JP2912694B2 - 記録再生装置 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は記録再生装置に関し、特に記録媒体又は記録
あるいは再生ヘッドに関する。さらに詳しくは、磁気テ
ープ、磁気ディスク、磁気カード、光磁気ディスク等の
磁気記録媒体、及び記録再生用ヘッドの記録再生部、す
なわちアナログ信号を記録するVTRやデジタル信号を記
録したり消去したりする磁気ディスク用の磁気記録ヘッ
ド、光磁気記録用の光磁気記録ヘッドあるいは光ヘッド
等の記録ヘッドに関する。
あるいは再生ヘッドに関する。さらに詳しくは、磁気テ
ープ、磁気ディスク、磁気カード、光磁気ディスク等の
磁気記録媒体、及び記録再生用ヘッドの記録再生部、す
なわちアナログ信号を記録するVTRやデジタル信号を記
録したり消去したりする磁気ディスク用の磁気記録ヘッ
ド、光磁気記録用の光磁気記録ヘッドあるいは光ヘッド
等の記録ヘッドに関する。
従来の技術 従来より、磁気記録媒体には、大きく分けて塗布型と
蒸着型がある。
蒸着型がある。
塗布型の磁気記録媒体では、一般にFe2O3やCoを添加
したγ−Fe2O3等の磁性粉末を例えばポリビニール・ブ
チラール、トルエン、メチルイソブチル等のに混合物に
混合分散して塗料化し、媒体基体表面に４〜５μｍの厚
みで塗布する方法である。
したγ−Fe2O3等の磁性粉末を例えばポリビニール・ブ
チラール、トルエン、メチルイソブチル等のに混合物に
混合分散して塗料化し、媒体基体表面に４〜５μｍの厚
みで塗布する方法である。
また、VTRやフロッピーディスク等の記録用ヘッドの
製造は、セラミック基体の表面に磁性膜を蒸着し、さら
にもう一つのセラミックを接着し、媒体と接触する部分
を研磨した後切断する方法が一般に用いられている。
製造は、セラミック基体の表面に磁性膜を蒸着し、さら
にもう一つのセラミックを接着し、媒体と接触する部分
を研磨した後切断する方法が一般に用いられている。
発明が解決しようとする課題 前述の塗布型記録媒体の製造方法では製造が容易であ
る反面、磁性粉末を小さくすることに限界があり、高密
度記録用としては性能が不十分であった。
る反面、磁性粉末を小さくすることに限界があり、高密
度記録用としては性能が不十分であった。
また、蒸着型の記録媒体では、記録密度は塗布型に比
べ良くなるが、磁性金属層が表面に出ているため耐久性
に問題がある。そこで、1000〜2000Åの磁性金属を電子
ベームやスッパタ法で蒸着した上へ、オーバーコートを
行い、さらに磁気記録媒体表面に潤滑性を与えるために
滑剤を塗布しているが、まだ十分な耐久性が得られてい
ない現状である。
べ良くなるが、磁性金属層が表面に出ているため耐久性
に問題がある。そこで、1000〜2000Åの磁性金属を電子
ベームやスッパタ法で蒸着した上へ、オーバーコートを
行い、さらに磁気記録媒体表面に潤滑性を与えるために
滑剤を塗布しているが、まだ十分な耐久性が得られてい
ない現状である。
さらに、オーバーコートや滑剤の塗布を薄く均一に行
えないため、記録用磁気ヘッドと記録層のギャップが大
きくなり、蒸着型本来の高密度記録が十分発揮できない
で、5.25インチ基板で20Mビット程度の記録度に留まっ
ている。
えないため、記録用磁気ヘッドと記録層のギャップが大
きくなり、蒸着型本来の高密度記録が十分発揮できない
で、5.25インチ基板で20Mビット程度の記録度に留まっ
ている。
一方、記録読み取り用ヘッドでは、記録媒体と接触す
る部分の研磨は行われているが、耐摩耗性を目的とした
特別な表面処理は行われていなかった。ただ、セラミッ
クスの材質などを変えて耐摩耗性を向上させていたに過
ぎない。
る部分の研磨は行われているが、耐摩耗性を目的とした
特別な表面処理は行われていなかった。ただ、セラミッ
クスの材質などを変えて耐摩耗性を向上させていたに過
ぎない。
従って、従来の記録ヘッドは記録媒体に対して損傷が
大きく、また摩耗も激しく信頼性に乏しかった。
大きく、また摩耗も激しく信頼性に乏しかった。
以上述べてきた従来法の欠点に鑑み、本発明の目的
は、オーバーコートや滑剤をより薄く均一に、且つピン
ホールが無い記録媒体を提供し、蒸着型磁気記録媒体の
耐摩耗性を改良し信頼性を向上させると共に高密度記録
を実現し、また、滑剤をより薄く均一に、且つピンホー
ル無く記録再生ヘッド上に形成し、記録媒体に対する損
傷を少なくすると共に記録再生ヘッド自体の耐摩耗性を
改良し信頼性を向上した記録再生装置を提供することに
ある。
は、オーバーコートや滑剤をより薄く均一に、且つピン
ホールが無い記録媒体を提供し、蒸着型磁気記録媒体の
耐摩耗性を改良し信頼性を向上させると共に高密度記録
を実現し、また、滑剤をより薄く均一に、且つピンホー
ル無く記録再生ヘッド上に形成し、記録媒体に対する損
傷を少なくすると共に記録再生ヘッド自体の耐摩耗性を
改良し信頼性を向上した記録再生装置を提供することに
ある。
課題を解決するための手段 本発明は、記録媒体、この記録媒体に記録信号の授受
を行う記録もしくは再生ヘッド及び記録信号の授受を扱
う機構部及び回路部を具備に、記録媒体もしくは前記ヘ
ッドの何れかの表層に、金属膜、金属酸化膜、半導体
膜、半導体酸化膜、あるいは単層または複数層の有機単
分子膜よりなる保護膜を介して F(CF2)m(CH2)nA(CH2)pSi(CH3)qX3-q （式中ｍ＝１〜８、ｎ＝０〜２、ｐ＝５〜25、ｑ＝０〜
２の各整数を示し、Ｘはハロゲン原子あるいはアルコキ
シ基を表わし、Ａは酸素原子（−Ｏ−）、カルボキシ基
（−COO−）、あるいはジメチルシリレン基（-Si(CH3)2
-）を表わす。） で表わされるシラン界面活性剤が化学結合してなる単分
子膜を、少なくとも１層形成された記録再生装置によ
り、上述の課題を解決した。
を行う記録もしくは再生ヘッド及び記録信号の授受を扱
う機構部及び回路部を具備に、記録媒体もしくは前記ヘ
ッドの何れかの表層に、金属膜、金属酸化膜、半導体
膜、半導体酸化膜、あるいは単層または複数層の有機単
分子膜よりなる保護膜を介して F(CF2)m(CH2)nA(CH2)pSi(CH3)qX3-q （式中ｍ＝１〜８、ｎ＝０〜２、ｐ＝５〜25、ｑ＝０〜
２の各整数を示し、Ｘはハロゲン原子あるいはアルコキ
シ基を表わし、Ａは酸素原子（−Ｏ−）、カルボキシ基
（−COO−）、あるいはジメチルシリレン基（-Si(CH3)2
-）を表わす。） で表わされるシラン界面活性剤が化学結合してなる単分
子膜を、少なくとも１層形成された記録再生装置によ
り、上述の課題を解決した。
作用 記録媒体表面にフッ素およびジメチルシリレンまたは
酸素原子またはカルボキシを含むクロロシラン系界面活
性剤を化学吸着させることで、保護膜が記録媒体と強固
に付着するため、及びフッ素の滑性及び溌水性があるた
め磁気記録媒体の信頼性を向上させると共に、蒸着型記
録媒体自体が本来有する高密度記録を実現できる作用が
ある。
酸素原子またはカルボキシを含むクロロシラン系界面活
性剤を化学吸着させることで、保護膜が記録媒体と強固
に付着するため、及びフッ素の滑性及び溌水性があるた
め磁気記録媒体の信頼性を向上させると共に、蒸着型記
録媒体自体が本来有する高密度記録を実現できる作用が
ある。
また、記録再生用ヘッドの表面に、単分子保護膜ある
いは複数層の単分子保護膜が互いに層間で化学結合した
状態の有機薄膜を高密度でピンホール無く、かつ均一な
厚みで、非常に薄く形成されているので、記録或は再生
ヘッドの効率が向上し、ノイズも減少できる作用があ
る。
いは複数層の単分子保護膜が互いに層間で化学結合した
状態の有機薄膜を高密度でピンホール無く、かつ均一な
厚みで、非常に薄く形成されているので、記録或は再生
ヘッドの効率が向上し、ノイズも減少できる作用があ
る。
さらに単分子有機薄膜表面にフッ素を含ませることに
より、保護膜に滑性を持たせることができ、ヘッドの滑
り性が向上できる作用もある。
より、保護膜に滑性を持たせることができ、ヘッドの滑
り性が向上できる作用もある。
また、直鎖状のシラン系界面活性剤分子内に、ジメチ
ルシリレンまたは酸素元子またはカルボキシを含ませて
おくことで、単分子膜内でのシラン系界面活性剤分子の
自由度を向上させることができ、吸着された単分子膜の
耐摩耗性を大幅に向上できる作用もある。
ルシリレンまたは酸素元子またはカルボキシを含ませて
おくことで、単分子膜内でのシラン系界面活性剤分子の
自由度を向上させることができ、吸着された単分子膜の
耐摩耗性を大幅に向上できる作用もある。
実施例 本発明は、記録媒体あるいは記録ヘッドに設けた保護
膜に特徴があり、記録装置の記録媒体を走査する機構及
び記録あるいは再生用の回路等は、特に限定するもので
はない。従って本発明の特徴の中心部である記録媒体は
もしくは記録ヘッドについて詳細に説明する。
膜に特徴があり、記録装置の記録媒体を走査する機構及
び記録あるいは再生用の回路等は、特に限定するもので
はない。従って本発明の特徴の中心部である記録媒体は
もしくは記録ヘッドについて詳細に説明する。
以下、本発明の記録媒体の一実施例を、第１図〜第９
図を用いて説明する。
図を用いて説明する。
第１図に示すように、例えば磁気記録用ディスク基板
（媒体基体）１上にスッパタ法等により磁気記録層２
（例えばFe−Ni、Ni−Co等の磁性金属や磁性金属酸化
膜）を、1,000Å形成する。
（媒体基体）１上にスッパタ法等により磁気記録層２
（例えばFe−Ni、Ni−Co等の磁性金属や磁性金属酸化
膜）を、1,000Å形成する。
その後、さらにスパッタ蒸着法で、例えば炭素（Ｃ）
等の保護膜、例えばCr、Mn、Ｗ、Mo、Ti等の金属薄膜、
例えばCr2O3、MnO2、WO3、Mo2O3、Ti2O3等の金属酸化膜、た
とえばSi、SiC等の半導体膜、あるいは例えばSiO2（な
お、この場合は、蒸着の外、塗布ガラスである有機Si化
合物を用い塗布した後、熱処理でSiO2膜を作成してもよ
い。）等の半導体酸化膜を200Å程度蒸着形成した後、
酸素を含むプラズマガス雰囲気、あるいはオゾン発生器
よりとりだした10％程度のオゾンを含むガス雰囲気中に
10分程度曝する。このとき、オゾンガスに保護膜３が曝
されることにより、保護膜表面は完全に酸化されて親水
性となり、後工程の化学吸着が完全に行えるようにな
る。
等の保護膜、例えばCr、Mn、Ｗ、Mo、Ti等の金属薄膜、
例えばCr2O3、MnO2、WO3、Mo2O3、Ti2O3等の金属酸化膜、た
とえばSi、SiC等の半導体膜、あるいは例えばSiO2（な
お、この場合は、蒸着の外、塗布ガラスである有機Si化
合物を用い塗布した後、熱処理でSiO2膜を作成してもよ
い。）等の半導体酸化膜を200Å程度蒸着形成した後、
酸素を含むプラズマガス雰囲気、あるいはオゾン発生器
よりとりだした10％程度のオゾンを含むガス雰囲気中に
10分程度曝する。このとき、オゾンガスに保護膜３が曝
されることにより、保護膜表面は完全に酸化されて親水
性となり、後工程の化学吸着が完全に行えるようにな
る。
次に、フッ素を含まないシラン界面活性剤として CH2＝CH-(CH2)n-SiCl3 （ｎは整数で、10〜20程度が最も扱いやすい）を用い、
例えば３×10-3〜５×10-2Mo1/1程度の濃度で溶かした8
0％ｎ−ヘキサデカン、12％四塩化炭素、８％クロロホ
ルム溶液を調整し、記録層が形成された媒体基体を浸漬
すると、第３図に示したように媒体保護膜３あるいはヘ
ッド本体４表面に形成された金属酸化物薄膜５は、表面
に水酸基を含んでいるため、クロロシラン系界面活性剤
のクロロシリル基と水酸基が反応して表面に の結合が生成され、ビニル基（CH2＝CH−）６を含んだ
単分子吸着膜７が一層、酸素原子を介して化学結合した
形で20〜30Åの厚みの保護膜が形成される。
例えば３×10-3〜５×10-2Mo1/1程度の濃度で溶かした8
0％ｎ−ヘキサデカン、12％四塩化炭素、８％クロロホ
ルム溶液を調整し、記録層が形成された媒体基体を浸漬
すると、第３図に示したように媒体保護膜３あるいはヘ
ッド本体４表面に形成された金属酸化物薄膜５は、表面
に水酸基を含んでいるため、クロロシラン系界面活性剤
のクロロシリル基と水酸基が反応して表面に の結合が生成され、ビニル基（CH2＝CH−）６を含んだ
単分子吸着膜７が一層、酸素原子を介して化学結合した
形で20〜30Åの厚みの保護膜が形成される。
さらに、酸素あるいはN2を含んだ雰囲気中でこの媒体
基体あるいはヘッドをエネルギー線（電子線、Ｘ線、γ
線、紫外線、イオン線）で3Mrad程度照射し、ビニル基
部６に水酸（−OH）基８（第４図）あるいはアミノ（−
NH2）基９（第５図）を付加させる。
基体あるいはヘッドをエネルギー線（電子線、Ｘ線、γ
線、紫外線、イオン線）で3Mrad程度照射し、ビニル基
部６に水酸（−OH）基８（第４図）あるいはアミノ（−
NH2）基９（第５図）を付加させる。
なお、これらの官能基がビニル基に付加することは、
FTIR分析により確認された。
FTIR分析により確認された。
また、このとき表面に並んだビニル基は、O2やN2を含
んだプラズマ中で処理する方法でも、−OH基や−NH2基
を付加させた単分子膜７−１（第４図）および７−２
（第５図）を形成する。
んだプラズマ中で処理する方法でも、−OH基や−NH2基
を付加させた単分子膜７−１（第４図）および７−２
（第５図）を形成する。
最後に、化学吸着試薬として一般式 F(CF2)m(CH2)nA(CH2)pSi(CH3)qX3-q （式中ｍ＝１〜８、ｎ＝０〜２、ｐ＝５〜25、ｑ＝０〜
２の各整数を示し、Ｘはハロゲン原子あるいはアルコキ
シ基を表わし、Ａは酸素原子（−Ｏ−）、カルボキシ基
（−COO−）、あるいはジメチルシリレン基（-Si(CH3)2
-）を表わす。）で表わされるフッ素を含むシラン界面
活性剤、例えば、 CF3CH2O(CH2)15SiCl3 を用い、２×10-3〜５×10-2Mol/1程度の濃度で溶かし
た80％ｎ−ヘキサデカン、12％四塩化炭素、８％クロロ
ホルム溶液を調整し、前記単分子膜７−１もしくは７−
２が形成された媒体基体やヘッドを浸漬すると、第４図
あるいは第５図に示したように表面に−OH基や−NH2基
が露出しているため、フッ素を含むクロロシラン系界面
活性剤のクロロシリル基と−OH基あるいは−NH2基が反
応して、表面に の結合が生成され、 磁気記録媒体やヘッドの表面にフッ素を含む単分子吸着
膜10が、下層の単分子膜と層間で化学結合した状態の高
密度な単分子累積膜11（即ち滑性膜12（第１図及び第２
図）を得ることができる。（第４図及び第５図） なお、記録媒体の保護膜３と滑性膜12との間、あるい
はヘッドの金属酸化物薄膜５と滑性膜12との間に単分子
膜を必要としない場合には、第１回目の吸着でフッ素お
よびジメチルシリレンまたは酸素原子またはカルボキシ
を含むシラン界面活性剤を用いれば、表面にフッ素を含
む単分子吸着膜のみ１層形成することができる。
２の各整数を示し、Ｘはハロゲン原子あるいはアルコキ
シ基を表わし、Ａは酸素原子（−Ｏ−）、カルボキシ基
（−COO−）、あるいはジメチルシリレン基（-Si(CH3)2
-）を表わす。）で表わされるフッ素を含むシラン界面
活性剤、例えば、 CF3CH2O(CH2)15SiCl3 を用い、２×10-3〜５×10-2Mol/1程度の濃度で溶かし
た80％ｎ−ヘキサデカン、12％四塩化炭素、８％クロロ
ホルム溶液を調整し、前記単分子膜７−１もしくは７−
２が形成された媒体基体やヘッドを浸漬すると、第４図
あるいは第５図に示したように表面に−OH基や−NH2基
が露出しているため、フッ素を含むクロロシラン系界面
活性剤のクロロシリル基と−OH基あるいは−NH2基が反
応して、表面に の結合が生成され、 磁気記録媒体やヘッドの表面にフッ素を含む単分子吸着
膜10が、下層の単分子膜と層間で化学結合した状態の高
密度な単分子累積膜11（即ち滑性膜12（第１図及び第２
図）を得ることができる。（第４図及び第５図） なお、記録媒体の保護膜３と滑性膜12との間、あるい
はヘッドの金属酸化物薄膜５と滑性膜12との間に単分子
膜を必要としない場合には、第１回目の吸着でフッ素お
よびジメチルシリレンまたは酸素原子またはカルボキシ
を含むシラン界面活性剤を用いれば、表面にフッ素を含
む単分子吸着膜のみ１層形成することができる。
また、複数層の単分子膜を必要とする場合には、吸着
試薬として例えばCH2＝CH-(CH2)n-SiCl3を用い、化学吸
着と放射線照射の工程を繰り返し、最後に吸着試薬とし
てフッ素を含むクロロシラン系界面活性剤を吸着すれ
ば、必要とする層数の単分子膜を介して表面にフッ素を
含む単分子吸着膜を１層形成した滑性膜が得られる。
試薬として例えばCH2＝CH-(CH2)n-SiCl3を用い、化学吸
着と放射線照射の工程を繰り返し、最後に吸着試薬とし
てフッ素を含むクロロシラン系界面活性剤を吸着すれ
ば、必要とする層数の単分子膜を介して表面にフッ素を
含む単分子吸着膜を１層形成した滑性膜が得られる。
なお、上記実施例では、最表面に形成すべきフッ素お
よびジメチルシリレンまたは酸素原子またはカルボキシ
を含む単分子吸着膜作成用の試薬として CF3CH2O(CH2)15-SiCl3 を用いたが、本発明はこれ以外にも CF3(CH2)2Si(CH3)2(CH2)15-SiCl3 F(CF2)4(CH2)2Si(CH3)2(CH2)9SiCl3 CF3COO(CH2)15SiCl3 等が利用できた。
よびジメチルシリレンまたは酸素原子またはカルボキシ
を含む単分子吸着膜作成用の試薬として CF3CH2O(CH2)15-SiCl3 を用いたが、本発明はこれ以外にも CF3(CH2)2Si(CH3)2(CH2)15-SiCl3 F(CF2)4(CH2)2Si(CH3)2(CH2)9SiCl3 CF3COO(CH2)15SiCl3 等が利用できた。
次に、吸着形成した単分子膜の表面エネルギーを測定
した結果を第８図に示す。
した結果を第８図に示す。
第８図より明らかなように、フッ素の数が多くなるほ
ど表面エネルギーが小さくなることが判った。
ど表面エネルギーが小さくなることが判った。
なお第８図中、 F17はF(CF2)sSi(CH3)2(CH2)9SiCl3 F9はF(CF2)4(CH2)2O(CH2)15SiCl3 F3はCF3COO(CH2)15SiCl3 NTSはCH3(CH2)19SiCl3、 でそれぞれ作成された吸着単分子膜を示す。
さらに、耐摩耗性の評価結果を第９図に示す。
第９図より明らかなように、フッ素の数が多くジメチ
ルシリレンまたは酸素原子またはカルボキシを含む単分
子吸着膜が、耐摩耗性が高いことが判った。
ルシリレンまたは酸素原子またはカルボキシを含む単分
子吸着膜が、耐摩耗性が高いことが判った。
なお第９図においても、 F17はF(CF2)sSi(CH3)2(CH2)9SiCl3、 F9はF(CF2)4(CH2)2O(CH2)15SiCl3 F3はCF3COO(CH2)15SiCl3 NTSはCH3(CH2)19SiCl3、 でそれぞれ作成された吸着単分子膜を示す。
なお、上記実施例では、磁気ディスクやヘッドを例に
して説明したが、磁気記録媒体や記録用ヘッドの保護膜
形成以外にも、光記録媒体や光ディスク用のレーザヘッ
ド、レコード針等の耐摩耗性を向上したり、その他表面
保護を目的とする全ての記録媒体やヘッド、或はそれら
を用いたアナログやデジタル信号等の電気信号を記録す
るVTR、磁気ディスク装置、光磁気ディスク装置等に等
に本発明の基本思想は応用できる。
して説明したが、磁気記録媒体や記録用ヘッドの保護膜
形成以外にも、光記録媒体や光ディスク用のレーザヘッ
ド、レコード針等の耐摩耗性を向上したり、その他表面
保護を目的とする全ての記録媒体やヘッド、或はそれら
を用いたアナログやデジタル信号等の電気信号を記録す
るVTR、磁気ディスク装置、光磁気ディスク装置等に等
に本発明の基本思想は応用できる。
発明の効果 以上述べてきたように、本発明の記録再生装置は、記
録媒体表面又は記録もしくは再生ヘッド表面に、F(CF2)
m(CH2)nA(CH2)pSi(CH3)qX3-qで表わされるシラン界面活
性剤が化学結合してなる単分子膜を、少なくとも１層形
成することで、単分子保護膜あるいは複数層の単分子保
護膜が互いに層間で化学結合した状態の有機薄膜を、高
密度でピンホール無く、かつ均一な厚みで、非常に薄く
形成できる。
録媒体表面又は記録もしくは再生ヘッド表面に、F(CF2)
m(CH2)nA(CH2)pSi(CH3)qX3-qで表わされるシラン界面活
性剤が化学結合してなる単分子膜を、少なくとも１層形
成することで、単分子保護膜あるいは複数層の単分子保
護膜が互いに層間で化学結合した状態の有機薄膜を、高
密度でピンホール無く、かつ均一な厚みで、非常に薄く
形成できる。
このとき、吸着用の直鎖状シラン系界面活性剤分子内
にジメチルシリレンまたは酸素原子またはカルボキシ含
ませておくことで、単分子膜内でのシラン系界面活性剤
分子の自由度を向上させることができ、吸着された単分
子膜の耐摩耗性を大幅に向上できる。
にジメチルシリレンまたは酸素原子またはカルボキシ含
ませておくことで、単分子膜内でのシラン系界面活性剤
分子の自由度を向上させることができ、吸着された単分
子膜の耐摩耗性を大幅に向上できる。
従って、磁気記録媒体としての性能を向上でき、ノイ
ズも減少できて効果大なるものである。
ズも減少できて効果大なるものである。
また、このヘッドを用いれば、磁気ディスクや磁気テ
ープ等の記録媒体に与える損傷を少なく押さえることが
できる効果もある。
ープ等の記録媒体に与える損傷を少なく押さえることが
できる効果もある。
従って、本願発明の記録媒体や記録読み取りヘッドを
アナログやデジタル信号を記録するVTR、磁気ディスク
装置、光磁気ディスク装置等に応用すれば、装置として
の性能も大幅に向上できる。
アナログやデジタル信号を記録するVTR、磁気ディスク
装置、光磁気ディスク装置等に応用すれば、装置として
の性能も大幅に向上できる。
第１図は本発明の記録装置に適応される記録媒体の一実
施例の概念断面図、第２図は本発明の記録装置に適応さ
れる記録もしくは再生ヘッドの一実施例の概念断面図、
第３図〜第７図は本発明の記録装置中の記録媒体あるい
はヘッドに適応される保護膜の一実施例の工程断面図、
第８図は本発明のフッ素を含む化学吸着膜と従来の化学
吸着膜との表面エネルギーの関係を示す図、第９図は本
発明のフッ素を含む化学吸着膜の摩擦係数と摩擦回数と
の関係を表わした図である。 １……媒体基体、２……磁気記録層、３……保護膜、４
……ヘッド本体、５……金属酸化膜薄膜、６……ビニル
基、７……単分子吸着膜、８……水酸基、９……アミノ
基、11……単分子累積膜、12……滑性膜。
施例の概念断面図、第２図は本発明の記録装置に適応さ
れる記録もしくは再生ヘッドの一実施例の概念断面図、
第３図〜第７図は本発明の記録装置中の記録媒体あるい
はヘッドに適応される保護膜の一実施例の工程断面図、
第８図は本発明のフッ素を含む化学吸着膜と従来の化学
吸着膜との表面エネルギーの関係を示す図、第９図は本
発明のフッ素を含む化学吸着膜の摩擦係数と摩擦回数と
の関係を表わした図である。 １……媒体基体、２……磁気記録層、３……保護膜、４
……ヘッド本体、５……金属酸化膜薄膜、６……ビニル
基、７……単分子吸着膜、８……水酸基、９……アミノ
基、11……単分子累積膜、12……滑性膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石原 俊信 東京都千代田区大手町２丁目６番１号 信越化学工業株式会社内 (72)発明者 遠藤 幹夫 東京都千代田区大手町２丁目６番１号 信越化学工業株式会社内 (72)発明者 久保田 透 東京都千代田区大手町２丁目６番１号 信越化学工業株式会社内 (72)発明者 田中 靖久 東京都千代田区大手町２丁目６番１号 信越化学工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭57−164430（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−150137（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/62 - 5/82 G11B 5/187 - 5/255 C10M 105/76,107/50, C10N 40:18
Claims (6)
- 【請求項１】記録媒体、前記記録媒体に記録媒体に記録
信号の授受を行う記録もしくは再生ヘッド及び前記記録
信号の授受を扱う機構部及び回路部を具備し、前記記録
媒体もしくは前記ヘッドの何れかの表面に、金属膜、金
属酸化膜、半導体膜、半導体酸化膜、あるいは単層また
は複数層の有機単分子膜よりなる保護膜を介して、 F(CF2)m(CH2)nA(CH2)pSi(CH3)qX3-q （式中ｍ＝１〜８、ｎ＝０〜２、ｐ＝５〜25、ｑ＝０〜
２の各整数を示し、Ｘはハロゲン原子あるいはアルコキ
シ基を表わし、Ａは酸素原子（−Ｏ−）、カルボキシ基
（−COO−）、あるいはジメチルシリレン基（-Si(CH3)2
-）を表わす。） で表わされるシラン界面活性剤が化学結合してなる単分
子膜が、少なくとも１層形成されていることを特徴とす
る記録再生装置。 - 【請求項２】単層または複数層の単分子保護膜と、シラ
ン界面活性剤とが化学結合してなる単分子膜が、互いに
層間で化学結合していることを特徴とした請求項１記載
の記録再生装置。 - 【請求項３】シラン界面活性剤が、 CF3(CH2)2Si(CH3)2(CH2)15SiCl3 であることを特徴とした請求項１または２に記載の記録
再生装置。 - 【請求項４】シラン界面活性剤が、 F(CF2)4(CH2)2Si(CH3)2(CH2)9SiCl3 であることを特徴とした請求項１または２に記載の記録
再生装置。 - 【請求項５】シラン界面活性剤が、 CF3CH2O(CH2)15SiCl3 であることを特徴とした請求項１または２に記載の記録
再生装置。 - 【請求項６】シラン界面活性剤が、 CF3COO(CH2)15SiCl3 であることを特徴とした請求項１または２に記載の記録
再生装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2237532A JP2912694B2 (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 記録再生装置 |
| DE69109978T DE69109978T2 (de) | 1990-09-07 | 1991-09-05 | Mit einer Fluor und Si-enthaltenden Gleit-Beschichtung überzogene Aufzeichnungs- und Wiedergabegevorrichtung. |
| EP91114994A EP0474228B1 (en) | 1990-09-07 | 1991-09-05 | A recording and reproducing device coated with a fluorine- and Si-containing lubricating film |
| US08/127,288 US5425988A (en) | 1990-09-07 | 1993-09-27 | Recording and reproducing device which includes a protective film and a monomolecular fluoro organo silicon film |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2237532A JP2912694B2 (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 記録再生装置 |
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| JP2912694B2 true JP2912694B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=17016733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2237532A Expired - Fee Related JP2912694B2 (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 記録再生装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
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| EP (1) | EP0474228B1 (ja) |
| JP (1) | JP2912694B2 (ja) |
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| DE69122212T2 (de) * | 1990-10-25 | 1997-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Durch chemische Adsorption laminierter monomolekularer Film und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE69211181T2 (de) * | 1991-02-27 | 1996-10-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Selbstschmierende Vorrichtung |
| DE69220717T2 (de) * | 1991-04-30 | 1997-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Chemisch adsorbierte Schicht und Verfahren zu deren Herstellung |
| EP0559119B1 (en) | 1992-03-02 | 2000-10-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chemically adsorbed film and method of manufacturing the same |
| JP2741823B2 (ja) * | 1992-05-27 | 1998-04-22 | 松下電器産業株式会社 | 表面処理剤及びその使用方法 |
| FR2694369A1 (fr) * | 1992-07-29 | 1994-02-04 | Lyon Ecole Centrale | Procédé de lubrification d'une pièce mécanique de frottement. |
| DE69310279T2 (de) * | 1992-07-29 | 1998-01-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Gleitfilm und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE4323115A1 (de) * | 1992-08-03 | 1994-02-10 | Philips Electronics Nv | Magnetkopf mit einer im wesentlichen Cr¶2¶O¶3¶-haltigen Schicht und Verfahren zum Herstellen eines derartigen Magnetkopfes |
| EP0606174A1 (fr) * | 1993-01-05 | 1994-07-13 | Elf Atochem S.A. | Solide muni d'une couche hydrophobe et oléophobe et procédé d'application de ladite couche |
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| TWI228538B (en) * | 2000-10-23 | 2005-03-01 | Kao Corp | Polishing composition |
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| AU2003221044A1 (en) * | 2002-03-26 | 2003-10-08 | Tdk Corporation | Article with composite hardcoat layer and method for forming composite hardcoat layer |
| DE10223359B4 (de) | 2002-05-25 | 2011-08-11 | Robert Bosch GmbH, 70469 | Mikromechanisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung einer Anti-Haftschicht auf einem mikromechanischen Bauteil |
| US8182868B2 (en) * | 2003-01-09 | 2012-05-22 | Maxtor Corporation | Encapsulation of particulate contamination |
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| US7758982B2 (en) * | 2005-09-02 | 2010-07-20 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | SiN overcoat for perpendicular magnetic recording media |
| US8257783B2 (en) | 2006-03-29 | 2012-09-04 | Wd Media (Singapore) Pte. Ltd. | Magnetic disk and method of manufacturing the same |
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| US9153256B2 (en) * | 2013-07-10 | 2015-10-06 | Seagate Technology Llc | Slider with self-assembled monolayer pattern |
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| US4120995A (en) * | 1977-10-18 | 1978-10-17 | International Business Machines Corporation | Process for bonding a durable low surface energy coating |
| EP0123707B1 (de) * | 1983-05-02 | 1987-10-21 | Ibm Deutschland Gmbh | Anordnung aus einer mit einem Schmierstoff versehenen Magnetplatte und einem Magnetkopf und Verfahren zum Herstellen der Anordnung |
| DE3337064C1 (de) * | 1983-10-12 | 1990-11-29 | Diehl Gmbh & Co | Differenzdruckkolben-Brennkammersystem fuer Rohrwaffen |
| US4529659A (en) * | 1983-11-05 | 1985-07-16 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation | Magnetic recording member and process for manufacturing the same |
| JPS61122925A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 記録媒体の製造方法 |
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1990
- 1990-09-07 JP JP2237532A patent/JP2912694B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-09-05 DE DE69109978T patent/DE69109978T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-09-05 EP EP91114994A patent/EP0474228B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-09-27 US US08/127,288 patent/US5425988A/en not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| US5425988A (en) | 1995-06-20 |
| DE69109978T2 (de) | 1995-09-21 |
| JPH04117621A (ja) | 1992-04-17 |
| EP0474228B1 (en) | 1995-05-24 |
| DE69109978D1 (de) | 1995-06-29 |
| EP0474228A1 (en) | 1992-03-11 |
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