JP2002312923A

JP2002312923A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JP2002312923A
Application number: JP2001114241A
Authority: JP
Inventors: Tetsukazu Nakamura; 哲一中村; Tsukasa Itani; 司井谷; Yukiko Oshikubo; 由紀子押久保; Hiroshi Chiba; 洋千葉
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2001-04-12
Filing date: 2001-04-12
Publication date: 2002-10-25

Abstract

(57)【要約】【課題】炭素系保護膜の機械的強度を保持したまま、
その保護膜に対する潤滑剤の付着力を強化できる磁気記
録媒体を提供すること。【解決手段】非磁性の基板の上に、磁気記録層、炭素
系保護膜及び潤滑剤層を有する磁気記録媒体において、
炭素系保護膜の炭素間結合としてＳＰ³結合とＳＰ²結合
が混在しており、該保護膜の表層部分において、ＳＰ²
結合の量がＳＰ³結合の量よりも大であるように構成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体に関
し、さらに詳しく述べると、機械的強度が高く、それに
対する潤滑剤の付着力が強い炭素系保護膜を備えた磁気
記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気記録媒体である磁気ディスクは、コ
ンピュータや各種の携帯情報端末、例えばモバイルパソ
コン、ゲーム機、携帯電話、ディジタルカメラ、車載ナ
ビゲーション等の外部記憶装置として一般に広く使用さ
れており、また、近年の情報量の増大に伴い、一層の高
密度化、大容量化が進行している。

【０００３】従来の磁気ディスクは、一般的に、非磁性
の硬質基板の上に、良好な磁気特性を示す磁気記録層
（磁性層ともいう）を設けた構造を有している。磁気記
録層は、通常、コバルト系の合金を薄膜で積層すること
によって形成されている。また、かかる磁性合金層は、
耐久性、耐蝕性、耐衝撃性などが著しく劣るので、磁気
ヘッドの接触やその摺動による摩擦、磨耗に原因して、
あるいは湿気の吸着による腐食の発生に原因して、磁気
特性の劣化や、機械的又は化学的損傷が生じ易い。

【０００４】磁気記録層における上述のような問題を解
消するため、現在、磁気記録層の上に、一般に耐熱性、
耐蝕性、耐磨耗性等に優れた炭素系材料からなる保護膜
を設けることが一般的に行われている。この保護膜は、
炭素系保護膜と呼ばれており、スパッタリング法、化学
的気相成長法（以下、「ＣＶＤ法」と呼ぶ）、イオンビ
ーム堆積法、イオンビーム蒸着法などを使用して成膜さ
れている。また、この炭素系保護膜に対して高められた
耐久性を付与するため、その炭素系保護膜に水素や窒素
を添加することも行われている。

【０００５】さらに、炭素系保護膜の直上には、液体の
潤滑剤、例えばフルオロカーボン系の液体潤滑剤が、デ
ィップコート法、スピンコート法、スプレーコート法な
どで塗布、付着されている。かかる潤滑剤層を形成する
ことで、磁気ディスクの耐久性、耐蝕性を図ることがで
き、また、磁気ヘッドの円滑な浮上も図ることができ
る。

【０００６】ところで、炭素系保護膜の上述のような優
れた特性は、その膜中に含まれる炭素間結合に大きく由
来していることが知られている。すなわち、炭素系保護
膜の炭素間結合は、ダイヤモンド的であるＳＰ³結合と
グラファイト的であるＳＰ²結合の両者が混在している
状態であるが、ＳＰ²／ＳＰ³で表される存在量の比がよ
り小さいほど、より高硬度となることが知られている。
したがって、ＳＰ³結合性の高い保護膜を形成すること
は、その機械的強度、ひいては磁気ディスクの機械的強
度を向上させる点で有効である。実際、ダイヤモンドラ
イクカーボン(ＤＬＣ)と称される高硬度の炭素系保護膜
が、広く用いられている。

【０００７】しかしながら、ＳＰ²／ＳＰ³比が小さい炭
素系保護膜の場合、それに対する潤滑剤の付着が十分で
ないという問題をかかえている。これは、潤滑剤がその
末端に各種の極性基を有しているので、表面安定な炭素
系保護膜の上に乗りにくいからである。したがって、磁
気ディスクを長期間にわたって使いつづけると、ディス
クの回転に伴う遠心力により潤滑剤がディスクの円周部
へ移行せしめられたり、飛散せしめられたりする。すな
わち、炭素系保護膜から潤滑剤層が除かれた状態となる
ので、磁気記録層が損傷や破損を被ったり、磁気ヘッド
がクラッシュを生じたりする。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した従来の技術の問題点を解消して、炭素系保護膜の優
れた特性、特に耐久性（機械的強度など）を保持したま
ま、その保護膜に対する潤滑剤の付着力を強化し、かつ
その付着力を長期間にわたって安定に保持できるよう
な、改良された磁気記録媒体を提供することにある。

【０００９】本発明の上記した目的及びその他の目的
は、以下の詳細な説明から容易に理解することができる
であろう。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記した
目的を達成するために鋭意研究した結果、非磁性の基板
の上に磁気記録層、炭素系保護膜、そして潤滑剤層を順
次積層して磁気記録媒体を製造するに当たって、炭素系
保護膜の炭素間結合の分布を調整することが有効である
という知見を得、本発明を完成した。

【００１１】本発明は、したがって、非磁性の基板の上
に、磁気記録層、炭素系保護膜及び潤滑剤層が順次積層
された磁気記録媒体において、前記炭素系保護膜の炭素
間結合としてＳＰ³結合とＳＰ²結合が混在しており、該
保護膜の表層部分において、前記ＳＰ²結合の量が前記
ＳＰ³結合の量よりも大であることを特徴とする磁気記
録媒体にある。

【００１２】磁気記録媒体で使用される炭素系保護膜に
おいて、その保護膜の潤滑剤層との界面領域に、グラフ
ァイト的結合であるＳＰ²結合が多く存在するように構
成すると、ＳＰ³結合には存在しないπ電子によって、
保護膜と潤滑剤層との相互作用が強まり、結果として、
保護膜に対する潤滑剤層の付着力が増大する。また、本
発明のこのような効果やその他の効果は、ＳＰ²結合量
の分布に傾斜があり、炭素系保護膜の磁気記録層の側か
ら潤滑剤層の側に向けてＳＰ²結合量が段階的に増加し
ている場合に、あるいはＳＰ²結合量の分布に傾斜があ
り、炭素系保護膜の磁気記録層の側から潤滑剤層の側に
向けてＳＰ²結合量が連続的に増加している場合に、と
りわけ顕著となる。

【００１３】さらに、本発明の磁気記録媒体では、その
炭素系保護膜において電子エネルギー損失分光法（ＥＥ
ＬＳ分析法）によりπ^*ピーク及びσ^*ピークを測定した
場合に、両者の積分強度比Ｉπ^*／Ｉσ^*が、保護膜の表
層部分（潤滑剤層に接する領域）において０．１００も
しくはそれ以上であることが好ましい。さらにまた、本
発明の磁気記録媒体では、その炭素系保護膜が２層もし
くはそれ以上の多層構造を有しているとともに、潤滑剤
層に接する上層の保護膜のＳＰ ²結合量が、その保護膜
よりも下層に位置する保護膜のＳＰ²結合量よりも大で
あることが好ましい。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明による磁気記録媒体は、炭
素系保護膜における上記しかつ以下において詳述する相
違点を除いて、磁気記録媒体として一般的に知られてい
る層構成を有することができ、よって、以下、図１の基
本構成を参照して本発明の磁気記録媒体を説明する。

【００１５】図１の磁気記録媒体１０は、非磁性の基板
１の上に硬化層２を形成した後、その上にさらに、下地
層３、磁気記録層４、炭素系保護膜５、そして潤滑剤層
６を順次形成している。炭素系保護膜５は、単層構造で
も、多層構造でもよいけれども、図示の例では、２層構
造が採用されている。すなわち、炭素系保護膜５は、下
層保護膜５ａと上層保護膜５ｂとから構成されている。
磁気記録媒体１０は、本発明の範囲内において種々の変
更や改良、例えば、磁気記録層４の多層化、任意の位置
における中間層の追加などを行うことができる。実際、
現用の磁気記録媒体の層構成は、図示したものよりも非
常に複雑になっている。また、磁気記録媒体１０は、通
常ディスクの形態をとるけれども、必要ならば、カード
等の形態であってもよい。

【００１６】本発明の磁気記録媒体において、非磁性の
基板は、この技術分野において常用のいろいろな材料か
ら形成することができる。適当な非磁性の基板として
は、以下に列挙するものに限定されるわけではないけれ
ども、例えば、アルミニウム又はアルミニウム合金の基
板、ガラス又は強化ガラスの基板、表面酸化膜（例えば
シリコン酸化膜）を有するシリコン基板、ＳｉＣ基板、
カーボン基板、プラスチック基板、セラミック基板など
を挙げることができる。特に、アルミニウム又はアルミ
ニウム合金の基板やガラス又は強化ガラスの基板を有利
に使用することができる。

【００１７】非磁性の基板の上には、必要に応じて、非
磁性の金属の薄膜が硬化層として積層される。金属硬化
層の存在によって、基板の機械的強度を高めることがで
きるからである。通常、ＮｉＰのめっき層などが、硬化
層として有利に使用される。また、かかる硬化層を備え
た非磁性の基板は、この分野において非磁性の基体とも
呼ばれている。

【００１８】非磁性の基板あるいは非磁性の基体の表面
には、通常、磁気記録媒体に対する磁気ヘッドの吸着を
防ぐために、「テクスチャ」と呼ばれるミクロな凹凸
(通常、０．０１μｍのオーダ)を加工するのが好まし
い。テクスチャ加工は、研磨テープやスラリー（遊離砥
粒）を用いて行うことができる。非磁性の基板の上の下
地層は、磁気記録媒体において常用の一般的な非磁性金
属材料から形成することができ、好ましくは、クロムを
主成分とする非磁性金属材料から形成することができ
る。下地層は、単層であっても２層もしくはそれ以上の
多層構造であってもよい。多層構造の下地層の場合、そ
れぞれの層の組成は任意に変更することができる。かか
る下地層は、特に、クロムのみを主成分とする金属材料
あるいはクロム及びモリブデンを主成分とする金属材料
から有利に構成することができる。例えば、磁気記録媒
体の磁気記録層に白金が含まれるような場合には、クロ
ム及びモリブデンを主成分とする金属材料から下地層を
構成するのが好ましい。すなわち、モリブデンの添加に
よって、格子面間隔を広げることができ、また、磁気記
録層の組成、特に白金量によって広がる磁気記録層の格
子面間隔に対して下地層の格子面間隔を近くしてやるこ
とにより、磁気記録層（ＣｏＣｒ系合金）のＣ軸の面内
への優先配向を促すことができるからである。適当な下
地層の材料の例として、例えば、Ｃｒ、ＣｒＷ、Ｃｒ
Ｖ、ＣｒＴｉ、ＣｒＭｏなどを挙げることができる。こ
のような下地層は、好ましくは、例えばマグネトロンス
パッタ法などのスパッタ法により、常用の成膜条件によ
り形成することができる。特に、保磁力を高めるため、
ＤＣ負バイアスの印加下にスパッタ法を実施するのが好
ましい。適当な成膜条件として、例えば、約１００〜３
００℃の成膜温度、約１〜１０ｍＴｏｒｒのＡｒガス圧
力、そして約１００〜３００ＶのＤＣ負バイアスを挙げ
ることができる。また、必要に応じて、スパッタ法に代
えて、他の成膜法、例えば蒸着法、イオンビームスパッ
タ法等を使用してもよい。かかる下地層の膜厚は、種々
のファクタに応じて広い範囲で変更することができる。
下地層の膜厚は、この範囲に限定されるものではないけ
れども、Ｓ／Ｎ比を高めるため、一般的には５〜６０nm
の範囲である。下地層の膜厚が５nmを下回ると、磁気特
性が十分に発現しないおそれがあり、また、反対に６０
nmを上回ると、ノイズが増大するおそれがある。

【００１９】本発明の磁気記録媒体は、必要に応じて、
非磁性の基板あるいは非磁性の基体とその上方の前記下
地層との中間に、チタンを主成分とする金属材料からな
る追加の下地層、好ましくはＴｉ薄膜を有していてもよ
い。このような中間層は、両者の結合関係をより向上さ
せるであろう。本発明の磁気記録媒体において、非磁性
の下地層の上に形成されるべき磁気記録層は、下地層と
同様に、磁気記録媒体において常用の一般的な磁気記録
層から形成することができる。磁気記録層は、単層であ
ってもよく、２層もしくはそれ以上の多層構造であって
もよい。多層構造の磁気記録層の場合、それぞれの磁気
記録層の組成は同一もしくは異なっていてもよく、ま
た、必要に応じて、磁気記録層の間に中間層を介在させ
て、磁気記録特性の向上などを図ってもよい。

【００２０】例えば、磁気記録層は、コバルト合金層か
ら有利に形成することができる。例えば、磁気記録層
は、それが単層構造を有している場合、コバルトを主成
分として含有するとともに、１４〜２３ａｔ％のクロム
と、１〜２０ａｔ％の白金を含むことができる。また、
かかるコバルト合金に、タングステン、カーボンなどを
添加して、四元系合金又は五元系合金としてもよい。

【００２１】さらに具体的に説明すると、単層構造の磁
気記録層又は２層構造の上層磁気記録層の五元系合金
は、例えば、次式により表される組成範囲：Ｃｏ_bal.−Ｃｒ_14-23 −Ｐｔ_1-20−Ｗ_x −Ｃ_y （上式中、_bal.はバランス量を意味し、そしてｘ＋ｙは
１〜７ａｔ％である）を有することができる。このよう
に、磁気記録層をＣｏＣｒＰｔ合金から構成し、これに
Ｗ及びＣの両方を添加し、さらに層構成や成膜プロセス
を最適化することにより、ノイズの大幅な低減を図るこ
とができ、したがって、高いＳ／Ｎ比が得られ、よっ
て、高密度記録媒体を具現することができる。

【００２２】また、２層構造の磁気記録層において、そ
の上層磁気記録層は、例えば、次式により表される組成
範囲：Ｃｏ_bal.−Ｃｒ_13-21 −Ｐｔ_1-20−Ｔａ_x −Ｎｂ_y （上式中、_bal.はバランス量を意味し、そしてｘ＋ｙは
１〜７ａｔ％である）を有することができる。このよう
な場合に、下層磁気記録層の五元系合金において、タン
タル及びニオブの添加量は、同等もしくはほぼ同等であ
りかつ合計量が１〜７ａｔ％であることが好ましい。一
例を示すと、この下層磁気記録層を、マグネトロンスパ
ッタ装置を使用して、２００℃以上の成膜温度で、−８
０〜−４００Ｖ程度のバイアス電圧を印加して成膜した
とすると、例えばＣｏ₇₄Ｃｒ₁₇Ｐｔ ₅ Ｔａ₂ Ｎｂ₂ 媒体
の磁気特性は、ｔＢｒ＝１００Ｇμm 、Ｈｃ＝２５００
Ｏｅ、Ｓ＝０．８、Ｓ^* ＝０．８の最適値となる。

【００２３】上述のように、下層磁気記録層に極めてノ
イズの低いＣｏ₇₄Ｃｒ₁₇Ｐｔ₅ Ｔａ ₂ Ｎｂ₂ を用い、さ
らにその上層に、分解能に優れ、ノイズも抑制されたＣ
ｏ_ba _l.−Ｃｒ_14-23 −Ｐｔ_1-20−Ｗ_x −Ｃ_y を用いるこ
とにより、高分解能、低ノイズな媒体を作製することが
できる。本発明の磁気記録媒体において、その磁気記録
層は、単層構造及び２層構造にかかわりなく、３０〜１
８０Ｇμm のｔＢｒ（磁気記録層の膜厚ｔと残留磁化密
度Ｂｒの積）を有していることが好ましい。特に、単層
構造の磁気記録層は、５０〜１８０Ｇμm のｔＢｒを有
していることが好ましく、また、２層構造の磁気記録層
は、３０〜１６０Ｇμm のｔＢｒを有していることが好
ましい。本発明の磁気記録層は、従来の磁気記録層に比
較して低Ｂｒに構成したことにより、特にＭＲヘッドを
はじめとした磁気抵抗効果型ヘッド用として最適であ
る。

【００２４】非磁性基板上に下地層を介して設けられる
磁気記録層は、好ましくは、スパッタ法により、特定の
成膜条件下で有利に形成することができる。特に、保磁
力を高めるため、ＤＣ負バイアスの印加下にスパッタ法
を実施するのが好ましい。スパッタ法としては、上記し
た下地層の成膜と同様、例えばマグネトロンスパッタ法
などを使用することができる。適当な成膜条件として、
例えば、約１００〜３５０℃の成膜温度、好ましくは約
２００〜３２０℃の温度、特に好ましくは２５０℃前後
の温度、約１〜１０ｍＴｏｒｒのＡｒガス圧力、そして
約８０〜４００ＶのＤＣ負バイアスを挙げることができ
る。ここで、約３５０℃を上回る成膜温度は、本来非磁
性であるべき基板において磁性を発現する可能性がある
ので、その使用を避けることが望ましい。また、必要に
応じて、スパッタ法に代えて、他の成膜法、例えば蒸着
法、イオンビームスパッタ法等を使用してもよい。磁気
記録層の形成の好ましい一例を示すと、非磁性基板がＮ
ｉＰめっき付きのアルミニウム基板である場合、前記磁
気記録層を、スパッタ法で、ＤＣ負バイアスの印加下
に、約２２０〜３２０℃の成膜温度で、上記の合金から
有利に形成することができる。

【００２５】本発明の磁気記録媒体は、磁気記録層の上
に、それを保護する炭素系保護膜を備える。炭素系保護
膜は、通常、カーボンの単独から、あるいはカーボン化
合物、例えばＷＣ、ＳｉＣ、Ｂ₄ Ｃ、水素含有Ｃなどか
ら、単層で、ＳＰ³結合とＳＰ²結合が混在しており、Ｓ
Ｐ²結合の量が、保護膜の表層部分においてＳＰ³結合の
量よりも多量になるように、形成される。場合によって
は、かかるカーボンあるいはカーボン化合物中に、窒素
などがドープされていてもよい。

【００２６】炭素系保護膜は、上記したような要件が満
たされる限り、多層で形成されてもよい。多層構造の炭
素系保護膜を形成する場合には、ＳＰ²結合の量が、上
層で多く、下層で少なくなるように配慮することが好ま
しい。上層及び下層の保護膜は、通常、上記したような
カーボン又はカーボン化合物を任意に組み合わせて形成
することができる。

【００２７】炭素系保護膜は、それが単層構造あるいは
多層構造のいずれであろうとも、磁気記録媒体に一般的
に使用されているようないろいろな膜厚を有することが
できる。炭素系保護膜の膜厚は、通常、５０nm以下であ
り、好ましくは１〜２０nmであり、さらに好ましくは５
〜１０nmである。本発明の炭素系保護膜の膜厚は、それ
が５０nm以下の薄膜の時でも十分にその作用効果を発揮
することができ、また、従来の技術では耐久性の維持が
難しいとされてきた５nmもしくはそれ以下の膜厚の時で
も、高い耐久性を長期にわたって維持することができ
る。もちろん、かかる薄膜の形であっても、液体潤滑剤
とのすぐれた密着性を、炭素系保護膜は示すことができ
る。なお、炭素系保護膜の膜厚が１nmを下回ると、その
特性が経時的に劣化したり、連続した膜が得られないと
いった問題が発生する。また、炭素系保護膜は、もしも
それが２層もしくはそれ以上の多層構造を有する場合、
それぞれの層の特性のバランスを考慮して、最適な膜厚
を選択することができる。

【００２８】本発明の炭素系保護膜において、その優れ
た耐久性とそれに対する潤滑剤の付着力は、いろいろな
方法で評価することができる。例えば、炭素系保護膜の
耐久性は、ピンオンディスク摺動試験法を用いて適正に
表すことができる。ピンオンディスク摺動試験法は、磁
気記録媒体の上に球状のＡｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ製ピン（直径
２mm）を荷重１０gfで載置し、回転数６００rpmで磁気
記録媒体を回転させて実施する。炭素系保護膜の表面に
おいて破断が発生した時点で媒体の回転を中止し、その
時のパス回転数（回）を評価する。本発明の炭素系保護
膜では、予想もさらなかったことに、パス回転数が１０
０００回を超えても、保護膜の破壊が発生しない。

【００２９】また、炭素系保護膜に対する潤滑剤の付着
力は、その保護膜の純水の接触角から簡易に評価するこ
とができる。本発明の炭素系保護膜の純水に対する接触
角は、成膜後３０分以内で測定した時、好ましいこと
に、５０°以下である。純水に対する接触角が５０°を
上回るようになると、炭素系保護膜の液体潤滑剤に対す
る吸着性が低下し、磁気記録媒体の寿命が大幅に低下す
る。

【００３０】本発明の炭素系保護膜は、上記したよう特
定の炭素系保護膜が得られる限りにおいて、任意の成膜
法に従って形成することができる。適当な成膜法として
は、例えば、下記のものに限定されるわけではないけれ
ども、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンビーム堆積
法、イオンビーム蒸着法などを挙げることができる。ま
た、必要に応じて、最近開発された技術であるFiltered
Cathodic Arc 法（ＦＣＡ法）を用いてもよい。高被覆
性、高硬度の面から、ＣＶＤ法などを特に有利に使用す
ることができる。

【００３１】本発明の実施では、かかる成膜法の条件も
重要である。すなわち、所期の作用効果を達成するため
に、まず、得られた炭素系保護膜においてＳＰ³結合と
ＳＰ²結合が混在するとともに、ＳＰ²結合の量が、保護
膜の表層部分においてＳＰ³結合の量よりも大きくなる
ように、成膜条件を最適化しなければならない。成膜条
件の最適化は、当業者がよく行っているように、成膜速
度を膜厚方向に変更するなどして、容易に行うことがで
きる。

【００３２】上記したようなＳＰ³結合とＳＰ²結合の特
徴的な分布は、いろいろに変更することができる。例え
ば、炭素系保護膜においてＳＰ²結合量の分布に傾斜を
もたせるとともに、その際、磁気記録層の側から潤滑剤
層の側に向けてＳＰ²結合量が段階的に増加しているよ
うに構成してもよく、さもなければ、磁気記録層の側か
ら潤滑剤層の側に向けてＳＰ²結合量が連続的に増加し
ているように構成してもよい。ＳＰ²結合量の段階的な
増加も、連続的な増加も、成膜速度を膜厚方向に変更す
る際に、原料組成や成膜のタイミングをコントロールす
ることによって、容易に達成できる。

【００３３】また、上記のようなＳＰ³結合とＳＰ²結合
の特徴的な分布は、炭素系保護膜を多層構造とすること
によっても、容易に達成することができる。例えば炭素
系保護膜を２層構造とし、上層の保護膜のＳＰ²結合量
が、下層の保護膜のそれよりも大であるように、２種類
の保護膜を順次積層すればよい。本発明の磁気記録媒体
の場合、上記した炭素系保護膜の上に、潤滑剤が薄く塗
布及び含浸されているか、さもなければ、別の潤滑処理
が施されていることも、本発明で顕著な効果を得るため
に必要である。適当な潤滑剤は、フルオロカーボン樹脂
系の液体潤滑剤であり、例えば、フォンブリン（Fombli
n）、クライトックス（Krytox）などという商品名で容
易に入手可能である。かかる潤滑剤は、磁気ヘッドと磁
気記録媒体が接触して磁気記録データを破壊するヘッド
クラッシュを防止し、しかもヘッドと媒体の摺動に伴う
摩擦力を低減させ、媒体の寿命を延ばす働きがある。

【００３４】上記したような潤滑剤層は、ディップコー
ト法、スピンコート法、スプレーコート法などの常用の
塗工法を使用して、所望とする膜厚で形成することがで
きる。潤滑剤層の膜厚は、通常、約０．１〜０．５nmの
範囲である。本発明の磁気記録媒体では、上記したよう
な必須の層及び任意に使用可能な層に加えて、この技術
分野において常用の追加の層を有していたり、さもなけ
れば、含まれる層に任意の化学処理等が施されていても
よい。

【００３５】ところで、上記したような炭素系保護膜
は、磁気記録媒体の他に、磁気ヘッドやその他のデバイ
スでも保護膜として有利に応用することができる。例え
ば、磁気ヘッドに本発明の炭素系保護膜を使用する場
合、炭素系保護膜は、所望とする効果に応じて磁気ヘッ
ドの任意の位置に配置することができるけれども、下地
の保護のため、ヘッドの最上層に配置することが好まし
い。

【００３６】磁気ヘッドの場合、近年における情報処理
技術の発達に伴い、コンピュータの外部記憶装置に用い
られる磁気ディスク装置に対して高密度化の要求が高ま
っていることを考慮して、従来の巻線型のインダクティ
ブ薄膜磁気ヘッドに代えて、磁界の強さに応じて電気抵
抗が変化する磁気抵抗素子を使用した磁気抵抗効果型ヘ
ッド、すなわち、ＭＲヘッドを使用することが推奨され
る。ＭＲヘッドは、磁性体の電気抵抗が外部磁界により
変化する磁気抵抗効果を記録媒体上の信号の再生に応用
したもので、従来のインダクティブ薄膜磁気ヘッドに較
べて数倍も大きな再生出力幅が得られること、イングク
タンスが小さいこと、大きなＳ／Ｎ比が期待できるこ
と、などを特徴としている。また、このＭＲヘッドとと
もに、異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲヘッド、巨
大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲヘッド、そしてその実
用タイプであるスピンバルブＧＭＲヘッドの使用も推奨
される。本発明の炭素系保護膜は、かかる最新の磁気ヘ
ッドにおいてその威力を発揮するであろう。

【００３７】

【実施例】引き続いて、本発明をその実施例を参照して
説明する。なお、本発明は、下記の実施例に限定される
ものではない。実施例１磁気記録媒体の作製下記の層構成を有する磁気ディスクを作製した。

【００３８】 ─────────────────── 潤滑剤層 ─────────────────── ２層構造の炭素系保護膜 ─────────────────── 磁気記録層（ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ） ─────────────────── 下地層（ＣｒＭｏ₁₀） ─────────────────── ＮｉＰめっき付きアルミニウム基板 ─────────────────── ドーナッツ状のアルミニウム（Ａｌ）基板の上にＮｉＰ
をめっきしてＮｉＰめっき層を形成した後、その表面を
良く洗浄し、さらにテクスチャ処理を施した。テクスチ
ャ処理は、回転している基板の表面に研磨テープを押し
当てることで実施した。円周方向に、微細なテクスチャ
溝が形成された。

【００３９】次いで、得られたＮｉＰ／Ａｌ基板に、Ｄ
Ｃマグネトロンスパッタ装置により、ＣｒＭｏ１０（ａ
ｔ％）下地層、そしてＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ系磁気記録
層を順次積層した。まず、下地層の成膜前にスパッタ室
内を３×１０^-7Ｔｏｒｒ以下に排気し、基板温度を２８
０℃に高め、Ａｒガスを導入してスパッタ室内を５ｍＴ
ｏｒｒに保持し、−２００Ｖのバイアスを印加しなが
ら、下地層としてのＣｒＭｏを３０nm厚に成膜した。さ
らに、下地層の成膜に続けて、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ膜
をそのＢｒｔが１００Ｇμｍ（２７nm厚）となるように
成膜した。成膜に使用したターゲットは、ＣｏＣｒター
ゲットにＰｔ、Ｔａ、Ｎｂチップを配置した複合ターゲ
ットであった。

【００４０】上記のようにして磁気記録層を形成した
後、その上に２層構造の炭素系保護膜を次のような手法
に従って形成した。下層の炭素系保護膜をＣＶＤ法で形
成した。まず、ＲＦプラズマＣＶＤ装置に原料ガスを導
入した。本例で使用した原料ガスは、炭化水素（メタ
ン）と放電ガス（アルゴン）の１：１の混合物である。
放電出力７００Ｗ、成膜室内圧力３ｍТоｒｒの条件で
ＣＶＤ法を実施したところ、ＤＬＣ膜が膜厚７nmで得ら
れた。

【００４１】次いで、上層の炭素系保護膜をスパッタリ
ング法で形成した。グラファイト焼結体をターゲット
に、アルゴン及び水素を放電ガスとして使用した。放電
出力３ｋＷ、成膜室内圧力２ｍТоｒｒの条件でスパッ
タリング法を実施したところ、ＤＬＣ膜が膜厚３nmで得
られた。したがって、炭素系保護膜の膜厚は、合計して
１０nmであった。

【００４２】得られた炭素系保護膜の表面極性を調べる
ため、純水による接触角をＪＩＳＫ６８００に記載の指
針に準じて測定した。接触角は４５°であり、潤滑剤の
付着が良好に行われることを証明している。また、炭素
系保護膜中の水素対炭素の濃度比をラザフォード後方散
乱法（ＲＢＳ）及び水素前方散乱法（ＨＦＳ）で測定し
たところ、３：７であった。このことは、本発明の効果
は、保護膜中に導入された水素（Ｈ）の量に依存してい
ないことを立証している。

【００４３】さらに、炭素系保護膜の炭素結合比を確認
するため、電子エネルギー損失分光法（ＥＥＬＳ分析
法）によってＣ‐Ｋエッジのスペクトルを観察したとこ
ろ、図２にプロットしたようなスペクトル図が得られ
た。ＳＰ²結合に由来するπ^*ピークとＳＰ³結合に由来
するσ^*ピークの積分強度比Ｉπ^*／Ｉσ^*を求めたとこ
ろ、磁気記録層上７nmまではＩπ^*／Ｉσ^*が０．０８５
であったのに反して、その上方の３nmでは、Ｉπ^*／Ｉ
σ^*が０．１０５であった。すなわち、この炭素系保護
膜の場合、炭素間結合としてＳＰ³結合とＳＰ²結合が混
在しているけれども、保護膜の表層部分では、ＳＰ²結
合量がＳＰ³結合量よりも多いということが明らかであ
る。

【００４４】引き続いて、上記のようにして形成した炭
素系保護膜の表面に潤滑剤を塗布し、潤滑剤層を形成し
た。本例では、イタリア・アウジモンド社製の「フォン
ブリンＡＭ３００１」（商品名）を潤滑剤として使用し
た。この潤滑剤を約０．２容量％に希釈した後、得られ
た潤滑剤溶液を用いて、浸漬時間３０秒、引き上げ速度
８００ｍｍ／分でディップコートを行った。潤滑剤層が
膜厚２nmで得られた。この潤滑剤層をフルオロカーボン
系溶剤、スリーエム社製の「フロリナート」（商品名）
で洗浄し、洗浄前の膜厚（初期膜厚）と洗浄後の膜厚の
比較から残膜率を求めた。残膜率は５６％であり、耐溶
剤性に優れていることを証明している。

【００４５】さらに、潤滑剤塗布後の炭素系保護膜の耐
久性をピンオンディスク摺動試験法を用いて測定した。
上記のようにして作製した磁気ディスクの上に球状のＡ
ｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ製ピン（直径２mm）を荷重１０gfで載置
し、磁気ディスクを６００ｒｐｍで回転させた。保護膜
が破断するまでピンを摺動させたところ、１００００周
回を超えても、保護膜は破壊しなかった。

【００４６】さらにまた、「フォンブリンＡＭ３００
１」に代えて、官能基含有の潤滑剤である「フォンブリ
ンＺｄｏｌ」（商品名）を使用した場合にも、上記と
同様な満足し得る結果を得ることができた。実施例２前記実施例１に記載の手法を繰り返したが、本例では、
前記実施例１と同一の磁気記録層を形成した後、その上
に２層構造の炭素系保護膜を次のような手法に従って形
成した。

【００４７】まず、前記実施例１で使用したものに同一
のＲＦプラズマＣＶＤ装置に原料ガスを導入した。本例
で使用した原料ガスも、メタンとアルゴンの１：１の混
合物である。放電出力７００Ｗ、成膜室内圧力３ｍТо
ｒｒの条件でＣＶＤ法を実施したところ、ＤＬＣ膜が膜
厚７nmで得られた。その後、一旦放電を止めて、再びＣ
ＶＤ法を実施した。メタンとアルゴンの混合比を１：４
に変更し、放電出力７００Ｗ、成膜室内圧力３ｍТоｒ
ｒの条件を適用した。ＤＬＣ膜が膜厚３nmで得られた。
したがって、炭素系保護膜の膜厚は、合計して１０nmで
あった。

【００４８】得られた炭素系保護膜の特性評価を前記実
施例１と同様に実施したところ、次のような満足し得る
結果が得られた。得られた保護膜の純水による接触角を
ＪＩＳＫ６８００に記載の指針に準じて測定したとこ
ろ、接触角は４５°であった。また、保護膜中の水素対
炭素の濃度比をＲＢＳ法及びＨＦＳ法で測定したとこ
ろ、３：７であった。

【００４９】さらに、ＥＥＬＳ分析法によってＣ‐Ｋエ
ッジのスペクトルを観察し、ＳＰ²結合に由来するπ^*ピ
ークとＳＰ³結合に由来するσ^*ピークの積分強度比Ｉπ
^*／Ｉσ^*を求めたところ、磁気記録層上７nmまではＩπ
^*／Ｉσ^*が０．０８５であったのに反して、その上方の
３nmでは、Ｉπ^*／Ｉσ^*が０．１０１であった。引き続
いて、炭素系保護膜の表面に潤滑剤、「フォンブリンＡ
Ｍ３００１」（商品名）を塗布して膜厚２nmの潤滑剤層
を形成した。この潤滑剤層をフルオロカーボン系溶剤、
スリーエム社製の「フロリナート」（商品名）で洗浄
し、洗浄前の膜厚（初期膜厚）と洗浄後の膜厚の比較か
ら残膜率を求めたところ、４９％であった。

【００５０】さらに、潤滑剤塗布後の炭素系保護膜の耐
久性をピンオンディスク摺動試験法を用いて測定した。
保護膜が破断するまでピンを摺動させたところ、１００
００周回を超えても、保護膜は破壊しなかった。さらに
また、「フォンブリンＡＭ３００１」に代えて、官能基
含有の潤滑剤である「フォンブリンＺｄｏｌ」（商品
名）を使用した場合にも、上記と同様な満足し得る結果
を得ることができた。実施例３前記実施例１に記載の手法を繰り返したが、本例では、
前記実施例１と同一の磁気記録層を形成した後、その上
に２層構造の炭素系保護膜を次のような手法に従って形
成した。

【００５１】下層の炭素系保護膜をイオンビーム堆積法
で形成した。メタンを原料ガスとして用意し、成膜装置
に導入した後、アノード電圧８０Ｖ、基板バイアス１２
０Ｖ、成膜室内圧力４ｍТоｒｒの条件で成膜を行った
ところ、ＤＬＣ膜が膜厚２nmで得られた。次いで、上層
の炭素系保護膜をＣＶＤ法で形成した。まず、前記実施
例１で使用したものに同一のＲＦプラズマＣＶＤ装置に
原料ガスを導入した。本例で使用した原料ガスは、メタ
ンとアルゴンの混合ガスであるが、その混合比を、膜厚
２nmまでごとに、１：１、１：２、１：３、そして１：
４に変更した。また、混合比の変更の際、その都度成膜
を中断する方法と、成膜を継続しながら混合比の切り替
えを行う方法の両方を試みた。放電出力７００Ｗ、成膜
室内圧力３ｍТоｒｒの条件で順次ＣＶＤ法を実施した
ところ、いずれの方法の場合にも、ＤＬＣ膜が膜厚８nm
で得られた。したがって、炭素系保護膜の膜厚は、合計
して１０nmであった。

【００５２】得られた炭素系保護膜の特性評価を前記実
施例１と同様に実施したところ、次のような満足し得る
結果が得られた。得られた保護膜の純水による接触角を
ＪＩＳＫ６８００に記載の指針に準じて測定したとこ
ろ、接触角は５０°であった。また、保護膜中の水素対
炭素の濃度比をＲＢＳ法及びＨＦＳ法で測定したとこ
ろ、３：７であった。

【００５３】さらに、ＥＥＬＳ分析法によってＣ‐Ｋエ
ッジのスペクトルを観察し、ＳＰ²結合に由来するπ^*ピ
ークとＳＰ³結合に由来するσ^*ピークの積分強度比Ｉπ
^*／Ｉσ^*を求めたところ、磁気記録層に隣接する領域の
Ｉπ^*／Ｉσ^*が０．０８０であり、膜厚方向に徐々に変
化し、潤滑剤層に隣接する領域のＩπ^*／Ｉσ^*は０．１
００であることが確認された。また、Ｉπ^*／Ｉσ^*の変
化の形態であるが、混合比の変更の都度成膜を中断した
時には、膜厚方向に段階的に変化し、一方、成膜を継続
しながら混合比の変更を行った時には、膜厚方向に連続
的に変化することも確認された。

【００５４】引き続いて、炭素系保護膜の表面に潤滑
剤、「フォンブリンＡＭ３００１」（商品名）を塗布し
て膜厚２nmの潤滑剤層を形成した。この潤滑剤層をフル
オロカーボン系溶剤、スリーエム社製の「フロリナー
ト」（商品名）で洗浄し、洗浄前の膜厚（初期膜厚）と
洗浄後の膜厚の比較から残膜率を求めたところ、４９％
であった。

【００５５】さらに、潤滑剤塗布後の炭素系保護膜の耐
久性をピンオンディスク摺動試験法を用いて測定した。
保護膜が破断するまでピンを摺動させたところ、１００
００周回を超えても、保護膜は破壊しなかった。さらに
また、「フォンブリンＡＭ３００１」に代えて、官能基
含有の潤滑剤である「フォンブリンＺｄｏｌ」（商品
名）を使用した場合にも、上記と同様な満足し得る結果
を得ることができた。比較例１前記実施例１に記載の手法を繰り返したが、本例では、
比較のため、前記実施例１と同一の磁気記録層を形成し
た後、その上に単層構造の炭素系保護膜を次のような手
法に従って形成した。

【００５６】前記実施例１で使用したものに同一のＲＦ
プラズマＣＶＤ装置に原料ガスを導入した。本例で使用
した原料ガスも、メタンとアルゴンの１：１の混合物で
ある。放電出力７００Ｗ、成膜室内圧力３ｍТоｒｒの
条件でＣＶＤ法を実施したところ、ＤＬＣ膜が膜厚１０
nmで得られた。得られた炭素系保護膜の特性評価を前記
実施例１と同様に実施したところ、次のような許容し得
ない結果が得られた。

【００５７】得られた保護膜の純水による接触角をＪＩ
ＳＫ６８００に記載の指針に準じて測定したところ、
接触角は６２°であった。また、保護膜中の水素対炭素
の濃度比をＲＢＳ法及びＨＦＳ法で測定したところ、
３：７であった。さらに、ＥＥＬＳ分析法によってＣ‐
Ｋエッジのスペクトルを観察し、ＳＰ²結合に由来する
π^*ピークとＳＰ³結合に由来するσ^*ピークの積分強度
比Ｉπ^*／Ｉσ^*を求めたところ、全膜厚でＩπ^*／Ｉσ^*
が０．０８５であった。

【００５８】引き続いて、炭素系保護膜の表面に潤滑
剤、「フォンブリンＡＭ３００１」（商品名）を塗布し
て膜厚２nmの潤滑剤層を形成した。この潤滑剤層をフル
オロカーボン系溶剤、スリーエム社製の「フロリナー
ト」（商品名）で洗浄し、洗浄前の膜厚（初期膜厚）と
洗浄後の膜厚の比較から残膜率を求めたところ、３３％
であった。

【００５９】さらに、潤滑剤塗布後の炭素系保護膜の耐
久性をピンオンディスク摺動試験法を用いて測定した。
保護膜が破断するまでピンを摺動させたところ、約７０
００周回で保護膜に破壊が生じた。比較例２前記実施例１に記載の手法を繰り返したが、本例では、
比較のため、前記実施例１と同一の磁気記録層を形成し
た後、その上に単層構造の炭素系保護膜を次のような手
法に従って形成した。

【００６０】前記実施例１で使用したものに同一のスパ
ッタリング装置で、グラファイト焼結体をターゲット
に、アルゴン及び水素を放電ガスとして使用した。放電
出力３ｋＷ、成膜室内圧力２ｍТоｒｒの条件でスパッ
タリング法を実施したところ、ＤＬＣ膜が膜厚１０nmで
得られた。得られた炭素系保護膜の特性評価を前記実施
例１と同様に実施したところ、次のような許容し得ない
結果が得られた。

【００６１】得られた保護膜の純水による接触角をＪＩ
ＳＫ６８００に記載の指針に準じて測定したところ、
接触角は４５°であった。また、保護膜中の水素対炭素
の濃度比をＲＢＳ法及びＨＦＳ法で測定したところ、
３：７であった。さらに、ＥＥＬＳ分析法によってＣ‐
Ｋエッジのスペクトルを観察し、ＳＰ²結合に由来する
π^*ピークとＳＰ³結合に由来するσ^*ピークの積分強度
比Ｉπ^*／Ｉσ^*を求めたところ、全膜厚でＩπ^*／Ｉσ^*
が０．１０５であった。

【００６２】引き続いて、炭素系保護膜の表面に潤滑
剤、「フォンブリンＡＭ３００１」（商品名）を塗布し
て膜厚２nmの潤滑剤層を形成した。この潤滑剤層をフル
オロカーボン系溶剤、スリーエム社製の「フロリナー
ト」（商品名）で洗浄し、洗浄前の膜厚（初期膜厚）と
洗浄後の膜厚の比較から残膜率を求めたところ、５６％
であった。

【００６３】さらに、潤滑剤塗布後の炭素系保護膜の耐
久性をピンオンディスク摺動試験法を用いて測定した。
保護膜が破断するまでピンを摺動させたところ、約５０
００周回で保護膜に破壊が生じた。（考察）比較例１における摺動特性の劣化は、保護膜に
対する潤滑剤の付着力が弱いために、潤滑剤のマイグレ
ーションが容易に発生し、保護膜の破断が早まったこと
に原因があるものと考察される。また、比較例２の保護
膜は高い潤滑剤付着力を示すものの、ＳＰ²／ＳＰ³存在
量比が高いため、保護膜の機械的強度が低く、結果とし
て摺動特性が劣化したものと考察される。さらに、実施
例１の保護膜と比較例１の保護膜とでは膜中の水素対炭
素の濃度比が同じであることから、保護膜に対する潤滑
剤の付着力の向上は、潤滑剤界面付近のＳＰ²結合成分
に大きく依存しているということがわかる。

【００６４】以上、本発明を特にその好ましい実施の形
態及び実施例を参照して説明した。次いで、本発明のさ
らなる理解のため、本発明の好ましい態様を以下に記載
する。（付記１）非磁性の基板の上に、磁気記録層、炭素系
保護膜及び潤滑剤層が順次積層された磁気記録媒体にお
いて、前記炭素系保護膜の炭素間結合としてＳＰ³結合
とＳＰ²結合が混在しており、該保護膜の表層部分にお
いて、前記ＳＰ²結合の量が前記ＳＰ³結合の量よりも大
であることを特徴とする磁気記録媒体。

【００６５】（付記２）前記ＳＰ²結合量の分布に傾
斜があり、該保護膜の前記磁気記録層の側から前記潤滑
剤層の側に向けてＳＰ²結合量が段階的に増加している
ことを特徴とする付記１に記載の磁気記録媒体。（付記３）前記ＳＰ²結合量の分布に傾斜があり、該
保護膜の前記磁気記録層の側から前記潤滑剤層の側に向
けてＳＰ²結合量が連続的に増加していることを特徴と
する付記１に記載の磁気記録媒体。

【００６６】（付記４）前記炭素系保護膜において電
子エネルギー損失分光法（ＥＥＬＳ分析法）によりπ^*
ピーク及びσ^*ピークを測定した場合に、両者の積分強
度比Ｉπ^*／Ｉσ^*が、前記表層部分において０．１００
以上であることを特徴とする付記１〜３のいずれか１項
に記載の磁気記録媒体。（付記５）前記炭素系保護膜が多層構造を有してお
り、上層の保護膜のＳＰ ²結合量が、下層の保護膜のそ
れよりも大であることを特徴とする付記１〜４のいずれ
か１項に記載の磁気記録媒体。

【００６７】（付記６）前記炭素系保護膜の膜厚が、
１〜５０nmの範囲にあることを特徴とする付記１〜５の
いずれか１項に記載の磁気記録媒体。（付記７）前記炭素系保護膜が、カーボン又はその化
合物からなり、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンビ
ーム堆積法、イオンビーム蒸着法又はＦＣＡ法によって
成膜されたものであることを特徴とする付記１〜６のい
ずれか１項に記載の磁気記録媒体。

【００６８】（付記８）前記潤滑剤層の膜厚が、０．
１〜０．５nmの範囲にあることを特徴とする付記１〜７
のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。（付記９）前記潤滑剤層が、フルオロカーボン樹脂系
の液体潤滑剤からなり、ディップコート法、スピンコー
ト法又はスプレーコート法によって形成されたものであ
ることを特徴とする付記１〜８のいずれか１項に記載の
磁気記録媒体。

【００６９】（付記１０）非磁性の基板と、その上に
順次積層された、非磁性金属からなる硬化層、クロム系
下地層、コバルト合金からなる磁気記録層、炭素系保護
膜、そして潤滑剤層とを含んでなることを特徴とする付
記１〜９のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。

【００７０】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、炭素系保護膜の優れた耐久性を長期にわたって維持
するとともに、それに対する潤滑剤の付着力を改善でき
るので、高性能で長寿命な磁気記録媒体を提供すること
ができる。また、本発明によれば、炭素間結合の制御に
より、耐久性や潤滑剤の付着力を制御できるので、昨今
の多様化したニーズに応えた磁気記録媒体を提供するこ
とができる。

【００７１】さらに、また本発明の磁気記録媒体を磁気
ディスク装置を始めとしたコンピュータのハードディス
ク装置に使用すると、近年の高度なニーズ（高記録密
度、高感度、高速度での記録及び読出など）に十分に応
えることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の典型的な例を示した断
面図である。

【図２】炭素系保護膜のＦＥＬＳスペクトル図である。

【符号の説明】

１…非磁性の基板２…非磁性の硬化層３…下地層４…磁気記録層５…炭素系保護膜５ａ…下層保護膜５ｂ…上層保護膜６…潤滑剤層１０…磁気記録媒体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者押久保由紀子神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号富士通株式会社内 (72)発明者千葉洋神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番１号富士通株式会社内Ｆターム(参考） 4K029 AA01 BA21 BA24 BA34 BB02 BD11 CA05 DC05 DC39 FA07 GA03 4K030 AA10 AA16 BA27 BA28 CA02 FA01 HA02 LA20 5D006 AA05 AA06 EA03 FA06 FA07

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性の基板の上に、磁気記録層、炭素
系保護膜及び潤滑剤層が順次積層された磁気記録媒体に
おいて、前記炭素系保護膜の炭素間結合としてＳＰ³結合とＳＰ²
結合が混在しており、該保護膜の表層部分において、前
記ＳＰ²結合の量が前記ＳＰ³結合の量よりも大であるこ
とを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】前記ＳＰ²結合量の分布に傾斜があり、
該保護膜の前記磁気記録層の側から前記潤滑剤層の側に
向けてＳＰ²結合量が段階的に増加していることを特徴
とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】前記ＳＰ²結合量の分布に傾斜があり、
該保護膜の前記磁気記録層の側から前記潤滑剤層の側に
向けてＳＰ²結合量が連続的に増加していることを特徴
とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】前記炭素系保護膜において電子エネルギ
ー損失分光法（ＥＥＬＳ分析法）によりπ^*ピーク及び
σ^*ピークを測定した場合に、両者の積分強度比Ｉπ^*／
Ｉσ^*が、前記表層部分において０．１００以上である
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の
磁気記録媒体。
【請求項５】前記炭素系保護膜が多層構造を有してお
り、上層の保護膜のＳＰ²結合量が、下層の保護膜のそ
れよりも大であることを特徴とする請求項１〜４のいず
れか１項に記載の磁気記録媒体。