JPS61267922A - 磁気デイスク - Google Patents
磁気デイスクInfo
- Publication number
- JPS61267922A JPS61267922A JP10859185A JP10859185A JPS61267922A JP S61267922 A JPS61267922 A JP S61267922A JP 10859185 A JP10859185 A JP 10859185A JP 10859185 A JP10859185 A JP 10859185A JP S61267922 A JPS61267922 A JP S61267922A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- thin film
- substrate
- carbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、鉄酸化物を用いた磁性層を磁気ヘッドの機械
的接触から保護するための保護皮膜を有する磁気ディス
クに関するものである。
的接触から保護するための保護皮膜を有する磁気ディス
クに関するものである。
鉄酸化物を用いた連続磁性ｍｌＩを記録媒体として用い
ることにより、高保磁力化および薄膜化が容品なことか
ら従来の塗布型ディスクの記録密度をさらに向上させる
ことができる。また、高密度記録が可能であるという点
で、めっき法による金属磁性薄膜も同様に注目され、一
部は実用化段階にはいっている。しかしながら、金属磁
性薄膜は鉄酸化物磁性ｉｉ＊と比較して以下の欠点を有
している。 １）記録磁性層固有の問題として、記録時の媒体ノイズ
が大きいこと ■）腐食しやすいために、磁性層全面に連続な耐食性の
良好な保護膜を形成する必要があること記録再生方式に
Ｃ８Ｓ方式（コンタクト・スタート・ストップ方式）を
用いる場合、ディスク装置起動時および停止時に磁気ヘ
ッドは磁気ディスク上を摺動する。このために、鉄酸化
物磁性薄膜といえども耐摩耗性を改善するための保護膜
は必要となる。このような意味での保護膜として、現在
までスパッタリング法あるいはスピンコード法による二
酸化けい素（Ｓｌｏｔ）薄膜が提案されている（実公昭
５７−２１１ｓｔ号、特開昭５５−６４６３６号、特開
昭５７−９４９３１号各公報）、スパッタリング法によ
るｓｔａｇ薄膜を得ることは容品ではなく、再現性の確
保が困難である。またスピンコード法による場合は、磁
性層との密着性を確保することが困難で、焼成時の温度
は３００℃程度、望ましくはそれ以上必要となり、ディ
スク基板自体の熱変形による機械精度の劣化をまね（。
ることにより、高保磁力化および薄膜化が容品なことか
ら従来の塗布型ディスクの記録密度をさらに向上させる
ことができる。また、高密度記録が可能であるという点
で、めっき法による金属磁性薄膜も同様に注目され、一
部は実用化段階にはいっている。しかしながら、金属磁
性薄膜は鉄酸化物磁性ｉｉ＊と比較して以下の欠点を有
している。 １）記録磁性層固有の問題として、記録時の媒体ノイズ
が大きいこと ■）腐食しやすいために、磁性層全面に連続な耐食性の
良好な保護膜を形成する必要があること記録再生方式に
Ｃ８Ｓ方式（コンタクト・スタート・ストップ方式）を
用いる場合、ディスク装置起動時および停止時に磁気ヘ
ッドは磁気ディスク上を摺動する。このために、鉄酸化
物磁性薄膜といえども耐摩耗性を改善するための保護膜
は必要となる。このような意味での保護膜として、現在
までスパッタリング法あるいはスピンコード法による二
酸化けい素（Ｓｌｏｔ）薄膜が提案されている（実公昭
５７−２１１ｓｔ号、特開昭５５−６４６３６号、特開
昭５７−９４９３１号各公報）、スパッタリング法によ
るｓｔａｇ薄膜を得ることは容品ではなく、再現性の確
保が困難である。またスピンコード法による場合は、磁
性層との密着性を確保することが困難で、焼成時の温度
は３００℃程度、望ましくはそれ以上必要となり、ディ
スク基板自体の熱変形による機械精度の劣化をまね（。
本発明による磁気ディスクけ、ｔｋＩＩＩ化物からなる
連続磁性薄膜の表面にアモルファス構造を有する炭素を
主成分とする皮膜を備えることにより上記の目的を達成
する。
連続磁性薄膜の表面にアモルファス構造を有する炭素を
主成分とする皮膜を備えることにより上記の目的を達成
する。
第１図は本発明による磁性ディスクの実施例の断面構造
を示し、非磁性基板１としてアルミニウム合金板を用い
、その上に機械的強度を大きくするためアルマイト処理
あるいはＭｌ−Ｃｕ−Ｐ合金の無電解めっきにより表面
層２を形成した。Ｎ１−Ｃｕ−Ｐ無電解めつき層の場合
は、磁性膜形成時の基板温度２００〜３００℃でも非磁
性を保持するように組成を適切化しである。この基板表
面層２を鏡面加工したのち鉄酸化物磁性薄膜３を反応ス
パッタリングによる直接酸化法により形成した。すなわ
ち、鉄を主成分とし、銅およびコバルトを２〜３重量％
添加した材料からなるターゲットを用いたスパッタリン
グ法により、２００〜２７０ ’ＩＩ：に加熱した基板
ｌの上に直接マグネタイト （ＦｅｓＯ＊）薄膜を形成
し、つづいて大気中で３００℃、３時間の加熱をしてヘ
マタイト （ｒ −Ｆ＠ｇｏｚ） ＩＩ膜とした。この
ｒ−Ｆａ＊Ｏ＊１１膜の磁気特性の典型値は下記の遺り
で、より高密度記録に適した記録媒体用磁性層である。 保磁力 ＴＯＯ〜８０００ｅ残留
磁束密度Ｂｒ ２５００〜３０００ Ｇ
ａ角形比Ｓ Ｇ、７０ ＮＯ，８
０コアシブ・スクウェアネスＳ ＠０．８０ ＮＯ，９
０この上に保護膜として炭素薄膜４をスパッタリンク法
ニヨリ形成した。ａ形成法として、スパッタリング法を
用いるために磁性層上に強固に密着する。密着をより確
実なものとするためには、炭素のスパッタリングに先立
うて磁性層表面をスパッタエツチングすることが望まし
い、また、スパッタリング法を用いるために、炭素保護
膜の薄膜化が容品である。すなわち１００λ程度の厚さ
を制御性良く実現することができる。これはスピンコー
ド法などに比較して大変優れた特徴である。しかし、実
用上の保護膜の厚さが１００Å以下では保護機能上劣化
するので、それ以上の厚さが望ましい。 また保護膜の厚さは厚いほど保護機能は向上するが、厚
（なるに伴って磁性層表面から磁気ヘッドまでの空隙が
太き（なり、電磁変換特性が劣化するので高密度記録を
達成するためには１０００Å以下の厚さであることが望
ましい。 第２図は使用したスパッタリング装置を示す。 真空槽１１内には水冷できる基板ホルダー１２と同様に
水冷できるターゲットカソード１３がシャフタ１４を挟
んで対向配置され、ホルダー１２上には基板ｌが取り付
けられ、ターゲットカソード１３上には純度９９．９９
％のグラファイト粉末を焼結したターゲット！５が取り
付けられている。炭素のスパッタリングに先立うて基板
１上の磁性層表面をスパッタエツチングする際には、カ
ソード１３にターゲットを取り付けないで基板ｌに近づ
け、排気口１６から真空排気した槽ｌｌ内にガス導入口
１７から＾ｒガスを導入してスパッタリングを行う、炭
素をスパッタリング蒸着する際、ターゲット１５にグラ
ファイトの焼結体を用いるので、ターゲット自体が良電
気伝導体であり、高周波スパッタリングおよび直流スパ
ッタリングのいずれでも形成可能である− ５ｌｏｔを
ターゲットにして、スパッタリングにより５１０ｇ薄膜
を形成する場合は高周波スパッタリングに限定されるこ
とを考えれば、より自由度がある。 でき上がった炭素保護膜はＸ線回析により確認した結果
、アモルファス状になっていることが確認された。炭素
膜４がアモルファス構造を有することにより、大変硬質
な膜となり、磁気ヘッドの摺動時においても優れた耐摩
耗性を育することになる。また摩擦係数も小さいため、
炭素薄膜形成後特別に潤滑剤をコーティングする必要も
ない。 スパッタリング蒸着した炭素１１１１１がアモルファス
構造を有するためには、スパッタリング中の磁気ディス
ク基板の温度を十分低（抑制しておくことが重要である
。すなわち基板温度は１５０℃以内・より望ましくは１
００℃以内に抑えなければならない、このために基板ホ
ルダー１２をスパッタリング中水冷した。基板温度が２
００℃を超えると炭素薄膜はアモルファス構造をとり得
す、グラファイト状構造が出現することになる。グラフ
ァイト状構造の膜の場合、膜自体の強度が大変弱く、磁
気ヘッド摺動時に炭素薄膜は容易に剥離、摩耗し、急速
にその保護膜としての機能を失うことになる。 このように、スパッタリング中でも磁気ディスク基板は
低い温度に抑えられているため、スピンコード法で５ｌ
ｏｔを形成する際の焼成加熱による基板の熱変形の問題
はまったく解消された。 第１表は三つの実施例の条件を示す。 第１表 各実施例の磁気ディスクの保護膜の機能を確認するため
に、粘着テープによる引きはがし試験およびＣ８Ｓ試験
を行った。その結果、いずれの磁気ディスクも引きはが
し試験による保護膜の損傷が見受けられず、またＣ８Ｓ
試験も２万回以上を達成し、これらの保護膜が十分実用
に供せられることが立証された。 【発明の効果］ 本発明は、磁気ディスクの鉄酸化物からなる磁性薄膜上
の保ｆｌｌｌｌをアモルファス構造を有する炭素によっ
て形成することにより、磁性ａｍの十分な保護が行われ
、信頼性のすぐれた磁気ディスクを得ることができた。 かつ従来のｓｓｏｇ保護膜にくらべて製造上の自由度と
制御性の面でまさっており、得られる効果は極めて大き
い。
を示し、非磁性基板１としてアルミニウム合金板を用い
、その上に機械的強度を大きくするためアルマイト処理
あるいはＭｌ−Ｃｕ−Ｐ合金の無電解めっきにより表面
層２を形成した。Ｎ１−Ｃｕ−Ｐ無電解めつき層の場合
は、磁性膜形成時の基板温度２００〜３００℃でも非磁
性を保持するように組成を適切化しである。この基板表
面層２を鏡面加工したのち鉄酸化物磁性薄膜３を反応ス
パッタリングによる直接酸化法により形成した。すなわ
ち、鉄を主成分とし、銅およびコバルトを２〜３重量％
添加した材料からなるターゲットを用いたスパッタリン
グ法により、２００〜２７０ ’ＩＩ：に加熱した基板
ｌの上に直接マグネタイト （ＦｅｓＯ＊）薄膜を形成
し、つづいて大気中で３００℃、３時間の加熱をしてヘ
マタイト （ｒ −Ｆ＠ｇｏｚ） ＩＩ膜とした。この
ｒ−Ｆａ＊Ｏ＊１１膜の磁気特性の典型値は下記の遺り
で、より高密度記録に適した記録媒体用磁性層である。 保磁力 ＴＯＯ〜８０００ｅ残留
磁束密度Ｂｒ ２５００〜３０００ Ｇ
ａ角形比Ｓ Ｇ、７０ ＮＯ，８
０コアシブ・スクウェアネスＳ ＠０．８０ ＮＯ，９
０この上に保護膜として炭素薄膜４をスパッタリンク法
ニヨリ形成した。ａ形成法として、スパッタリング法を
用いるために磁性層上に強固に密着する。密着をより確
実なものとするためには、炭素のスパッタリングに先立
うて磁性層表面をスパッタエツチングすることが望まし
い、また、スパッタリング法を用いるために、炭素保護
膜の薄膜化が容品である。すなわち１００λ程度の厚さ
を制御性良く実現することができる。これはスピンコー
ド法などに比較して大変優れた特徴である。しかし、実
用上の保護膜の厚さが１００Å以下では保護機能上劣化
するので、それ以上の厚さが望ましい。 また保護膜の厚さは厚いほど保護機能は向上するが、厚
（なるに伴って磁性層表面から磁気ヘッドまでの空隙が
太き（なり、電磁変換特性が劣化するので高密度記録を
達成するためには１０００Å以下の厚さであることが望
ましい。 第２図は使用したスパッタリング装置を示す。 真空槽１１内には水冷できる基板ホルダー１２と同様に
水冷できるターゲットカソード１３がシャフタ１４を挟
んで対向配置され、ホルダー１２上には基板ｌが取り付
けられ、ターゲットカソード１３上には純度９９．９９
％のグラファイト粉末を焼結したターゲット！５が取り
付けられている。炭素のスパッタリングに先立うて基板
１上の磁性層表面をスパッタエツチングする際には、カ
ソード１３にターゲットを取り付けないで基板ｌに近づ
け、排気口１６から真空排気した槽ｌｌ内にガス導入口
１７から＾ｒガスを導入してスパッタリングを行う、炭
素をスパッタリング蒸着する際、ターゲット１５にグラ
ファイトの焼結体を用いるので、ターゲット自体が良電
気伝導体であり、高周波スパッタリングおよび直流スパ
ッタリングのいずれでも形成可能である− ５ｌｏｔを
ターゲットにして、スパッタリングにより５１０ｇ薄膜
を形成する場合は高周波スパッタリングに限定されるこ
とを考えれば、より自由度がある。 でき上がった炭素保護膜はＸ線回析により確認した結果
、アモルファス状になっていることが確認された。炭素
膜４がアモルファス構造を有することにより、大変硬質
な膜となり、磁気ヘッドの摺動時においても優れた耐摩
耗性を育することになる。また摩擦係数も小さいため、
炭素薄膜形成後特別に潤滑剤をコーティングする必要も
ない。 スパッタリング蒸着した炭素１１１１１がアモルファス
構造を有するためには、スパッタリング中の磁気ディス
ク基板の温度を十分低（抑制しておくことが重要である
。すなわち基板温度は１５０℃以内・より望ましくは１
００℃以内に抑えなければならない、このために基板ホ
ルダー１２をスパッタリング中水冷した。基板温度が２
００℃を超えると炭素薄膜はアモルファス構造をとり得
す、グラファイト状構造が出現することになる。グラフ
ァイト状構造の膜の場合、膜自体の強度が大変弱く、磁
気ヘッド摺動時に炭素薄膜は容易に剥離、摩耗し、急速
にその保護膜としての機能を失うことになる。 このように、スパッタリング中でも磁気ディスク基板は
低い温度に抑えられているため、スピンコード法で５ｌ
ｏｔを形成する際の焼成加熱による基板の熱変形の問題
はまったく解消された。 第１表は三つの実施例の条件を示す。 第１表 各実施例の磁気ディスクの保護膜の機能を確認するため
に、粘着テープによる引きはがし試験およびＣ８Ｓ試験
を行った。その結果、いずれの磁気ディスクも引きはが
し試験による保護膜の損傷が見受けられず、またＣ８Ｓ
試験も２万回以上を達成し、これらの保護膜が十分実用
に供せられることが立証された。 【発明の効果］ 本発明は、磁気ディスクの鉄酸化物からなる磁性薄膜上
の保ｆｌｌｌｌをアモルファス構造を有する炭素によっ
て形成することにより、磁性ａｍの十分な保護が行われ
、信頼性のすぐれた磁気ディスクを得ることができた。 かつ従来のｓｓｏｇ保護膜にくらべて製造上の自由度と
制御性の面でまさっており、得られる効果は極めて大き
い。
第１図は本発明の実施例の構造を示す断面図、第２図は
本発明による炭素保ｍ膜の形成に用いる装置の一例の断
面図である。 ｌニアルミニウム合金基板、２：基板表面層、３ ：
ｒ−ＰｅｔＯｓ磁性薄膜、４：炭素薄膜。
本発明による炭素保ｍ膜の形成に用いる装置の一例の断
面図である。 ｌニアルミニウム合金基板、２：基板表面層、３ ：
ｒ−ＰｅｔＯｓ磁性薄膜、４：炭素薄膜。
Claims (1)
- １）鉄酸化物からなる連続磁性薄膜の表面にアモルファ
ス構造を有する炭素を主成分とする皮膜を備えたことを
特徴とする磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10859185A JPS61267922A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 磁気デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10859185A JPS61267922A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 磁気デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61267922A true JPS61267922A (ja) | 1986-11-27 |
Family
ID=14488689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10859185A Pending JPS61267922A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 磁気デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61267922A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4786564A (en) * | 1987-02-25 | 1988-11-22 | Komag, Inc. | Method for manufacturing a magnetic disk having reduced bit shift, minimized noise, increased resolution and uniform magnetic characteristics, and the resulting disk |
| US5153044A (en) * | 1987-02-25 | 1992-10-06 | Komag, Inc. | Magnetic disk for longitudinal recording comprising an amorphous intermediate layer |
-
1985
- 1985-05-21 JP JP10859185A patent/JPS61267922A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4786564A (en) * | 1987-02-25 | 1988-11-22 | Komag, Inc. | Method for manufacturing a magnetic disk having reduced bit shift, minimized noise, increased resolution and uniform magnetic characteristics, and the resulting disk |
| US5153044A (en) * | 1987-02-25 | 1992-10-06 | Komag, Inc. | Magnetic disk for longitudinal recording comprising an amorphous intermediate layer |
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