JPH01103681A - ラングミュア・ブロジェット膜および磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、ラングミュア・ブロジェット膜と、このラン
グミュア・ブロジェット膜をトップコート膜として有す
る磁気記録媒体、例えば、いわゆるハードタイプの磁気
ディスクに関するものである。

〈従来の技術〉 磁気ディスク装置に用いられる磁気記録媒体は、一般に
磁気ディスク、またはディスク媒体と呼ばれ、その基本
構造はドーナツ状の基板と通常その両面に設層された磁
性層を有している。

このような記録媒体の基板材質は、例えばアルミ合金等
のハード材と、磁気テープ媒体と同じマイラーなどのプ
ラスチック材の二種類があり、一般に前者をハードタイ
プの磁気ディスク、後者をフレキシブルディスクと呼ん
でいる。

ところで、磁気ディスク装置、磁気ドラム装置における
磁気記録媒体、特に、浮上型の磁気ヘッドを用いるハー
ドタイプの磁気ディスクでは、磁気ヘッドとの機械的接
触に対する耐久性、耐摩耗性等の点で問題があり、その
ため通常これらの磁気記録媒体には保護膜としてトップ
コート膜が施される。　このような媒体の保護膜として
、従来無機保護膜あるいは固体潤滑剤等の潤滑膜を設け
ることが知られている。

さらに近年、これらの膜に比べ生産性の点では劣るが、
高秩序配列膜としてラングミュア・ブロジェット膜（以
下、単にＬＢ膜という）が注目されている。

例えば、金属磁性薄膜表面の保護膜として、炭素数８〜
２８の直鎖型飽和脂肪酸またはこれらの金属塩の１層〜
１００層位のＬＢ膜を表面圧１５〜３５　ｄｙｎ／ｃｍ
”の条件下で形成するもの（特公昭５６−３０６０９号
公報）や、炭素数１２〜２４の脂肪酸もしくはこれらの
Ｌｉ。

Ｋ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｃｄ等の塩をラングミュ
ア・ブロジェット法において表面圧３５　ｄｙｎ／ｃｍ
”より大なる条件下で形成するもの（特開昭６１−１４
８６２３号公報）、さらにはＬＢ膜の材料として、■炭
素数１５〜２５の脂肪族炭化水素の一方の末端にカルボ
キシル基を有するもの；■炭素数１２〜２４の脂環式飽
和炭化水素の一方の末端にカルボキシル基を有するもの
；■六員環を含む単位が１〜５個直鎖状に連結する芳香
族炭化水素の一方の末端にカルボキシル基を有するもの
；■　（ｃＦ、ｃＦｃρ）　ｎＣＦ・Ｃ０ＯＨ（ｎは５
〜１０の整数）で例示されるポリクロロトリフルオロエ
チレン系の合成潤滑油；■Ｒ５５ｉＯ（ＲｚＳｉＯ）ｎ
ＳｉＲｚ・Ｃ０ＯＨ（式中、Ｒはメチル基、エチル基、
フェニル基を表わし、ｎは５〜１５の整数を表わす）で
例示されるシリコーン系の合成潤滑油；■（ＣＨ２（：
ＨＲ）ｆｌ−ＣＯＯＨ（式％式％） （ＣＨｚ）　ｓ　　、（ＣＨ−）　ｓ　　、（ＣＨ２）
　７のいずれかを表わし、ｎは１〜５の整数を表わす）
で示されるポリオレフィン系合成潤滑剤などを磁気記録
媒体表面に被覆したもの（特開昭６１−１５１８３５号
公報）などが提案されている。　これらの提案によれば
、磁気記録媒体のスペーシングロスが少なく、しかも防
錆性、摩擦特性、耐久性等が著しく改善するとされてい
る。

〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、磁気記録媒体の耐久性等に関する要求は
厳しく、上記提案の膜材料からなるＬＢ膜では上記特性
は十分であるとはいえず、より一層の改善が望まれてい
る。

本発明の目的は、媒体の摩擦特性、耐久性、耐摩耗性、
耐候性、耐食性等に優れ、実用に際してきわめて高い信
頼性を有する磁気記録媒体、特に剛性基体を有する磁気
記録媒体と、このような磁気記録媒体を実現するラング
ミュア・ブロジェット膜を提供することにある。

なお、特開昭６２−５７２号公報には、Ｃ，Ｆ２ｎ、、
（ＣＨ，）ｍ　−ｘ　（ｘは親水性基）において、ｎ＝
６〜２１、ｍ＝ｏ〜１０の化合物を用いたＬＢ膜の形成
方法が開示されている。　しかし、この公報では、この
ようなＬＢ膜を磁気記録媒体のトップコート膜へ応用す
ることについては開示していない。　しかもこの公報記
載の具体的化合物例はｎ＝８、ｍ＝０゜２．４、すなわ
ちｍａｎのものであり、本発明者等の研究によれば、こ
れらの化合物から形成されるＬＢ膜をトップコート膜に
適用すると耐久性の点で不十分である。　また、同公報
では、成膜性を向上させるために、ＬＢ膜形成の際に水
相中に３価金属のイオンを含有させており、同公報実施
例には、２価金属のイオンを含有させた水相を用いた場
合には、上記化合物のＬＢ膜を成膜することは殆ど不可
能であった旨の記載がある。

また、特開昭６３−１０２０３８号公報には、磁性層上
にＣ−Ｆ１７（ＣＨ２）ｅ　Ｃ０ＯＨの単分子累積膜を
有する磁気記録媒体が開示されているが、ｍ≧１０であ
るものは開示されていない。

この公報の実施例に示される磁気記録媒体はポリエステ
ルフィルムを基体として用いたものだけであるが、この
ような可どう性基体を用いた場合、均一なＬＢ膜を形成
することが困難であり、高秩序配列を有するＬＢ膜を得
ることができない。　すなわち、ＬＢ膜の形成に際して
は、通常、基板を親水化処理し、これによりＬＢ膜を強
固に基板に吸着する必要があるが、ポリエステルフィル
ムのような可どう基体では親水化処理時に傷つき易く、
十分な親水化処理を行なうこともできない。　このため
、得られる磁気記録媒体の電磁変換特性が不十分となる
。

本発明者等は、これらの問題を解決し、上記目的を達成
するために研究を重ね、下記の本発明を完成した。

すなわち本発明は、下記（ｉ）〜（Ｖ）である。

（ｉ）ラングミュア・ブロジェット法により形成され、
下記式（Ｉ−１）で表わされる化合物を含有することを
特徴とするラングミュア・ブロジェット膜。

式（Ｉ−１） ＣｎＦ、ｎ、、−Ｘ−Ｚ （ただし、Ｘは内部にエーテル結合（−〇−）および／
またはエステル結合（−Ｃｏｏ−または−ＣＯＯ−）を
１または２以上有してもよいアルキレン基であって、そ
の総炭素数なｍとしたときｍ≧１２かつｍ≧ｎである。

　また、Ｚは親水性基を表わす。） （ｉｉ）ｍ≧１６である上記（ｉ）に記載のラングミュ
ア・ブロジェット膜。

（ｉｉｉ）非磁性基体上に磁性層を有し、この磁性層上
に上記（ｉ）または（ｉｉ）に記載のラングミュア・ブ
ロジェット膜をトップコート膜として有する磁気記録媒
体。

（ｉｖ）下記式（１−２）で表わされる化合物を含有す
る溶液を水相上に展開する工程を有するラングミュア・
ブロジェット法により形成され、下記式（Ｉ−２）で表
わされる化合物を含有するラングミュア・ブロジェット
膜であって、前記水相が、２価または３価の金属イオン
を含有しないことを特徴とするラングミュア・ブロジェ
ット膜。

式（Ｉ−２） Ｃ，ｌ　Ｆ、ｌｌや、＋　Ｘ　−Ｚ （ただし、Ｘは内部にエーテル結合（−０−）および／
またはエステル結合（−Ｃｏｏ−または一ＯＣＯ−）を
１または２以上有してもよいアルキレン基であって、そ
の総炭素数をｍとしたときｍ＝１０かつｍ≧ｎである。

　また、２は親水性基を表わす。） （Ｖ）非磁性剛性基体上に磁性層を有し、この磁性層上
に、ラングミュア・ブロジェット法により形成され、下
記式（Ｉ−２）で表わされる化合物を含有するラングミ
ュア・ブロジェット膜をトップコート膜として有する磁
気記録媒体。

式（Ｉ−２） ＣＩｌＦ２．ｌやｒ　−Ｘ　−Ｚ （ただし、Ｘは内部にエーテル結合（−０−）および／
またはエステル結合（−Ｃｏｏ−または−〇Ｃ０−）を
１または２以上有してもよいアルキレン基であって、そ
の総炭素数なｍとしたときｍ＝１０かっｍ≧ｎである。

　また、２は親水性基を表わす。） 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明のＬＢ膜は、下記式（Ｉ）で表わされる化合物を
含有する。

式（Ｉ） ＣｎＦ、、、、−Ｘ−Ｚ 上記式（Ｉ）において、Ｘは内部にエーテル結合（−０
−）および／またはエステル結合＜−Ｃｏｏ−または一
ＯＣＯ−）を１または２以上有してもよいアルキレン基
であって、その総炭素数をｍとしたときｍ≧１２がっｍ
≧ｎである。　また、これらの式において、Ｚは親水性
基を表わす。

このような化合物を用いてＬＢ膜を成膜する場合、累積
膜が得られ易＜ＬＢ膜化が容易である。　また、ｍの上
限に特に制限はないが、通常、３６以下、特に２４以下
であることが好ましい。

ｍ＜ｎであると、安定なＬＢ膜が得られにくい。

なお、上記式（Ｉ）において、好ましくはｍ≧１６であ
る。

このような化合物を含有するＬＢ膜は、磁気記録媒体の
トップコート膜として優れた効果を発揮する。

また、上記式（Ｉ）において、ｍ＝１０である化合物を
含有するＬＢ膜も、本発明に含まれる。

本発明のＬＢ膜は、ＬＢ法、すなわち、後述するように
上記式（Ｉ）で表わされる化合物を含有する溶液な水相
表面に展開して単分子膜を形成し、次いでこの単分子膜
を基板に付着させる方法により得られるが、この場合、
ＬＢ膜の累積を容易にするために、水相中に２価または
３価の金属イオンを含有させることがある。

そして、単分子膜の付着を繰り返すことにより、所望の
累積数のＬＢ膜を得ることができる。　上記式（Ｉ）に
おいてｍ＝１０である場合、水相が２価または３価の金
属イオンを含有しなくても単分子膜が容易に累積でき、
均一で良好なＬＢ膜を成膜することができる。　このよ
うなＬＢ膜は、特に、剛性非磁性基体を用いる磁気記録
媒体、例えば、浮上型の磁気ヘッドを用いるハードタイ
プの磁気ディスクのトップコート膜として優れた効果を
発揮する。　上記各式においてｍ＝９である化合物を含
有するＬＢ膜をこのような磁気記録媒体のトップコート
膜として用いる場合、摩擦特性、耐久性等の向上効果、
特に初期摩擦の減少効果は激減する。

なお、ｍ＝１０である場合、２価の金属イオンを含有す
る水相を用いても、ハードタイプの磁気ディスクのトッ
プコート膜としてＬＢ膜を成膜することができる。　こ
の場合、２価の金属イオンとなる金属として好ましいも
のは、Ｃａ、Ｂａ％Ｐｂ、Ｃｄ等である。

上記式（Ｉ）において、ｎは１〜１４のｕ数であること
が好ましく、より好ましくは１〜１０、さらに好ましく
は４〜１０の整数であることが好ましい。　ｎが０であ
ると、トップコート膜として用いた場合、潤滑効果がな
く耐久性が低い。　ｎが１５以上であると、ＬＢ膜化が
困難となり累積膜が得られに（い。

なお、ｎ＋ｍは１１〜５０であることが好ましい。

上記式（Ｉ）において、Ｚは親水性基を表わす。

本発明において好適に用いられる親水性基としては、−
ＣＯＯＨｌ−８ｏ３Ｈ，−ＯＨ。

−５ｏ４Ｈ１−ＰＯ，Ｈ２等、あるいはこれらのアルカ
リ金属塩、アンモニウム塩等であり、これらのうち特に
−〇〇ＯＨあるいはその塩が、基板への吸着性の良さの
点で好ましい。

このような化合物の好適な具体例としては、Ｃ４Ｆ、（
ＣＨ，）、。Ｃ００Ｈ Ｃ４Ｆ、（ＣＨｚ　）、６ＣＯＯＨ Ｃ４Ｆｌｌ　　（ＣＨ２）　２４ＣＯＯＨＣ，Ｆ、７　
（ＣＨ２’）、、Ｃ００ＨＣａ　　Ｆｌ７（ＣＨ２）　
　１２ｃＯＯＨＣ，Ｆｌ、（ＣＨ２）　　、６ＣＯＯＨ
Ｃ８Ｆ　１？　　（ＣＨ２）　　１８ＣＯＯＨＣ−Ｆ　
１−　　（ＣＨａ　　）２□Ｃ００ＨＣ−Ｆ　１−　　
（ＣＨ２）ｉ４ＣＯＯＨＣ＋ｏＦ　２□（ＣＨ２）　　
ＩａＣＯＯＨＣ１ｏＦ２１　（ＣＨ２）１６ＣｏＯＨＣ
＋ｏＦ　＝＋　　（ＣＨｚ　　）　　ＩａＣＯＯＨＣ，
ｏＦ、、（ＣＨ，）、４ＣＯＯＨ Ｃ，Ｆ、、（ＣＨ２）、Ｃ００（ＣＨ，）、Ｃ００ＨＣ
，Ｆ、７　（ＣＨ２）６　０　　（ＣＨ２）６　　Ｃ０
ＯＨ等が挙げられる。

なお、上記化合物の金属塩、あるいは、上記化合物に対
応するスルホン酸、リン酸およびスルホン酸塩、リン酸
塩等も同様に好適に用いることができる。

上記式（Ｉ）で表わされるこのような化合物は、公知の
方法に従い合成すればよく、また市販のものを用いても
よい。

また、本発明のＬＢ膜は、上記式（Ｉ）で表わされる化
合物であってｍ、ｎ、Ｘ、Ｚ等が異なる化合物を二種以
上含有するものであってよい。

そして、ＬＢ腹膜中このような化合物の総合有量は、Ｌ
Ｂ膜全全体対し１０〜１００ｗｔ％、特に５０〜１００
重量％程度であることが好ましい。

また、本発明のＬＢ膜の膜厚は、４〜３００人程度、好
ましくは１０〜３００人程度、特に好ましくは２０〜３
００人程度である。

なお、本発明において、ＬＢ膜には上記式（Ｉ）で表わ
される化合物の他に、脂肪酸、脂肪酸エステル、アルコ
ール等がマトリクスとして含まれていてもよい。

また、本発明のＬＢ腹膜中は、さらに ２．２′−メチレンビス（４−メチル−６−ｔ−ブチル
フェノール）のようなフェノール類やジラウリルチオジ
プロピオネートのようなスルフィドあるいはトリデシル
ホスファイトのようなホスファイト等の酸化防止剤を含
有させてもよい。

このような、ＬＢ膜を形成するには、下記に示すような
、いわゆるＬＢ法によって行う。

本発明では、上記式（Ｉ）で表わされる化合物の疎水性
基側か、基体の反対側となるようにＬＢ膜を形成するこ
とが好ましい。

上記式（Ｉ）で表わされる化合物は、一般にＹ膜または
２膜の形態をとりやすい。

従って、好ましくは、まず被着体基板を水相中に浸漬す
る。

なお、ｍ≧１２である場合、安定なＬＢ膜を得るために
水相中に２価あるいは３価の金属イオンを含有させてよ
い。　用いる金属は、２価金属としてはＣａ１Ｂａ、Ｐ
ｂ％Ｃｄ等、３価金属としてはＡＪ２等が好ましい。

被着体基板を水相中に浸漬した後、上記式（Ｉ）で表わ
される化合物の溶液を所定量水相に均一に落とし、単分
子膜を形成する。

その後、表面圧が所定の張力となるまで界面を圧縮し、
一定圧を保つように界面を圧縮させながら被着体基板を
所定の速度でほぼ垂直に上昇させ被着体基板上に単分子
膜を移し取る。

このとき、上記式（Ｉ）で表わされる化合物は、その疎
水性基が基板と反対側に存在する単分子膜を形成する。

また、累積膜を形成するには、基板を水相中にほぼ垂直
に浸漬させた後、表面圧が所定の張力となるまで界面を
圧縮し、一定圧を保つように界面を圧縮しながら基板を
上昇させ、この後、基板の下降・上昇を繰り返して単分
子膜を累積させる。

この後、付着した水を乾燥させ、このような操作を繰り
返すことにより、所望の累積数の累積膜を得ることがで
きる。

このようにして得られる累積膜は一般にＹ膜またはＺ膜
の形態で、基板と反対側の表面には疎水性基が存在する
ものである。

累積数は、１〜２０程度、特に１〜１０程度が好ましい
。

なお、被着体基板には親水化処理が施されることが好ま
しい。　親水化処理は、溶剤、イオンボンバード等によ
り行なえばよい。

展開する溶液の溶媒としては、炭化水素系（キシレン、
ベンゼン等）、ハロゲン化炭化水素系（クロロホルム等
の塩素化物溶剤、フロン等のフッ素化物溶剤等）、ニト
ロ化炭化水素系にトロベンゼン等）、アルコール類系（
エチルアルコール、メチルアルコール、プロピルアルコ
ール等）、ケトン類系（アセトン等）、複素環化合物系
（キノリン等）、アミン類系、エーテル類系、エステル
類系、酸類系などが挙げられる。

次に、本発明のＬＢ膜をトップコート膜として有する本
発明の磁気記録媒体について説明する。

第１図には本発明の磁気記録媒体を、いわゆるハードデ
ィスクに適用した例が示される。

この場合の磁気記録媒体１は、非磁性剛性基体２上に一
般に下地層３を有し、この下地層３の上には通常、非磁
性金属中間層４を有し、この上に磁性層５を有し、磁性
層５の上に一般に非磁性金属保護膜６を有し、さらに（
必要に応じてカーボン保護膜７）トップコート膜８が順
次積層されて構成される。

なお、磁性層５が磁性粉とバインダーとを含有するいわ
ゆる塗布型である場合、通常、非磁性剛性基体２上に磁
性層、トップコート膜が順次積層される。

本発明において、媒体表面に設けられるトップコート膜
８は、前述した本発明のＬＢ膜から形成される。

前述の方法により形成されたトップコート膜８の厚さ・
は４〜３００λ程度である。

４λ未満では十分な本発明の効果が得られず特に耐久性
が劣り、３００人をこえると吸着が発生し、いわゆるヘ
ッドクラッシュを起こす場合がある。

本発明で使用される非磁性剛性基体２は、例えば、アル
ミニウム、アルミニウム合金等の金属、ガラス、セラミ
ックス、エンジニアリングプラスチックス等が挙げられ
る。　そして、これらの中でも、機械的剛性、加工性等
が良好でしかも後述する下地層が容易に設層できるアル
ミニウム、アルミニウム合金等を用いるのが好ましい。

　また、その形状は、ディスク状、ドラム状等、特に制
限はない。

金属薄膜磁性層５は、ＣｏまたはＣＯとＮｉ、Ｃｒ、Ｐ
のうちの１種以上を主成分とすることが好ましい。

このものの組成の具体例としては、Ｃｏ−Ｎｉ％Ｃｏ−
Ｎｉ−Ｃｒ５　Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ　−Ｎｉ−Ｐ、Ｃｏ−
Ｚｎ−Ｐ％Ｇｏ−Ｎｉ−Ｍｎ−Ｒｅ−Ｐ等がある。　こ
れらの中では特にＣｏ−Ｎｉ％Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ１Ｃｏ
−Ｃｒ。

Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ等が好ましい。

このような金属薄膜磁性層５は気相もしくは一液相の種
々のメツキ法で設層すればよい。

金属薄膜磁性層５の膜厚は２００〜５０００人、特に５
００〜１０００人が女子ましい。

なお、上記では磁性層として金属薄膜磁性層〜を用いる
場合について述べてきたが、磁性層としては、磁性粉と
バインダーとを含有する公知の種々の塗布型の磁性層を
用いてもよい。

以上に説明したような非磁性剛性基体を有する磁気記録
媒体、特に、浮上型の磁気ヘッドを用いるハードタイプ
の磁気ディスクのトップコート膜として、本発明のラン
グミュア・ブロジェット膜は特に高い効果を発揮する。

〈実施例〉 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。

ハードタイプの磁気ディスクを、下記のようにして作製
した。

ψ１．３　ｃｍ、厚さ１．９ｍｍのディスク状のＡＩ２
基体上に、厚さ２０μｍのＮＬＰの下地層を無電解メツ
キ法で設けた。

なお、下地層の組成はＮｉ：Ｐ＝８５：１５（重量比）
とした。

次いで、上記の下地層の表面を研磨処理し、洗浄後、下
地層の表面にテクスチャリング工程により凹凸部を設け
た。

そして、さらに洗浄を行った後、Ｃｒから成る非磁性金
属中間層をスパッタにより設け、この上に連続して下記
の磁性層Ｎｏ、　　１を設層した。

磁　　　Ｎｏ、　ｌ ＣｏＮｉ磁性層をスパッタ法を用いて形成した。　成膜
条件はＡｒガス圧２．ＯＰａ、ＤＣ８ＫＷとした。　Ｃ
ｏＮ　ｉ組成重量比はＧ　ｏ　／　Ｎ　ｉ　−８０／２
０、膜厚は６００人とした。

このようにして設層された磁性層上にＣｒから成る非磁
性金属保護膜を形成した。　成膜はスパッタ法で行い、
その条件は、Ａｒガス圧２、ＯＰａ、ＤＣ８ＫＷとし、
膜厚は２００人とした。

さらにこの保護膜の上に、カーボン保護膜をスパッタ法
で、厚さ４００人に設は磁気ディスクを得た。　なお、
スパッタ条件はＡｒガス圧０．２Ｐａ、ＤＣ８ＫＷとし
た。

また、この磁気ディスクの他に、下記の磁性層Ｎｏ、２
を有する磁気ディスクを作製した。

１１１」エユ 磁性粒子　　　　　　　　　　１００重量部Ｃｏ　−Ｙ
　Ｆ　ｅ　ｘ　Ｏｓ 平均粒子長＝０．１μｍ 軸比：１／８ 保持カニ６００　０ｅ バインダー　　　　　　　　　　５０重量部（エポキシ
樹脂／ブチラール樹脂 ／フェノール樹脂：　５０／３０／２０）塗膜補強剤（
α−ＡＪ２．Ｏ，）　　　３重量部分散剤（大豆油レシ
チン）　　　　２重量部溶　媒　　　　　　　　　　　
５００重量部（キシレン／イソホロン／ブチロール アセトン：重量比２０１５０／３０） 上記の磁性粒子を溶媒を用いてバインダー中に分散させ
、ボールミル中にて３６時間混練した。

このようにして調製した磁性塗料をφ１３ｃｍ、厚さ１
．９ｍｍのディスク上のＡＪ２基体上にスピンコードを
用いて１．０μｍ厚に塗布し、永久磁石で円周方向に配
向させた。　その後、１８０℃でキュアを行い、表面を
ポリッシュし、磁気ディスクを得た。°　゛ 上記の各磁性層を有する媒体上に上記式（Ｉ）で表わさ
れる各種の化合物を含むトップコート膜を、いわゆるＬ
Ｂ法により形成した。

表１に、上記式（Ｉ）におけるｍおよびｎの値を示す。

　なお、上記式（Ｉ）におけるＸは（ＣＨＩ）、、Ｚは
、Ｃ０ＯＨとした。

用いたＬＢ法の詳細を、以下に示す。

（ＬＢ法） 展開溶液は、１０−’ｍｏｌ／βクロロホルム溶液とし
た。

上記被処理基板を水相中に浸漬し、次に上記展開溶液な
水相に均一に落し、単分子膜を展開した。　水相中に含
有させた金属イオンを、表１に示す。

次に、表面圧が所定圧となるまで界面を圧縮した。　そ
して、上記被処理基板を一定の速度でほぼ垂直に上昇さ
せ、上記被処理基板上（カーボン保護膜７の上または磁
性層上）に単分子膜を移し取り、さらに基板の下降、上
昇をくり返した。

このようにして、表１に示す累積数の累積膜を得た。

なお、上記式（Ｉ）において、ｍ＝ｏの化合物Ｃ，Ｆ、
、Ｃ０ＯＨは、水面上で安定な単分子膜を形成しなかっ
た。

これら磁性層およびトップコート膜を組合せて得られた
磁気記録媒体サンプルについて、下記の特性を測定した
。

（１）肚エゴ目し１皿 磁気ディスクサンプルの作成直後およびＣＳＳ　（コン
タクト・スタート・アンド・ストップ）４万回後のディ
スク記録面当りのエラー数を測定し、Ｃ８Ｓ前後でのエ
ラー数（ミッシングパルス数）の増加を表示した［単位
二ビット／面］。

なお、ディスク記録面当りのエラー数は、日立電子エン
ジニアリング社製磁気ディスク用サーディファイヤーに
て測定し、設定条件は、ミッシングパルスのスライスレ
ベルを６５％とした。

（２）耐久摩擦 ＣＳＳ　（コンタクト・スタート・アンド・ストップ）
４万回後、磁気ディスクサンプル磁性層表面の摩擦係数
を測定した。

なお、測定に際しては、パティチック（掬社製、摩擦試
験機にて測定した。

（３）累積比 累積比を測定し、累積比０．８以上を０．０．７以上な
Ｏ，０，５以上△、０．５未満な×とした。

結果を下記表１に示す。

上記サンプルＮ０１４では、２層目は剥れてしまうため
、ＬＢ膜は１層しか累積できなかった。

なお、上記トップコート膜に用いた化合物のアルカリ金
属塩ならびに上記化合物に対応するスルホン酸、リン酸
およびこれらのアルカリ金属塩でもほぼ同等な結果が得
られた。

表１に示される結果から、本発明の効果が明らかである
′。

〈発明の効果〉 本発明のＬＢ膜は、所定の化合物を含有するため、成膜
が容易で、累積比が高く、潤滑性に優れる。

また、本発明の磁気記録媒体は、磁性層あるいは保護層
上に上記本発明のＬＢ膜からなるトップコート膜を有す
るために、摩擦特性、耐久性、耐摩耗性、耐候性、耐食
性等に優れ、実用に際してきわめて高い信頼性を有する
。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の磁気記録媒体の断面図を示す。 符号の説明 １・・・磁気記録媒体、 ２・・・非磁性剛性基体、 ３・・・下地層、 ４・・・非磁性金属中間層、 ５・・・磁性層、 ６・・・非磁性金属保護膜、 ７・・・カーボン保護膜、 ８・・・トップコート膜 出願人　　ティーデイ−ケイ株式会社 ＦＩＧ、１

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）ラングミュア・ブロジェット法により形成され、
   下記式（ I −１）で表わされる化合物を含有すること
   を特徴とするラングミュア・ブロジェット膜。 式（ I −１） Ｃ＿ｎＦ＿２＿ｎ＿＋＿１−Ｘ−Ｚ （ただし、Ｘは内部にエーテル結合（−Ｏ−）および／
   またはエステル結合（−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−）を
   １または２以上有してもよいアルキレン基であって、そ
   の総炭素数をｍとしたときｍ≧１２かつｍ≧ｎである。 また、Ｚは親水性基を表わす。）
2. （２）ｍ≧１６である請求項１に記載のラングミュア・
   ブロジェット膜。
3. （３）非磁性基体上に磁性層を有し、この磁性層上に請
   求項１または２に記載のラングミュア・ブロジェット膜
   をトップコート膜として有する磁気記録媒体。
4. （４）下記式（ I −２）で表わされる化合物を含有す
   る溶液を水相上に展開する工程を有するラングミュア・
   ブロジェット法により形成され、下記式（ I −２）で
   表わされる化合物を含有するラングミュア・ブロジェッ
   ト膜であって、前記水相が、２価または３価の金属イオ
   ンを含有しないことを特徴とするラングミュア・ブロジ
   ェット膜。 式（ I −２） Ｃ＿ｎＦ＿２＿ｎ＿＋＿１−Ｘ−Ｚ （ただし、Ｘは内部にエーテル結合（−Ｏ−）および／
   またはエステル結合（−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−）を
   １または２以上有してもよいアルキレン基であって、そ
   の総炭素数をｍとしたときｍ＝１０かつｍ≧ｎである。 また、Ｚは親水性基を表わす。）
5. （５）非磁性剛性基体上に磁性層を有し、この磁性層上
   に、ラングミュア・ブロジェット法により形成され、下
   記式（ I −２）で表わされる化合物を含有するラング
   ミュア・ブロジェット膜をトップコート膜として有する
   磁気記録媒体。 式（ I −２） Ｃ＿ｎＦ＿２＿ｎ＿＋＿１−Ｘ−Ｚ （ただし、Ｘは内部にエーテル結合（−Ｏ−）および／
   またはエステル結合（−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−）を
   １または２以上有してもよいアルキレン基であつて、そ
   の総炭素数をｍとしたときｍ＝１０かつｍ≧ｎである。 また、Ｚは親水性基を表わす。）