可能になった。

以　　上 出願人　セイコーエプソン株式会社

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に金属磁性媒体が被覆され、この金属磁性
   媒体上に酸化物、窒化物、炭化物及び炭素から選ばれる
   少なくとも１種の物質より成る薄膜が被覆され、次に分
   子の一方の末端にアミノ基を有し、他方の末端に加水分
   解性基を有する有機金属化合物の少なくとも１種の硬化
   膜が被覆され、更に少なくとも分子の末端にグリシジル
   基を有するフッ化ポリエーテル重合体を被覆せしめた事
   を特徴とする磁気記憶体。
2. （２）有機金属化合物の金属元素がＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、
   Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａから選ばれる少なくとも１種である事
   を特徴とする請求項１記載の磁気記憶体。
3. （３）分子の末端にグリシジル基を有するフッ化ポリエ
   ーテル重合体とグリシジ基を有しないフッ化ポリエーテ
   ル重合体を混合し、被覆せしめた事を特徴とする請求項
   １又は請求項２記載の磁気記憶体。
4. （４）基体上に金属磁性媒体を被覆する工程、該媒体上
   に酸化物、窒化物、炭化物及び炭素から選ばれる少なく
   とも１種の物質より成る薄膜を被覆させる工程。次に分
   子の一方の末端にアミノ基を有し、他方の末端に加水分
   解性基を有する有機金属化合物の少なくとも１種の硬化
   膜を被覆せしめる工程、更に少なくとも分子の末端にグ
   リシジル基を有するフッ化ポリエーテル重合体を被覆せ
   しめる工程を有することを特徴とする磁気記憶体の製造
   方法。
5. （５）有機金属化合物の金属元素がＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、
   Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａから選ばれる少なくとも１種である事
   を特徴とする請求項４記載の磁気記憶体の製造方法。
6. （６）分子の末端にグリシジル基を有するフッ化ポリエ
   ーテル重合体にグリシジル基を有しないフッ化ポリエー
   テル重合体を混合した事を特徴とする請求項４及び請求
   項５記載の磁気記憶体の製造方法。
7. （７）請求項１記載の磁気記憶体を用いた事を特徴とす
   る磁気記憶装置。
8. （８）請求項２記載の磁気記憶体を用いた事を特徴とす
   る磁気記憶装置。
9. （９）請求項３記載の磁気記憶体を用いた事を特徴とす
   る磁気記憶装置。