JPH04117621A - 記録再生装置 - Google Patents
記録再生装置Info
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- JPH04117621A JPH04117621A JP2237532A JP23753290A JPH04117621A JP H04117621 A JPH04117621 A JP H04117621A JP 2237532 A JP2237532 A JP 2237532A JP 23753290 A JP23753290 A JP 23753290A JP H04117621 A JPH04117621 A JP H04117621A
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- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 claims abstract description 13
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims abstract description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims abstract description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims abstract description 7
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- -1 dimethylsilylene group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 55
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 5
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract 1
- 235000019000 fluorine Nutrition 0.000 description 12
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 11
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 6
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N hexadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 4
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- SEUDSDUUJXTXSV-UHFFFAOYSA-N dimethyl(oxo)silane Chemical group C[Si](C)=O SEUDSDUUJXTXSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JZZIHCLFHIXETF-UHFFFAOYSA-N dimethylsilicon Chemical group C[Si]C JZZIHCLFHIXETF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000002099 adlayer Substances 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000001261 hydroxy acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000004757 linear silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000002336 sorption--desorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/255—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features comprising means for protection against wear
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11B5/726—Two or more protective coatings
- G11B5/7262—Inorganic protective coating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は記録再生装置に関し 特に記録媒体又は記録あ
るいは再生ヘッドに関すム さらに詳しく法 磁気テー
プ、磁気ディス久 磁気カード、光磁気ディスク等の磁
気記録媒体 及び記録再生用ヘッドの記録再生訊 すな
わちアナログ信号を記録するVTRやデジタル信号を記
録したり消去したりする磁気ディスク用の磁気記録へ・
シト、光磁気記録用の光磁気記録ヘッドあるいは光へ・
ソド等の記録ヘッドに関する。
るいは再生ヘッドに関すム さらに詳しく法 磁気テー
プ、磁気ディス久 磁気カード、光磁気ディスク等の磁
気記録媒体 及び記録再生用ヘッドの記録再生訊 すな
わちアナログ信号を記録するVTRやデジタル信号を記
録したり消去したりする磁気ディスク用の磁気記録へ・
シト、光磁気記録用の光磁気記録ヘッドあるいは光へ・
ソド等の記録ヘッドに関する。
従来の技術
従来より、磁気記録媒体に11 大きく分けて塗布型と
蒸着型があa 塗布型の磁気記録媒体では 一般にFe1onやCoを
添加したγ−F e2os等の磁性粉末を例えばポリビ
ニール・ブチラール、 トルエン、メチルイソブチル等
のに混合物に混合分散して塗料化し媒体基体表面に4〜
5μmの厚みで塗布する方法である。
蒸着型があa 塗布型の磁気記録媒体では 一般にFe1onやCoを
添加したγ−F e2os等の磁性粉末を例えばポリビ
ニール・ブチラール、 トルエン、メチルイソブチル等
のに混合物に混合分散して塗料化し媒体基体表面に4〜
5μmの厚みで塗布する方法である。
ま?、VTRやフロッピーディスク等の記録用ヘッドの
製造G1 セラミック基体の表面に磁性膜を蒸着し
さらにもう一つのセラミックを接着し媒体と接触する部
分を研磨した後切断する方法が一般に用いられていも 発明が解決しようとした、課題 前述の塗布型記録媒体の製造方法では製造が容易である
反匣 磁性粉末を小さくすることに限界があり、高密度
記録用としては性能が不十分であった また 蒸着型の記録媒体で(よ 記録密度は塗布型に比
べ良くなる力(磁性金属層が表面に出ているため耐久性
に問題があム そこで、 1000〜2000人の磁性
金属を電子ビームやスツバタ法で蒸着した上へ オーバ
ーコートを行L〜 さらに磁気記録媒体表面に潤滑性を
与えるために滑剤を塗布している力匁 まだ十分な耐久
性が得られていない現状であム ざら(−オーバーコートや滑剤の塗布を薄く均一に行え
ないたム 記録用磁気ヘッドと記録層のギャップが大き
くなり、蒸着型本来の高密度記録が十分発揮できないで
、 5.25インチ基板で20Mビット程度の記録密度
に留まっていも一人 記録読み取り用ヘッドでC1記録
媒体と接触する部分の研磨は行われている力(耐摩耗性
を目的とした特別な表面処理は行われてい、なかつ九
たt4 セラミックスの材質などを変えて耐摩耗性を
向上させていたに過ぎなt〜 従って、従来の記録ヘッドは記録媒体に対して損傷が大
きく、また摩耗も激しく信頼性に乏しかつ九 以上述べてきた従来法の欠点に鑑へ 本発明の目的は
オーバーコートや滑剤をより薄く均一に且つピンホール
が無い記録媒体を提供し 蒸着型磁気記録媒体の耐摩耗
性を改良し信頼性を向上させると共に高密度記録を実現
し ま7’= 滑剤をより薄く均一1.:、且つピン
ホール無く記録再生ヘッド上に形成し 記録媒体に対す
る損傷を少なくすると共に記録再生ヘッド自体の耐摩耗
性を改良し信頼性を向上した記録再生装置を提供するこ
とにあも 課題を解決するための手段 本発明(よ 記録媒体 この記録媒体に記録信号の授受
を行う記録もしくは再生ヘッド及び記録信号の授受を扱
う機構部及び回路部を具備し 記録媒体もしくは前記ヘ
ッドの何れかの表層く 金属層 金属酸化A 半導体膜
半導体酸化風 あるいは単層または複数層の有機単分
子膜よりなる保護膜を介して P(CF* )@ (CHI )IIA(CHI )*
5i(Ch )* Xs−喝(式中m=1〜8、 n=
o〜2、 p=5〜25、q=Q〜2の各整数を示り、
Xはハロゲン原子あるいはアルコキシ基を表わLAは酸
素原子(−0−)、カルボキシ基(−Coo−)、ある
いはジメチルシリレン基(Ji(CHs )e−)を表
わす。)で表わされるクロロシラン界面活性剤が化学結
合してなる単分子膜を、少なくとも1層形成された記録
再生装置により、上述の課題を解決した作用 記録媒体表面にフッ素およびジメチルシリレンまたは酸
素原子またはカルボキシを含むクロロシラン系界面活性
剤を化学吸着させることで、保護膜が記録媒体と強固に
付着するた八 及びフッ素の滑性及び撥水性があるため
磁気記録媒体の信頼性を向上させると共へ 蒸着型記録
媒体自体が本来有する高密度記録を実現できる作用があ
もまた 記録再生用ヘッドの表面へ 単分子保護膜ある
いは複数層の単分子保護膜が互いに層間で化学結合した
状態の有機薄膜を高密度でピンホール無く、かつ均一な
厚みで、非常に薄く形成されているので、記録或は再生
ヘッドの効率が向上しノイズも減少できる作用があム さらに単分子有機薄膜表面にフッ素を含ませることによ
り、保護膜に滑性を持たせることかで献ヘッドの滑り性
が向上できる作用もあムまた 直鎖状のシラン系界面活
性剤分子内にジメチルシリレンまたは酸素原子またはカ
ルボキシを含ませておくこと℃ 単分子膜内でのシラン
系界面活性剤分子の自由度を向上させることができ、吸
着された単分子膜の耐摩耗性を大幅に向上できる作用も
あム 実施例 本発明1上 記録媒体あるいは記録ヘッドに設けた保護
膜に特徴があり、記録装置の記録媒体を走査する機構及
び記録あるいは再生用の回路等4i特に限定するもので
はな(℃ 従って本発明の特徴の中心部である記録媒体
もしくは記録ヘッドについて詳細に説明すも 以下、本発明の記録媒体の一実施例を、第1図〜第9図
を用いて説明すも 第1図に示すようへ 例えば磁気記録用ディスク基板(
媒体基体)1上にスッパタ法等により磁気記録層2(例
えばFe−Ni、Ni−Co等の磁性金属や磁性金属酸
化膜)を1,000人形成すもその丸 さらにスパッタ
蒸着法で、例えば炭素(C)等の保護風 例えばCr、
Mn、W、MOlTi等の金属薄罠 例えばCrept
、Mn0e、WOs、Mo*Os、Tie’s等の金属
酸化罠 例えばSi、SiC等の半導体風 あるいは例
えば5i02(な抵 この場合?& 蒸着のへ 塗布
ガラスである有機Si化合物を用い塗布した黴 熱処理
でS i Os膜を作成してもよLt )等の半導体
酸化膜を200人程度蒸着形成した徽 酸素を含むプラ
ズマガス雰囲気 あるいはオゾン発生器よりとりだした
10%程度のオゾンを含むガス雰囲気中に10分程度曝
すも このとき、オゾンガスに保護膜3が曝されること
により、保護膜表面は完全に酸化されて親水性となり、
後工程の化学吸着が完全に行えるようになム 次へ フッ素を含むシラン界面活性剤としてCH*=C
H−(CHe)−3i Cl5(nは整数で、 10〜
20程度が最も扱いやすい)を用((例えば3 x 1
0−” 〜5 x 10−11Mol/1程度の濃度で
溶かした80%n−ヘキサデカン、 12%四塩化炭秦
8%クロロホルム溶液を調整し 記録層が形成された
媒体基体を浸漬すると、第3図に示したように媒体保護
膜3あるいはヘッド本体4表面に形成された金属酸化物
薄膜5C友 表面に水酸基を含んでいるたヘ クロロ
シラン系界面活性剤のクロロシリル基と水酸4基が反応
して表面にCHe−CH−(CHa)II−3i −0
−の結合が生成され〇− ビニル基(CHe−CH−)6を含んだ単分子吸着膜7
が一凰 酸素原子を介して化学結合した形で20〜30
人の厚みの保護膜が形成されもさらL 酸素あるいは
Ntを含んだ雰囲気中でこの媒体基体あるいはヘッドを
エネルギー線(電子龜X線 r@ 紫外線 イオン線
)で3Mr ad程度照射し ビニル基部6に水酸(−
OH)基8(第4図)あるいはアミノ (−NHt)基
9(第5図)を付加させも な耘 これらの官能基がビニル基に付加すること+1F
TIR分析により確認されk また このとき表面に並んだビニル基LLOaやN2を
含んだプラズマ中で処理する方法でL −OH基や−
NHe基を付加させた単分子膜7−1 (第6図)およ
び7−2 (第7図)を形成する。
製造G1 セラミック基体の表面に磁性膜を蒸着し
さらにもう一つのセラミックを接着し媒体と接触する部
分を研磨した後切断する方法が一般に用いられていも 発明が解決しようとした、課題 前述の塗布型記録媒体の製造方法では製造が容易である
反匣 磁性粉末を小さくすることに限界があり、高密度
記録用としては性能が不十分であった また 蒸着型の記録媒体で(よ 記録密度は塗布型に比
べ良くなる力(磁性金属層が表面に出ているため耐久性
に問題があム そこで、 1000〜2000人の磁性
金属を電子ビームやスツバタ法で蒸着した上へ オーバ
ーコートを行L〜 さらに磁気記録媒体表面に潤滑性を
与えるために滑剤を塗布している力匁 まだ十分な耐久
性が得られていない現状であム ざら(−オーバーコートや滑剤の塗布を薄く均一に行え
ないたム 記録用磁気ヘッドと記録層のギャップが大き
くなり、蒸着型本来の高密度記録が十分発揮できないで
、 5.25インチ基板で20Mビット程度の記録密度
に留まっていも一人 記録読み取り用ヘッドでC1記録
媒体と接触する部分の研磨は行われている力(耐摩耗性
を目的とした特別な表面処理は行われてい、なかつ九
たt4 セラミックスの材質などを変えて耐摩耗性を
向上させていたに過ぎなt〜 従って、従来の記録ヘッドは記録媒体に対して損傷が大
きく、また摩耗も激しく信頼性に乏しかつ九 以上述べてきた従来法の欠点に鑑へ 本発明の目的は
オーバーコートや滑剤をより薄く均一に且つピンホール
が無い記録媒体を提供し 蒸着型磁気記録媒体の耐摩耗
性を改良し信頼性を向上させると共に高密度記録を実現
し ま7’= 滑剤をより薄く均一1.:、且つピン
ホール無く記録再生ヘッド上に形成し 記録媒体に対す
る損傷を少なくすると共に記録再生ヘッド自体の耐摩耗
性を改良し信頼性を向上した記録再生装置を提供するこ
とにあも 課題を解決するための手段 本発明(よ 記録媒体 この記録媒体に記録信号の授受
を行う記録もしくは再生ヘッド及び記録信号の授受を扱
う機構部及び回路部を具備し 記録媒体もしくは前記ヘ
ッドの何れかの表層く 金属層 金属酸化A 半導体膜
半導体酸化風 あるいは単層または複数層の有機単分
子膜よりなる保護膜を介して P(CF* )@ (CHI )IIA(CHI )*
5i(Ch )* Xs−喝(式中m=1〜8、 n=
o〜2、 p=5〜25、q=Q〜2の各整数を示り、
Xはハロゲン原子あるいはアルコキシ基を表わLAは酸
素原子(−0−)、カルボキシ基(−Coo−)、ある
いはジメチルシリレン基(Ji(CHs )e−)を表
わす。)で表わされるクロロシラン界面活性剤が化学結
合してなる単分子膜を、少なくとも1層形成された記録
再生装置により、上述の課題を解決した作用 記録媒体表面にフッ素およびジメチルシリレンまたは酸
素原子またはカルボキシを含むクロロシラン系界面活性
剤を化学吸着させることで、保護膜が記録媒体と強固に
付着するた八 及びフッ素の滑性及び撥水性があるため
磁気記録媒体の信頼性を向上させると共へ 蒸着型記録
媒体自体が本来有する高密度記録を実現できる作用があ
もまた 記録再生用ヘッドの表面へ 単分子保護膜ある
いは複数層の単分子保護膜が互いに層間で化学結合した
状態の有機薄膜を高密度でピンホール無く、かつ均一な
厚みで、非常に薄く形成されているので、記録或は再生
ヘッドの効率が向上しノイズも減少できる作用があム さらに単分子有機薄膜表面にフッ素を含ませることによ
り、保護膜に滑性を持たせることかで献ヘッドの滑り性
が向上できる作用もあムまた 直鎖状のシラン系界面活
性剤分子内にジメチルシリレンまたは酸素原子またはカ
ルボキシを含ませておくこと℃ 単分子膜内でのシラン
系界面活性剤分子の自由度を向上させることができ、吸
着された単分子膜の耐摩耗性を大幅に向上できる作用も
あム 実施例 本発明1上 記録媒体あるいは記録ヘッドに設けた保護
膜に特徴があり、記録装置の記録媒体を走査する機構及
び記録あるいは再生用の回路等4i特に限定するもので
はな(℃ 従って本発明の特徴の中心部である記録媒体
もしくは記録ヘッドについて詳細に説明すも 以下、本発明の記録媒体の一実施例を、第1図〜第9図
を用いて説明すも 第1図に示すようへ 例えば磁気記録用ディスク基板(
媒体基体)1上にスッパタ法等により磁気記録層2(例
えばFe−Ni、Ni−Co等の磁性金属や磁性金属酸
化膜)を1,000人形成すもその丸 さらにスパッタ
蒸着法で、例えば炭素(C)等の保護風 例えばCr、
Mn、W、MOlTi等の金属薄罠 例えばCrept
、Mn0e、WOs、Mo*Os、Tie’s等の金属
酸化罠 例えばSi、SiC等の半導体風 あるいは例
えば5i02(な抵 この場合?& 蒸着のへ 塗布
ガラスである有機Si化合物を用い塗布した黴 熱処理
でS i Os膜を作成してもよLt )等の半導体
酸化膜を200人程度蒸着形成した徽 酸素を含むプラ
ズマガス雰囲気 あるいはオゾン発生器よりとりだした
10%程度のオゾンを含むガス雰囲気中に10分程度曝
すも このとき、オゾンガスに保護膜3が曝されること
により、保護膜表面は完全に酸化されて親水性となり、
後工程の化学吸着が完全に行えるようになム 次へ フッ素を含むシラン界面活性剤としてCH*=C
H−(CHe)−3i Cl5(nは整数で、 10〜
20程度が最も扱いやすい)を用((例えば3 x 1
0−” 〜5 x 10−11Mol/1程度の濃度で
溶かした80%n−ヘキサデカン、 12%四塩化炭秦
8%クロロホルム溶液を調整し 記録層が形成された
媒体基体を浸漬すると、第3図に示したように媒体保護
膜3あるいはヘッド本体4表面に形成された金属酸化物
薄膜5C友 表面に水酸基を含んでいるたヘ クロロ
シラン系界面活性剤のクロロシリル基と水酸4基が反応
して表面にCHe−CH−(CHa)II−3i −0
−の結合が生成され〇− ビニル基(CHe−CH−)6を含んだ単分子吸着膜7
が一凰 酸素原子を介して化学結合した形で20〜30
人の厚みの保護膜が形成されもさらL 酸素あるいは
Ntを含んだ雰囲気中でこの媒体基体あるいはヘッドを
エネルギー線(電子龜X線 r@ 紫外線 イオン線
)で3Mr ad程度照射し ビニル基部6に水酸(−
OH)基8(第4図)あるいはアミノ (−NHt)基
9(第5図)を付加させも な耘 これらの官能基がビニル基に付加すること+1F
TIR分析により確認されk また このとき表面に並んだビニル基LLOaやN2を
含んだプラズマ中で処理する方法でL −OH基や−
NHe基を付加させた単分子膜7−1 (第6図)およ
び7−2 (第7図)を形成する。
最後へ 化学吸着試薬として一般式
%式%
(式中m=1〜8、n=0〜2、p=5〜25、q=Q
〜2の各整数を示LXはハロゲン原子あるいはアルコキ
シを表わLAは酸素原子(−0−)、カルボキシ基(−
COO−)、あるいはジメチルシリレン基(−3i(C
To )e−)を表わ!l″o)で表わされるフッ素を
含むシラン界面活性剋 例えば ChCHeO(CHa )+ 5sichを用(\ 2
X 10”” 〜5 X 10−’Mol/l程度の
濃度で溶かした80%n−ヘキサデカン、 12%四塩
化炭秦 8%クロロホルム溶液を調整し 前記単分子膜
7−1もしくは7−2が形成された媒体基体やヘッドを
浸漬すると、第4図あるいは第5図に示したように表面
に一層H基や−NHa基が露出しているた取 フッ素を
含むクロロシラン系界面活性剤のクロロシリル基と一層
H基あるいは−NH2基が反応して、表面に 〇− ChCHiO(CHt )+ 5sio−の結合が生成
され〇− 磁気記録媒体やヘッドの表面にフッ素を含む単分子吸着
膜10力交 下層の単分子膜と層間で化学結合した状態
の高密度な単分子累積膜11 (即ち滑性膜12 (第
1図及び第2図))を得ることができも (第5図及び
第6図) な耘 記録媒体の保護M3と滑性膜12との肌あるいは
ヘッドの金属酸化物薄膜5と滑性膜12との間に単分子
膜を必要としない場合には 第1回目の吸着でフッ素お
よびジメチルシリレンまたは酸素原子またはカルボキシ
を含むシラン界面活性剤を用いれ(瓜 表面にフッ素を
含む単分子吸着膜のみ1層形成することができも また 複数層の単分子膜を必要とした、場合に(表吸着
試薬として例えばCHe =CH−(CH2)。−3i
C1gを用I、X。
〜2の各整数を示LXはハロゲン原子あるいはアルコキ
シを表わLAは酸素原子(−0−)、カルボキシ基(−
COO−)、あるいはジメチルシリレン基(−3i(C
To )e−)を表わ!l″o)で表わされるフッ素を
含むシラン界面活性剋 例えば ChCHeO(CHa )+ 5sichを用(\ 2
X 10”” 〜5 X 10−’Mol/l程度の
濃度で溶かした80%n−ヘキサデカン、 12%四塩
化炭秦 8%クロロホルム溶液を調整し 前記単分子膜
7−1もしくは7−2が形成された媒体基体やヘッドを
浸漬すると、第4図あるいは第5図に示したように表面
に一層H基や−NHa基が露出しているた取 フッ素を
含むクロロシラン系界面活性剤のクロロシリル基と一層
H基あるいは−NH2基が反応して、表面に 〇− ChCHiO(CHt )+ 5sio−の結合が生成
され〇− 磁気記録媒体やヘッドの表面にフッ素を含む単分子吸着
膜10力交 下層の単分子膜と層間で化学結合した状態
の高密度な単分子累積膜11 (即ち滑性膜12 (第
1図及び第2図))を得ることができも (第5図及び
第6図) な耘 記録媒体の保護M3と滑性膜12との肌あるいは
ヘッドの金属酸化物薄膜5と滑性膜12との間に単分子
膜を必要としない場合には 第1回目の吸着でフッ素お
よびジメチルシリレンまたは酸素原子またはカルボキシ
を含むシラン界面活性剤を用いれ(瓜 表面にフッ素を
含む単分子吸着膜のみ1層形成することができも また 複数層の単分子膜を必要とした、場合に(表吸着
試薬として例えばCHe =CH−(CH2)。−3i
C1gを用I、X。
化学吸着と放射線照射の工程を繰り返し 最後に吸着試
薬としてフッ素を含むクロロシラン系界面活性剤を吸着
すれば 必要とした、層数の単分子膜を介して表面にフ
ッ素を含む単分子吸着膜を1層形成した滑性膜が得られ
も な抵 上記実施例で(よ 最表面に形成すべきフッ素お
よびジメチルシリレンまたは酸素原子またはカルボキシ
を含む単分子吸着膜作成用の試薬として CFsCHeO(CHi )+ 5sic1sを用いた
力丈 本発明はこれ以外にも Ch (CHz :125L(CHs )t (CHt
)+ s 5iChF(CFe )a (CHa )
e 5i(CHs )e (CH2)ssicljCh
COO(CH2)+ 5sicls等が利用でき九 次番ミ 吸着形成した単分子膜の表面エネルギーを測
定した結果を第8図に示す。
薬としてフッ素を含むクロロシラン系界面活性剤を吸着
すれば 必要とした、層数の単分子膜を介して表面にフ
ッ素を含む単分子吸着膜を1層形成した滑性膜が得られ
も な抵 上記実施例で(よ 最表面に形成すべきフッ素お
よびジメチルシリレンまたは酸素原子またはカルボキシ
を含む単分子吸着膜作成用の試薬として CFsCHeO(CHi )+ 5sic1sを用いた
力丈 本発明はこれ以外にも Ch (CHz :125L(CHs )t (CHt
)+ s 5iChF(CFe )a (CHa )
e 5i(CHs )e (CH2)ssicljCh
COO(CH2)+ 5sicls等が利用でき九 次番ミ 吸着形成した単分子膜の表面エネルギーを測
定した結果を第8図に示す。
第8図より明らかなようへ フッ素の数が多くなるほど
表面エネルギーが小さくなることが判っ九 なお第8図屯 F17はF(CF2)s 5i(CHs )s (CH
2)esiclg。
表面エネルギーが小さくなることが判っ九 なお第8図屯 F17はF(CF2)s 5i(CHs )s (CH
2)esiclg。
FeはF(CF2)4 (CHe )to(CH2)+
5siclsF3はChCOO(CHt )+ 5S
iCbNTSはCHs (CHs )+ *5iC1s
、でそれぞれ作成された吸着単分子膜を示す。
5siclsF3はChCOO(CHt )+ 5S
iCbNTSはCHs (CHs )+ *5iC1s
、でそれぞれ作成された吸着単分子膜を示す。
さらく 耐摩耗性の評価結果を第9図に示す。
第9図より明らかなように フッ素の数が多くジメチル
シリレンまたは酸素原子またはカルボキシを含む単分子
吸着膜力(耐摩耗性が高いことが判っ九 なお第9図においてL F17はF(CF2 )口5i(CHa )s (CH
2)esicls。
シリレンまたは酸素原子またはカルボキシを含む単分子
吸着膜力(耐摩耗性が高いことが判っ九 なお第9図においてL F17はF(CF2 )口5i(CHa )s (CH
2)esicls。
FeはF(CFe )4 (CH2)2o(CHt)+
G51clsF3はCFsCOO(CHe )+ 5
sicltNTSはC1h (CHa )+ ssic
lg。
G51clsF3はCFsCOO(CHe )+ 5
sicltNTSはC1h (CHa )+ ssic
lg。
でそれぞれ作成された吸着単分子膜を示す。
な耘 上記実施例で(友 磁気ディスクやヘッドを例に
して説明した力(磁気記録媒体や記録用ヘッドの保護膜
形成以外にL 光記録媒体や光デイスク用のレーザヘッ
ド、 レコード針等の耐摩耗性を向上したり、その地表
面保護を目的とした、全ての記録媒体やヘッド、或はそ
れらを用いたアナログやデジタル信号等の電気信号を記
録するVTR1磁気デイスク装置 光磁気ディスク装置
等に等に本発明の基本思想は応用できも 発明の効果 以上述べてきたよう艮 本発明の記録再生装置ζよ 記
録媒体表面又は記録もしくは再生ヘッド表面に F(C
Ff )m (CH2)J(CH2)# 81(CH3
)a Xi −aで表わされるクロロシラン界面活性剤
が化学結合してなる単分子膜を、少なくとも1層形成す
ることで、単分子保護膜あるいは複数層の単分子保護膜
が互いに層間で化学結合した状態の有機薄膜を、高密度
でピンホール無く、かつ均一な厚み℃ 非常に薄く形成
できも このとき、吸着用の直鎖状シラン系界面活性剤分子内に
ジメチルシリレンまたは酸素原子またはカルボキシを含
ませておくことで、単分子膜内でのシラン系界面活性剤
分子の自由度を向上させることができ、吸着された単分
子膜の耐摩耗性を大幅に向上できも 従って、磁気記録媒体としての性能を向上でき、ノイズ
も減少できて効果大なるものであムまた このヘッドを
用いれば 磁気ディスクや磁気テープ等の記録媒体に与
える損傷を少なく押さえることができる効果もあム 従って、本願発明の記録媒体や記録読み取りヘッドをア
ナログやデジタル信号を記録するVTR1磁気デイスク
装置 光磁気ディスク装置等に応用すれば 装置として
の性能も大幅に向上できも
して説明した力(磁気記録媒体や記録用ヘッドの保護膜
形成以外にL 光記録媒体や光デイスク用のレーザヘッ
ド、 レコード針等の耐摩耗性を向上したり、その地表
面保護を目的とした、全ての記録媒体やヘッド、或はそ
れらを用いたアナログやデジタル信号等の電気信号を記
録するVTR1磁気デイスク装置 光磁気ディスク装置
等に等に本発明の基本思想は応用できも 発明の効果 以上述べてきたよう艮 本発明の記録再生装置ζよ 記
録媒体表面又は記録もしくは再生ヘッド表面に F(C
Ff )m (CH2)J(CH2)# 81(CH3
)a Xi −aで表わされるクロロシラン界面活性剤
が化学結合してなる単分子膜を、少なくとも1層形成す
ることで、単分子保護膜あるいは複数層の単分子保護膜
が互いに層間で化学結合した状態の有機薄膜を、高密度
でピンホール無く、かつ均一な厚み℃ 非常に薄く形成
できも このとき、吸着用の直鎖状シラン系界面活性剤分子内に
ジメチルシリレンまたは酸素原子またはカルボキシを含
ませておくことで、単分子膜内でのシラン系界面活性剤
分子の自由度を向上させることができ、吸着された単分
子膜の耐摩耗性を大幅に向上できも 従って、磁気記録媒体としての性能を向上でき、ノイズ
も減少できて効果大なるものであムまた このヘッドを
用いれば 磁気ディスクや磁気テープ等の記録媒体に与
える損傷を少なく押さえることができる効果もあム 従って、本願発明の記録媒体や記録読み取りヘッドをア
ナログやデジタル信号を記録するVTR1磁気デイスク
装置 光磁気ディスク装置等に応用すれば 装置として
の性能も大幅に向上できも
第1図は本発明の記録装置に適応される記録媒体の一実
施例の概念断面@ 第2図は本発明の記録装置に適応さ
れる記録もしくは再生ヘッドの一実施例の概念断面@
第3図〜第7図は本発明の記録装置中の記録媒体あるい
はヘッドに適応される保護膜の一実施例の工程断面医
第8図は本発明のフッ素を含む化学吸着膜と従来の化学
吸着膜との表面エネルギーの関係を示す@ 第9図は本
発明のフッ素を含む化学吸着膜の摩擦係数と摩擦回数と
の関係を表した図である。 1・・・媒体基体 2・・・磁気記録慰 3・・・保護
膜4・・・ヘッド本体 5・・・金属酸化膜薄11E6
・・・ビニル基 7・・・単分子吸着脱 8・・・水酸
展 9・・・アミノ基 11・・・単分子累積風 12
・・・滑性風代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか
2名第1図 箭 図 第 図 第 区 に市張力 (dyne/ Cm ) !r 転 U〕 憾 (〕 硅
施例の概念断面@ 第2図は本発明の記録装置に適応さ
れる記録もしくは再生ヘッドの一実施例の概念断面@
第3図〜第7図は本発明の記録装置中の記録媒体あるい
はヘッドに適応される保護膜の一実施例の工程断面医
第8図は本発明のフッ素を含む化学吸着膜と従来の化学
吸着膜との表面エネルギーの関係を示す@ 第9図は本
発明のフッ素を含む化学吸着膜の摩擦係数と摩擦回数と
の関係を表した図である。 1・・・媒体基体 2・・・磁気記録慰 3・・・保護
膜4・・・ヘッド本体 5・・・金属酸化膜薄11E6
・・・ビニル基 7・・・単分子吸着脱 8・・・水酸
展 9・・・アミノ基 11・・・単分子累積風 12
・・・滑性風代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか
2名第1図 箭 図 第 図 第 区 に市張力 (dyne/ Cm ) !r 転 U〕 憾 (〕 硅
Claims (6)
- (1)記録媒体、前記記録媒体に記録信号の授受を行う
記録もしくは再生ヘッド及び前記記録信号の授受を扱う
機構部及び回路部を具備し、前記記録媒体もしくは前記
ヘッドの何れかの表層に、金属膜、金属酸化膜、半導体
膜、半導体酸化膜、あるいは単層または複数層の有機単
分子膜よりなる保護膜を介して F(CF_2)_m(CH_2)_nA(CH_2)_
pSi(CH_3)_qX_3_−_q(式中m=1〜
8、n=0〜2、p=5〜25、q=0〜2の各整数を
示し、Xはハロゲン原子あるいはアルコキシ基を表わし
、Aは酸素原子(−O−)、カルボキシ基(−COO−
)、あるいはジメチルシリレン基(−Si(CH_3)
_2−)を表わす。)で表わされるクロロシラン界面活
性剤が化学結合してなる単分子膜を、少なくとも1層形
成されていることを特徴とした記録再生装置。 - (2)単層または複数層の単分子保護膜と、クロロシラ
ン界面活性剤とが化学結合してなる単分子膜が、互いに
層間で化学結合していることを特徴とした、請求項1記
載の記録媒体。 - (3)クロロシラン界面活性剤が、 CF_3(CH_2)_2Si(CH_3)_2(CH
_2)_1_5SiCl_3であることを特徴とした、
請求項1もしくは2何れかに記載の記録媒体。 - (4)クロロシラン界面活性剤が、 F(CF_2)_4(CH_2)_2Si(CH_3)
_2(CH2)_3SiCl_3であることを特徴とし
た、請求項1もしくは2何れかに記載の記録媒体。 - (5)クロロシラン界面活性剤が、 CF_3CH_2O(CH_2)_1_5SiCl_3
であることを特徴とした、請求項1もしくは2何れかに
記載の記録媒体。 - (6)クロロシラン界面活性剤が、 CF_3COO(CH_2)_1_5SiCl_3であ
ることを特徴とした、請求項1もしくは2何れかに記載
の記録媒体。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2237532A JP2912694B2 (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 記録再生装置 |
EP91114994A EP0474228B1 (en) | 1990-09-07 | 1991-09-05 | A recording and reproducing device coated with a fluorine- and Si-containing lubricating film |
DE69109978T DE69109978T2 (de) | 1990-09-07 | 1991-09-05 | Mit einer Fluor und Si-enthaltenden Gleit-Beschichtung überzogene Aufzeichnungs- und Wiedergabegevorrichtung. |
US08/127,288 US5425988A (en) | 1990-09-07 | 1993-09-27 | Recording and reproducing device which includes a protective film and a monomolecular fluoro organo silicon film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2237532A JP2912694B2 (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 記録再生装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04117621A true JPH04117621A (ja) | 1992-04-17 |
JP2912694B2 JP2912694B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=17016733
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2237532A Expired - Fee Related JP2912694B2 (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 記録再生装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5425988A (ja) |
EP (1) | EP0474228B1 (ja) |
JP (1) | JP2912694B2 (ja) |
DE (1) | DE69109978T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2007116812A1 (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-18 | Hoya Corporation | 磁気ディスク及びその製造方法 |
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EP0511548B1 (en) * | 1991-04-30 | 1997-07-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chemically adsorbed film and method of manufacturing the same |
EP0559119B1 (en) | 1992-03-02 | 2000-10-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chemically adsorbed film and method of manufacturing the same |
JP2741823B2 (ja) * | 1992-05-27 | 1998-04-22 | 松下電器産業株式会社 | 表面処理剤及びその使用方法 |
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EP0606174A1 (fr) * | 1993-01-05 | 1994-07-13 | Elf Atochem S.A. | Solide muni d'une couche hydrophobe et oléophobe et procédé d'application de ladite couche |
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KR20040097179A (ko) * | 2002-03-26 | 2004-11-17 | 티디케이가부시기가이샤 | 복합 하드코트층 부여 물체 및 복합 하드코트층의 형성 방법 |
DE10223359B4 (de) | 2002-05-25 | 2011-08-11 | Robert Bosch GmbH, 70469 | Mikromechanisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung einer Anti-Haftschicht auf einem mikromechanischen Bauteil |
US8182868B2 (en) * | 2003-01-09 | 2012-05-22 | Maxtor Corporation | Encapsulation of particulate contamination |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2912694B2 (ja) | 1999-06-28 |
US5425988A (en) | 1995-06-20 |
DE69109978D1 (de) | 1995-06-29 |
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EP0474228B1 (en) | 1995-05-24 |
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---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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