JPH022221B2 - - Google Patents
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- JPH022221B2 JPH022221B2 JP59243677A JP24367784A JPH022221B2 JP H022221 B2 JPH022221 B2 JP H022221B2 JP 59243677 A JP59243677 A JP 59243677A JP 24367784 A JP24367784 A JP 24367784A JP H022221 B2 JPH022221 B2 JP H022221B2
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- silane surfactant
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/18—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping
- B05D1/185—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping applying monomolecular layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
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- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31652—Of asbestos
- Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、記録媒体およびその製造方法に関す
るものである。さらに詳しくは、磁気テープ、磁
気デイスク、磁気カード、光磁気デイスク等の記
録媒体の記録層の保護膜形成方法に関するもので
ある。
るものである。さらに詳しくは、磁気テープ、磁
気デイスク、磁気カード、光磁気デイスク等の記
録媒体の記録層の保護膜形成方法に関するもので
ある。
従来例の構成とその問題点
従来より、磁気記録媒体には、大きく別けて塗
布型と蒸着型がある。
布型と蒸着型がある。
塗布型の磁気記録媒体では、一般にFe2O3やCo
を添加したγ−Fe2O3等の磁性粉末をポリビニー
ル、ブチラール、トリエン、メチルイソブチルケ
トン等に混合分散して塗料化し、媒体基体表面に
４〜5μｍの厚みで塗布する方法であるが、この
方法では製造が容易な半面、磁性粉末を小さくす
ることに限界があり、高密度記録用としては性能
が不十分であつた。
を添加したγ−Fe2O3等の磁性粉末をポリビニー
ル、ブチラール、トリエン、メチルイソブチルケ
トン等に混合分散して塗料化し、媒体基体表面に
４〜5μｍの厚みで塗布する方法であるが、この
方法では製造が容易な半面、磁性粉末を小さくす
ることに限界があり、高密度記録用としては性能
が不十分であつた。
一方、蒸着型の磁気記録媒体では、記録密度は
塗布型に比べ良くなるが、磁性金属層が表面に出
ているため耐久性に問題がある。そこで、1000〜
2000Åの金属を電子ビームやスパツタ法で蒸着し
た上へ、オーバーコートを行い、さらに磁気記録
媒体表面に潤滑性を与えるために滑剤を塗布して
いるが、まだ十分な耐久性が得られていない現状
である。さらに、オーバーコートや滑剤の塗布を
薄く均一に行えないため、記録用の磁気ヘツドと
記録層のギヤプが大きくなり、蒸着型本来の高密
度記録が十分発揮できない状況である。
塗布型に比べ良くなるが、磁性金属層が表面に出
ているため耐久性に問題がある。そこで、1000〜
2000Åの金属を電子ビームやスパツタ法で蒸着し
た上へ、オーバーコートを行い、さらに磁気記録
媒体表面に潤滑性を与えるために滑剤を塗布して
いるが、まだ十分な耐久性が得られていない現状
である。さらに、オーバーコートや滑剤の塗布を
薄く均一に行えないため、記録用の磁気ヘツドと
記録層のギヤプが大きくなり、蒸着型本来の高密
度記録が十分発揮できない状況である。
発明の目的
以上述べてきた従来法の欠点に鑑み、本発明の
目的は、オーバーコートや滑剤をより薄く均一に
且つピンホール無く行う方法を提供し、蒸着型磁
気記録媒体等の高密度記録媒体の信頼性を向上さ
せると共に高密度記録を実行することにある。
目的は、オーバーコートや滑剤をより薄く均一に
且つピンホール無く行う方法を提供し、蒸着型磁
気記録媒体等の高密度記録媒体の信頼性を向上さ
せると共に高密度記録を実行することにある。
発明の構成
本発明は、媒体基体上に形成された記録層の上
へ、シラン界面活性剤を化学吸着させ、活性剤の
シリコンと記録層上の酸素とを化学結合させて単
分子膜又は単分子累積膜の保護層を形成する方
法、さらに、前記保護膜表面に反応性基を付加さ
せておき、膜形成後エネルギービーム（光、電子
ビーム、Ｘ線、γ線、イオンビーム等）を照射あ
るいはプラズマ処理を行うこと等により安定化さ
せる方法を用いて記録媒体を製造するものであ
る。
へ、シラン界面活性剤を化学吸着させ、活性剤の
シリコンと記録層上の酸素とを化学結合させて単
分子膜又は単分子累積膜の保護層を形成する方
法、さらに、前記保護膜表面に反応性基を付加さ
せておき、膜形成後エネルギービーム（光、電子
ビーム、Ｘ線、γ線、イオンビーム等）を照射あ
るいはプラズマ処理を行うこと等により安定化さ
せる方法を用いて記録媒体を製造するものであ
る。
実施例の説明
以下、実施例を第１〜６図を用いて説明する。
例えば、第１図に示すように、磁気記録用デイス
ク基板（媒体基体）１はスパツタ蒸着等により形
成された磁気記録層（Fe−Ni、Ni−C2……等の
磁性金属や磁性金属酸化膜）２が形成された後、
全面化学吸着法によりシラン界面活性剤を吸着さ
せてシラン界面活性剤よりなる単分子の保護膜３
を形成する。例えば、シラン界面活性剤として
CH2＝CH−（CH2）o−SiCl3（ｎ：整数、10〜20が
程度が最も扱いやすい）を用い、２×10-3〜5.0
×10-2Mol／程度の濃度で溶した80％ｎ−ヘキ
サン、12％四塩化炭素、８％クロロホルム溶液を
調整し、前記磁気記録層の形成された媒体基体を
浸漬すると、磁気記録層として蒸着された金属表
面はナチユラルオキサイドが形成されているので
その酸素と活性剤中のシリコンが化学結合し、 CH2＝CH−（CH2）o− Ｏ− ｜ Si ｜ Ｏ−−ｏ− の極めて強固な結合が生成され、シラン界面活性
剤による単分子膜４よりなる極めて薄いピンホー
ルのない均一な厚みの保護膜３が一層（20〜30Å
の厚み）極めて強固な膜として形成される（第２
図）。
例えば、第１図に示すように、磁気記録用デイス
ク基板（媒体基体）１はスパツタ蒸着等により形
成された磁気記録層（Fe−Ni、Ni−C2……等の
磁性金属や磁性金属酸化膜）２が形成された後、
全面化学吸着法によりシラン界面活性剤を吸着さ
せてシラン界面活性剤よりなる単分子の保護膜３
を形成する。例えば、シラン界面活性剤として
CH2＝CH−（CH2）o−SiCl3（ｎ：整数、10〜20が
程度が最も扱いやすい）を用い、２×10-3〜5.0
×10-2Mol／程度の濃度で溶した80％ｎ−ヘキ
サン、12％四塩化炭素、８％クロロホルム溶液を
調整し、前記磁気記録層の形成された媒体基体を
浸漬すると、磁気記録層として蒸着された金属表
面はナチユラルオキサイドが形成されているので
その酸素と活性剤中のシリコンが化学結合し、 CH2＝CH−（CH2）o− Ｏ− ｜ Si ｜ Ｏ−−ｏ− の極めて強固な結合が生成され、シラン界面活性
剤による単分子膜４よりなる極めて薄いピンホー
ルのない均一な厚みの保護膜３が一層（20〜30Å
の厚み）極めて強固な膜として形成される（第２
図）。
なおこのとき、表面に並んだビニル基（CH2＝
CH−）５を、エネルギービーム（電子線、Ｘ
線、γ線、紫外線、イオン線等）で架橋６させる
ことにより、単分子膜４′を強化安定化できる
（第３図）。さらにまた、表面に並んだビニル基
は、CF4等のフツ素を含んだプラズマ中で処理す
ることにより、Ｆの付加７や架橋を同時に行うこ
とができ、表面の滑性を向上させることも可能で
ある（第４図）。
CH−）５を、エネルギービーム（電子線、Ｘ
線、γ線、紫外線、イオン線等）で架橋６させる
ことにより、単分子膜４′を強化安定化できる
（第３図）。さらにまた、表面に並んだビニル基
は、CF4等のフツ素を含んだプラズマ中で処理す
ることにより、Ｆの付加７や架橋を同時に行うこ
とができ、表面の滑性を向上させることも可能で
ある（第４図）。
一方、もう少し膜厚を厚くしたい場合には、単
分子膜４を一層形成させた後、室温でジボラン
1Mol／のTHF溶液を用い、単分子膜４の形成
された基板を浸漬し、さらにNaOH0.1Mol／
30％H2O2水溶液に浸漬することにより、単分子
膜４の表面のビニル基に水酸基（OH）８を付加
させることができ（第５図）、以下、同じ反応液
を用い化学吸着工程およびOH付加工程をくり返
すことにより単分子膜の累積を行い、必要な膜厚
を得ることができる（第６図）。
分子膜４を一層形成させた後、室温でジボラン
1Mol／のTHF溶液を用い、単分子膜４の形成
された基板を浸漬し、さらにNaOH0.1Mol／
30％H2O2水溶液に浸漬することにより、単分子
膜４の表面のビニル基に水酸基（OH）８を付加
させることができ（第５図）、以下、同じ反応液
を用い化学吸着工程およびOH付加工程をくり返
すことにより単分子膜の累積を行い、必要な膜厚
を得ることができる（第６図）。
なお、上記実施例では、磁気デイスクを例にし
て説明したが、磁気テープ、磁気カード、さらに
媒体基体にPMMA等の透明体を用いれば光磁気
記録媒体へ応用できることは言うまでもない。
て説明したが、磁気テープ、磁気カード、さらに
媒体基体にPMMA等の透明体を用いれば光磁気
記録媒体へ応用できることは言うまでもない。
また、本方法は、磁気記録媒体の保護膜形成以
外にも、光記録媒体や半導体素子の保護膜として
も応用可能である。
外にも、光記録媒体や半導体素子の保護膜として
も応用可能である。
発明の効果
以上述べてきた方法により、磁気記録媒体等の
表面に高密度の有機薄膜をピンホール無く、均一
厚みで、非常に薄く形成できる。従つて、基体が
磁気記録媒体等の場合、記録再生ヘツドの効率が
向上し、ノイズも減少でき、効果大なるものであ
る。すなわち、本発明の方法により基体表面に超
薄膜をコートすることにより、ピンホールフリー
で均一膜厚の有機薄膜が得られ、しかも、さらに
その有機薄膜をプラズマやエネルギービームで照
射重合させることにより緻密な膜とすることがで
きる。さらにまたフツ素を含むガス中でプラズマ
処理することにより有機薄膜表面に滑性を持たせ
ることができ、ヘツドの滑り性の向上すなわち、
耐磨耗性上効果大なるものである。
表面に高密度の有機薄膜をピンホール無く、均一
厚みで、非常に薄く形成できる。従つて、基体が
磁気記録媒体等の場合、記録再生ヘツドの効率が
向上し、ノイズも減少でき、効果大なるものであ
る。すなわち、本発明の方法により基体表面に超
薄膜をコートすることにより、ピンホールフリー
で均一膜厚の有機薄膜が得られ、しかも、さらに
その有機薄膜をプラズマやエネルギービームで照
射重合させることにより緻密な膜とすることがで
きる。さらにまたフツ素を含むガス中でプラズマ
処理することにより有機薄膜表面に滑性を持たせ
ることができ、ヘツドの滑り性の向上すなわち、
耐磨耗性上効果大なるものである。
以上述べてきた実施例は、基体として磁気記録
媒体を用いて説明してきたが、光デイスク、レコ
ード等耐磨耗性を向上したり、表面保護を目的と
する全てのものに使用できることは明らかであ
る。
媒体を用いて説明してきたが、光デイスク、レコ
ード等耐磨耗性を向上したり、表面保護を目的と
する全てのものに使用できることは明らかであ
る。
なお、化学吸着用の材料として、ジアセチレン
系の誘導体〔例えば CH2＝CH−（CH2）o−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ −（CH2）n−Sicl3 （ｎ、ｍ：整数）等〕を用いた場合には、紫外線
照射により架橋を生成させ面方向の導電性を持た
すことができ、基体表面の帯電を防止することも
可能である。
系の誘導体〔例えば CH2＝CH−（CH2）o−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ −（CH2）n−Sicl3 （ｎ、ｍ：整数）等〕を用いた場合には、紫外線
照射により架橋を生成させ面方向の導電性を持た
すことができ、基体表面の帯電を防止することも
可能である。
第１図〜第６図は本発明の方法を説明するため
の磁気記録媒体断面図を示し、第１図は概念図、
第２図〜第６図は第１図中〇印Ａ部を分子レベル
まで拡大した工程断面図である。 １……媒体基体、２……磁気記録層、３……保
護膜、５……単分子膜。
の磁気記録媒体断面図を示し、第１図は概念図、
第２図〜第６図は第１図中〇印Ａ部を分子レベル
まで拡大した工程断面図である。 １……媒体基体、２……磁気記録層、３……保
護膜、５……単分子膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 媒体基体表面に記録層を形成する工程と、シ
ラン界面活性剤を化学吸着させ、前記活性剤のシ
リコンと記録層上の酸素を化学結合させて、単分
子膜又は単分子累積膜よりなる保護膜を形成する
工程を含む記録媒体の製造方法。 ２ シラン界面活性剤として、CH2＝CH−
（CH2）o−SiCl3（ｎ：整数）で表わされる化学物
質を用い、化学吸着後、前記シラン界面活性剤の
それぞれのビニル基を架橋反応させて安定化する
工程を含む特許請求の範囲第１項記載の記録媒体
の製造方法。 ３ エネルギービーム照射又はフツ素を含むガス
中でブラズマ処理して安定化させる特許請求の範
囲第２項記載の記録媒体の製造方法。 ４ シラン界面活性剤として、CH2＝CH−
（CH2）o−SiCl3（ｎ：整数）を用い、１層化学吸
着を行つた後、ジボランおよびアルカリ性過酸化
水素に浸漬し前記シラン界面活性剤のビニル基に
水酸基を付加させてさらにシラン界面活性剤を化
学吸着させる工程を複数回くり返す特許請求の範
囲第１項記載の記録媒体の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59243677A JPS61122925A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | 記録媒体の製造方法 |
| US06/799,451 US4761316A (en) | 1984-11-19 | 1985-11-18 | Recording medium and method of producing the same |
| US07/423,636 US4992316A (en) | 1984-11-19 | 1989-10-20 | Recording medium and method of producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59243677A JPS61122925A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | 記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61122925A JPS61122925A (ja) | 1986-06-10 |
| JPH022221B2 true JPH022221B2 (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=17107343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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