JPH04187780A - 無電解めっき浴 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、磁気記録媒体（磁性膜）の膜厚方向の磁化に
よって記録を行う、いわゆる垂直記録に用いる磁気記録
媒体を作製するための無電解めっき浴に関するものであ
る。

（従来の技術） 従来、一般の磁気ディスク装置、磁気テープ装置などの
磁気記録装置においては、磁気記録媒体の長手方向に磁
化することにより記録を行ってきたが、記録密度の増加
に従って媒体内の反磁界が増大して残留磁化の減衰と回
転を生じ、再生出力が著しく減少するという欠点が存在
する。このため記録密度が増加するほど反磁界が小さく
なる性質をもつ垂直記録方式が提案され、この垂直記録
に適した磁気記録媒体として膜厚に垂直な方向に磁化容
易なＣｏＣｒスパッタ膜が提案されている（特開昭５２
−１３４７０６号公報）。その後このような垂直記録媒
体として、ＣｏＣｒスパッタ膜のほかに、スパッタ、蒸
着などの乾式成膜法によるＣｏＭ、　ＣｏＣｒＭ（Ｍは
第３元素）などのＣｏ合金膜、Ｆｅ合金膜、Ｏｓ添加フ
ェライト膜、Ｂａフェライト膜などが開発されてきたが
、これらの膜を乾式成膜法によって作製する場合、真空
系内で行うため量産性に問題がある。

このためこの様な製造上の問題点を改善して量産性に優
れた無電解めっき法により、垂直記録媒体を作製する方
法が開発されている。この方法に用いるめっき浴には、
無電解ＣｏＭｎＰめっき浴（特開昭５７−１４０８６９
号公報）、無電解ＣｏＮｉＭｎＰめっき浴（特開昭５８
−０５８２６７号公報）、無電解ＣｏＮｉＭｎＲｅＰめ
っき浴（特開昭６０−１０３１８１号公報）、無電解Ｃ
ｏＮ１ＲｅＰめつき浴（特開昭６１−００３３１６号公
報）が見出されている。

コバルト合金磁性膜において垂直異方性を有するために
は、ｈｃｐｃｏ（六方晶）のＣ軸を主として基板に垂直
配向させることが必要条件であるが、これらの浴ではＣ
ｏＰあるいはＣｏＮ１Ｐのめっき浴にＭｎあるいは動な
との可溶性塩を添加し、ＣｏＭｎＰ、ＣｏＮｉＭｎＰ、
　ＣｏＮｉＭｎＲｅＰ、　ＣｏＮ１ＲｅＰなどの合金膜
とすることによって良好な垂直配向性が得られている。

一般に膜面に垂直な方向に磁化容易となる条件は、媒体
の異方性エネルギーをＫｕ、膜固有の垂直異方性エネル
ギーをにム形状異方性エネルギーを２ｙｒＭｓ２（Ｍｓ
は飽和磁化）としたとき、Ｋ土＞　２　ｙｒＭｓ２ある
いは、Ｋｕ＝にニー２πＭｓ２＞０の関係があることで
ある。（これは、媒体の垂直異方性磁界Ｈｋと反磁界の
最大値４πＭｓとの間にＨｋ＞４πＭｓの関係があると
いうことと同様である。）垂直記録媒体においては必ず
しもこの条件を満たす必要はないが、ＫｕあるいはＨｋ
が大きな値をもつほど媒体特性として好ましいといえる
。高密度記録を得るためには、通学生なくとも２．０ｋ
Ｏｅ程度以上のＨｋ値であることが好ましい。

一方、大きな再生出力を得るためにはＭｓ値を大きくす
ることが望ましい。すなわちアイ、イー、イー。

イートランザクションオンマグネチックス（ＩＥＥＥＴ
ｒａｎｓａｃｔｉｏｎ　ｏｎ　Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ）第
Ｍａｇ１１８巻、第２号、第７６９〜７７１頁によれば
、Ｍｓ　＜　（３／４ｙｒ）Ｈｅ（土ＸＨｃ（１）は媒
体の垂直方向の保磁力）の条件下において再生出力値は
Ｍｓに比例するとされている。また前記文献においてＭ
ｇ２（３１４π）Ｈｅ（土）の場合、再生出力はＨｅ（
±）に比例するとされている。従って、再生出力を大き
くするだには、Ｈｅ（１）を太きくし、十分な垂直磁気
異方性を有する範囲内でＭｓを大きくする必要がある。

実際上は、使用する磁気ヘッドの種類または記録条件に
よってＨｃ（土）の値が制限を受けるため、要求される
記録密度および出力に応じて適するＨｅ（土）値を選択
しうろことが望ましい。

（発明が解決しようとする課題） 前記の無電解ＣｏＭｎＰめっき浴や無電解ＣｏＮｉＭｎ
Ｐめっき浴を用いることによりｈｃｐＣｏ六方品のＣ軸
が基板に垂直配向し、最大で２．１ｋＯｅ程度のＨｅ（
土）をもったＣｏＭｎＰやＣｏＮｉＭｎＰの磁性膜が得
られるが、このように得られた磁性膜はＭｓ値にたいし
て垂直磁気異方性が十分でなく、垂直記録媒体として好
ましくなかった。このためＣｏＭｎＰやＣｏＮｉＭｎＰ
にＲｅを共析することにより垂直磁気異方性を向上させ
垂直磁化膜が得られるようになったが、Ｍｓが１５０〜
３５０ｅｍｕ／ｃｃ程度に低下し、Ｈｃ（１）も１．４
ｋＯｅよりも大きな値を得ることが困難であった。すな
わち高出力化のための大きなＨｅ（土）値とＭｓ値を保
持したまま十分な垂直磁気異方性（大きなＨｋ値）を有
する垂直記録媒体が要望されていたが、これまでの垂直
記録媒体ではこれらのいずれかが不十分であった。

本発明の目的は、従来の問題を改善して、垂直記録媒体
として優れた特性を有する磁気記録媒体を作製するため
の無電解めっき浴を提供することにある。

（課題を解決するための手段） 本発明による無電解めっき浴は、金属イオンとして少な
くともコバルトイオン、ニッケルイオンおよび亜鉛イオ
ンを含み、添加剤として少なくとも前記金属イオンの還
元剤を含み、前記金属イオンの錯化剤として少なくとも
グリコール酸基およびリンゴ酸基を含む水溶液であるこ
とを特徴としている。

本発明において用いられる無電解めっき浴の主要成分と
しては、コバルトイオン、ニッケルイオンおよび亜鉛イ
オン、次亜リン酸塩、グリコール酸基およびリンゴ酸基
を含むが、本発明の目的、効果を損なわない範囲におい
て、ｐＨ緩衝剤、光沢剤、平滑剤、励起剤、ピンホール
防止剤、界面活性剤等の添加剤が用いられることがある
。

コバルトイオン、ニッケルイオン、亜鉛イオンは、コバ
ルト、ニッケルまたは亜鉛の硫酸塩、塩化塩、酢酸塩、
有機酸塩などの可溶性塩を無電解めっき浴中に溶解する
ことによって供給される。

コバルトイオンの濃度は、０．０００５〜１．５ｍｏｌ
／１の範囲が用いられるが、好ましくは０．００２〜０
．２ｍｏｌ／ｌの範囲で用いられる。ニッケルイオンの
濃度は、０．００１〜２ｍｏｌ／１の範囲が用いられる
が、好ましくは０．０１〜０．２５ｍｏｌ／１の範囲で
用いられる。亜鉛イオンの濃度は、０．０００２〜１．
０ｍｏｌ／１の範囲が用いられるが、好ましくは０．０
０１〜０．１５ｍｏｌ／ｌの範囲で用いられる。

本発明において用いられる金属イオンとしては、コバル
ト、ニッケルを主成分とするが、少量の、Ｂｅ、　Ｍｇ
、　ＡＩ、　Ｒｕ、　Ｓｉ、　Ｆｅ、　Ｓｒ、　Ｙ、　
Ｚｒ、　Ｎｂ、　Ｃｄ、　Ｉｎ、　Ｓｂ、　Ｔａ。

Ｉｒ、　Ｈｇ、　ＴＩ、　Ｎｂ、　Ｇｄ、　Ｔｂ、　Ｔ
ｉ、　Ｖ、　Ｃｒ、　Ｃｕ、　Ｇａ、　Ｇｅ、　Ｉ’ｖ
ｆｎ、　Ｗ。

Ｍｏ、　Ｒｈ、　Ｐｄ、　Ａｇ、　Ａｕ、　Ｐｔ、　Ｓ
ｎ、　Ｔｅ、　Ｂａ、　Ｃｅ、　Ｓｍ、　Ｏｓ、　Ｐｂ
。

Ｒｅ、　Ｂｉ等のイオンカマ本発明の効果に影響を与え
ない範囲で含まれていてもよく、これらのイオンはそれ
ぞれの可溶性塩によって供給される。

還元剤としては、次亜リン酸塩が ０．００５〜０．９ｍｏＬ／１、好ましくは０．０５〜
０．３ｍｏｌ／ｌの範囲で用いられる。還元剤に次亜リ
ン酸塩を使用するため得られるめっき膜中にはＰが共析
される。電気めっき法によるＣｏＮ１ＺｎＰ膜ではＰが
共析しやすく、Ｐ含有量が４〜８重量％となっている（
特開昭５９−４８９０４号公報）が、無電解めっき法で
はＰを多く共析することが難しく、Ｐ含有量は低い。本
無電解めっき浴によって良好な垂直磁気異方性が得られ
るめっき膜は、Ｐ含有量が０．１〜３．８重量％、好ま
しくは１．５〜３．５重量％の範囲である。

錯化剤としては、グリコール酸やグリコール酸ナトリウ
ム、グリコール酸エチル、グリコール酸メチル、グリコ
ール酸コバルト、グリコール酸ニッケルなどのグリコー
ル酸基およびリンゴ酸やリンゴ酸ナトリウム、リンゴ酸
カリウム、リンゴ酸ジエチルなどのリンゴ酸基が使用さ
れる。グリコール酸基は、グリコール酸またはグリコー
ル酸の可溶性塩が０．００１〜３ｍｏｌ／ｌの範囲で用
いられるが、０．１〜１．７５ｍｏｌ／ｌの範囲が好ま
しい。リンゴ酸基は、リンゴ酸またはリンゴ酸の可溶性
塩が０．００１〜１ｍｏｌ／１の範囲で用いられるが、
０．１〜０．７５ｍｏＬ’ｌの範囲が好ましい。

また錯化剤としてほかに、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、
酪酸、イソ酪酸、吉草酸、イソ吉草酸、シュウ酸、グル
タル酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、イタコ
ン酸、トリカルバリル酸、コハク酸、マロン酸、酒石酸
、チオグリコール酸、乳酸、β−ヒドロキシプロピオン
酸、クエン酸、イソクエン酸、アロイソクエン酸、ピル
ビン酸、オキサル酢酸、ジグリコール酸、チオジグリコ
ール酸、メルカプトコハク酸、ジメルカプトコハク酸、
安息香酸、マンデル酸、フタル酸、サリチル酸、アスコ
ルビン酸、スルホサリチル酸、トロボロン、３−メチル
トロポロン、タイロン等のカルボン酸、エチレンジアミ
ン、ジエチレントリアミン、トリエチレトラアミン、ピ
リジン等のアミンおよびその誘導体、イミノジ酢酸、イ
ミノジプロピオン酸、ニトリロトリ酢酸、ニトリロトリ
プロピオン酸、エチレンジアミンジ酢酸、エチレンジア
ミンテトラ酢酸、エチレンジアミンテトラプロピオン酸
、ジエチレントリアミンペンタ酢酸等のアミノポリカル
ボン酸、アラニン、ザルコシン、バリン、ノルロイシン
、チロシン、システィン、グルタミン酸、グリシン、ア
ルパラギン酸、アスパラギン、ヒスチジン等のアミノ酸
、グルコン酸、アロン酸、イドン酸、ガラクトン酸、グ
ロン酸、グロン酸、マンノン酸等のヘキソン酸、ピロリ
ン酸などの弱酸またはそれらの可溶性塩の１種または２
種以上の組み合せが用いられることがある。これらの錯
化剤の濃度は、ｏ、ｏｏｏｉ〜３．Ｏｍｏｌ／１の範囲
が用いられ、０．１〜１．５ｍｏｌ／１の範囲が好まし
い。

ｐＨ緩衝剤としてはアンモニウム塩、炭酸塩、有機酸塩
などが使用され、硫酸アンモニウム、塩化アンモニウム
、ホウ酸等を用いることが好ましい。濃度範囲は０．０
１〜３ｍｏｌ／１、好ましくは０．０３〜１ｍｏｌ／１
が用いられる。

ｐＨ調節剤としては、アンモニアまたは苛性アルカリと
してＮａＯＨ，ＬｉＯＨ，ＫＯＨ，ＲｂＯＨ，ＣｓＯＨ
。

ＦｒＯＨ，Ｂｅ（ＯＨ）２．　Ｍｇ（ＯＨ）２．　Ｃａ
（ＯＨ）２．　Ｓｒ（ＯＨ）２゜Ｂａ（ＯＨ）２．　Ｒ
ａ（ＯＨ）２等の金属の水酸化物が、１種または２種以
上を組み合せて用いられる。またアンモニアと苛性アル
カリを併用することも行われる。

通常、ｐＨ調節剤を加えない建浴前のめっき液はほぼ中
性ないし酸性域にあり、前記水酸化物を加えてアルカリ
性にｐＨ調節される。所要のｐＨを上回った場合、ｐＨ
降下には塩酸、硫酸、硝酸、酢酸等の酸が用いられる。

ｐＨ範囲は６〜１４．５、好ましくは８．０〜１１．０
の間で用いられる。

（作用） 無電解めっき法による代表的な垂直記録媒体はＣｏＮｉ
ＭｎＲｅＰ膜である。Ｍｎはｈｃｐｃｏ（六方晶）のＣ
軸を基板に垂直配向させる作用をもつ。Ｒｅには垂直磁
気異方性の維持と効果的なＭｓの低下の作用がある。Ｎ
ｉは効を共析する際の析出速度低下を防ぐ役割をもつ。

Ｐは次亜リン酸還元の無電解めっきにおいては同時に共
析される。これがＣｏＮｉＭｎＲｅＰ膜の各成分の役割
と考えられているが、浴管理に問題があるＭｎやＭｓを
低下させる動は使用しないほうが好ましい。無電解めっ
きは、熱力学的にはめっき浴液中とこでも起こり得るめ
っき反応を、活性の　゛、高い基板表面上では実質的な
反応速度で進行し、溶液中ではほとんど反応が進行しな
いように溶液成分を調整したものである。またこのめっ
き反応の制御によりめっき膜構造や膜特性も変化する。

光やＲｅは膜構造や膜特性に関与するが、ＭｎやＲｅの
可溶性塩添加によって基板表面のめつき反応に影響を及
ぼしていることによる。そこでめっき反応に影響を及ぼ
す他の添加金属や重要な溶液成分である錯化剤の適切な
組合せによっては、ＭｎやＲｅを使用する必要がなくな
るのではないかと考えられた。しかし、錯化剤と析出合
金膜の配向性、磁気特性などとの関係が明らかとなって
いないため、本発明に至るまでに、実験的に広範囲に鋭
意検討した結果、各種の錯化剤の中でグリコール酸基と
リンゴ酸基の組合せがこの目的に適用できることを見出
した。さらにＭｎやＲｅ以外の各種添加金属の効果を検
討した結果、亜鉛の可溶性塩添加によりＣｏＮ１Ｐ膜に
亜鉛が共析し、垂直磁気異方性の向上とＨｅ（土）の増
加が図れることが明らかとなった。

本発明は、このような知見を得たことによりもたらされ
たものである。

次に具体的に実施例および比較例により本発明を説明す
る。

（実施例１） アルミ合金基板上に非磁性ＮｉＰ層をめっきし、表面を
鏡面研磨した後、その上に下記のめっき浴を用いて膜厚
０．０５〜１．０μｍのＣｏＮｌＺｎＰ合金磁性膜を形
成した。

めっき浴（１） 浴組成 硫酸コバルト　　　　　　　　０．０７　ｍｏｌ／１硫
酸ニッケル　　　　　　　　０．１７　ｍｏｌ／１硫酸
亜鉛　　　　　　　　　　０．０４　ｍｏｌ／１次亜リ
ン酸ナトリウム　　　　０．２ｍｏｌ／１硫酸アンモニ
ウム　　　　　　０．５　ｍｏｌ／１酒石酸ナトリウム
　　　　　　０．２５　ｍｏｌ／１マロン酸ナトリウム
　　　　　０．７５　ｍｏｌ／１リンゴ酸ナトリウム　
　　　　０．０２　ｍｏｌ／１グリコール酸　　　　　
　　　１．０ｍｏｌ／１めっき条件 浴温　　　　　　　　　　　　ｓｏ’ｃめっき浴のｐＨ
９，１５（室温にてアンモニア水でｐＨ調節） こうして得られた磁性膜の磁気特性を振動試料型磁力計
および磁気トルク計を用いて測定した。

この磁性膜のＭＨループは、垂直ループが面内ループを
囲んだ垂直磁気異方性膜特有の形状であった。Ｈｃ（土
）は３．１５　ｋｏｅ　、　Ｍｓは６１０ｅｍｕ／ｃｃ
　、　Ｈｋは８．６ｋＯｅと大きな値を有していた。磁
気異方性エネルギー測定より得られたトルク曲線は、全
て明瞭な一軸異方性を示し正の異方性エネルギーＫｕ値
を有していた（例えば膜厚０．２５□ｍにおいて７．５
刈０’ｅｒｇ／ｃｃ）。

次に、このような特性を示す原因と考えられる磁性膜の
構造について、Ｘ線回折および電子線回折より検討した
。Ｘ線回折では、ｈｅｐｃｏ（六方晶）のＣ軸が基板面
に垂直配向していることを示す（００２）面からの回折
による鋭いピークのみが認められ、他の格子面からの回
折に相当するピークは認められなかった。また、電子線
回折結果からもＣ軸が基板面に垂直配向したｈｃｐｃｏ
構造から構成されており、膜厚０．０５□ｍという薄膜
時より高い配向性を示していることが明らかとなった。

すなわち本実施例で得られた磁性膜は垂直磁気異方性を
示し、垂直記録媒体として好ましい特性を有することが
明らかとなった。

（実施例２） 実施例１と同様の手順で磁性膜の作製を行ったが、本実
施例ではめっき浴（１）において硫酸亜鉛の濃度を０〜
０．２ｍｏｌ／ｌの範囲で変化させてＣｏＮｌＺｎＰ合
金磁性膜を形成した。

こうして得られた磁性膜の磁気特性（飽和磁化Ｍｓ（土
）、異方性磁界Ｈｋ、保持力Ｈｅ（１）を測定した結果
を表１に示す。

硫酸亜鉛濃度がＯｍｏＬ’ｌの場合、Ｈｋは４．７ｋＯ
ｅ、Ｈｃ（土）は１．４０ｋＯｅであった。硫酸亜鉛濃
度の増加とともにＨｋとＨｅ（Ｊ−）が増加した。硫酸
亜鉛濃度が０．０４ｍｏｌ／ｌでＨｋが８．６ｋＯｅ、
　Ｈｅ（１）が３．１５ｋＯｅと最大値に達し、それ以
上の濃度でＨｋ、Ｈｅ（土）が減少し硫酸亜鉛濃度が０
．１７５ｍｏｌ／１になるとＨｋが１．９ｋＯｅ、　Ｈ
ｅ（１）が０．７４ｋＯｅと大きく減少した。また、表
に示すように、本発明のめっき浴では垂直磁気異方性が
増加してもＭｓが急減することがなく、硫酸亜鉛濃度が
表１．硫酸亜鉛濃度と磁気特性の関係 ０．１７５ｍｏｌ／ｌとなって５００ｅｍｕ／ｃｃを下
回る値まで減少した。Ｈｅ（土）については、Ｈｋが２
．０ｋＯｅ以上の膜において、かなり広い範囲で変化さ
せることができた。硫酸亜鉛が０．１０ｍｏｌ／ｌまで
の濃度範囲において得られる磁性膜のＭＨループは、垂
直ループが面内ループを囲んだ垂直磁気異方性膜特有の
形状であった。これらの磁性膜のＸ線回折では、（００
２）面がらの回折による鋭いピークのみが認められ、他
の格子面からの回折に相当するピークは認めらなかった
。また、電子線回折結果からもＣ軸が基板面に垂直配向
したｈｃｐｃｏ構造から構成されており、高い結晶性と
配向性を示していることが明らがとなった。

すなわち本実施例で得られた磁性膜は、垂直磁気異方性
を示し、垂直記録媒体として好ましい緒特性を有するほ
か、硫酸亜鉛濃度を変化することによって磁気特性を制
御しうろことが明らかとなった。

（実施例３） 実施例１と同様の手順で磁性膜の作製を行ったが、本実
施例では下記に示すめっき浴（２）において、酢酸亜鉛
の濃度をＯ〜Ｑ、２ｍｏｌ／ｌの範囲で変化させてＣｏ
ＮｌＺｎＰ合金磁性膜を形成した。

めっき浴（２） 硫酸コバルト　　　　　　　　０．０５　ｍｏｌ／１硫
酸ニッケル　　　　　　　　０．１３　ｍｏｌ／１酢酸
亜鉛　　　　　　　　　　０．〜０．２　ｍｏｌ／１次
亜リン酸ナトリウム　　　　０．１７　ｍｏｌ／１硫酸
アンモニウム　　　　　　０．４１　ｍｏｌ／１０ッセ
ル塩　　　　　　　　０．１５　ｍｏｌ／１マロン酸ナ
トリウム　　　　　０．５５　ｍｏＬ’１リンゴ酸ナト
リウム　　　　　０．０１　ｍｏＬ’１グリコール酸ナ
トリウム　　　１．１　ｍｏｌ／１めっき条件 浴温　　　　　　　　　　　　７８°Ｃめっき浴のｐＨ
９，４（室温にてアンモニア水でｐＨ調節） こうして得られた磁性膜の磁気特性（飽和磁化Ｍｓ（土
）、異方性磁界Ｈｋ、保磁力Ｈｅ（上）を測定した結果
を表２に示す。

酢酸亜鉛濃度がＯｍｏｌ／１の場合、Ｈｋは３．９ｋＯ
ｅ、Ｈｅ（土）は１．０６ｋＯｅであった。酢酸亜鉛濃
度の増加とともにＨｋとＨｃ（土）は増加した。酢酸亜
鉛濃度が０．０４ｍｏｌ／１でＨｋが７．８ｋＯｅ、　
Ｈｅ（１）が２．５５ｋＯｅと最大値に達し、それ以上
の濃度ではＨｋ、　Ｈｅ（１）が減少し表２．酢酸亜鉛
濃度と磁気特性の関係 な。酢酸亜鉛濃度が０．１５ｍｏｌ／１になるとＨｋが
１．９ｋＯｅ、　Ｈｅ（ＪＬ）が０．８１ｋＯｅと大き
く減少した。また、表に示すように、本発明のめつき浴
では垂直磁気異方性が増加してもＭｓが急減することが
なく、酢酸亜鉛濃度が０．１５ｍｏｌ／１となって４０
０ｅｍｕ／ｃｃを下回る値まで減少した。Ｈｅ（土）に
ついては、Ｈｋが２．０ｋＯｅ以上の膜において、かな
り広い範囲で変化させることができた。酢酸亜鉛が０．
１０ｍｏｌ／ｌまでの濃度範囲において得られる磁性膜
のＭＨ長ループ、垂直ループが面内ループを囲んだ垂直
磁気異方性膜特有の形状であった。これらの磁性膜のＸ
線回折では、（００２）面からの回折による鋭いピーク
のみが認められ、他の格子面からの回折に相当するピー
クは認められなかった。また、電子線回折結果からもＣ
軸が基板面に垂直配向したｈｃｐｃｏ構造がら構成され
ており、高い結晶性と配向性を示していることが明らか
となった。

すなわち本実施例で得られた磁性膜は、垂直磁気異方性
を示し、垂直記録媒体として好ましい緒特性を有するほ
か、酢酸亜鉛濃度を変化することによって磁気特性を制
御しうろことが明らかとなった。

また、以上の実施例で用いた無電解めっき浴は、従来の
ＭｎないしはＲｅを含む４元あるいは５元の多元合金無
電解めっき浴に比較して浴管理が容易で著しく安定性に
優れ、垂直記録媒体として優れた特性を有する磁性膜を
再現性よく作製することができた。同一容量のめっき浴
から多数の媒体を作製する場合、２．０ｋＯｅ以上の異
方性磁界Ｈｋ値が得られるめっき光切から２．０ｋＯｅ
以下の値になるまでのめっき処理量を浴寿命とすると、
本発明による無電解めっき浴の浴寿命は従来の多元合金
無電解めっき浴に比較して１０倍以上に増加していた。

（発明の効果） 以上、実施例で示されたように、本発明によれば、金属
イオンとして少なくともコバルトイオン、ニッケルイオ
ンおよび亜鉛イオンを含み、添加剤として少なくとも前
記金属イオンの還元剤を含み、前記金属イオンの錯化剤
として少なくともグリコール酸基およびリンゴ酸基を含
む無電解めっき浴を用いることにより、垂直記録媒体と
して優れた特性を有するＣｏＮ１ＺｎＰ膜を安定に作製
することができる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　金属イオンとして少なくともコバルトイオン、ニッケ
   ルイオンおよび亜鉛イオンを含み、添加剤として少なく
   とも前記金属イオンの還元剤を含み、前記金属イオンの
   錯化剤として少なくともグリコール酸基およびリンゴ酸
   基を含む水溶液であることを特徴とする無電解めっき浴
   。