JPH0836732A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH0836732A JPH0836732A JP17405594A JP17405594A JPH0836732A JP H0836732 A JPH0836732 A JP H0836732A JP 17405594 A JP17405594 A JP 17405594A JP 17405594 A JP17405594 A JP 17405594A JP H0836732 A JPH0836732 A JP H0836732A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐久性に富む磁気記録媒体を提供することで
ある。 【構成】 支持体上に磁性層及び保護層が順に設けられ
てなる磁気記録媒体であって、前記磁性層が金属薄膜型
の磁性層であり、そして前記磁性層と保護層との間に親
水性の基及び疎水性の基を持つ化合物を介在させてなる
磁気記録媒体。
ある。 【構成】 支持体上に磁性層及び保護層が順に設けられ
てなる磁気記録媒体であって、前記磁性層が金属薄膜型
の磁性層であり、そして前記磁性層と保護層との間に親
水性の基及び疎水性の基を持つ化合物を介在させてなる
磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体及びその
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
【０００２】
【発明の背景】磁気テープ等の磁気記録媒体には、非磁
性支持体であるフィルム上に磁性粉や潤滑剤をバインダ
と共に溶剤中に分散させた磁性塗料を塗布してなる塗布
型のものと、バインダを用いず、磁性金属粒子をフィル
ム上に堆積させてなる金属薄膜型のものとがある。
性支持体であるフィルム上に磁性粉や潤滑剤をバインダ
と共に溶剤中に分散させた磁性塗料を塗布してなる塗布
型のものと、バインダを用いず、磁性金属粒子をフィル
ム上に堆積させてなる金属薄膜型のものとがある。
【０００３】これらの中、金属薄膜型の磁気記録媒体
は、磁性層にバインダを含まないことから、磁性材料の
充填密度が高く、高密度記録に適したものであると言わ
れている。ところで、現在発売又は開発されている金属
薄膜型の磁気記録媒体は、図２に示される構成のものと
なっている。図２中、１１は厚さが２〜５０μｍのポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、１２は、
例えば真空蒸着法を用いて構成された厚さが１５００Å
のＣｏ−Ｎｉ（８０％−２０％）合金磁性膜、１３は保
護膜、１４は潤滑剤の膜、１５はバックコート層であ
る。
は、磁性層にバインダを含まないことから、磁性材料の
充填密度が高く、高密度記録に適したものであると言わ
れている。ところで、現在発売又は開発されている金属
薄膜型の磁気記録媒体は、図２に示される構成のものと
なっている。図２中、１１は厚さが２〜５０μｍのポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、１２は、
例えば真空蒸着法を用いて構成された厚さが１５００Å
のＣｏ−Ｎｉ（８０％−２０％）合金磁性膜、１３は保
護膜、１４は潤滑剤の膜、１５はバックコート層であ
る。
【０００４】すなわち、磁性膜１２を保護する為に、例
えばダイヤモンドライクカーボン等からなる保護膜１３
がＣＶＤ手段などにより設けられている。しかしなが
ら、このダイヤモンドライクカーボンからなる保護膜１
３と磁性膜１２との密着性が充分ではなく、耐久性に問
題のあることが判って来た。
えばダイヤモンドライクカーボン等からなる保護膜１３
がＣＶＤ手段などにより設けられている。しかしなが
ら、このダイヤモンドライクカーボンからなる保護膜１
３と磁性膜１２との密着性が充分ではなく、耐久性に問
題のあることが判って来た。
【０００５】
【発明の開示】本発明の目的は、耐久性に富む磁気記録
媒体を提供することである。この本発明の目的は、支持
体上に磁性層及び保護層が順に設けられてなる磁気記録
媒体であって、前記磁性層が金属薄膜型の磁性層であ
り、そして前記磁性層と保護層との間に親水性の基及び
疎水性の基を持つ化合物を介在させてなることを特徴と
する磁気記録媒体によって達成される。
媒体を提供することである。この本発明の目的は、支持
体上に磁性層及び保護層が順に設けられてなる磁気記録
媒体であって、前記磁性層が金属薄膜型の磁性層であ
り、そして前記磁性層と保護層との間に親水性の基及び
疎水性の基を持つ化合物を介在させてなることを特徴と
する磁気記録媒体によって達成される。
【０００６】又、支持体上に金属薄膜型の磁性層を設け
る磁性金属膜形成工程と、この磁性金属膜形成工程の後
で親水性の基及び疎水性の基を持つ化合物を含有する溶
液を塗布、乾燥する塗布・乾燥工程と、塗布・乾燥工程
の後で保護層を設ける工程とを具備することを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法によって達成される。本発明
の磁気記録媒体における金属薄膜型の磁性層は、例えば
無電解メッキと言った湿式メッキ手段、蒸着法、直流ス
パッタ法、交流スパッタ法、高周波スパッタ法、直流マ
グネトロンスパッタ法、高周波マグネトロンスパッタ
法、イオンビームスパッタ法と言った乾式メッキ手段に
より形成される。特に、蒸着法などの乾式メッキ手段に
より形成される。尚、この金属薄膜型の磁性層を構成す
る材料としては、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他
に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ
ｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−
Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれらにＡｌ等の金
属を含有させたもの等が用いられる。
る磁性金属膜形成工程と、この磁性金属膜形成工程の後
で親水性の基及び疎水性の基を持つ化合物を含有する溶
液を塗布、乾燥する塗布・乾燥工程と、塗布・乾燥工程
の後で保護層を設ける工程とを具備することを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法によって達成される。本発明
の磁気記録媒体における金属薄膜型の磁性層は、例えば
無電解メッキと言った湿式メッキ手段、蒸着法、直流ス
パッタ法、交流スパッタ法、高周波スパッタ法、直流マ
グネトロンスパッタ法、高周波マグネトロンスパッタ
法、イオンビームスパッタ法と言った乾式メッキ手段に
より形成される。特に、蒸着法などの乾式メッキ手段に
より形成される。尚、この金属薄膜型の磁性層を構成す
る材料としては、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他
に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ
ｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−
Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれらにＡｌ等の金
属を含有させたもの等が用いられる。
【０００７】尚、斜め蒸着法などによって磁性金属膜を
設ける際に、磁性金属膜の形成時に酸化性ガス（例え
ば、酸素、オゾン、これらの混合ガス等）を供給し、磁
性金属膜の表層部分が酸化されるようにしても良い。そ
して、磁性金属膜の表面に親水性の基及び疎水性の基を
持つ化合物を含有する溶液が塗布され、親水性の基及び
疎水性の基を持つ化合物が介在させられる。尚、塗布
後、加熱（硬化）処理が施され、ネットワーク構造が強
化される。そして、このように強化されたネットワーク
構造が磁性金属膜の表面に強く結合する。特に、親水性
の基が磁性金属膜の表面に強く結合している。
設ける際に、磁性金属膜の形成時に酸化性ガス（例え
ば、酸素、オゾン、これらの混合ガス等）を供給し、磁
性金属膜の表層部分が酸化されるようにしても良い。そ
して、磁性金属膜の表面に親水性の基及び疎水性の基を
持つ化合物を含有する溶液が塗布され、親水性の基及び
疎水性の基を持つ化合物が介在させられる。尚、塗布
後、加熱（硬化）処理が施され、ネットワーク構造が強
化される。そして、このように強化されたネットワーク
構造が磁性金属膜の表面に強く結合する。特に、親水性
の基が磁性金属膜の表面に強く結合している。
【０００８】親水性の基及び疎水性の基を持つ化合物と
しては、アルミニウム系カップリング剤、チタネート系
カップリング剤、あるいはシラン系カップリング剤を代
表的なものとして挙げることが出来る。例えば、アセト
アルコキシアルミニウムジイソプロピレート等のアルミ
ニウム系カップリング剤、CH2=CHSiCl3 ，CH2=CHSi(OC2
H5)3，CH2=CHSi(OCH3)3 ，CH2=CHSi(OC2H4OCH3)3，CH2=
CCH3COOC3H6Si(OCH3)3，NH2C3H6Si(OC2H5)3 ，NH2C2H4N
HC3H6Si(OCH3)3，NH2CONHC3H6Si(OC2H5)3 ，ClC3H6Si(O
CH3)3 ，HSC3H6Si(OCH3)3 ,
しては、アルミニウム系カップリング剤、チタネート系
カップリング剤、あるいはシラン系カップリング剤を代
表的なものとして挙げることが出来る。例えば、アセト
アルコキシアルミニウムジイソプロピレート等のアルミ
ニウム系カップリング剤、CH2=CHSiCl3 ，CH2=CHSi(OC2
H5)3，CH2=CHSi(OCH3)3 ，CH2=CHSi(OC2H4OCH3)3，CH2=
CCH3COOC3H6Si(OCH3)3，NH2C3H6Si(OC2H5)3 ，NH2C2H4N
HC3H6Si(OCH3)3，NH2CONHC3H6Si(OC2H5)3 ，ClC3H6Si(O
CH3)3 ，HSC3H6Si(OCH3)3 ,
【０００９】
【化１】
【００１０】で表されるようなシランカップリング剤、
イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプ
ロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イ
ソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チ
タネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスフ
ァイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシ
ルホスファイト）チタネート、テトラ（２，３−ジアリ
ルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジ−トリデシル）
ホスファイトチタネート、ビス（ジオクチルパイロホス
フェート）オキシアセテートチタネート、ビス（ジオク
チルパイロホスフェート）エチレンチタネート、イソプ
ロピルトリオクタイノルチタネート、イソプロピルジメ
タクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルイ
ソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルト
リ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピ
ルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリ
（Ｎ−アミドエチル・アミノエチル）チタネート、ジク
ミルフェニルオキシアセテートチタネート、ジイソステ
アロイルエチレンチタネート等のチタネートカップリン
グ剤が挙げられる。すなわち、これらのカップリング剤
をトルエン等の適宜な溶剤に溶かし、この溶液を磁性金
属膜の表面に塗布、乾燥（加熱）し、硬化させることに
よって、親水性の基及び疎水性の基を持つ層が設けられ
る。尚、このような層は、５〜２００Å、より好ましく
は１０〜５０Å程度の厚さ設けられる。
イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプ
ロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イ
ソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チ
タネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスフ
ァイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシ
ルホスファイト）チタネート、テトラ（２，３−ジアリ
ルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジ−トリデシル）
ホスファイトチタネート、ビス（ジオクチルパイロホス
フェート）オキシアセテートチタネート、ビス（ジオク
チルパイロホスフェート）エチレンチタネート、イソプ
ロピルトリオクタイノルチタネート、イソプロピルジメ
タクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルイ
ソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルト
リ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピ
ルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリ
（Ｎ−アミドエチル・アミノエチル）チタネート、ジク
ミルフェニルオキシアセテートチタネート、ジイソステ
アロイルエチレンチタネート等のチタネートカップリン
グ剤が挙げられる。すなわち、これらのカップリング剤
をトルエン等の適宜な溶剤に溶かし、この溶液を磁性金
属膜の表面に塗布、乾燥（加熱）し、硬化させることに
よって、親水性の基及び疎水性の基を持つ層が設けられ
る。尚、このような層は、５〜２００Å、より好ましく
は１０〜５０Å程度の厚さ設けられる。
【００１１】親水性の基及び疎水性の基を持つ層の上
に、例えばＣＶＤ手段などによりダイヤモンドライクカ
ーボンからなる保護層が３０〜３０００Å、より好まし
くは５０〜２００Å程度の厚さ設けられる。このＣＶＤ
手段などにより設けられる保護層は、上述の中間層（親
水性の基及び疎水性の基を持つ層）によって強固に磁性
層に結合されるようになる。これは、中間層の疎水性の
基（例えば、アルキル基と言った炭化水素基）がプラズ
マ照射を受けたり、イオン種の照射を受けたりして活性
化し、又、これら疎水性の基中に、ＣＶＤによって発生
したＣＨ3 * （ラディカル）やＣＨ2 * （ラディカル）
あるいは炭素イオンが入り込み、中間層の炭化水素基自
身がアモルファスカーボン化するからであろうと推察さ
れた。
に、例えばＣＶＤ手段などによりダイヤモンドライクカ
ーボンからなる保護層が３０〜３０００Å、より好まし
くは５０〜２００Å程度の厚さ設けられる。このＣＶＤ
手段などにより設けられる保護層は、上述の中間層（親
水性の基及び疎水性の基を持つ層）によって強固に磁性
層に結合されるようになる。これは、中間層の疎水性の
基（例えば、アルキル基と言った炭化水素基）がプラズ
マ照射を受けたり、イオン種の照射を受けたりして活性
化し、又、これら疎水性の基中に、ＣＶＤによって発生
したＣＨ3 * （ラディカル）やＣＨ2 * （ラディカル）
あるいは炭素イオンが入り込み、中間層の炭化水素基自
身がアモルファスカーボン化するからであろうと推察さ
れた。
【００１２】保護層の上には潤滑剤が設けられる。潤滑
剤は、これを含む溶液を塗布することによって構成され
る。潤滑剤層の厚さは１０〜２００Åであることが好ま
しい。特に、好ましいのは２０〜５０Åである。用いら
れる潤滑剤はパーフロオロポリエーテル、例えば-(C(R)
F-CF2-O)p - （但し、ＲはＦ，ＣＦ3 ，ＣＨ3 などの
基）、特にHOOC-CF2(O-C2F4)p (OCF2) q -OCF2-COOH ，
F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF 2COOH といったようなカルボキ
シル基変性パーフロオロポリエーテル、HOCH2-CF 2(O-C2
F4) p (OCF2) q -OCF2-CH2OH，HO-(C2H4-O) m -CH2-(O-
C2F4) p (OCF2) q-OCH2-(OCH2CH2)n -OH ，F-(CF2CF2CF
2O)n -CF2CF2CH2OHといったようなアルコール変性パー
フロオロポリエーテル等が挙げられる。
剤は、これを含む溶液を塗布することによって構成され
る。潤滑剤層の厚さは１０〜２００Åであることが好ま
しい。特に、好ましいのは２０〜５０Åである。用いら
れる潤滑剤はパーフロオロポリエーテル、例えば-(C(R)
F-CF2-O)p - （但し、ＲはＦ，ＣＦ3 ，ＣＨ3 などの
基）、特にHOOC-CF2(O-C2F4)p (OCF2) q -OCF2-COOH ，
F-(CF2CF2CF2O)n -CF2CF 2COOH といったようなカルボキ
シル基変性パーフロオロポリエーテル、HOCH2-CF 2(O-C2
F4) p (OCF2) q -OCF2-CH2OH，HO-(C2H4-O) m -CH2-(O-
C2F4) p (OCF2) q-OCH2-(OCH2CH2)n -OH ，F-(CF2CF2CF
2O)n -CF2CF2CH2OHといったようなアルコール変性パー
フロオロポリエーテル等が挙げられる。
【００１３】本発明の磁気記録媒体に用いられる支持
体、特に非磁性の支持体としては、例えばポリエチレン
テレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステル、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、
ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系
の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分子材料、ガラ
スやセラミック等の無機系材料、アルミニウム合金など
の金属材料が用いられる。そして、支持体面上には、必
要に応じて磁性層（磁性金属薄膜）の密着性を向上させ
る為のアンダーコート層が設けられている。すなわち、
表面の粗さを適度に粗すことにより、例えば斜め蒸着法
により構成される磁性金属薄膜の密着性を向上させ、さ
らに磁気記録媒体表面の表面粗さを適度なものとして走
行性を改善する為、例えばＳｉＯ2 等の粒子を含有させ
た厚さが０．００５〜０．１μｍの塗膜を設けることに
よってアンダーコート層が構成されている。
体、特に非磁性の支持体としては、例えばポリエチレン
テレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステル、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、
ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系
の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分子材料、ガラ
スやセラミック等の無機系材料、アルミニウム合金など
の金属材料が用いられる。そして、支持体面上には、必
要に応じて磁性層（磁性金属薄膜）の密着性を向上させ
る為のアンダーコート層が設けられている。すなわち、
表面の粗さを適度に粗すことにより、例えば斜め蒸着法
により構成される磁性金属薄膜の密着性を向上させ、さ
らに磁気記録媒体表面の表面粗さを適度なものとして走
行性を改善する為、例えばＳｉＯ2 等の粒子を含有させ
た厚さが０．００５〜０．１μｍの塗膜を設けることに
よってアンダーコート層が構成されている。
【００１４】又、磁性層と反対側の支持体面上にはバッ
クコート層が設けられる。このバックコート層は、Ａｌ
等の金属薄膜タイプのものでも良い。又、カーボンブラ
ック及びバインダ樹脂を含有する塗料を塗布したタイプ
のものでも良い。以下、具体的な実施例を挙げて本発明
を説明する。
クコート層が設けられる。このバックコート層は、Ａｌ
等の金属薄膜タイプのものでも良い。又、カーボンブラ
ック及びバインダ樹脂を含有する塗料を塗布したタイプ
のものでも良い。以下、具体的な実施例を挙げて本発明
を説明する。
【００１５】
〔実施例１〕図１は、本発明に係る磁気記録媒体の概略
断面図である。同図中、１は６μｍ厚のＰＥＴフィル
ム、２は斜め蒸着手段により１９００Åの厚さ設けられ
たＣｏ磁性金属膜である。尚、このＣｏ磁性金属膜を形
成するに際して、酸素ガスが吹き付けられており、表面
には酸化層が構成されている。
断面図である。同図中、１は６μｍ厚のＰＥＴフィル
ム、２は斜め蒸着手段により１９００Åの厚さ設けられ
たＣｏ磁性金属膜である。尚、このＣｏ磁性金属膜を形
成するに際して、酸素ガスが吹き付けられており、表面
には酸化層が構成されている。
【００１６】３は、シランカップリング剤（ＮＨ2 Ｃ3
Ｈ6 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 ）を含むトルエンの溶液をダ
イ塗工法によりＣｏ磁性金属膜２の上に塗布し、１００
℃で乾燥させることにより構成されたシランカップリン
グ剤層である。尚、このカップリング剤層３の厚さは、
ＦＴ−ＩＲによれば１２Åであった。この後、ＣＶＤ手
段により、カップリング剤層３の上にダイヤモンドライ
クカーボン膜４を設けた。尚、このダイヤモンドライク
カーボン膜４の厚さは、オージェ電子分光によれば８０
Åであった。
Ｈ6 Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 ）を含むトルエンの溶液をダ
イ塗工法によりＣｏ磁性金属膜２の上に塗布し、１００
℃で乾燥させることにより構成されたシランカップリン
グ剤層である。尚、このカップリング剤層３の厚さは、
ＦＴ−ＩＲによれば１２Åであった。この後、ＣＶＤ手
段により、カップリング剤層３の上にダイヤモンドライ
クカーボン膜４を設けた。尚、このダイヤモンドライク
カーボン膜４の厚さは、オージェ電子分光によれば８０
Åであった。
【００１７】この後、ダイ塗工法によりダイヤモンドラ
イクカーボン膜４の上にパーフロオロポリエーテル（日
本モンテジソン社のＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＯＬ）の
０．１ｗｔ％溶液（溶剤はフッ素系の不活性液体（住友
３Ｍ社のＰＦ−５０８０））を乾燥後の厚さが２０Åと
なるよう塗布し、この後室温下において乾燥させ、潤滑
剤層５を構成した。
イクカーボン膜４の上にパーフロオロポリエーテル（日
本モンテジソン社のＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ ＤＯＬ）の
０．１ｗｔ％溶液（溶剤はフッ素系の不活性液体（住友
３Ｍ社のＰＦ−５０８０））を乾燥後の厚さが２０Åと
なるよう塗布し、この後室温下において乾燥させ、潤滑
剤層５を構成した。
【００１８】尚、６はバックコート層である。 〔実施例２〕実施例１において、カップリング剤層３の
厚さを３０Åとした他は同様に行った。 〔実施例３〕実施例１において、カップリング剤層３の
厚さを８０Åとした他は同様に行った。
厚さを３０Åとした他は同様に行った。 〔実施例３〕実施例１において、カップリング剤層３の
厚さを８０Åとした他は同様に行った。
【００１９】〔実施例４〕実施例１において、カップリ
ング剤層３を構成するカップリング剤としてＣＨ 2=ＣＨ
Ｓｉ（ＯＣＨ3)3 を用いた他は同様に行った。 〔実施例５〕実施例１において、カップリング剤層３を
構成するカップリング剤としてチタネート系カップリン
グ剤（イソプロピルトリイソステアロイルチタネート）
を用いた他は同様に行った。
ング剤層３を構成するカップリング剤としてＣＨ 2=ＣＨ
Ｓｉ（ＯＣＨ3)3 を用いた他は同様に行った。 〔実施例５〕実施例１において、カップリング剤層３を
構成するカップリング剤としてチタネート系カップリン
グ剤（イソプロピルトリイソステアロイルチタネート）
を用いた他は同様に行った。
【００２０】〔実施例６〕実施例１において、カップリ
ング剤層３を構成するカップリング剤としてチタネート
系カップリング剤（イソプロピルトリ（Ｎ−アミドエチ
ル・アミノエチル）チタネート）を用いた他は同様に行
った。 〔実施例７〕実施例１において、カップリング剤層３を
構成するカップリング剤としてアルミニウム系カップリ
ング剤（アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレ
ート）を用いた他は同様に行った。
ング剤層３を構成するカップリング剤としてチタネート
系カップリング剤（イソプロピルトリ（Ｎ−アミドエチ
ル・アミノエチル）チタネート）を用いた他は同様に行
った。 〔実施例７〕実施例１において、カップリング剤層３を
構成するカップリング剤としてアルミニウム系カップリ
ング剤（アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレ
ート）を用いた他は同様に行った。
【００２１】〔比較例１〕実施例１において、カップリ
ング剤層３を設けなかった他は同様に行った。 〔特性〕上記各例の磁気テープを８ｍｍ幅にスリット
し、市販の８ｍｍＶＴＲに装着し、１０時間および１０
０時間のスチル再生を行い、耐久性を調べた。尚、耐久
性は出力の低下でもって表−１に示す。
ング剤層３を設けなかった他は同様に行った。 〔特性〕上記各例の磁気テープを８ｍｍ幅にスリット
し、市販の８ｍｍＶＴＲに装着し、１０時間および１０
０時間のスチル再生を行い、耐久性を調べた。尚、耐久
性は出力の低下でもって表−１に示す。
【００２２】 表−１（スチル耐久性） １０時間後の出力低下 １００時間後の出力低下 実施例１ １．１ｄＢ １．９ｄＢ 実施例２ ０．９ｄＢ １．２ｄＢ 実施例３ ０．２ｄＢ ０．８ｄＢ 実施例４ １．３ｄＢ ２．１ｄＢ 実施例５ １．０ｄＢ １．５ｄＢ 実施例６ １．３ｄＢ １．９ｄＢ 実施例７ １．４ｄＢ ２．２ｄＢ 比較例１ １．４ｄＢ ５．６ｄＢ これによれば、磁性膜とダイヤモンドライクカーボン膜
との間にカップリング剤層が設けられた磁気記録媒体
は、耐久性に富むことが判る。
との間にカップリング剤層が設けられた磁気記録媒体
は、耐久性に富むことが判る。
【００２３】
【効果】本発明によれば、耐久性に優れたものが得られ
る。
る。
【図１】本発明に係る磁気記録媒体の概略図
【図２】従来の磁気記録媒体の概略図
１ ＰＥＴフィルム ２ Ｃｏ磁性金属膜 ３ カップリング剤層 ４ ダイヤモンドライクカーボン膜 ５ 潤滑剤層 ６ バックコート
フロントページの続き (72)発明者 若林 繁美 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】 支持体上に磁性層及び保護層が順に設け
られてなる磁気記録媒体であって、前記磁性層が金属薄
膜型の磁性層であり、そして前記磁性層と保護層との間
に親水性の基及び疎水性の基を持つ化合物を介在させて
なることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 保護層がダイヤモンドライクカーボンか
らなることを特徴とする請求項１の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 親水性の基及び疎水性の基を持つ化合物
による層が、５〜２００Åの厚さであることを特徴とす
る請求項１の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 親水性の基及び疎水性の基を持つ化合物
が、アルミニウム系カップリング剤、チタネート系カッ
プリング剤、及びシラン系カップリング剤の群の中から
選ばれるものであることを特徴とする請求項１または請
求項３の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 支持体上に金属薄膜型の磁性層を設ける
磁性金属膜形成工程と、この磁性金属膜形成工程の後で
親水性の基及び疎水性の基を持つ化合物を含有する溶液
を塗布、乾燥する塗布・乾燥工程と、塗布・乾燥工程の
後で保護層を設ける工程とを具備することを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項６】 保護層はＣＶＤ手段により設けられるこ
とを特徴とする請求項５の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17405594A JPH0836732A (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17405594A JPH0836732A (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0836732A true JPH0836732A (ja) | 1996-02-06 |
Family
ID=15971835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17405594A Pending JPH0836732A (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0836732A (ja) |
-
1994
- 1994-07-26 JP JP17405594A patent/JPH0836732A/ja active Pending
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