JPS6389653A - 炭化物被膜のコ−テイング方法 - Google Patents
炭化物被膜のコ−テイング方法Info
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- JPS6389653A JPS6389653A JP23479386A JP23479386A JPS6389653A JP S6389653 A JPS6389653 A JP S6389653A JP 23479386 A JP23479386 A JP 23479386A JP 23479386 A JP23479386 A JP 23479386A JP S6389653 A JPS6389653 A JP S6389653A
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- film
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- Pending
Links
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Landscapes
- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は機械部品等の金属基板の表面に炭化物の被膜を
コーティングする方法に関する。
コーティングする方法に関する。
従来、各種機械部品等の金属基板の表面にイオンプレー
ティングのような蒸着法によって耐摩耗性に優れたＴｉ
Ｃのような炭化物の被膜を直接コーティングして製品性
能の向三が計られている。
ティングのような蒸着法によって耐摩耗性に優れたＴｉ
Ｃのような炭化物の被膜を直接コーティングして製品性
能の向三が計られている。
金属的な性質を有する機械部品の表面に非金属的な性質
の炭化物の被膜を直接コーティングすることは両者の性
質の相違による親和性が乏しく、金属基板の表面と炭化
物のコーティング被膜との密着強度はイオンプレーティ
ングのような密着強度も優れていると云われているコー
ティング法においても９時折、炭化物のコーティング被
膜がコーティング直後に欠落または製品として使用中に
短時間で剥離することがある。
の炭化物の被膜を直接コーティングすることは両者の性
質の相違による親和性が乏しく、金属基板の表面と炭化
物のコーティング被膜との密着強度はイオンプレーティ
ングのような密着強度も優れていると云われているコー
ティング法においても９時折、炭化物のコーティング被
膜がコーティング直後に欠落または製品として使用中に
短時間で剥離することがある。
この欠落、剥離の問題は前記の親和性の原因に加えて金
属基板表面の化学的不活性及び金属基板に付着したよご
れ等が原因としてあげられ。
属基板表面の化学的不活性及び金属基板に付着したよご
れ等が原因としてあげられ。
このような金属基材にコーティングした炭化物の密着性
は低下する。このためイオンボンバード等のエツチング
によって基材表面に形成している化学的に不活性な酸化
物の被膜や汚物の除去を行っているが、この除去が、不
完全な場合。
は低下する。このためイオンボンバード等のエツチング
によって基材表面に形成している化学的に不活性な酸化
物の被膜や汚物の除去を行っているが、この除去が、不
完全な場合。
時折、炭化物のコーティング被膜の欠落剥離が生じてい
る。
る。
以とのような原因によって、従来は炭化物のコーティン
グ被膜の密着強度の低下をまねき。
グ被膜の密着強度の低下をまねき。
時折、製品歩留の低下が生じている。特にステンレス鋼
が基材の場合この傾向が強く、これに対する改善が望ま
れていた。
が基材の場合この傾向が強く、これに対する改善が望ま
れていた。
本発明は従来の技術の問題点を解決するため提案するも
ので、基板上に浸炭層を形成する物質の皮膜を蒸着した
後、浸炭処理により同皮膜と基材の表層部に浸炭層を形
成し、更に、イオンプレーティングにより同皮膜と同種
の炭化物をコーティングすることを特徴とする炭化物被
膜のコーティング方法である。
ので、基板上に浸炭層を形成する物質の皮膜を蒸着した
後、浸炭処理により同皮膜と基材の表層部に浸炭層を形
成し、更に、イオンプレーティングにより同皮膜と同種
の炭化物をコーティングすることを特徴とする炭化物被
膜のコーティング方法である。
金属基材表面に容易に浸炭する物質の被膜を蒸着等によ
り被覆した後に基材表層及び同被膜を浸炭することによ
り基材表層、被膜共に炭化物が形成され、得られた炭化
物の被膜と基材との結合性が強固になシ、さらに得られ
た炭化層の表面に同種の炭化物被膜をコーティングする
ことにより浸炭して得られた炭化層との密着性が向上す
る。
り被覆した後に基材表層及び同被膜を浸炭することによ
り基材表層、被膜共に炭化物が形成され、得られた炭化
物の被膜と基材との結合性が強固になシ、さらに得られ
た炭化層の表面に同種の炭化物被膜をコーティングする
ことにより浸炭して得られた炭化層との密着性が向上す
る。
実施例１は、 ｘａｃｒ系ステンレス鋼の基材１の表面
にＳｉの被膜２を蒸着したのちにＣ，Ｈ，ガスを装置内
に導入し圧力１．５Ｔｏｒｒで基材に４５０ Ｖの電圧
を印加してグロー放電を起こさせることによりＳｉの被
膜２をイオン浸炭すると共に基材ｌのＳｉ蒸着面の表層
部をも浸炭して浸炭層４を形成させ、さらに浸炭層４に
イオンプレーティング法によｐｓｉｃの炭化物３をコー
ティングしたものである。又、実施例２は被膜２をＴｉ
とし炭化物８をＴｉＣとしたものである。さらに、比較
例１は従来のイオンプレーティング法を直接基板表面に
ＴｉＣを成膜したものであシ、比較例２は被膜２をＣｒ
としＴｉのみイオン浸炭しＴｉＣとして成膜させたもの
である。なお、実施例１．２および比較例１，２の膜厚
は全て同等である。
にＳｉの被膜２を蒸着したのちにＣ，Ｈ，ガスを装置内
に導入し圧力１．５Ｔｏｒｒで基材に４５０ Ｖの電圧
を印加してグロー放電を起こさせることによりＳｉの被
膜２をイオン浸炭すると共に基材ｌのＳｉ蒸着面の表層
部をも浸炭して浸炭層４を形成させ、さらに浸炭層４に
イオンプレーティング法によｐｓｉｃの炭化物３をコー
ティングしたものである。又、実施例２は被膜２をＴｉ
とし炭化物８をＴｉＣとしたものである。さらに、比較
例１は従来のイオンプレーティング法を直接基板表面に
ＴｉＣを成膜したものであシ、比較例２は被膜２をＣｒ
としＴｉのみイオン浸炭しＴｉＣとして成膜させたもの
である。なお、実施例１．２および比較例１，２の膜厚
は全て同等である。
以北の被膜に対して水中において振動（１８ｋＨｚ振幅
４０μｍ）を与えキャビティションによる剥離試験を行
なった。その結果を第２図に示す。この結果によれば本
発明の実施例１，２は欠落剥離もなく二ローシコンによ
る炭化被膜８の侵食による重量減少のみ確認され、優れ
た密着強度を有する被膜であった。従来法の比較例１は
短時間で剥離し侵食による重量減少が生じ侵食が加わる
条件では実用的に大きな期待ができない。
４０μｍ）を与えキャビティションによる剥離試験を行
なった。その結果を第２図に示す。この結果によれば本
発明の実施例１，２は欠落剥離もなく二ローシコンによ
る炭化被膜８の侵食による重量減少のみ確認され、優れ
た密着強度を有する被膜であった。従来法の比較例１は
短時間で剥離し侵食による重量減少が生じ侵食が加わる
条件では実用的に大きな期待ができない。
また、比較例２は密着力が比較的強く被膜の剥離は減少
しエローシコンによる重量減少が大部分であった。
しエローシコンによる重量減少が大部分であった。
以北のように９本発明は基材１と炭化物被膜３との間に
容易にイオン浸炭する金属被膜２を蒸着し、基材１の表
層及び金属被膜２をイオン浸炭した結果９強い密着力が
得られ、さらにこの表面に同種の炭化層を形成させたた
めに、基材とこれら炭化物被膜の密着性向五が計れる。
容易にイオン浸炭する金属被膜２を蒸着し、基材１の表
層及び金属被膜２をイオン浸炭した結果９強い密着力が
得られ、さらにこの表面に同種の炭化層を形成させたた
めに、基材とこれら炭化物被膜の密着性向五が計れる。
これは各被膜間を炭化水素が強固に結合するために得ら
れたものである。
れたものである。
第１図は本発明の被膜の断面図、第２図は本発明の被膜
の評価試験結果のグラフである。 １・・・基材、２・・・金属被膜、３・・・炭化物被膜
。 ４・・・浸炭層。
の評価試験結果のグラフである。 １・・・基材、２・・・金属被膜、３・・・炭化物被膜
。 ４・・・浸炭層。
Claims (1)
- 基板上に浸炭層を形成する物質の皮膜を蒸着した後、浸
炭処理により同皮膜と基材の表層部に浸炭層を形成し、
更に、イオンプレーティングにより同皮膜と同種の炭化
物をコーティングすることを特徴とする炭化物被膜のコ
ーティング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23479386A JPS6389653A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 炭化物被膜のコ−テイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23479386A JPS6389653A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 炭化物被膜のコ−テイング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6389653A true JPS6389653A (ja) | 1988-04-20 |
Family
ID=16976477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23479386A Pending JPS6389653A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 炭化物被膜のコ−テイング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6389653A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113549902A (zh) * | 2021-07-13 | 2021-10-26 | 南京邮电大学 | 一种C/TiC/TiN/TiAlN复合涂层的制备装置及其制备方法 |
-
1986
- 1986-10-02 JP JP23479386A patent/JPS6389653A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113549902A (zh) * | 2021-07-13 | 2021-10-26 | 南京邮电大学 | 一种C/TiC/TiN/TiAlN复合涂层的制备装置及其制备方法 |
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