JPH0516087B2 - - Google Patents
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- JPH0516087B2 JPH0516087B2 JP63020549A JP2054988A JPH0516087B2 JP H0516087 B2 JPH0516087 B2 JP H0516087B2 JP 63020549 A JP63020549 A JP 63020549A JP 2054988 A JP2054988 A JP 2054988A JP H0516087 B2 JPH0516087 B2 JP H0516087B2
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Composite Materials (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は基体表面への保護膜の製造方法に関す
るもので、さらに詳しくは、磁気テープ、磁気デ
イスク、磁気カード、光磁気デイスク等の記録媒
体の記録層、その他表面保護を目的とする基体の
形成に関するものである。 従来の技術 従来より、磁気記録媒体には、大きく別けて塗
布型と蒸着型がある。 塗布型の磁気記録媒体では、一般にFe2O3やCo
を添加したγ−Fe2O3等の磁性粉末をポリビニー
ル、ブチラール、トリエン、メチルイソブチルケ
トン等に混合分散して塗料化し、媒体基体表面に
４〜5μmの厚みで塗布する方法であるが、この方
法では製造が容易な半面、磁性粉末を小さくする
ことに限界があり、高密度記録用としては性能が
不十分であつた。 一方、蒸着型の磁気記録媒体では、記録密度は
塗布型に比べ良くなるが、磁性金属層が表面に出
ているため耐久性に問題がある。そこで、1000〜
2000Åの金属を電子ビームやスパツタ法で蒸着し
た上で、保護用のオーバーコート膜の形成を行
い、さらに磁気記録媒体表面に潤滑性を与えるた
めに滑剤を塗布している。 発明が解決しようとする課題 しかるに、従来の保護用のオーバーコート膜や
滑剤では腐食やはがれが生じまだ十分な耐久性が
得られていない現状である。さらに、オーバーコ
ート膜や滑剤の塗布を薄く均一に行えないため、
記録用の磁気ヘツドと記録層のギヤツプが大きく
なり、特に高密度記録型ではその本来の高密度記
録が十分発揮できない状況である。 以上述べてきた従来法の欠点に鑑み、本発明
は、保護を目的としたオーバーコート膜や滑剤を
より薄く均一に且つピンホール無く行う極めて強
固な保護膜構造を得ることのできる方法を提供す
ることを目的とする。 課題を解決するための手段 本発明は、表面に酸素を含む基体表面に、炭素
を主成分とし結合用原子としてシリコンを含むト
リクロロシラン界面活性剤を化学吸着させ、前記
活性剤のシリコンと前記基体表面の酸素を共有結
合させるとともに前記シリコン同志が酸素を介し
て共有結合された単分子又は単分子累積膜を形成
する方法を用いるものである。 作 用 本発明の方法は、化学吸着によるトリクロロシ
ラン界面活性剤のシリコンと酸素との結合によ
り、シリコンと酸素、酸素を介してシリコン同志
が共有結合を形成させるものであるため、基板表
面との密着が極めて強固で均一な耐久性にすぐれ
た単分子又は単分子累積膜を提供できる。 実施例 以下、実施例を第１図〜第６図を用いて説明す
る。例えば、第１図に示すように、磁気記録用デ
イスク基板（媒体基体）１上にスパツタ蒸着等に
より形成された磁気記録層（Fe−Ni，Ni−C2…
等の磁性金属や磁性金属酸化膜）２が形成された
後、全面化学吸着法により、炭素を主成分とし結
合用原子としてシリコンを含むトリクロロシラン
界面活性剤を吸着させてシラン界面活性剤よりな
る単分子の保護膜３を形成する。例えば、トリク
ロロシラン界面活性剤としてCH2＝CH−（CH2）o
−SiCl3（ｎ：整数、10〜20程度が最も扱いやす
い）を用い、２×10-3〜5.0×10-2Mol／程度の
濃度で溶した80％ｎ−ヘキサン、12％四塩化炭
素、８％クロロホルム溶液を調整し、前記磁気記
録層の形成された媒体基体を浸漬すると、磁気記
録層として蒸着された金属表面はナチユラルオキ
サイドが形成されているので表面でその酸素とシ
リコンが化学結合し、
るもので、さらに詳しくは、磁気テープ、磁気デ
イスク、磁気カード、光磁気デイスク等の記録媒
体の記録層、その他表面保護を目的とする基体の
形成に関するものである。 従来の技術 従来より、磁気記録媒体には、大きく別けて塗
布型と蒸着型がある。 塗布型の磁気記録媒体では、一般にFe2O3やCo
を添加したγ−Fe2O3等の磁性粉末をポリビニー
ル、ブチラール、トリエン、メチルイソブチルケ
トン等に混合分散して塗料化し、媒体基体表面に
４〜5μmの厚みで塗布する方法であるが、この方
法では製造が容易な半面、磁性粉末を小さくする
ことに限界があり、高密度記録用としては性能が
不十分であつた。 一方、蒸着型の磁気記録媒体では、記録密度は
塗布型に比べ良くなるが、磁性金属層が表面に出
ているため耐久性に問題がある。そこで、1000〜
2000Åの金属を電子ビームやスパツタ法で蒸着し
た上で、保護用のオーバーコート膜の形成を行
い、さらに磁気記録媒体表面に潤滑性を与えるた
めに滑剤を塗布している。 発明が解決しようとする課題 しかるに、従来の保護用のオーバーコート膜や
滑剤では腐食やはがれが生じまだ十分な耐久性が
得られていない現状である。さらに、オーバーコ
ート膜や滑剤の塗布を薄く均一に行えないため、
記録用の磁気ヘツドと記録層のギヤツプが大きく
なり、特に高密度記録型ではその本来の高密度記
録が十分発揮できない状況である。 以上述べてきた従来法の欠点に鑑み、本発明
は、保護を目的としたオーバーコート膜や滑剤を
より薄く均一に且つピンホール無く行う極めて強
固な保護膜構造を得ることのできる方法を提供す
ることを目的とする。 課題を解決するための手段 本発明は、表面に酸素を含む基体表面に、炭素
を主成分とし結合用原子としてシリコンを含むト
リクロロシラン界面活性剤を化学吸着させ、前記
活性剤のシリコンと前記基体表面の酸素を共有結
合させるとともに前記シリコン同志が酸素を介し
て共有結合された単分子又は単分子累積膜を形成
する方法を用いるものである。 作 用 本発明の方法は、化学吸着によるトリクロロシ
ラン界面活性剤のシリコンと酸素との結合によ
り、シリコンと酸素、酸素を介してシリコン同志
が共有結合を形成させるものであるため、基板表
面との密着が極めて強固で均一な耐久性にすぐれ
た単分子又は単分子累積膜を提供できる。 実施例 以下、実施例を第１図〜第６図を用いて説明す
る。例えば、第１図に示すように、磁気記録用デ
イスク基板（媒体基体）１上にスパツタ蒸着等に
より形成された磁気記録層（Fe−Ni，Ni−C2…
等の磁性金属や磁性金属酸化膜）２が形成された
後、全面化学吸着法により、炭素を主成分とし結
合用原子としてシリコンを含むトリクロロシラン
界面活性剤を吸着させてシラン界面活性剤よりな
る単分子の保護膜３を形成する。例えば、トリク
ロロシラン界面活性剤としてCH2＝CH−（CH2）o
−SiCl3（ｎ：整数、10〜20程度が最も扱いやす
い）を用い、２×10-3〜5.0×10-2Mol／程度の
濃度で溶した80％ｎ−ヘキサン、12％四塩化炭
素、８％クロロホルム溶液を調整し、前記磁気記
録層の形成された媒体基体を浸漬すると、磁気記
録層として蒸着された金属表面はナチユラルオキ
サイドが形成されているので表面でその酸素とシ
リコンが化学結合し、
【式】極めての強固な
結合が生成され、シラン界面活性剤による単分子
膜４よりなる極めて薄いピンホールのない均一な
厚みの保護膜３が一層（20〜30Åの厚み）極めて
強固な膜として形成される（第２図）。すなわち、
上記化学式及び第２図は、基板表面の酸素とシリ
コン、酸素を介してシリコン同志が面方向にも極
めて強固な共有結合をしていることを示してい
る。 なおこのとき、表面に並んだビニル基（CH2＝
CH−）５を、エネルギービーム（電子線、Ｘ
線、γ線、紫外線、イオン線等）で架橋６させる
ことにより、単分子膜４′をさらに強化安定化で
きる（第３図）。さらにまた、表面に並んだビニ
ル基は、CF4等のフツ素を含んだプラズマ中で処
理することにより、Ｆの付加７や架橋を同時に行
うことができ、表面の滑性を向上させることも可
能である（第４図）。 一方、もう少し膜厚を厚くしたい場合には、単
分子膜４を一層形成させた後、室温でジボラン
1Mol／のTHF溶液を用い、単分子膜４の形成
された基板を浸漬し、さらにNaOH0.1Mol／
30％H2O2水溶液に浸漬することにより、単分子
膜４の表面のビニル基に水酸基（OH）８を付加
させることができ（第５図）、以下、同じ反応液
を用い化学吸着工程およびOH付加工程をくり返
すことにより単分子膜の累積を行い、必要な膜厚
を得ることができる（第６図）。 なお、上記実施例では、磁気デイスクを例にし
て説明したが、磁気テープ、磁気カード、さらに
媒体基体にPMMA等の透明体を用いれば光磁気
記録媒体へ応用できることは言うまでもない。 以上の方法により、磁気記録媒体の上に、単分
子又は単分子累積膜状の極めて強固な薄膜よりな
る保護膜をピンホール無く、均一厚みで、非常に
薄く得ることができる。従つて、磁気記録におけ
る記録再生ヘツドの効率が大幅に向上し、ノイズ
も減少でき、効果大なるものである。さらに、滑
性および耐久性の良い保護膜が提供でき、ヘツド
の滑性の向上および耐摩耗性の向上も可能とな
り、信頼性の高い高密度磁気記録媒体を実現する
ことができる。 また、本発明は、磁気記録媒体の保護膜形成以
外にも、光記録媒体や半導体素子の保護膜として
も応用可能である。 また以上述べてきた実施例は、基体として磁気
記録媒体を用いて説明してきたが、光デイスク、
レコード等耐磨耗性を向上したり、表面保護を目
的とする半導体素子等の全てのものに使用できる
ことは明らかである。 なお、化学吸着用の材料として、ジアセチレン
系の誘導体〔例えば CH2＝CH−（CH2）o−Ｃ ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−（CH2）n−SiCl3 （ｎ，ｍ：整数）等〕を用いた場合には、紫外線
照射により架橋を生成させ面方向の導電性を持た
すことができ、基体表面の帯電を防止することも
可能である。 発明の効果 以上述べてきたごとく、本発明により、表面に
酸素を有する基体の上に、基体表面と極めて強固
に密着し、基板表面方向にもシリコン同志が酸素
を介して強固に結合した単分子又は単分子累積膜
状の保護膜をピンホール無く、均一厚みで、非常
に薄く得ることができる。従つて、本発明は表面
保護を必要とする基体の保護作用の向上に大きく
寄与するものである。
膜４よりなる極めて薄いピンホールのない均一な
厚みの保護膜３が一層（20〜30Åの厚み）極めて
強固な膜として形成される（第２図）。すなわち、
上記化学式及び第２図は、基板表面の酸素とシリ
コン、酸素を介してシリコン同志が面方向にも極
めて強固な共有結合をしていることを示してい
る。 なおこのとき、表面に並んだビニル基（CH2＝
CH−）５を、エネルギービーム（電子線、Ｘ
線、γ線、紫外線、イオン線等）で架橋６させる
ことにより、単分子膜４′をさらに強化安定化で
きる（第３図）。さらにまた、表面に並んだビニ
ル基は、CF4等のフツ素を含んだプラズマ中で処
理することにより、Ｆの付加７や架橋を同時に行
うことができ、表面の滑性を向上させることも可
能である（第４図）。 一方、もう少し膜厚を厚くしたい場合には、単
分子膜４を一層形成させた後、室温でジボラン
1Mol／のTHF溶液を用い、単分子膜４の形成
された基板を浸漬し、さらにNaOH0.1Mol／
30％H2O2水溶液に浸漬することにより、単分子
膜４の表面のビニル基に水酸基（OH）８を付加
させることができ（第５図）、以下、同じ反応液
を用い化学吸着工程およびOH付加工程をくり返
すことにより単分子膜の累積を行い、必要な膜厚
を得ることができる（第６図）。 なお、上記実施例では、磁気デイスクを例にし
て説明したが、磁気テープ、磁気カード、さらに
媒体基体にPMMA等の透明体を用いれば光磁気
記録媒体へ応用できることは言うまでもない。 以上の方法により、磁気記録媒体の上に、単分
子又は単分子累積膜状の極めて強固な薄膜よりな
る保護膜をピンホール無く、均一厚みで、非常に
薄く得ることができる。従つて、磁気記録におけ
る記録再生ヘツドの効率が大幅に向上し、ノイズ
も減少でき、効果大なるものである。さらに、滑
性および耐久性の良い保護膜が提供でき、ヘツド
の滑性の向上および耐摩耗性の向上も可能とな
り、信頼性の高い高密度磁気記録媒体を実現する
ことができる。 また、本発明は、磁気記録媒体の保護膜形成以
外にも、光記録媒体や半導体素子の保護膜として
も応用可能である。 また以上述べてきた実施例は、基体として磁気
記録媒体を用いて説明してきたが、光デイスク、
レコード等耐磨耗性を向上したり、表面保護を目
的とする半導体素子等の全てのものに使用できる
ことは明らかである。 なお、化学吸着用の材料として、ジアセチレン
系の誘導体〔例えば CH2＝CH−（CH2）o−Ｃ ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−（CH2）n−SiCl3 （ｎ，ｍ：整数）等〕を用いた場合には、紫外線
照射により架橋を生成させ面方向の導電性を持た
すことができ、基体表面の帯電を防止することも
可能である。 発明の効果 以上述べてきたごとく、本発明により、表面に
酸素を有する基体の上に、基体表面と極めて強固
に密着し、基板表面方向にもシリコン同志が酸素
を介して強固に結合した単分子又は単分子累積膜
状の保護膜をピンホール無く、均一厚みで、非常
に薄く得ることができる。従つて、本発明は表面
保護を必要とする基体の保護作用の向上に大きく
寄与するものである。
第１図〜第６図は本発明の一実施例における磁
気記録媒体の構造とその製造の図であり、第１図
は同磁気記録媒体の概略断面図、第２図〜第６図
は第１図中〇印Ａ部を分子レベルまで拡大した工
程図である。 １……媒体基体、２……磁気記録層、３……保
護膜、４，４′……単分子膜。
気記録媒体の構造とその製造の図であり、第１図
は同磁気記録媒体の概略断面図、第２図〜第６図
は第１図中〇印Ａ部を分子レベルまで拡大した工
程図である。 １……媒体基体、２……磁気記録層、３……保
護膜、４，４′……単分子膜。
Claims (1)
- １ 表面に酸素を含む基体表面に、炭素を主成分
とし結合用原子としてシリコンを含むトリクロロ
シラン界面活性剤を化学吸着させ、前記活性剤の
シリコンと前記基体表面の酸素を共有結合させる
とともに前記シリコン同志が酸素を介して共有結
合された単分子又は単分子累積膜を形成すること
を特徴とする保護膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2054988A JPS6470917A (en) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | Recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2054988A JPS6470917A (en) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | Recording medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6470917A JPS6470917A (en) | 1989-03-16 |
| JPH0516087B2 true JPH0516087B2 (ja) | 1993-03-03 |
Family
ID=12030231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2054988A Granted JPS6470917A (en) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | Recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6470917A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04298817A (ja) * | 1991-02-05 | 1992-10-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| TW470861B (en) * | 1996-08-26 | 2002-01-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Chemical adsorption film, method of manufacturing the same, and chemical absorption solution used for the same |
| US5948476A (en) | 1996-11-08 | 1999-09-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for producing molecular film |
| US6485785B1 (en) | 1999-08-31 | 2002-11-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Coating film, and method and apparatus for producing the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5630609A (en) * | 1979-08-21 | 1981-03-27 | Kosaka Kenkyusho:Kk | Polar coordinate recorder |
| JPS6148124A (ja) * | 1984-08-14 | 1986-03-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1988
- 1988-01-29 JP JP2054988A patent/JPS6470917A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5630609A (en) * | 1979-08-21 | 1981-03-27 | Kosaka Kenkyusho:Kk | Polar coordinate recorder |
| JPS6148124A (ja) * | 1984-08-14 | 1986-03-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6470917A (en) | 1989-03-16 |
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