JPH01194124A - 磁気記録媒体保護膜の形成方法 - Google Patents
磁気記録媒体保護膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH01194124A JPH01194124A JP63020491A JP2049188A JPH01194124A JP H01194124 A JPH01194124 A JP H01194124A JP 63020491 A JP63020491 A JP 63020491A JP 2049188 A JP2049188 A JP 2049188A JP H01194124 A JPH01194124 A JP H01194124A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic recording
- substrate
- recording medium
- monomolecular
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title claims abstract description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 abstract description 4
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N trichloroethylene Natural products ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- XPBBUZJBQWWFFJ-UHFFFAOYSA-N fluorosilane Chemical compound [SiH3]F XPBBUZJBQWWFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N hexadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 101150029117 meox2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/18—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping
- B05D1/185—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping applying monomolecular layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁気記録媒体の基板上へ、金属酸化膜を形成
した後、化学反応を用いて単分子吸着膜形成を行うこと
を特徴とした磁気記録媒体保護膜の形成方法に関するも
のである。
した後、化学反応を用いて単分子吸着膜形成を行うこと
を特徴とした磁気記録媒体保護膜の形成方法に関するも
のである。
従来の技術
従来、エレクトロニクス分野などにおいて開発されてい
る磁気ディスクの実用化には、性能上、磁気基板表面の
耐摩耗性の向上が必要不可欠である。
る磁気ディスクの実用化には、性能上、磁気基板表面の
耐摩耗性の向上が必要不可欠である。
例エバ、クロム(Or、)、ニッケル(Ni) 、コバ
ル)(Co)などから成る磁気記録基板は、以上の成分
および構造のみでは表面が非常に軟かく、そのためカー
ボンを蒸着後、潤滑剤を塗布することにより基板表面の
耐摩耗性の向上を図っている。
ル)(Co)などから成る磁気記録基板は、以上の成分
および構造のみでは表面が非常に軟かく、そのためカー
ボンを蒸着後、潤滑剤を塗布することにより基板表面の
耐摩耗性の向上を図っている。
発明が解決しようとする課題
従来から用いられている磁気記録基板の保護膜は、製造
プロセス上、潤滑剤を塗布することによって形成されて
いるため、基板内の膜厚均一性が悪い点や、基板と膜の
密着性が悪く、耐久性が低い点などの課題があった。
プロセス上、潤滑剤を塗布することによって形成されて
いるため、基板内の膜厚均一性が悪い点や、基板と膜の
密着性が悪く、耐久性が低い点などの課題があった。
課題を解決するための手段
本発明は、課題を解決するため次のような手段を用いる
。すなわち、本発明の磁気記録媒体保護膜の形成方法は
、基板表面にあらかじめ金属酸化膜を形成した後、シラ
ン系(あるいはフルオロシラン系)単分子吸着膜を化学
的に形成することを特徴とするものである。
。すなわち、本発明の磁気記録媒体保護膜の形成方法は
、基板表面にあらかじめ金属酸化膜を形成した後、シラ
ン系(あるいはフルオロシラン系)単分子吸着膜を化学
的に形成することを特徴とするものである。
作 用
本発明により、基板表面と、化学的に分子レベルで高密
度に結合(共有結合)しているために磁気記録媒体の基
板上に、半永久的に強固で、しかも単分子膜の厚さで均
一な耐摩耗性保護膜を形成することが可能となる。
度に結合(共有結合)しているために磁気記録媒体の基
板上に、半永久的に強固で、しかも単分子膜の厚さで均
一な耐摩耗性保護膜を形成することが可能となる。
実施例
以下、図面に基いて更に詳しく説明する。
第1図に示す第1の実施例では、第1図aに示すように
クロム(Cr)、ニッケル(Ni)等から成る磁気記録
媒体の基板1の表面に、あらかじめトリクレン等により
脱脂洗浄を行った後、第1図すに示すようにスパッタ法
等を用いて金属酸化膜Menx2を形成する。次に、第
1図Cに示すように、化学吸着法によジシラン界面活性
剤(例えば、CH2=CH−(CH2)n−5ic13
(nは整数で10〜3oが良い。なお、CH2=CH−
はCH=C−、まだ単分子吸着膜3を形成する。
クロム(Cr)、ニッケル(Ni)等から成る磁気記録
媒体の基板1の表面に、あらかじめトリクレン等により
脱脂洗浄を行った後、第1図すに示すようにスパッタ法
等を用いて金属酸化膜Menx2を形成する。次に、第
1図Cに示すように、化学吸着法によジシラン界面活性
剤(例えば、CH2=CH−(CH2)n−5ic13
(nは整数で10〜3oが良い。なお、CH2=CH−
はCH=C−、まだ単分子吸着膜3を形成する。
例えば、2.0X10 〜5.0X10 (mol/
l)の濃度で溶したa o % n−セタン、12%四
塩化炭素。
l)の濃度で溶したa o % n−セタン、12%四
塩化炭素。
4を形成し、シラン界面活性剤の各分子は、Meox2
の表面上にて分子レベルで密度高くかつ均一に配列して
おυ、この工程によって単分子吸着膜3を含んで磁気記
録基板1の表面は、優れた耐摩耗性を示す。このように
MeO工等の金属酸化膜上に形成すると、表面で前記結
合4が形成されるためすぐれた単分子吸着膜3を形成す
ることができる。
の表面上にて分子レベルで密度高くかつ均一に配列して
おυ、この工程によって単分子吸着膜3を含んで磁気記
録基板1の表面は、優れた耐摩耗性を示す。このように
MeO工等の金属酸化膜上に形成すると、表面で前記結
合4が形成されるためすぐれた単分子吸着膜3を形成す
ることができる。
第2の実施例では、第1の実施例にて使用した単分子吸
着膜4の代わりに、分子末端にフッソを30が良い)を
用い、第1の実施例と同様の工程を行い、第2図aに示
すようにMeO工2の表面で吸着反応させ、単分子吸着
膜5を形成する。ここで単分子吸着膜5は、第2図すに
示すようKMeOxている。一般に、−CF3基は炭化
水素基よシも、耐摩耗性が高いので、この工程によって
膜5を含んで磁気記録基板1の表面は優れた耐摩耗性を
示す。
着膜4の代わりに、分子末端にフッソを30が良い)を
用い、第1の実施例と同様の工程を行い、第2図aに示
すようにMeO工2の表面で吸着反応させ、単分子吸着
膜5を形成する。ここで単分子吸着膜5は、第2図すに
示すようKMeOxている。一般に、−CF3基は炭化
水素基よシも、耐摩耗性が高いので、この工程によって
膜5を含んで磁気記録基板1の表面は優れた耐摩耗性を
示す。
なお、本発明において前記実施例の中の金属酸化膜Me
oxには、モリブデン(Mo)、チタニウム(Ti)、
タングステン(W)等の酸化膜が適用される。
oxには、モリブデン(Mo)、チタニウム(Ti)、
タングステン(W)等の酸化膜が適用される。
また、上記2つの実施例においては、磁気記録基板上に
あらかじめ金属酸化膜を形成後、保護膜を形成させる方
法を示したが、金属酸化膜の代わりに金属膜を形成し、
その表面に自然に形成される金属酸化膜に対して保護膜
を形成することもできる。
あらかじめ金属酸化膜を形成後、保護膜を形成させる方
法を示したが、金属酸化膜の代わりに金属膜を形成し、
その表面に自然に形成される金属酸化膜に対して保護膜
を形成することもできる。
発明の効果
以上のように、本発明の方法によシ形成した保護、嘆で
は、潤滑剤とディスクの間は共有結合で強固に結ばれて
おり、しかも潤滑剤は分子オーダーで並んだ密度の高い
分子1個の厚さの超薄膜であるので、磁気記録媒体、た
とえば磁気ディスクの表面の耐摩耗性の向上を、従来に
ない非常に薄い膜でかつ半永久的に行うことができる。
は、潤滑剤とディスクの間は共有結合で強固に結ばれて
おり、しかも潤滑剤は分子オーダーで並んだ密度の高い
分子1個の厚さの超薄膜であるので、磁気記録媒体、た
とえば磁気ディスクの表面の耐摩耗性の向上を、従来に
ない非常に薄い膜でかつ半永久的に行うことができる。
第1図は本発明の第1の実施例方法の工程図、第2図は
同第2の実施例の工程図である。 1・・・・・・磁気記録基板、2・・・・・・Meox
、3,5・・・・・・単分子吸着膜、4,6・・・・・
・結合。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名/−
一、1a気把録基ス ど−−−MeOx 3−一一車分子吸着頑 第1図 4一対へ l−磁気紀要り基ズ ?−−tイ巴0x 5− 単分子吸着、模 6−[Δ 第2図
同第2の実施例の工程図である。 1・・・・・・磁気記録基板、2・・・・・・Meox
、3,5・・・・・・単分子吸着膜、4,6・・・・・
・結合。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名/−
一、1a気把録基ス ど−−−MeOx 3−一一車分子吸着頑 第1図 4一対へ l−磁気紀要り基ズ ?−−tイ巴0x 5− 単分子吸着、模 6−[Δ 第2図
Claims (2)
- (1)磁気ディスク基板の表面に、金属酸化膜を形成し
た後、前記金属酸化膜上に、シラン系単分子吸着膜を形
成してなる磁気記録媒体保護膜の形成方法。 - (2)単分子吸着膜を基板の表面に形成する工程におい
て、前記吸着膜の化学式の中にフッ素を持たせた特許請
求の範囲第1項記載の磁気記録媒体保護膜の形成方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63020491A JPH01194124A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 磁気記録媒体保護膜の形成方法 |
EP19890300888 EP0326438A3 (en) | 1988-01-29 | 1989-01-30 | Forming method of magnetic recording medium protective film |
US07/768,468 US5147684A (en) | 1988-01-29 | 1991-09-30 | Forming method of magnetic recording medium protective film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63020491A JPH01194124A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 磁気記録媒体保護膜の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01194124A true JPH01194124A (ja) | 1989-08-04 |
Family
ID=12028620
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63020491A Pending JPH01194124A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 磁気記録媒体保護膜の形成方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5147684A (ja) |
EP (1) | EP0326438A3 (ja) |
JP (1) | JPH01194124A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04256710A (ja) * | 1991-02-06 | 1992-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 調理器具およびその製造方法 |
JPH04298817A (ja) * | 1991-02-05 | 1992-10-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5204126A (en) * | 1990-02-06 | 1993-04-20 | Nanofilm Corporation | Mold surfaces with ultra thin release films |
JP2912694B2 (ja) * | 1990-09-07 | 1999-06-28 | 松下電器産業株式会社 | 記録再生装置 |
EP0493747B1 (en) * | 1990-12-25 | 1996-07-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Anti-contaminating adsorbed film and method of manufacturing the same |
US5268211A (en) * | 1991-01-17 | 1993-12-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical recording medium |
CA2060294C (en) * | 1991-02-06 | 2000-01-18 | Kazufumi Ogawa | Chemically absorbed film and method of manufacturing the same |
DE69228143T2 (de) * | 1991-04-30 | 1999-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Hydrophiler chemisch adsorbierter Film und Verfahren zu dessen Herstellung |
US5296263A (en) * | 1992-01-07 | 1994-03-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a recording medium |
EP0559119B1 (en) * | 1992-03-02 | 2000-10-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chemically adsorbed film and method of manufacturing the same |
FR2694369A1 (fr) * | 1992-07-29 | 1994-02-04 | Lyon Ecole Centrale | Procédé de lubrification d'une pièce mécanique de frottement. |
US6249403B1 (en) | 1997-05-23 | 2001-06-19 | Hitachi, Ltd. | Magnetic hard disk drive and process for producing the same |
JP2008004200A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Fujifilm Corp | マスター記録媒体の製造方法及び、製造されたマスター記録媒体を用いた磁気転写方法、磁気記録媒体の製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5255603A (en) * | 1975-10-31 | 1977-05-07 | Nec Corp | Magnetic memory element and production of same |
JPS59188826A (ja) * | 1983-04-12 | 1984-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
JPS63220420A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 記録媒体およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-01-29 JP JP63020491A patent/JPH01194124A/ja active Pending
-
1989
- 1989-01-30 EP EP19890300888 patent/EP0326438A3/en not_active Withdrawn
-
1991
- 1991-09-30 US US07/768,468 patent/US5147684A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04298817A (ja) * | 1991-02-05 | 1992-10-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
JPH04256710A (ja) * | 1991-02-06 | 1992-09-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 調理器具およびその製造方法 |
JPH0798026B2 (ja) * | 1991-02-06 | 1995-10-25 | 松下電器産業株式会社 | 調理器具およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0326438A2 (en) | 1989-08-02 |
EP0326438A3 (en) | 1990-10-03 |
US5147684A (en) | 1992-09-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH01194124A (ja) | 磁気記録媒体保護膜の形成方法 | |
JP4769376B2 (ja) | 磁気記録媒体を製造する方法 | |
EP0293662B1 (en) | A process for making a thin film metal alloy magnetic recording disk with a hydrogenated carbon overcoat | |
JPS5917191B2 (ja) | 耐摩耗性被覆を有する切削工具用超硬合金体の製法 | |
JP2003501555A (ja) | ドープダイヤモンド状カーボン皮膜 | |
JPS61267929A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP2004169137A (ja) | 摺動部材 | |
JP2006291270A (ja) | ガラス基体へのめっき方法、垂直磁気記録媒体用ディスク基板の製造方法、垂直磁気記録媒体用ディスク基板及び垂直磁気記録媒体 | |
JPH05143972A (ja) | 金属薄膜型磁気記録媒体およびその製造法 | |
JP2532683B2 (ja) | 記録媒体の製造方法 | |
JPS6218970B2 (ja) | ||
JPS62146434A (ja) | 磁気デイスク | |
JPH0516087B2 (ja) | ||
JP3422553B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
JPH01271908A (ja) | 磁気記憶体及び磁気記憶装置及び製造方法 | |
JPH0464920A (ja) | 金属薄膜型磁気記録媒体の炭素質保護膜およびその成膜方法 | |
Kaganowicz | Diamond abrasion properties of plasma-deposited silicon oxide films | |
JP2727504B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS62183022A (ja) | 耐摩耗性磁気記録体 | |
JPS6057534A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH05307746A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
JPH05143973A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH0935255A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP2719268B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JPS6389653A (ja) | 炭化物被膜のコ−テイング方法 |