JPH0362795B2 - - Google Patents
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- JPH0362795B2 JPH0362795B2 JP56164026A JP16402681A JPH0362795B2 JP H0362795 B2 JPH0362795 B2 JP H0362795B2 JP 56164026 A JP56164026 A JP 56164026A JP 16402681 A JP16402681 A JP 16402681A JP H0362795 B2 JPH0362795 B2 JP H0362795B2
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Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Description
本発明は、磁気記録媒体の膜厚方向の磁化によ
つて記録を行う、いわゆる垂直記録に用いる磁気
記録媒体（磁性膜）を作製するめつき浴に関する
ものである。 従来、一般の磁気デイスク装置などの磁気記録
装置においては、基板上に形成された磁気記録媒
体にリング型磁気ヘツドによつて水平方向に磁化
することにより記録を行なつている。 しかし、水平磁化による記録には記録信号が短
波長になるに従い、即ち記録密度の増加に従つ
て、媒体内の反磁界が増大して残留磁化の減衰と
回転を生じ、再生出力が著しく減少するという欠
点が存在する。そこで、この間題点解決のため短
波長になる程反磁界が小さくなる性質をもつ垂直
記録方式が提案され、この垂直記録に適した磁気
記録媒体としては、膜圧に垂直な方向に磁化容易
軸をもつCo−Crスパツタ膜が提案されている。
そして、この垂直磁化記録方式は従来の水平方向
の磁化による記録方式にくらべて高密度記録に優
れていることが報告されている（特開昭52−
134706号公報参照）。ところがCo−Cr膜をスパツ
タ法により作製する場合、真空系内で行うため量
産性に問題がある。 このためこの様な製造上の問題点を改善して量
産性に優れた無電解めつき法により、膜面に垂直
な方向に磁化容易軸をもつ磁化記録媒体（磁性
膜）を製造する無電解めつき浴が見い出されてい
る（特願昭56−025833、“無電解めつき浴″等）。
ところで、無電解めつき浴においてはマンガン、
タングステン、鉄等の添加金属の増加によりα−
Co六方晶のＣ軸（磁化容易軸）を基板に対して
面内方向から垂直方向に変化させるが、Ｃ軸の垂
直配向性が良好な磁性目では膜面に垂直な方向の
保磁力（Hc（⊥））が著しく増大するという傾向
がある。磁気記録媒体に垂直記録を行なう場合、
Hc（⊥）の値は磁気ヘツドの記録磁界の強度によ
り制限を受ける。ヘツド磁場が磁性膜のHc（⊥）
を下回ると記録磁化反転が起きなくなり垂直記録
は行われない。通常のリング型ヘツドの場合ギヤ
ツプ近傍に発生する最大の磁界は3000Oe程度で
あるが、磁気デイスク装置のように磁気ヘツドが
磁気記録体上を微小間隔浮上している場合や、磁
性膜上に保護膜を有する場合には磁性膜の受ける
記録磁界が減少するためHc（⊥）は1100Oe程度
以下でありことが望ましい。しかるに従来の無電
解めつき浴より得られるＣ軸の垂直配向性の良好
な磁性膜のHc（⊥）は1200Oe以上であり、時に
は2000Oe程度に達する場合があり、通常のリン
グ型ヘツドを用いる場合記録磁界が不足するとい
う欠点があつた。 本発明の目的は、この問題を改善してα−Co
六方晶のＣ軸が膜面に垂直な方向に十分に配向
し、かつ通常のリング型ヘツドを用いて容易に記
録磁化反転を起しうる値の保磁力（Hc（⊥））を
有する磁気記録媒体を製造できる無電解めつき浴
を提供することにある。 本発明による無電解めつき浴は、コバルトイオ
ン、またはコバルトイオンおよびニツケルイオ
ン、これら金属イオンの還元剤、PH緩衝剤、PH調
節剤並びに添加剤として0.02〜0.2mol／のマン
ガンイオンを含む水溶液に、前記金属イオンの錯
化剤としてマロン酸基のほかにコハク酸基が加え
られていることを特徴としており、これにより膜
面に垂直な方向に磁化容易軸が配向した磁気記録
媒体のHc（⊥）を通常のリング型ヘツドを用いて
容易に記録磁化反転を起しうるう所要の値まで減
少させることができる。 本発明において金属イオンとして用いられるコ
バルトイオン、ニツケルイオンあるいはマンガン
イオンとしては、コバルト、ニツケルあるいはマ
ンガンの硫酸塩、塩化塩、酢酸塩などの可溶性塩
を無電解めつき浴中に溶解することによつて供給
される。コバルトイオンの濃度は、0.01〜
2mol／の範囲が用いられるが、好ましくは
0.03〜0.2mol／の範囲である。ニツケルイオン
の濃度は、０〜0.5mol／の範囲が用いられる
が、好ましくは0.002〜0.08mol／の範囲であ
る。マンガンイオンの濃度は、0.003〜2mol／
の範囲が用いられるが好ましくは0.02〜0.2mol／
の範囲である。 還元剤としては次亜リン酸塩が普通に用いられ
るが、ヒドラジン酸類、ホウ水素化物なども用い
ることができる。PH緩衝剤としてはアンモニウム
塩、炭酸塩、有機酸塩などが使用され、0.01〜
2mol／の範囲の濃度か用いられる。PH調節剤
としては、PHの上昇にはアンモニア、水酸化ナト
リウムのどのアルカリが用いられ、PHの降下には
硫酸、塩酸などの酸が用いられる。錯化剤として
のマロン酸基は、マロン酸またはマロン酸の可溶
性塩によつて供給され、0.1〜2.5mol／の範囲
の濃度が用いられる。コハク酸基はコハク酸の可
溶性塩によつて供給され、0.1〜2.0mol／の範
囲の濃度が用いられる。 以下、本発明による無電解めつき浴の特長を実
施例により説明する。 実施例 １ エタノール脱脂後水洗を行つた銅基板に下記条
件にて活性化処理及び促進化処理を施した後、下
記のめつき浴組成及びめつき条件にてその上に
Co−Mn−ｐ膜（膜厚2μｍ）を形成した。 活性化処理条件 HS101B（日立化成製）60c.c.／、塩酸320c.c.／
、純水620c.c.／を組成すると活性液に３分間
浸漬する。 促進化処理条件 ADP201（日立化成製）200c.c.／、純水800
c.c.／を組成とする促進液に３分間浸漬する。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.10mol／ 次亜リン酸いナトイウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.5mol／ マロン酸ナトリウム 0.90mol／ 硫酸マンガン 0.05mol／ コハク酸ナトリウム ０〜0.50mol／ めつき条件 めつき浴のPH9.2（室温にてNH4OHでPH調
節） めつき浴の温度85℃ コハク酸ナトリウムの濃度を０から0.05mol／
まで変化させて得られたCo−Mn−ｐ膜の結晶
構造を明らかにするためＸ線回折を行つた結果を
次表に示す。表中の数字は同一試料における最大
強度の回折線の強さを100とした相対強度を示す。
つて記録を行う、いわゆる垂直記録に用いる磁気
記録媒体（磁性膜）を作製するめつき浴に関する
ものである。 従来、一般の磁気デイスク装置などの磁気記録
装置においては、基板上に形成された磁気記録媒
体にリング型磁気ヘツドによつて水平方向に磁化
することにより記録を行なつている。 しかし、水平磁化による記録には記録信号が短
波長になるに従い、即ち記録密度の増加に従つ
て、媒体内の反磁界が増大して残留磁化の減衰と
回転を生じ、再生出力が著しく減少するという欠
点が存在する。そこで、この間題点解決のため短
波長になる程反磁界が小さくなる性質をもつ垂直
記録方式が提案され、この垂直記録に適した磁気
記録媒体としては、膜圧に垂直な方向に磁化容易
軸をもつCo−Crスパツタ膜が提案されている。
そして、この垂直磁化記録方式は従来の水平方向
の磁化による記録方式にくらべて高密度記録に優
れていることが報告されている（特開昭52−
134706号公報参照）。ところがCo−Cr膜をスパツ
タ法により作製する場合、真空系内で行うため量
産性に問題がある。 このためこの様な製造上の問題点を改善して量
産性に優れた無電解めつき法により、膜面に垂直
な方向に磁化容易軸をもつ磁化記録媒体（磁性
膜）を製造する無電解めつき浴が見い出されてい
る（特願昭56−025833、“無電解めつき浴″等）。
ところで、無電解めつき浴においてはマンガン、
タングステン、鉄等の添加金属の増加によりα−
Co六方晶のＣ軸（磁化容易軸）を基板に対して
面内方向から垂直方向に変化させるが、Ｃ軸の垂
直配向性が良好な磁性目では膜面に垂直な方向の
保磁力（Hc（⊥））が著しく増大するという傾向
がある。磁気記録媒体に垂直記録を行なう場合、
Hc（⊥）の値は磁気ヘツドの記録磁界の強度によ
り制限を受ける。ヘツド磁場が磁性膜のHc（⊥）
を下回ると記録磁化反転が起きなくなり垂直記録
は行われない。通常のリング型ヘツドの場合ギヤ
ツプ近傍に発生する最大の磁界は3000Oe程度で
あるが、磁気デイスク装置のように磁気ヘツドが
磁気記録体上を微小間隔浮上している場合や、磁
性膜上に保護膜を有する場合には磁性膜の受ける
記録磁界が減少するためHc（⊥）は1100Oe程度
以下でありことが望ましい。しかるに従来の無電
解めつき浴より得られるＣ軸の垂直配向性の良好
な磁性膜のHc（⊥）は1200Oe以上であり、時に
は2000Oe程度に達する場合があり、通常のリン
グ型ヘツドを用いる場合記録磁界が不足するとい
う欠点があつた。 本発明の目的は、この問題を改善してα−Co
六方晶のＣ軸が膜面に垂直な方向に十分に配向
し、かつ通常のリング型ヘツドを用いて容易に記
録磁化反転を起しうる値の保磁力（Hc（⊥））を
有する磁気記録媒体を製造できる無電解めつき浴
を提供することにある。 本発明による無電解めつき浴は、コバルトイオ
ン、またはコバルトイオンおよびニツケルイオ
ン、これら金属イオンの還元剤、PH緩衝剤、PH調
節剤並びに添加剤として0.02〜0.2mol／のマン
ガンイオンを含む水溶液に、前記金属イオンの錯
化剤としてマロン酸基のほかにコハク酸基が加え
られていることを特徴としており、これにより膜
面に垂直な方向に磁化容易軸が配向した磁気記録
媒体のHc（⊥）を通常のリング型ヘツドを用いて
容易に記録磁化反転を起しうるう所要の値まで減
少させることができる。 本発明において金属イオンとして用いられるコ
バルトイオン、ニツケルイオンあるいはマンガン
イオンとしては、コバルト、ニツケルあるいはマ
ンガンの硫酸塩、塩化塩、酢酸塩などの可溶性塩
を無電解めつき浴中に溶解することによつて供給
される。コバルトイオンの濃度は、0.01〜
2mol／の範囲が用いられるが、好ましくは
0.03〜0.2mol／の範囲である。ニツケルイオン
の濃度は、０〜0.5mol／の範囲が用いられる
が、好ましくは0.002〜0.08mol／の範囲であ
る。マンガンイオンの濃度は、0.003〜2mol／
の範囲が用いられるが好ましくは0.02〜0.2mol／
の範囲である。 還元剤としては次亜リン酸塩が普通に用いられ
るが、ヒドラジン酸類、ホウ水素化物なども用い
ることができる。PH緩衝剤としてはアンモニウム
塩、炭酸塩、有機酸塩などが使用され、0.01〜
2mol／の範囲の濃度か用いられる。PH調節剤
としては、PHの上昇にはアンモニア、水酸化ナト
リウムのどのアルカリが用いられ、PHの降下には
硫酸、塩酸などの酸が用いられる。錯化剤として
のマロン酸基は、マロン酸またはマロン酸の可溶
性塩によつて供給され、0.1〜2.5mol／の範囲
の濃度が用いられる。コハク酸基はコハク酸の可
溶性塩によつて供給され、0.1〜2.0mol／の範
囲の濃度が用いられる。 以下、本発明による無電解めつき浴の特長を実
施例により説明する。 実施例 １ エタノール脱脂後水洗を行つた銅基板に下記条
件にて活性化処理及び促進化処理を施した後、下
記のめつき浴組成及びめつき条件にてその上に
Co−Mn−ｐ膜（膜厚2μｍ）を形成した。 活性化処理条件 HS101B（日立化成製）60c.c.／、塩酸320c.c.／
、純水620c.c.／を組成すると活性液に３分間
浸漬する。 促進化処理条件 ADP201（日立化成製）200c.c.／、純水800
c.c.／を組成とする促進液に３分間浸漬する。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.10mol／ 次亜リン酸いナトイウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.5mol／ マロン酸ナトリウム 0.90mol／ 硫酸マンガン 0.05mol／ コハク酸ナトリウム ０〜0.50mol／ めつき条件 めつき浴のPH9.2（室温にてNH4OHでPH調
節） めつき浴の温度85℃ コハク酸ナトリウムの濃度を０から0.05mol／
まで変化させて得られたCo−Mn−ｐ膜の結晶
構造を明らかにするためＸ線回折を行つた結果を
次表に示す。表中の数字は同一試料における最大
強度の回折線の強さを100とした相対強度を示す。
【表】
【表】
コハク酸ナトリウム濃度を増加しても100及び
101の強度が０、002の強度が100となり、いずれ
もα−CoのＣ軸が膜面に垂直の方向に配向した。 コハク酸ナトリウム濃度を０から0.05mol／
まで変化させてHcに与える効果を調べた結果を
第１図に示す。第１図は横軸にコハク酸ナトリウ
ム濃度をとり、縦軸にめつきされた磁性膜のHc
（⊥）をとつたものである。 コハク酸ナトリウムを加えない場合のHc（⊥）
は1610エステツド（Oe）であるが、コハク酸ナ
トリウム濃度が0.40mol／では約1090エステツ
ドとなつた。めつき浴にコハク酸ナトリウムを加
えることにより得られるHc（⊥）の値を通常のリ
ング型ヘツドを用いて容易に記録磁化反転を起し
うる値まで減少させることができた。 実施例 ２ 実施例１と同様の手順で、下記のめつき浴組成
及びめつき条件にてCo−Ni−Mn−Ｐ膜（膜厚
5μｍ）を形成した。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.025mol／ 硫酸ニツケル 0.005mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.5mol／ マロン酸ナトリウム 0.50mol／ 硫酸マンガン 0.04mol／ コハク酸ナトリウム ０〜0.61mol／ めつき条件 めつき浴のPH9.2（室温にてNH4OHでPH調
節） めつき浴の温度85℃ コハク酸ナトリウムの濃度を０から0.60mol／
まで変化させて得られたCo−Ni−Mn−ｐ膜の
Ｘ線回折結果を次表に示す。
101の強度が０、002の強度が100となり、いずれ
もα−CoのＣ軸が膜面に垂直の方向に配向した。 コハク酸ナトリウム濃度を０から0.05mol／
まで変化させてHcに与える効果を調べた結果を
第１図に示す。第１図は横軸にコハク酸ナトリウ
ム濃度をとり、縦軸にめつきされた磁性膜のHc
（⊥）をとつたものである。 コハク酸ナトリウムを加えない場合のHc（⊥）
は1610エステツド（Oe）であるが、コハク酸ナ
トリウム濃度が0.40mol／では約1090エステツ
ドとなつた。めつき浴にコハク酸ナトリウムを加
えることにより得られるHc（⊥）の値を通常のリ
ング型ヘツドを用いて容易に記録磁化反転を起し
うる値まで減少させることができた。 実施例 ２ 実施例１と同様の手順で、下記のめつき浴組成
及びめつき条件にてCo−Ni−Mn−Ｐ膜（膜厚
5μｍ）を形成した。 めつき浴組成 硫酸コバルト 0.025mol／ 硫酸ニツケル 0.005mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.20mol／ 硫酸アンモニウム 0.5mol／ マロン酸ナトリウム 0.50mol／ 硫酸マンガン 0.04mol／ コハク酸ナトリウム ０〜0.61mol／ めつき条件 めつき浴のPH9.2（室温にてNH4OHでPH調
節） めつき浴の温度85℃ コハク酸ナトリウムの濃度を０から0.60mol／
まで変化させて得られたCo−Ni−Mn−ｐ膜の
Ｘ線回折結果を次表に示す。
【表】
コハク酸ナトリウム濃度を増加しても（002）
面のみがあらわれ、いずれもα−CoのＣ軸が膜
面に垂直な方向に配向した。 コハク酸ナトリウムの濃度を０から0.60mol／
まで変化させてHc（⊥）に与える効果を調べた
結果を第２図に示す。コハク酸ナトリウムを加え
ない場合のHc（⊥）は1970エルステツドである
が、コハク酸ナトリウム濃度増加により減少し、
コハク酸ナトリウム0.60mol／においてHc（⊥）
は1050エルステツドとなつた。めつき浴にコハク
酸ナトリウムを加えることにより得られるHc
（⊥）を値を通常のリング型ヘツドを用いて容易
に記録磁化反転を起こしうる値まで減少させるこ
とができた。膜面に垂直な方向に磁化容易軸をも
つ磁気記録媒体を用い、膜面に垂直に磁化する垂
直磁化記録方式は、従来一般の磁気デイスク装置
に用いられている水平方向の磁化により記録方式
に比べて高密度記録に優れていることが特開昭52
−134706号公報に述べられているが、実施例１び
２のめつき浴より得られる磁性膜はこの垂直磁化
記録の磁気記録媒体に用いることができる。 以上、実施例で示された様に本発明によれば、
磁性膜を作製するめつき浴においてコバルトイオ
ン、またはコバルトイオンおよびニツケルイオ
ン、これら金属イオンの還元剤、PH緩衝剤、PH調
節剤並びに添加剤として0.02〜0.2mol／のマン
ガンイオンを含む水溶液に、前記金属イオンの錯
化剤としマロン酸基のほかにコハク酸基を加える
ことによりＣ軸の垂直配向性に影響を与えること
なく、磁性膜のHc（⊥）を通常のリング型ヘツド
を用いて容易に記録磁化反転を起しうる所要の値
まで減少させることができる。
面のみがあらわれ、いずれもα−CoのＣ軸が膜
面に垂直な方向に配向した。 コハク酸ナトリウムの濃度を０から0.60mol／
まで変化させてHc（⊥）に与える効果を調べた
結果を第２図に示す。コハク酸ナトリウムを加え
ない場合のHc（⊥）は1970エルステツドである
が、コハク酸ナトリウム濃度増加により減少し、
コハク酸ナトリウム0.60mol／においてHc（⊥）
は1050エルステツドとなつた。めつき浴にコハク
酸ナトリウムを加えることにより得られるHc
（⊥）を値を通常のリング型ヘツドを用いて容易
に記録磁化反転を起こしうる値まで減少させるこ
とができた。膜面に垂直な方向に磁化容易軸をも
つ磁気記録媒体を用い、膜面に垂直に磁化する垂
直磁化記録方式は、従来一般の磁気デイスク装置
に用いられている水平方向の磁化により記録方式
に比べて高密度記録に優れていることが特開昭52
−134706号公報に述べられているが、実施例１び
２のめつき浴より得られる磁性膜はこの垂直磁化
記録の磁気記録媒体に用いることができる。 以上、実施例で示された様に本発明によれば、
磁性膜を作製するめつき浴においてコバルトイオ
ン、またはコバルトイオンおよびニツケルイオ
ン、これら金属イオンの還元剤、PH緩衝剤、PH調
節剤並びに添加剤として0.02〜0.2mol／のマン
ガンイオンを含む水溶液に、前記金属イオンの錯
化剤としマロン酸基のほかにコハク酸基を加える
ことによりＣ軸の垂直配向性に影響を与えること
なく、磁性膜のHc（⊥）を通常のリング型ヘツド
を用いて容易に記録磁化反転を起しうる所要の値
まで減少させることができる。
第１図は実施例１のめつき浴におけるコハク酸
ナトリウム濃度とHc（⊥）の関係を示す図、第２
図は実施例２のめつき浴における同様の関係を示
す図である。
ナトリウム濃度とHc（⊥）の関係を示す図、第２
図は実施例２のめつき浴における同様の関係を示
す図である。
Claims (1)
- １ コバルトイオン、またはコバルトイオンおよ
びニツケルイオン、これら金属イオンの還元剤、
PH緩衝剤、PH調節剤並びに添加剤として0.02〜
0.2mol／のマンガンイオンを含む水溶液に前
記金属イオンの錯化剤としてマロン酸基及びコハ
ク酸基を加えることを特徴とする垂直記録に用い
る磁気記録媒体（磁性膜）を作製するための無電
解めつき浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16402681A JPS5864370A (ja) | 1981-10-14 | 1981-10-14 | 無電解めつき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16402681A JPS5864370A (ja) | 1981-10-14 | 1981-10-14 | 無電解めつき浴 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5864370A JPS5864370A (ja) | 1983-04-16 |
| JPH0362795B2 true JPH0362795B2 (ja) | 1991-09-27 |
Family
ID=15785382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16402681A Granted JPS5864370A (ja) | 1981-10-14 | 1981-10-14 | 無電解めつき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5864370A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS494635A (ja) * | 1972-05-10 | 1974-01-16 | ||
| JPS56155705A (en) * | 1980-05-02 | 1981-12-02 | Matsushita Electric Works Ltd | Manufacture of aggregate wood |
| JPS56155706A (en) * | 1980-05-06 | 1981-12-02 | Ai Tadashi | Automatic cutter for small width veneer |
-
1981
- 1981-10-14 JP JP16402681A patent/JPS5864370A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS494635A (ja) * | 1972-05-10 | 1974-01-16 | ||
| JPS56155705A (en) * | 1980-05-02 | 1981-12-02 | Matsushita Electric Works Ltd | Manufacture of aggregate wood |
| JPS56155706A (en) * | 1980-05-06 | 1981-12-02 | Ai Tadashi | Automatic cutter for small width veneer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5864370A (ja) | 1983-04-16 |
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