JPS62189624A - 磁気記憶体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ この発明は磁気′的記憶装置、たとえば磁気ディスク装
置および磁気ドラム装置等に用いられる磁気記憶体およ
びその製造方法に関するものである。

［従来の技術］ 一般に記録再生磁気ヘッド（以下ヘッドと呼、Ｒ＞と磁
気記憶体とを主構成部とする磁気記憶装置の記録再生方
法には、大別して次のような二種類の方法がある。すな
わち第一の方法は、操作開始時にヘッドと磁気記憶体面
との間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再生を
する方法である。

この方法では、操作終了時に磁気記憶体の回転が止まり
、この時ヘッドと磁気記憶体面は操作開始時と同様に接
触摩擦状態にある。第二の方法は磁気記憶体に予め所要
の回転を与えておき、急激にヘッドを磁気記憶体面上に
押しつけることにより前記ヘッドと前記磁気記憶体面と
の間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再生する
方法である。

このように第一の方法では操作開始時および終了時にヘ
ッドと磁気記憶体面は接触摩擦状態にあり、第二の方法
ではヘッドを磁気記憶体面に押しつける際に接触摩擦状
態にある。したがっていずれの場合もヘッドと磁気記憶
体の間には摩擦力が生じ、この摩擦力は、ヘッドおよび
磁気記憶体を摩耗させついにはヘッドおよび金属磁性薄
膜媒体に傷を作ることがある。また前記接触摩擦状態に
おいてヘッドのわずかな姿勢の変化がヘッドにかかる荷
重を不均一にさせヘッドおよび磁気記憶体表面に傷を作
ることもある。更に前記接触摩擦状態におけるヘッドと
磁気記憶体間に生じる摩擦力は、特に多くのヘッドを取
りつけた場合に大きなトルクを生じ磁気記憶体を回転さ
せるモーターに好ましからぬ負担をかける。また記録再
生中に突発的にヘッドが磁気記憶体に接触し、ヘッドと
磁気記憶体間に大きな摩擦力が働き、ヘッドおよび磁気
記憶体が破壊されることがしばしば起こる。

このようなヘッドと磁気記憶体との接触摩擦力からｌ＼
ラッドよび磁気記憶体を保護するために磁気記憶体の表
面に保護被膜を被覆して前記ヘッドと磁気記憶体間に生
じる接触摩擦力を小さくすることが要求される。

そのための方法の一つとして磁気記憶体の表面に潤滑層
を設けるということが行なわれている。

この潤滑層は、上記した接触摩擦力を小さくさせるもの
であることを要するがそれとともに、潤滑層が下地体か
ら取り去られたり、あるいはヘッド周辺またはヘッドと
磁気記憶体間に凝集して記録再生時のヘッドの浮揚安定
性に悪影響をおよぼすことのないよう下地体と十分に結
合していることが必要である。したがって潤滑層は上記
の接触摩擦力を小さくさせるためにヘッドと磁気記憶体
の界面に吸着ないし凝着が起こりにくい非極性の分子層
が介在していることが望ましく、したがって潤滑層は磁
気記憶体と結合する部分に配向していることが望ましい
。

このような潤滑層としてシリコンオイル、ふっ素泊、フ
ロロシリコンなどのオイル類やオクタデシルトリクロロ
シラン、ヘキサメチルジシラザンなどの塩化ケイ素類ま
たはシラザン類が提案されている（特公昭５５−４０９
３２号公報）。

［発明が解決しようとする問題点］ これらの潤滑層は、各々優れた特性を示すものの、オイ
ル類においては下地体である非晶質無機酸化物との結合
力が十分でなく、塩化ケイ素またはシラザン類において
はヘッドと磁気記憶体の界面に吸着ないし凝着が起こり
にり０非極性の分子層の分子量が十分でない。このため
オイル類においては長期間の使用における潤滑剤の損失
、塩化ケイ素またはシラザン類においてはヘッドと磁気
記憶体間に生じる接触摩擦力を小さくする効果が完全で
ないという問題があった。

本発明の目的はこの問題点を解決した磁気記憶体および
その製造方法を提供することに必る。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は、表面が鏡面の非磁性合金層が被覆された合金
円盤上または表面が鏡面の合金円盤上に金属磁性薄膜媒
体が被覆されており、この上に非晶質無機酸化物層が被
覆され、さらにこの上に配向性潤滑剤が被覆されている
磁気記憶体において、前記配向性潤滑剤が、一般式 ％式％［］ で表わされる物質を含む有機化合物の単分子層と、式−
＋０２Ｆ４０＋−で示される構造単位および式−ｆ−Ｃ
Ｆ２Ｏ＋−で示される構造単位が線状に不規則に配列し
、末端基が式０”Ｃ＝Ｎ−ＣＦ２−で示される分子量５
００〜３００００の重合体で形成された重合体層からな
ることを特徴とする磁気記憶体であり、またその製造方
法は、表面が鏡面の非磁性合金層を被覆した合金円盤上
または表面が鏡面の合金円盤上に金属磁性薄膜媒体を被
覆し、この上に非晶質無機酸化物層を被覆し、ざらにこ
の非晶質無機酸化物層の上に、直接、または前記非晶質
無機酸化物層の表面をプラズマ中で処理した後に、一般
式ＨＯ−（ＣＨ２）。−Ｃｏｏｌ　　　　　　［Ｉコ（
ｎは正の整数） で表わされる物質を含む有機化合物の単分子層を作製し
、次いで式−＋　Ｃ２Ｆ、（）←で示される構造単位お
よび式−（ＣＦ２０−）−で示される構造単位が線状に
不規則に配列し、末端基が式０＝Ｃ＝Ｎ−ＣＦ２−で示
される分子量５００〜３００００の重合体を塗布し、ま
たは塗布後焼成して前記非晶質無機酸化物層上に前記重
合体層を設けることを特徴とする。

この発明の要旨とするところは、水酸基およびカルボキ
シル基を両末端に有する物質を、ラングミュア−プロジ
ェット法のような単分子膜形成法によってカルボキシル
基またはその金属塩の非晶質無機酸化物層への固着力を
利用して酸化膜を被覆した磁気記憶体の上に単分子層を
形成した後、末端に水酸基と化学結合する官能基をもつ
ふっ素泊分子を塗布することである。すなわち、水酸基
およびカルボキシル基を両末端に有する物質の単分子層
を、酸化膜とふっ素泊分子を強固に結びつけるバインダ
として使用し、さらに分子量の大きなふっ素泊分子を使
用することで、ヘッドと下地体との界面に吸着ないし凝
集が起こりにくい非極性の分子層を十分に介在させ、潤
滑層とヘッドとの接触摩擦力を小さくすることである。

バインダとして水酸基およびカルボキシル基を両末端に
有する物質の単分子層を用いること、および、非極性の
分子層として水酸基と化学結合するイソシアネート基を
有するふっ素泊分子を用いることが重要な点である。

本発明のバインダとして作用する前記一般式［Ｉ］で示
されるオキシカルボン酸は良好な単分子膜を形成するた
めにｎが１０〜２３の範囲のものが好ましい。

非晶質＠機酸化物層上に上記一般式［Ｉ］で示される化
合物の単分子層を形成する方法としてはたとえばラング
ミュア−プロジェット法があげられる。この際、オキシ
カルボン酸の水酸基はあらかじめ疎水基に変換しておく
ことにより、もう一方の官能基であるカルボキシル基が
水素結合等を介して非晶質無機酸化物層と結合し、強固
な単分子膜が形成される。またカルボキシル基はそのま
まの状態でも、あるいはラングミュア−プロジェット法
による吸着の際に用いる水相に、カドミウム、バリウム
などの２価金属イオンを加えておき、カルボン酸の金属
塩として、上記物質を吸着させてもよい。

本発明においては単分子膜の構成成分として上記一般式
［Ｉ］で示される化合物のほかに、ミリスチン酸のよう
な長鎖アルキルカルボン酸等の親水基、疎水基をあわせ
もつ化合物を含有させることができるが、バインダとし
ての作用を十分に発揮するためには一般式［１］の化合
物が全有機化合物中の１０＠ｉｔ％以上を占めているこ
とが望ましい。

このようにして得られた単分子層は、水酸基が疎水基に
変換されている場合には再び水酸基とした後、イソシア
ネート基を有する重合体を塗布する。この重合体は式−
＋０２Ｆ４０＋−および式−（ＣＦ２０＋−を繰り返し
単位とするが、この両単位の割合は任意に選択すること
ができる。重合体の分子量は５００〜３００００のもの
が含まれるが通常１０００〜１００００のものが用いら
れる。

本発明ではバインダとしての前記単分子層と前記重合体
層とを組み合わせたものを潤滑層として用いることによ
って下地体と強固に結合させることができるが、非晶質
無機酸化物形成後の下地体をプラズマ中で処理してから
前記潤滑層を作製すれば、表面のクリーニングが完全に
なること、およびイオンの打ち込みにより非晶質無ｍｌ
化物層の表面がざらに親水性になるなどの理由で下地体
と潤滑剤の結合はざらに強固になる。

更に、記録および再生にとってはスペーシング（記録お
よび再生時におけるヘッドと磁気記憶体の間隔）は小ざ
い方が有利である。このため調滑層の膜厚はできる限り
薄い方が望ましいが、この単分子膜と重合体は非常に薄
い潤滑層を形成することが可能である。非晶質無機酸化
物の上に単分子層を形成し重合体を塗布した後、化学反
応を起こさせ、単分子層と重合体とを結合させた後、フ
レオン洗浄することにより単分子層と結合していない薬
分の潤滑剤がとりさられ、非常に薄い潤滑層が形成され
る。

［作　用］ 非晶質無機酸化物はポリ珪酸あるいは５ｉｎ２、ガラス
、アルミナなどのスパッタ膜である。本発明の水酸基お
よびカルボキシル基を両末端に有する物質は、水酸基を
一時的に化学的な方法で疎水基に変換しておけば、ラン
グミュア−プロジェット法を用いて前記非晶質無機酸化
物の表面に単分子層として強固に吸着させることができ
る。このようにして得られた単分子層は、カルボキシル
基またはその金属塩の強い親水性により、非晶質無機酸
化物層と強固に結合する。この単分子層を吸着後に水酸
基を一時的に変換しておいた疎水基を再び化学的な方法
でもとの水酸基にもどしてヤれば、水酸基が基板と反対
側を向いて並んでいるためイソシアネート基を有するふ
っ系油分子と化学結合をつくることができ、非晶質無機
酸化物とふっ素分子を強固に結びつけるバインダの役割
を果たすことができる。一方、ふっ系油分子は表面エネ
ルギーを低下させ、優れた潤滑効果を示す。したがって
この単分子層とふっ素泊分子層との組み合わせにより、
下地体と潤滑剤層とが強固に結合し、しかも潤滑効果の
優れた磁気記憶体を得ることができる。単分子層と重合
体の化学反応は塗布後自然に進行するが、焼成すれば短
時間ですむ、。

［実施例］ 以下、実施例により本発明の詳細な説明する。

（実施例１） 第１図は、この発明の磁気記憶体の構成を概略的に示す
断面図でおる。図面において本発明の磁気記憶体７は、
合金円？５１上に非磁性合金層２が被覆され、この被膜
の研磨面上に金属磁性薄膜媒体３が被覆されており、ざ
らにこの上に非晶質無機酸化物４が被覆され、さらにこ
の上に単分子膜５および重合体層６よりなる潤滑剤が被
覆されている。

合金円盤１として旋盤加工および熱矯正によって十分率
さなうねり（円周方向および半径方向でともに５０カ以
下）をもった面に仕上げられたディスク状アルミニウム
合金基盤上に非磁性合金層２としてニッケルー燐（旧−
Ｐ）合金を約５０７Ｍの厚さにメッキし、このｎ＊−ｐ
メッキ膜を機械的研磨により表面粗ざ０．０４　／／Ｉ
ＩＦＩ以下、厚さ約３０帆まで鏡面仕上げしたのち、そ
の上に金属磁性薄膜媒体３としてコバルト−ニッケルー
ｆｉ（ｃｏ−旧−Ｐ）合金を約０．０５＃Ｉの厚さにメ
ッキした。さらにこのＣｏ−Ｎ　ｉ−Ｐ合金膜の上に、
下に示した組成の溶液を十分に混合し、こみまたは析出
した５ｉ０２をろ過膜を通して取り除いた後、回転塗布
法により塗布した。

ｎ−ブチルアルコール　　　　　　：８０ｉｉ％その復
このディスク基盤を２００’Ｃの温度で３時間焼成しＣ
ｏ−Ｎ１−Ｐ合金膜の上に非晶質無機酸化物６でおるポ
リ珪酸の被膜を形成した。

この基板に１６−ヒドロキシパルミチン酸団０（Ｃ１１
２）１５ＣＯＯ■１のイソプロピルジメチルシリルエー
テルエステル［（ＣＨ３）２（Ｃｌ１３）２ＣＩＩＳｉ
Ｏ（ＣＨ２）１５Ｃ００ＳｉＣ１１（ＣＨ３）２（Ｃｌ
１３）２］　　を原料として、ｐＨ４，５の水相を用い
るラングミュア−プロジェット法によって１６−ヒドロ
キシパルミチン酸のイソプロピルジメチルシリルエーテ
ル［（ＣＨ３）２（ＣＨ３）２ＣＨ３！０（Ｃ１１２）
１．０００旧　の単分子膜を形成した。続いてこの基板
を、酢酸−水（３：１）溶液に１０分間浸漬して１６−
ヒドロキシパルミチン酸の単分子膜５とした。

続いて、分子量約３０００の０＝Ｃ＝Ｎ−ＣＦ２−　（
Ｃ２Ｆ４０）ｌ）−（ＣＦ２）ｑ−ＣＦ２−Ｎ＝Ｃ＝０
　（Ｄ；Ｑ＝１：１　、各構造単位は不規則である）を
フレオンに溶解し０．０８重量％の溶液を作成し、０．
２ｔ１ｍのフィルターを通してろ過した。この溶液を１
６−ヒドロキシパルミチン酸の単分子層を形成した前記
ディスク基板に２５００回／分の回転速度で回転塗布し
、１００℃の温度で４０分間、焼成を行なった後、フレ
オンで基板を洗浄し、余分な重合体を洗い落として重合
体層６を形成した。

重合体を塗布する前後の基板表面の表面エネルギーを種
々の表面張力をもつ液滴の接触角を測定し計算するとポ
リ珪酸被膜上４３ｅｒｇ／Ｃｍ２から重合体塗布後では
１６ｅｒｇ／ｃｍ”と表面エネルギーが著しく低下しヘ
ッドと下地体との接着を防止する効果が大きいことがわ
かった。

次に、このディスク基板とヘッドとの間に働く動摩擦係
数を測定した。動摩擦係数はヘッドに歪ゲージを連結し
、ディスクを一定速度で回転させたときに生じるヘッド
とディスク間の動摩擦力を測定し、これをヘッドに加え
た荷重で割って求めた。測定は荷重１５Ｑ、滑り速度１
００ｍｍ／ｍｉｎの条件で行なった。その結果、動摩擦
係数の値として０．１７５が得られ、ポリ珪酸被膜上の
０．５４６に比べ、極めて動摩擦係数の値を小さくする
ことができた。

また、この重合体を塗布したディスク基板と荷重７０ｑ
のモノリシックヘッドを用いてディスクとヘッドの接触
摩擦試験を３００００回繰り返し行なったが、ヘッドク
ラッシュおよびヘッドによる接触摩擦によるディスクの
表面状態の変化は皆無であった。

（実施例２） 実施例１と同様の方法で作成し、ポリ珪酸被膜を形成し
たディスク基板に同じ方法で１６−ヒドロキシパルミチ
ン酸を形成した。分子量約３０００の０＝Ｃ＝Ｎ−ＣＦ
２（Ｃ２Ｆ４０）ｐ−（ＣＦ２）ｑ−ＣＦ２−Ｎ＝Ｃ＝
０　（ｐ：Ｑ＝４：１こ各構造単位は不規則である）を
フレオンに溶解し０、０８重但％の溶液を作成し、Ｏ１
２虜のフィルターを通してろ過した。重分゛子層を形成
した前記ディスク基板にこの重合体２５００回／分の回
転速度で回転塗布し１００℃の温度で４０分間焼成した
後フレオンで余分な重合体を洗い落とした。実施例１と
同様の方法で表面エネルギーと動摩ＩＨＵ数の値を求め
た。その結果、重合体を塗布することにより表面エネル
ギーの値はポリ珪酸被膜上４３ｅｒｔｊ／Ｃｍ２かう１
６ｅｒｇ／Ｃ…２ト低下シ、動摩擦係数の値は０．５４
６から０．１７２に小さくすることができた。

また実施例１と同様に耐摩耗性を評価したが、３０００
０回の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は
皆無であった。

（実施例３） 実施例１と同様の方法で作成したディスク基板のＣｏ−
Ｎ１−Ｐ合金膜の上にポリ珪酸被膜のかわりに＃！２０
３（非晶質アルミナ）をスパッタ法により被覆した。こ
のディスク基板に実施例１と同じ方法で１６−ヒドロキ
シパルミチン酸の単分子層を形成した。実施例１で作成
した重合体溶液を２５００回／分で回転塗布し１００℃
の温度で４０分間焼成した後フレオンで余分な重合体を
洗いおとし、実施例１と同様の方法で表面エネルギー、
動摩擦係数の値を求めた。その結果、表面エネルギーは
非晶質アルミナ上の４５ｅｒ（１／Ｃｍ２から重合体上
１５ｅｒ（１／Ｃｍ２Ｇ、：低下し動摩擦係数の値、は
０．２７０から０．１８０に小ざくすることができた。

また、実施例１と同様に３００００回の接触摩擦試験に
よるディスク表面状態の変化は皆無であった。

（実施例４） 実施例１と同じ基板に、ラングミュアーブロジェット法
によって、１６−ヒドロキシパルミチン酸のインプロピ
ルジメチルシリルエーテルエステルとミリスチン酸の１
：１混合物を原料として、おなし操作を行ない１６−ヒ
ドロキシパルミチン酸とミリスチン酸の１＝１混合物よ
りなる単分子膜を作製し、他の操作は実施例１と全く同
様にして実験を行なった。その結果、表面エネルギーの
値はポリ珪酸被膜上の４３ｅｒｇ／Ｃｍ２から重合体上
の１６ｅｒｇ／ｃｍ２に低下し動摩擦係数の値として重
合体塗布後ｏ、ｉｙｅが得られ、ポリ珪酸被膜上の０．
５４６に比べ、小さくすることができた。

また、他の実施例と同様に３００００回の接触摩擦試験
によるディスク表面状態の変化は皆無であった。

（実施例５） 実施例４と同様に、ラングミュア−プロジェット法によ
って、１６−ヒドロキシパルミチン酸のイソプロピルジ
メチルシリルエーテルエステルとミリスチン酸の１：３
混合物を原料として、おなし操作を行ない１６−ヒドロ
キシパルミチン酸とミリスチン酸の１＝３混合物よりな
る単分子膜を作製し、他の操作は実施例１と全く同様に
して実験を行なった。その結果、表面エネルギーの値は
ポリ珪酸被膜上の４３ｅｒｇ／Ｃｍ２から重合体上の１
５ｅｒｇ／ｃｍ２に低下し、動摩擦係数の値として重合
体塗布後０、１７１が得られ、ポリ珪酸被膜上の０．５
４６に比べ、小さくすることができた。

また、他の実施例と同様に３００００回の接触摩擦試験
によるディスク表面状態の変化は皆無であった。

（実施例６） 実施例５と同様に、ラングミュア−プロジェット法によ
って、１６−ヒドロキシパルミチン酸のイソプロピルジ
メチルシリルエーテルエステルとミリスチン酸の１：３
混合物を原料として、おなし操作を行なった。ただし、
ラングミュア−プロジェット法による吸着の際に、水相
に塩酸を加えテｐＨを４．２に調製した２、　５ｘ　ｔ
Ｏ−４ｍｏｌｅ＃！　（Ｄ塩化カドミウム水溶液を用い
て、１６−ヒドロキシパルミチン酸とミリスチン酸の１
：３混合物のカドミウム塩よりなる単分子膜を作製し、
他の操作は実施例１と全く同様にして実験を行なった。

その結果、表面エネルギーの値はポリ珪酸被膜上の４３
ｅｒｏ／ｃｍ２カラＭ合体上（７）１６ｅｒ（］／Ｃ１
１１２ニ低下シ、動摩擦係数の値として重合体塗布後０
．１７０が得られ、ポリ珪酸被膜上の０．５４６に比べ
、小さくすることができた。

また、他の実施例と同様に３００００回の接触摩擦試験
によるディスク表面状態の変化は皆無であった。

（実施例７） 実施例１と同様の方法で作成し、ポリ珪酸被膜を形成し
たディスク基板を平行平板型のエツチング装置に入れ、
計を用いて、流量１＆５ＣＣＩ１１．電力密度０．３５
　Ｗ／ｃｍ”　、圧力１．３Ｐａ、バイアス電位ＩＫＶ
の条件で２分間エツチングを行なった後、続いて実施例
４と同様に、ラングミュア−プロジェット法によって、
１６−ヒドロキシパルミチン酸のイソプロピルジメチル
シリルエーテルエステルとミリスチン酸の１：１混合物
を原料として、みなし操作を行ない１６−ヒドロキシパ
ルミチン酸とミリスチン酸のに１混合物よりなる単分子
膜を作製し、他の操作は実施例１と全く同様にして実験
を行なった。その結果、表面エネルギーの値はポリ珪酸
被膜上ノ４３ｅｒｇ／ＣＩ＋１２から重合体上（７）１
５ｅｒｇ／ｃｍ２に低下し、動摩擦係数の値として重合
体塗布後０、．１７４が得られ、ポリ珪酸被膜上の０．
５４６に比べ、小さくすることができた。

また、他の実施例と同様に３００００回の接触摩擦試験
によるディスク表面状態の変化は皆無であった。

（実施例８） 実施例１と同様の方法で作成し、ポリ珪酸被膜を形成し
たディスク基板を平行平板型のエツチング装置に入れ、
＾「を用いて、流１ｉａｓｃｃｍ、電力密度０．３５　
Ｗ／Ｃｍ２、圧力１．３Ｐａ、バイアス電位１ＫＶの条
件で２分間エツチングを行なった後、続いて実施例５と
同様に、ラングミュア−プロジェット法によって、１６
−ヒドロキシパルミチン酸のイソプロピルジメチルシリ
ルエーテルエステルとミリステン酸の１：３混合物を原
料として、おなじ操作を行ない１６−ヒドロキシパルミ
チン酸とミリスチン酸の１：３混合物よりなる単分子膜
を作製し、他の操作は実施例１と全く同様にして実験を
行なった。その結果、表面エネルギーの値はポリ珪酸被
膜上の４３ｅｒ（１／Ｃｌ１１２カら重合体上（７）１
６ｅｒｐ／Ｃｍ”に低下し、動摩擦係数の値として重合
体塗布後０．１７２が得られ、ポリ珪酸被膜上の０．５
４６ｋｍ比べ、小さくすることができた。

また、他の実施例と同様に３００００回の接触摩擦試験
によるディスク表面状態の変化は皆無であった。

（実施例９） 実施例１と同様の方法で作成し、ポリ珪酸被膜を形成し
たディスク基板を平行平板型のエツチング装置に入れ、
Ａｒを用いて、流量１８３ＣＣｍ、電力密度０．３５　
Ｗ／ｃｍ２、圧力１．３Ｐａ、バイアス電位１にＶの条
件で２分間エツチングを行なった後、続いて実施例６と
同様に、ラングミュア−プロジェット法によって、１６
−ヒドロキシパルミチン酸のイソプロピルジメチルシリ
ルエーテルエステルとミリスチン酸の１：３混合物を原
料として、水相に塩酸を加えてｐＨを４．２に調製した
２、５×１０’　ｍｏｌｅ／、９の塩化カドミウム水溶
液を用いて、１６−ヒドロキシパルミチン酸とミリスチ
ン酸の１：３混合物のカドミウム塩よりなる単分子膜を
作製し、他の操作は実施例１と全く同様にして実験を行
なった。その結果、表面エネルギーの値はポリ珪酸被膜
上の４３ｅｒｇ／ｃｍ２から重合体上の１７ｅｒｇ／ｃ
ｍ２に低下し、動摩擦係数の値として重合体塗布後０．
１７８が得られ、ポリ珪酸被膜上の０、５４６に比べ、
小さくすることができた。

また、他の実施例と同様に３００００回の接触摩擦試験
によるディスク表面状態の変化は皆無であった。

［発明の効果］ このように本発明における磁気記憶体はヘッドと磁気記
憶体間に生じる接触摩擦力を小さくする効果が大きい。

また潤滑剤と下地体とが強固に結合しているので繰り返
し使用してもディスク表面状態は良好に保持される。し
たがって磁気ディスク装置や磁気ドラム装置等に応用す
るのに適している。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の磁気記憶体を概略的に示す断面図であ
る。 １・・・合金円盤　　　　　２・・・非磁性合金層３・
・・金属磁性薄膜媒体　４・・・非晶質照機酸化物５・
・・単分子膜　　　　　６・・・重合体層７・・・磁気
記憶体

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）表面が鏡面の非磁性合金層が被覆された合金円盤
   上または表面が鏡面の合金円盤上に金属磁性薄膜媒体が
   被覆されており、この上に非晶質無機酸化物層が被覆さ
   れ、さらにこの上に配向性潤滑剤が被覆されている磁気
   記憶体において、前記配向性潤滑剤が、一般式 ＨＯ−（ＣＨ＿２）＿ｎ−ＣＯＯＨ （ｎは正の整数） で表わされる物質を含む有機化合物の単分子層と、式−
   （Ｃ＿２Ｆ＿４Ｏ）−で示される構造単位および式−（
   ＣＦ＿２Ｏ）−で示される構造単位が線状に不規則に配
   列し、末端基が式Ｏ＝Ｃ＝Ｎ−ＣＦ＿２−で示される分
   子量５００〜３００００の重合体で形成された重合体層
   からなることを特徴とする磁気記憶体。
2. （２）表面が鏡面の非磁性合金層を被覆した合金円盤上
   または表面が鏡面の合金円盤上に金属磁性薄膜媒体を被
   覆し、この上に非晶質無機酸化物層を被覆し、さらにこ
   の非晶質無機酸化物層の上に、一般式 ＨＯ−（ＣＨ＿２）＿ｎ−ＣＯＯＨ （ｎは正の整数） で表わされる物質を含む有機化合物の単分子層を作製し
   、次いで式−（Ｃ＿２Ｆ＿４Ｏ）−で示される構造単位
   および式−（ＣＦ＿２Ｏ）−で示される構造単位が線状
   に不規則に配列し、末端基が式Ｏ＝Ｃ＝Ｎ−ＣＦ＿２−
   で示される分子量５００〜３００００の重合体を塗布し
   、または塗布後焼成して前記非晶質無機酸化物層上に前
   記重合体層を設けることを特徴とする磁気記憶体の製造
   方法。
3. （３）表面が鏡面の非磁性合金層を被覆した合金円盤上
   または表面が鏡面の合金円盤上に金属磁性薄膜媒体を被
   覆し、この上に非晶質無機酸化物層を被覆し、プラズマ
   中で処理した後に、前記非晶質無機酸化物層の上に、一
   般式 ＨＯ−（ＣＨ＿２）＿ｎ−ＣＯＯＨ （ｎは正の整数） で表わされる物質を含む有機化合物の単分子層を作製し
   、次いで式−（Ｃ＿２Ｆ＿４Ｏ）−で示される構造単位
   および式−（ＣＦ＿２Ｏ）−で示される構造単位が線状
   に不規則に配列し、末端基が式Ｏ＝Ｃ＝Ｎ−ＣＦ＿２−
   で示される分子量５００〜３００００の重合体を塗布し
   、または塗布後焼成して前記非晶質無機酸化物層上に前
   記重合体層を設けることを特徴とする磁気記憶体の製造
   方法。