JP2003077119A

JP2003077119A - 磁気記録媒体及びその製造方法

Info

Publication number: JP2003077119A
Application number: JP2001268332A
Authority: JP
Inventors: Tetsukazu Nakamura; 哲一中村; Tsukasa Itani; 司井谷; Hiroshi Chiba; 洋千葉
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2001-09-05
Filing date: 2001-09-05
Publication date: 2003-03-14

Abstract

(57)【要約】【課題】磁気記録媒体及びその製造方法に関し、保護
膜の機械的強度を保持したまま潤滑剤との付着力を向上
させ、且つ、コンタミ耐性を高める。【解決手段】保護膜４を成膜したのちに、その表面を
イオン化した希ガス元素を含む雰囲気中で処理し、引き
続いて外気へ暴露されることなく潤滑膜５を被膜する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体及びそ
の製造方法に関するものであり、特に、ハードディスク
ドライブ（ＨＤＤ）に用いる磁気記録媒体の耐蝕性を高
めるための保護被膜の構成及び形成方法に特徴のある磁
気記録媒体及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、情報記録装置であるヘッドの
浮上を伴う磁気記録装置（所謂ハードディスクドライ
ブ）はコンピュータや各種携帯情報端末、例えば、モバ
イルパソコン、携帯電話、ゲーム機、デジタルカメラ、
車載ナビゲーション等の外部記憶装置として一般に広く
使用されている。

【０００３】現在の磁気ディスクは、Ａｌ−Ｍｇ合金や
ガラス基板等の硬質非磁性基板上に良好な磁気特性を示
すＣｏＣｒＰｔＴａ等のコバルト系の合金を薄膜磁性合
金層として設けたものからなるが、この様な磁性合金層
は耐久性、耐蝕性に著しく劣るため、磁気ヘッドとの接
触、摺動による摩擦、摩耗や湿気吸着による腐食発生の
ため磁気特性の劣化や機械的または化学的損傷が生じ易
い。

【０００４】そこで現状では、磁性合金層表面に厚さが
５〜５０ｎｍ程度の保護膜層を設け、さらにその直上を
厚さが１〜９ｎｍ程度の潤滑剤で被覆することで、耐
久、耐蝕性の向上を図っている。

【０００５】この様な保護膜としては、ＳｉＯ₂やＡｌ
₂Ｏ₃等の様々な材質が用いられてきたが、現在では、
ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜、即ち、アモ
ルファスの炭素系保護膜が耐熱性、耐蝕性および耐摩耗
性に優れている点から磁気記録媒体および磁気ヘッドの
保護膜として好適であるとされ、ＰＶＤ法やＣＶＤ法等
の種々の方法によって堆積されている。

【０００６】また、保護膜層上に塗布する潤滑剤として
は、末端へ各種極性基を付与したフッ素系潤滑剤、例え
ば、パーフルオロポリエーテル系潤滑剤や脂肪族炭化水
素系潤滑剤が広く用いられており、ディップ法、スピン
コート法、或いは、スプレー法などで炭素系保護膜上へ
塗布・付着させている。

【０００７】ところで近年の情報化社会ではあらゆる用
途において取り扱う情報量が増大傾向にあり、これに伴
って磁気ディスクは一層の高記録密度、大容量化が切望
されている。

【０００８】この様な高記録密度化への要求に応えるた
めには、磁気記録層と磁気ヘッドの記録／読取部間の間
隔（いわゆるマグネティックスペーシング）を短縮する
ことが不可欠であり、そのため磁気ヘッドの浮上量は年
々縮小しているが、現在のトレンドである年率１００％
の高記録密度化を維持・向上するためには浮上量のみな
らず保護膜および潤滑剤そのものの薄層化が必要とされ
ている。

【０００９】しかしながら、この保護膜の膜厚減少によ
り従来は問題とされなかった種々の弊害が懸念され始め
ている。まず、第一に、薄層化によって絶対的な機械的
強度が低下するため、なんらかの衝撃を受けることで容
易にディスクが損傷することが挙げられ、このような事
態を回避するため、現在ではより高硬度な炭素系保護膜
の成膜が可能とされるＣＶＤ法が主流となりつつある。

【００１０】ここで、図５を参照して、従来の磁気記録
媒体の製造工程を説明する。図５（ａ）参照まず、例えば、スパッタリング方法を用いて、２．５イ
ンチ（≒６．５ｃｍ）のガラス基板３１の両面にＮｉＰ
層３２を介して厚さが、例えば、３ｎｍのＣｒＭｏ下地
層３３及び厚さが、例えば、２０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ磁
気記録層３４を設け、次いで、プラズマＣＶＤ法を用い
て、ＣｏＣｒＰｔ磁気記録層３４上に厚さが、例えば、
６ｎｍのＤＬＣ保護層３５を堆積させる。

【００１１】図５（ｂ）参照次いで、このＤＬＣ保護膜３５乃至ＮｉＰ層３２を設け
たガラス基板３１を、例えば、フッ素系の潤滑剤である
ピペロニル基を末端に持つパーフルオロポリエーテル、
具体的は、Ｆｏｍｂｌｉｎ（商標名）ＡＭ３００１（ア
ウジモント社製商品名）を、溶媒であるフロリナート
（商標名）ＦＣ７７（住友３Ｍ社製商品名）に溶解させ
た潤滑剤塗布溶液３６中に浸漬する。

【００１２】図５（ｃ）参照次いで、ゆっくり、例えば、１．０ｍｍ／秒の引上げ速
度で引き上げることによって、ＤＬＣ保護層３５の表面
に残った溶媒を蒸発させて、厚さが、例えば、１〜９ｎ
ｍ、例えば２ｎｍの潤滑剤層３７でＤＬＣ保護層３５の
表面をコートする。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、ＣＶＤ法は炭
化水素化物気体を原料ガスとして分解反応により炭素系
保護膜を形成する手法であるため、保護膜の表面が部分
的に水素終端となるが、即ち、水素化アモルファスカー
ボンとなるが、その結果として炭素系保護膜表面が不活
性となり直上に塗布される潤滑剤との結合力が減少する
ことになる。

【００１４】このような結合力の低下はＣＳＳ（コンタ
クト・スタート・ストップ）方式や高速回転が採用され
る磁気記録装置においては、潤滑剤層の膜べりが顕著と
なり、耐久性や信頼性の低下を招くという新たな問題が
発生する。

【００１５】一方、これまで主流であったグラファイト
焼結体などの固体ターゲットを用いたスパッタリング法
による炭素系保護膜の形成においても、保護膜の硬度増
加を目的としてダイヤモンド的結合（ｓｐ³結合）を促
進させるために成膜時の放電ガスに水素ガスを混入させ
る手法が一般的であり、ＣＶＤ法と同様に潤滑剤との結
合力低下の問題を抱えている。

【００１６】上記問題点を解決する手段としては、これ
までに水素含有量の異なる2 層以上の膜からなる炭素系
保護膜を形成する方法（必要ならば、特開平７−８５４
６１号公報参照）や、保護膜の表面や膜中を酸化もしく
は窒化する方法（特開２０００１−１４６５７号公報）
など、主に保護膜の表面活性を向上させる方法が提案さ
れているが、これらは潤滑剤との結合力を増加させるた
め保護膜の基本特性である硬度を犠牲にしなければなら
ないという不具合が生じる。

【００１７】さらに保護膜薄層化の進行が５ｎｍ以下の
領域、特に、３ｎｍ以下になると均一膜の形成が困難と
なり被覆劣化や欠陥密度の増加が顕著となる。このよう
な欠陥部には大気中に存在する、例えば、ＳＯ_x、ＮＯ
_X等の無機系コンタミや、シロキサン等の有機系コンタ
ミが容易に吸着・堆積するため、磁気記録層の腐食や浮
上障害の原因となり得るが、保護膜形成後に一度大気中
に取り出してから潤滑剤を付着させる現状のプロセスで
は本質的にこの問題を防ぐことはできないという問題が
ある。

【００１８】また、潤滑剤処理方法としては、潤滑剤を
塗布してから紫外線を照射して保護層の表面を極性化
し、潤滑剤を保護膜へ強固に結合させる方法（必要なら
ば、特開平７−２６２５５５号公報、特開平８−１２４
１４２号公報参照）、或いは、紫外線照射処理、紫外線
＋Ｏ₃照射処理、或いは、紫外線＋湿潤Ｏ₃処理を行う
前に、基板を５０℃以上、例えば、１５０℃に加熱する
ことによって処理速度を高める方法（必要ならば、特開
平５−２８４７８号公報参照）が挙げられる。

【００１９】しかし、この様な紫外線照射等の処理は、
保護膜の表面に官能基を生成し、配向分極によって保護
膜と潤滑剤層とを物理的に吸着させようとするものであ
り、ダングリング・ボンドによる化学結合に比べて数分
の一の結合力しか得られないという問題がある。

【００２０】したがって、本発明は、保護膜の機械的強
度を保持したまま潤滑剤との付着力を向上させ、且つ、
コンタミ耐性を高めることを目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成図であり、この図１を参照して本発明における課題を
解決するための手段を説明する。なお、図における符号
２は下地層である。図１参照上記の目的を達成するために、本発明は、基板１上に磁
性膜３、保護膜４、潤滑膜５を順次積層する磁気記録媒
体の製造方法において、前記保護膜４を成膜したのち
に、その表面をイオン化した希ガス元素を含む雰囲気中
で処理し、例えば、プラズマ処理を施し、引き続いて外
気へ暴露されることなく潤滑膜５を被膜する工程を有す
ることを特徴とする。

【００２２】即ち、保護膜４を成膜した後にイオン化し
た希ガスを含む雰囲気中での処理により保護膜４の表面
に活性なダングリング・ボンドを形成し、このダングリ
ング・ボンドを利用して潤滑剤と化学結合することによ
って、最も強固な付着状態を実現することができる。一
方、本手法では保護膜４そのものの改質は行われないた
めに本来の機械的強度は保持されるので高耐久性の磁気
記録媒体が実現できる。

【００２３】この場合、活性なダングリング・ボンド
は、反応性のある元素と容易に結合し消滅するため、潤
滑剤を塗布するまでは酸素や窒素を含む外気から遮断す
る必要があり、そのため、プラズマ処理後、外気へ暴露
することなく潤滑膜５を被膜することにより、コンタミ
のない強固な結合を得ることができる。

【００２４】最も効果的であるのは、プラズマ処理後に
真空中で気相法により潤滑剤を塗布する方法が挙げられ
るが、本発明はダングリングボンドの寿命時間が延長で
きれば十分効果があるので、ＨｅやＡｒ等の希ガス７の
雰囲気中で潤滑剤塗布溶液６を用いたディップ法、スピ
ンコート法、或いは、スプレー法により潤滑剤を塗布し
ても良い。

【００２５】またプラズマ処理に用いる希ガスは、希ガ
スの内のいづれか一種類以上を用いることができるが、
プラズマ処理によるスパッタリングは入射する元素の質
量、エネルギーが小さいほど起こりづらい。したがっ
て、ダングリングボンドを形成するにはプラズマ処理に
用いる希ガス元素は、保護膜４を構成する元素の内の少
なくとも一種類以上より質量数が大きいことが望まし
い。

【００２６】例えば、磁気記録媒体の保護膜４に広く用
いられる水素化アモルファスカーボンでは構成元素がＣ
とＨであるためＨｅ以上の希ガス元素を用いれば良い
が、Ｎｅ以上の質量数ではＣも同時にスパッタリングさ
れてしまい膜へのダメージが大きくなるため、保護膜４
を構成する元素の内の２番目に小さい質量数よりも小さ
いことが望ましい。

【００２７】また、結果的に得られる磁気記録媒体の構
成としては、磁性膜３上に設けた保護膜４の表面の水素
量が、保護膜４中の水素量より１０原子％以上減少して
おり、且つ、前記保護膜４の表面の酸素量および窒素量
がそれぞれ２原子％以下であることが望ましい。特に、
保護膜４の厚さが、５ｎｍ以下である場合に本発明の構
成は有効となる。

【００２８】

【発明の実施の形態】ここで、図２及び図３を参照し
て、本発明の実施の形態の磁気記録媒体の製造工程を説
明する。図２（ａ）参照まず、スパッタリング方法を用いて、２．５インチ（≒
６．５ｃｍ）のガラス基板１１の両面にＮｉＰ層１２を
介して厚さが、例えば、３ｎｍのＣｒＭｏ下地層１３、
及び、厚さが、例えば、２０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ磁気記
録層１４を順次積層させる。

【００２９】図２（ｂ）参照次いで、ＲＦプラズマＣＶＤ装置を用いて原料ガスであ
るＣＨ₄と放電補助ガスであるＡｒを１対１で混合・給
気し、放電出力７００Ｗ、成膜室内圧力３Ｐａ、基板バ
イアス−３００Ｗの条件で、厚さが、例えば、１０ｎｍ
のＤＬＣ保護膜１５を形成する。なお、この場合のＲＦ
プラズマＣＶＤ装置の反応室の容積は２７リットルであ
る。

【００３０】図２（ｃ）参照引き続いて、Ｈｅを放電ガスとして放電出力１０００
Ｗ、成膜室内圧力３Ｐａで、Ｈｅプラズマ１６によるプ
ラズマ処理を行い、ＤＬＣ保護膜１５の表面に活性なダ
ングリング・ボンド１７を形成する。

【００３１】図３（ｄ）参照次いで、成膜室内をＡｒガスで十分パージし、同様にＡ
ｒガス１８で満たされた潤滑剤塗布室へ外気に晒すこと
なく搬送し、Ｆｏｍｂｌｉｎ（商標名）ＡＭ３００１
（アウジモント社製商品名）を、溶媒であるフロリナー
ト（商標名）ＦＣ７７（住友３Ｍ社製商品名）で約０．
２ｖｏｌ％程度に希釈した潤滑剤溶液１９を用いて３０
秒間浸漬する。

【００３２】図３（ｃ）参照次いで、引き上げ速度８００ｍｍ／分の条件で基板を引
き上げて、ＤＬＣ保護層１５の表面に残った溶媒を蒸発
させて、厚さが、例えば、２ｎｍの潤滑剤層２０を設け
て完成媒体とした。

【００３３】この様に形成したＤＬＣ保護膜１５中の水
素対炭素の含有量比をラザフォード後方散乱法（ＲＢ
Ｓ）および水素弾性反跳検出法（高エネルギーＥＲＤ
Ａ）で測定したところ、膜中の水素含有量は３０原子％
であった。

【００３４】一方、ＤＬＣ保護膜１５の表面の水素含有
量は低エネルギーＥＲＤＡにより測定したところ、１６
原子％程度とほぼ半減しており、これは、Ｈｅプラズマ
によるプラズマ処理により水素原子が選択的にエッチン
グされたと考えられる。なお、低エネルギーＥＲＤＡの
入射イオンのエネルギーは、ＭｅＶオーダの高エネルギ
ーＥＲＤＡに比べ、ｋｅＶオーダと低いため、最表面の
２原子層程度までの情報のみ抽出できる。

【００３５】また、Ｘ線光電子分光法によって、ＤＬＣ
保護膜１５の最表面の酸素量および窒素量を同定したと
ころ、それぞれ、２原子％であった。この両者の値が小
さいのは、プラズマ処理後、外気に晒すことなく潤滑剤
を塗布したため、ＤＬＣ保護膜表面の酸化や窒化が抑制
されたためと考えられる。

【００３６】また、上記のように形成した磁気記録媒体
の潤滑剤層２０の付着力をフルオロカーボン系溶剤で洗
浄した後の潤滑剤層の初期膜厚に対する膜厚残存率によ
り評価したところ、８６％の値を得た。

【００３７】さらに、ダイヤモンド圧子を用いたナノイ
ンデンテーション法による硬度測定では、ＤＬＣ保護膜
の膜硬度は１２ＧＰａであった。

【００３８】次に、本発明の効果を確認するために、従
来の手法によって保護膜及び潤滑剤層を形成して、その
特性を評価したので、以下において説明する。まず、比
較例１として、上記の実施の形態と全く同様の手順でＤ
ＬＣ保護膜を形成した後、一旦、大気中に磁気記録媒体
を取り出して潤滑剤を塗布して磁気記録媒体を完成させ
た。

【００３９】このように製造した磁気記録媒体に対し
て、ＲＢＳ法および低エネルギーＥＲＤＡを用いてＤＬ
Ｃ保護膜中およびＤＬＣ保護膜表面の水素量を同定した
ところ、両者とも３０原子％と同値を示した。

【００４０】また、Ｘ線光電子分光法でＤＬＣ保護膜最
表面の酸素量および窒素量を同定したところ、それぞ
れ、５原子％と４原子％であり、本発明より２倍以上の
混入量であった。この様に、酸素と窒素が混入した原因
は、一旦、外気中に磁気記録媒体を取り出した際に外気
中の酸素と窒素とがＤＬＣ保護膜の表面へ付着・堆積し
たためと考えられる。

【００４１】また、上記と同じ手法で潤滑剤層の膜厚残
存率を評価したところ５２％であり、本発明の約６割の
膜厚残存率であり、また、ナノインデンテーション法に
よる硬度測定では膜硬度は１２ＧＰａであり、膜高度は
本発明と同様であった。

【００４２】次に、比較例２として、上記の実施の形態
と全く同様の手順でＤＬＣ保護膜を形成した後、酸素を
放電ガスとして放電出力１０００Ｗ、成膜室内圧力３Ｐ
ａでプラズマ処理を行い、次いで、一旦、大気中に磁気
記録媒体を取り出して潤滑剤を塗布し磁気記録媒体を完
成させた。

【００４３】このように製造した磁気記録媒体に対し
て、ＲＢＳ法および低エネルギーＥＲＤＡを用いてＤＬ
Ｃ保護膜中およびＤＬＣ保護膜表面の水素量を同定した
ところ、それぞれ３０原子％及び１０原子％であり、本
発明と同様に、プラズマ処理によりＤＬＣ保護膜の表面
を終端していた水素原子が飛ばされたことが理解され
る。

【００４４】また、Ｘ線光電子分光法でＤＬＣ保護膜最
表面の酸素量および窒素量を同定したところ、それぞ
れ、１７原子％と５原子％であり、本発明より２倍以上
の混入量であり、特に、酸素の混入量は８．５倍であっ
た。これは、プラズマ処理によりＤＬＣ保護膜の表面に
酸化系の官能基が形成されたことに起因するものと考え
られる。

【００４５】また、上記と同じ手法で潤滑剤層の膜厚残
存率を評価したところ６７％であり、本発明の８割弱の
膜厚残存率であった。これは上述のように、プラズマ処
理によりＤＬＣ保護膜の表面に酸化系の官能基が形成さ
れ、この官能基による静電結合力による結合であるた
め、本発明のダングリング・ボンドによる化学的結合と
比べて弱いためと考えられる。

【００４６】また、ナノインデンテーション法による硬
度測定では膜硬度が９ＧＰａであり、膜高度の低下が見
られた。これは、ＤＬＣ保護膜を構成するＣより原子量
の大きなＯを用いてプラズマ処理を行ったため、プラズ
マ処理中にＣをスパッタリングしてＤＬＣ保護膜にダメ
ージを与えたためと考えられる。

【００４７】図４参照以上の結果を纏めたのが図４であり、図から明らかなよ
うに、本発明で作製された磁気記録媒体は潤滑剤付着力
に優れ、機械的強度も保持する上に保護膜表面へのコン
タミ付着を抑制することが理解される。

【００４８】以上、本発明の実施の形態を説明したが、
本発明は実施の形態に記載した構成及び条件に限られる
ものではなく、各種の変更が可能である。例えば、上記
の実施の形態においては、プラズマ処理をＲＦ放電で行
ったが、処理効率を向上させるためにより高密度なプラ
ズマ、例えば、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）法や
ＨＷＰ（ヘリコン波励起プラズマ）法などを用いても良
いものである。

【００４９】さらには、純粋なプラズマ処理に限られる
ものではなく、イオン化した希ガス元素を反応室に導入
し、イオン化した希ガス元素のみを用いて保護膜の表面
を処理して水素を除去し、活性なダングリング・ボンド
を生成しても良いものである。

【００５０】また、上記の実施の形態においては、潤滑
剤をディッピング法（浸漬法）によって塗布して形成し
ているが、ディッピング法に限られるものではなく、ス
ピンコート法或いはスプレー法によって塗布しても良い
ものである。

【００５１】また、上記の実施の形態においては、潤滑
剤として、ＦｏｍｂｌｉｎＡＭ３００１（アウジモン
ド製商品名）を用いている、この様な潤滑剤に限定され
るものではなく、ＦｏｍｂｌｉｎＺ−ｄｏｌ（アウジ
モンド製商品名）等の他の官能基を有する潤滑剤を用い
ても同様の効果が得られるのは言うまでもない。

【００５２】また、上記の実施の形態においては、潤滑
剤の塗布をＡｒガス雰囲気中で行っているが、Ａｒ以外
のＨｅやＮｅ等の他の希ガス中で行っても良く、さらに
は、真空中において塗布しても良いものである。

【００５３】また、上記の実施の形態においては、保護
膜としてＤＬＣ保護膜を用いているが、必ずしもＤＬＣ
保護膜に限られるものではなく、ＳｉＯ₂保護膜、Ａｌ
₂Ｏ ₃保護膜、或いは、窒化膜の場合にも本発明の手法
は適用されるものである。

【００５４】また、上記の実施の形態に記載した磁気記
録媒体における基板、下地層、或いは、磁性層は単なる
一例であり、上述の材料に限定されるものでないことは
言うまでもなく、例えば、基板としては、Ａｌ−Ｍｇ合
金基板を用いても良いものである。

【００５５】ここで、再び、図１を参照して、本発明の
詳細な特徴を説明する。再び、図１（ａ）及び（ｂ）参
照（付記１）磁性膜３上に設けた保護膜４の表面の水素
量が、前記保護膜４中の水素量より１０原子％以上減少
しており、且つ、前記保護膜４の表面の酸素量および窒
素量がそれぞれ２原子％以下であることを特徴とする磁
気記録媒体。（付記２）上記保護膜４の厚さが、５ｎｍ以下である
ことを特徴とする付記１記載の磁気記録媒体。（付記３）基板１上に磁性膜３、保護膜４、潤滑膜５
を順次積層する磁気記録媒体の製造方法において、前記
保護膜４を成膜したのちに、その表面をイオン化した希
ガス元素を含む雰囲気中で処理し、引き続いて外気へ暴
露されることなく潤滑膜５を被膜する工程を有すること
を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。（付記４）上記イオン化する希ガスは、上記保護膜４
を構成する元素の内の最も質量数が小さい元素よりも質
量数が大きく、且つ、前記保護膜４を構成する元素の内
の２番目に小さい質量数よりも小さいことを特徴とする
付記３記載の磁気記録媒体の製造方法。（付記５）上記イオン化した希ガス元素を含む雰囲気
中で処理が、希ガスを用いたプラズマ処理であることを
特徴とする付記３または４に記載の磁気記録媒体の製造
方法。（付記６）上記潤滑膜５の形成を、密閉容器内で行う
ことを特徴とする付記３乃至５のいずれか１に記載の磁
気記録媒体の製造方法。（付記７）上記潤滑膜６の形成を、希ガス７の雰囲気
中で行うことを特徴とする付記３乃至５のいずれか１に
記載の磁気記録媒体の製造方法。（付記８）上記保護膜４が水素化アモルファスカーボ
ンからなり、且つ、上記プラズマ処理に用いる希ガスが
Ｈｅであることを特徴とする付記３乃至７のいずれか１
に記載の磁気記録媒体の製造方法。

【００５６】

【発明の効果】本発明によれば、磁気記録媒体の製造に
あたり、保護膜の形成後に希ガスによるプラズマ処理を
行い、引き続き外気に晒すことなく潤滑剤を塗布してい
るので、保護膜の機械的強度を保持したまま潤滑剤との
付着力を向上させ、かつコンタミ耐性を高めることがで
き、ひいては、磁気記録装置の高密度記録化及び信頼性
の向上に寄与するところが大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理的構成の説明図である。

【図２】本発明の実施の形態の途中までの製造工程の説
明図である。

【図３】本発明の実施の形態の図２以降の製造工程の説
明図である。

【図４】本発明の実施の形態の作用効果の説明図であ
る。

【図５】従来の磁気記録媒体の製造工程の説明図であ
る。

【符号の説明】

１基板２下地層３磁性膜４保護膜５潤滑膜６潤滑剤塗布溶液７希ガス１１ガラス基板１２ＮｉＰ層１３ＣｒＭｏ下地層１４ＣｏＣｒＰｔ磁気記録層１５ＤＬＣ保護膜１６Ｈｅプラズマ１７ダングリング・ボンド１８Ａｒガス１９潤滑剤塗布溶液２０潤滑剤層３１ガラス基板３２ＮｉＰ層３３ＣｒＭｏ下地層３４ＣｏＣｒＰｔ磁気記録層３５ＤＬＣ保護膜３６潤滑剤塗布溶液３７潤滑剤層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者千葉洋神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号富士通株式会社内Ｆターム(参考） 5D006 AA02 AA05 AA06 BB02 EA03 5D112 AA07 BC01 BC05 FA04 FA10 GA05 GA28

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁性膜上に設けた保護膜の表面の水素量
が、前記保護膜中の水素量より１０原子％以上減少して
おり、且つ、前記保護膜の表面の酸素量および窒素量が
それぞれ２原子％以下であることを特徴とする磁気記録
媒体。
【請求項２】基板上に磁性膜、保護膜、潤滑膜を順次
積層する磁気記録媒体の製造方法において、前記保護膜
を成膜したのちに、その表面をイオン化した希ガス元素
を含む雰囲気中で処理し、引き続いて外気へ暴露される
ことなく潤滑膜を被膜する工程を有することを特徴とす
る磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】上記イオン化する希ガスは、上記保護膜
を構成する元素の内の最も質量数が小さい元素よりも質
量数が大きく、且つ、前記保護膜を構成する元素の内の
２番目に小さい質量数よりも小さいことを特徴とする請
求項２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】上記潤滑膜の形成を、希ガス雰囲気中で
行うことを特徴とする請求項２または３に記載の磁気記
録媒体の製造方法。
【請求項５】上記保護膜が水素化アモルファスカーボ
ンからなり、且つ、上記イオン化する希ガスがＨｅであ
ることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記
載の磁気記録媒体の製造方法。