JPH0570967A

JPH0570967A - 無電解めつき浴

Info

Publication number: JPH0570967A
Application number: JP26133191A
Authority: JP
Inventors: Fumio Goto; 文男後藤; Takehiko Yamamoto; 武彦山本
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1991-09-13
Filing date: 1991-09-13
Publication date: 1993-03-23

Abstract

(57)【要約】【目的】大きな飽和磁化の値を保持したまま十分な垂
直磁気異方性を有する垂直記録媒体を安定に作製できる
無電解めっき浴を提供する。【構成】金属イオンとしてＣｏイオン、Ｎｉイオンお
よびＺｎイオンを含み、添加剤として金属イオンの還元
剤である次亜リン酸塩、錯化剤であるマロン酸基、リン
ゴ酸基およびコハク酸基を含む水溶液において、Ｃｏ濃
度が０．０２＜Ｃｏ＜０．１２ｍｏｌ／ｌ、Ｎｉ濃度と
Ｃｏ濃度のモル比が１≦Ｎｉ／Ｃｏ≦４の範囲にある無
電解めっき浴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体（磁性
膜）の膜厚方向の磁化によって記録を行う、いわゆる垂
直記録に用いる磁気記録媒体を作製するための無電解め
っき浴に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、一般の磁気ディスク装置、磁気テ
―プ装置などの磁気記録装置においては、磁気記録媒体
の長手方向に磁化することにより記録を行ってきたが、
記録密度の増加に従って媒体内の反磁界が増大して残留
磁化の減衰と回転を生じ、再生出力が著しく減少すると
いう欠点が存在する。このため記録密度が増加するほど
反磁界が小さくなる性質をもつ垂直記録方式が提案さ
れ、この垂直記録に適した磁気記録媒体として膜厚に垂
直な方向に磁化容易なＣｏＣｒスパッタ膜が提案されて
いる（特開昭５２−１３４７０６号公報）。その後この
ような垂直記録媒体として、ＣｏＣｒスパッタ膜のほか
に、スパッタ、蒸着などの乾式成膜法によるＣｏＭ、Ｃ
ｏＣｒＭ（Ｍは第３元素）などのＣｏ合金膜、Ｆｅ合金
膜、Ｏｓ添加フェライト膜、Ｂａフェライト膜などが開
発されてきたが、これらの膜を乾式成膜法によって作製
する場合、真空系内で行うため量産性に問題がある。

【０００３】このため、このような製造上の問題点を改
善して、量産性に優れた無電解めっき法により垂直記録
媒体を作製する方法が開発されている。この方法に用い
るめっき浴には、無電解ＣｏＭｎＰめっき浴（特開昭５
７−１４０８６９号公報）、無電解ＣｏＮｉＭｎＰめっ
き浴（特開昭５８−０５８２６７号公報）、無電解Ｃｏ
ＮｉＭｎＲｅＰめっき浴（特開昭６０−１０３１８１号
公報）、無電解ＣｏＮｉＲｅＰめっき浴（特開昭６１−
００３３１６号公報）が見い出されている。Ｃｏ合金磁
性膜において垂直異方性を有するためには、ｈｃｐＣｏ
（六方晶）のｃ軸を主として基板に垂直配向させること
が必要条件であるが、これらの浴ではＣｏＰあるいはＣ
ｏＮｉＰのめっき浴にＭｎあるいはＲｅなどの可溶性塩
を添加し、ＣｏＭｎＰ，ＣｏＮｉＭｎＰ，ＣｏＮｉＭｎ
ＲｅＰ，ＣｏＮｉＲｅＰなどの合金膜とすることによっ
て良好な垂直配向性が得られている。

【０００４】一般に膜面に垂直な方向に磁化容易となる
条件は、媒体の異方性エネルギ―をＫｕ、膜固有の垂直
異方性エネルギ―をＫ⊥、形状異方性エネルギ―を２π
Ｍｓ²（Ｍｓは飽和磁化）としたとき、Ｋ⊥＞２πＭ
ｓ²、あるいはＫｕ＝Ｋ⊥−２πＭｓ²＞０の関係がある
ことである（これは、媒体の垂直異方性磁界Ｈｋと反磁
界の最大値４πＭｓとの間にＨｋ＞４πＭｓの関係があ
るということと同様である。）。垂直記録媒体において
は必ずしもこの条件を満たす必要はないが、Ｋｕあるい
はＨｋが大きな値をもつほど媒体特性として好ましいと
いえる。高密度記録を得るためには、通常少なくとも
２．０ｋＯｅ程度以上のＨｋ値であることが好ましい。
一方、大きな再生出力を得るためにはＭｓ値を大きくす
ることが望ましい。すなわちアイ・イ―・イ―・イ―・
トランザクション・オン・マグネチックス（ＩＥＥＥ T
ransaction on Magnetics）第Ｍａｇ−１８巻，第２
号，第７６９〜７７１頁によれば、Ｍｓ＜（３／４π）
Ｈｃ（⊥）（Ｈｃ（⊥）は媒体の垂直方向の保磁力）の
条件下において再生出力値はＭｓに比例するとされてい
る。また前記文献においてＭｓ≧（３／４π）Ｈｃ
（⊥）の場合、再生出力はＨｃ（⊥）に比例するとされ
ている。従って、再生出力を大きくするには、Ｈｃ
（⊥）を大きくし、十分な垂直磁気異方性を有する範囲
内でＭｓを大きくする必要がある。実際上は、使用する
磁気ヘッドの種類または記録条件によってＨｃ（⊥）の
値が制限を受けるため、要求される記録密度および出力
に応じて適するＨｃ（⊥）値を選択することが望まし
い。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】前記の無電解ＣｏＭｎ
Ｐめっき浴や無電解ＣｏＮｉＭｎＰめっき浴を用いるこ
とにより、ｈｃｐＣｏ六方晶のｃ軸が基板に垂直配向し
たＣｏＭｎＰやＣｏＮｉＭｎＰの磁性膜が得られるが、
このように得られた磁性膜はＭｓ値に対して垂直磁気異
方性が十分でなく、垂直記録媒体として好ましくなかっ
た。このためＣｏＭｎＰやＣｏＮｉＭｎＰにＲｅを共析
することにより垂直磁気異方性を向上させて垂直磁化膜
が得られるようになったが、Ｍｓが１５０〜３５０ｅｍ
ｕ／ｃｃ程度に低下した。すなわち大きなＭｓ値を保持
したまま十分な垂直磁気異方性（大きなＨｋ値）を有す
る無電解めっき垂直記録媒体が要望されていたが、これ
までの垂直記録媒体ではいずれも不十分であった。しか
も、媒体特性は膜構造および膜組成と密接な関係があ
り、これらを制御して媒体特性を再現性良く得るための
安定な多元合金無電解めっき浴を作製することは困難で
あった。本発明の目的は、このような従来の問題を改善
して、垂直記録媒体として優れた特性を有する磁気記録
媒体を安定に作製するための無電解めっき浴を提供する
ことにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、金属イオンと
して少なくともＣｏイオン、ＮｉイオンおよびＺｎイオ
ンを含み、添加剤として少なくとも前記金属イオンの還
元剤である次亜リン酸または次亜リン酸塩と、前記金属
イオンの錯化剤であるマロン酸基およびリンゴ酸基およ
びコハク酸基とを含む水溶液であって、Ｃｏ濃度が０．
０２〜０．１２ｍｏｌ／ｌの範囲に、Ｎｉ濃度とＣｏ濃
度のモル比（Ｎｉ／Ｃｏ）が１≦Ｎｉ／Ｃｏ≦４の範囲
にあることを特徴とする無電解めっき浴である。本発明
において用いられる無電解めっき浴の主要成分として
は、Ｃｏイオン、ＮｉイオンおよびＺｎイオン、これら
の金属イオンの還元剤としての次亜リン酸（塩）、およ
びマロン酸基、リンゴ酸基およびコハク酸基を含むが、
本発明の目的、効果を損なわない範囲において、ｐＨ緩
衝剤，光沢剤，平滑剤，励起剤，ピンホ―ル防止剤，界
面活性剤等の添加剤が用いられることがある。

【０００７】Ｃｏイオン、Ｎｉイオン、Ｚｎイオンは、
Ｃｏ、ＮｉまたはＺｎの硫酸塩，塩化塩，酢酸塩，有機
酸塩等の可溶性塩を無電解めっき浴中に溶解することに
よって供給される。Ｃｏイオンの濃度は、０．０２〜
０．１２ｍｏｌ／ｌの範囲が用いられる。Ｎｉイオンの
濃度は、０．０２〜０．４８ｍｏｌ／ｌの範囲が好まし
い。Ｚｎイオンの濃度は、０．０００２〜０．３ｍｏｌ
／ｌの範囲が好ましく、より好ましくは０．０１〜０．
０７ｍｏｌ／ｌの範囲である。本発明において用いられ
る金属イオンとしては、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎを主成分とす
るが、少量の、Ｂｅ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｒｕ，Ｓｉ，Ｆｅ，
Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔａ，Ｉ
ｒ，Ｈｇ，Ｔｌ，Ｎｂ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，
Ｃｕ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｍｎ，Ｗ，Ｍｏ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａ
ｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｏ
ｓ，Ｐｂ，Ｒｅ，Ｂｉ等のイオンが本発明の効果に影響
を与えない範囲で含まれていてもよく、これらのイオン
はそれぞれの可溶性塩によって供給される。また、Ｎｉ
濃度とＣｏ濃度のモル比（Ｎｉ／Ｃｏ）は１≦Ｎｉ／Ｃ
ｏ≦４の範囲とする。

【０００８】還元剤としては、次亜リン酸またはその塩
が０．０１〜０．８ｍｏｌ／ｌ、好ましくは０．０５〜
０．３５ｍｏｌ／ｌの範囲で用いられる。還元剤に次亜
リン酸塩を使用するため、得られるめっき膜中にはＰが
共析される。電気めっき法によるＣｏＮｉＺｎＰ膜では
Ｐが共析しやすく、Ｐ含有量が４〜８重量％となってい
る（特開昭５９−４８９０４号公報）が、無電解めっき
法ではＰを多く共析することが難しく、Ｐ含有量は低
い。本無電解めっき浴によって良好な垂直磁気異方性が
得られるめっき膜は、Ｐ含有量が０．１〜３．８重量
％、好ましくは１．５〜３．５重量％の範囲である。

【０００９】錯化剤としては、マロン酸やマロン酸ナト
リウム等のマロン酸基、リンゴ酸やリンゴ酸ナトリウ
ム，リンゴ酸カリウム，リンゴ酸ジエチル等のリンゴ酸
基およびコハク酸やコハク酸ナトリウム等のコハク酸基
が使用される。マロン酸基は、マロン酸またはマロン酸
の可溶性塩が０．０１〜２ｍｏｌ／ｌの範囲で用いられ
るが、０．１〜０．５ｍｏｌ／ｌの範囲が好ましい。リ
ンゴ酸基は、リンゴ酸またはリンゴ酸の可溶性塩が用い
られるが、０．２〜０．７ｍｏｌ／ｌの範囲が好まし
い。コハク酸基は、コハク酸またはコハク酸の可溶性塩
が０．０１〜２ｍｏｌ／ｌの範囲で用いられるが、０．
１〜１．０ｍｏｌ／ｌの範囲が好ましい。

【００１０】また錯化剤としてほかに、ギ酸，酢酸，プ
ロピオン酸，酪酸，イソ酪酸，吉草酸，イソ吉草酸，シ
ュウ酸，グルタル酸，グリコ―ル酸，マレイン酸，フマ
ル酸，シトラコン酸，イタコン酸，トリカルバリル酸，
酒石酸，チオグリコ―ル酸，乳酸，β−ヒドロキシプロ
ピオン酸，クエン酸，イソクエン酸，アロイソクエン
酸，ピルビン酸，オキサル酢酸，ジグリコ―ル酸，チオ
ジグリコ―ル酸，メルカプトコハク酸，ジメルカプトコ
ハク酸，安息香酸，マンデル酸，フタル酸，サリチル
酸，アスコルビン酸，スルホサリチル酸，トロポロン，
３−メチルトロポロン，タイロン等のカルボン酸、エチ
レンジアミン，ジエチレントリアミン，トリエチレンテ
トラアミン，ピリジン等のアミンおよびその誘導体、イ
ミノジ酢酸，イミノジプロピオン酸，ニトリロトリ酢
酸，ニトリロトリプロピオン酸，エチレンジアミンジ酢
酸，エチレンジアミンテトラ酢酸，エチレンジアミンテ
トラプロピオン酸，ジエチレントリアミンペンタ酢酸等
のアミノポリカルボン酸、アラニン，ザルコシン，バリ
ン，ノルロイシン，チロシン，システイン，グルタミン
酸，グリシン，アスパラギン酸，アスパラギン，ヒスチ
ジン等のアミノ酸、グルコン酸，アロン酸，イドン酸，
ガラクトン酸，グロン酸，タロン酸，マンノン酸等のヘ
キソン酸、ピロリン酸等の弱酸またはそれらの可溶性塩
の１種または２種以上の組み合わせが本発明の効果に影
響を与えない範囲で含まれていてもよい。

【００１１】ｐＨ緩衝剤としてはアンモニウム塩，炭酸
塩，有機酸塩等が使用され、硫酸アンモニウム，塩化ア
ンモニウム，ホウ酸等を用いることが好ましい。濃度範
囲は０．０１〜３．０ｍｏｌ／ｌ、好ましくは０．０５
〜０．７ｍｏｌ／ｌが用いられる。ｐＨ調節剤として
は、アンモニアまたは苛性アルカリとしてＮａＯＨ，Ｋ
ＯＨ等の金属の水酸化物が、１種または２種以上を組み
合わせて用いられる。またアンモニアと苛性アルカリを
併用することも行われる。通常、ｐＨ調節剤を加えない
建浴前のめっき液は、ほぼ中性ないし酸性域にあり、前
記水酸化物を加えてアルカリ性にｐＨ調節される。所要
のｐＨを上回った場合、ｐＨ降下には塩酸，硫酸，硝
酸，酢酸等の酸が用いられる。ｐＨ範囲は７．０〜１
４．５、好ましくは８．０〜１１．０の間で用いられ
る。

【００１２】

【作用】無電解めっき法によるＣｏＮｉＺｎＰ垂直記録
媒体において、ＺｎはｈｃｐＣｏ（六方晶）のｃ軸を基
板に垂直配向させる作用をもつ。ＮｉはＺｎを共析する
際の析出速度低下を防ぐ役割をもつ。Ｐは次亜リン酸還
元の無電解めっきにおいては同時に共析される。これが
ＣｏＮｉＺｎＰ膜の各成分の役割と考えられているが、
このような多元素からなるめっき膜の構造や組成を制御
して媒体特性を再現性良く得るための安定な無電解めっ
き浴を作製することは困難である。無電解めっきは、熱
力学的にはめっき溶液中どこでも起こり得るめっき反応
を、活性の高い基板表面上では実質的な反応速度で進行
し、溶液中ではほとんど反応が進行しないように溶液成
分を調整したものである。このめっき反応の制御により
めっき膜構造や膜特性も変化する。しかし、現在のとこ
ろ、めっき反応と析出合金膜の特性の関係について理論
的に明らかになっていない。そこで、めっき反応に対し
て重要な溶液成分である錯化剤の適切な組み合わせと金
属塩の濃度について、実験的に広範囲に鋭意検討した結
果、長手記録媒体のめっき浴の錯化剤として知られるマ
ロン酸基とリンゴ酸基とコハク酸基を用いて、金属塩の
濃度範囲と比を選ぶことにより、良好な特性の垂直記録
媒体が安定に得られることが明らかとなった。本発明
は、このような知見を得たことによりもたらされたもの
である。

【００１３】

【実施例】次に本発明の実施例について説明する。実施例１アルミ合金基板上に非磁性ＮｉＰ層をめっきし、表面を
鏡面研磨した後、その上に下記のめっき浴を用いて膜厚
０．２５μｍのＣｏＮｉＺｎＰ合金磁性膜を形成した。めっき浴（１）浴組成硫酸コバルト０．０１〜０．１４ｍｏｌ／ｌ硫酸ニッケル０．１６ｍｏｌ／ｌ硫酸亜鉛０．０３ｍｏｌ／ｌ次亜リン酸ナトリウム０．２４ｍｏｌ／ｌ硫酸アンモニウム０．１５ｍｏｌ／ｌマロン酸ナトリウム０．１ｍｏｌ／ｌリンゴ酸ナトリウム０．４５ｍｏｌ／ｌコハク酸ナトリウム０．５ｍｏｌ／ｌめっき条件浴温８０℃ めっき浴のｐＨ９．２（室温にてアンモニア水でｐＨ調節）

【００１４】こうして得られた磁性膜の磁気特性を振動
試料型磁力計を用いて測定した結果を図１に示す。硫酸
コバルト濃度が０．０１ｍｏｌ／ｌの場合、異方性磁界
（Ｈｋ）は０．５ｋＯｅであったが、硫酸コバルト濃度
の増加とともに増加し、硫酸コバルト０．０４ｍｏｌ／
ｌで２．１ｋＯｅとなる。硫酸コバルト０．０７ｍｏｌ
／ｌで最大値Ｈｋ＝６．９ｋＯｅとなった後に減少し、
硫酸コバルト０．１２ｍｏｌ／ｌで２．０５ｋＯｅとな
り、それ以上の濃度ではさらに減少した。保磁力Ｈｃ
（⊥）は、硫酸コバルト濃度０．０１ｍｏｌ／ｌで０．
４７ｋＯｅであるが、硫酸コバルト濃度の増加とともに
増加し、硫酸コバルト０．０７５ｍｏｌ／ｌで最大値
１．９６ｋＯｅとなった後に減少し、硫酸コバルト０．
１５ｍｏｌ／ｌで０．３５ｋＯｅとなった。Ｈｃ（⊥）
については、Ｈｋが２ｋＯｅ以上の膜において、かなり
広い範囲で変化させることができた。飽和磁化（Ｍｓ）
は、硫酸コバルト濃度が増加するほど増大する傾向があ
ったが、Ｈｋが２ｋＯｅ以上の膜において５００ｅｍｕ
／ｃｃ以上の大きな値を有していた。次に、このような
特性を示す原因と考えられる磁性膜の構造について、Ｘ
線回折および電子線回折により検討した。Ｈｋが２ｋＯ
ｅ以上の膜について、Ｘ線回折では、ｈｃｐＣｏ（六方
晶）のｃ軸が基板面に垂直配向していることを示す（０
０２）面からの回折による鋭いピ―クのみが認められ、
他の格子面からの回折に相当するピ―クは認められなか
った。また、電子線回折結果からもｃ軸が基板面に垂直
配向したｈｃｐＣｏ構造から構成されており、膜厚０．
０５〜１．０μｍの各種膜厚について調べても薄膜時よ
り高い配向性を示していることが明らかとなった。すな
わち本実施例で得られた磁性膜は垂直磁気異方性を示
し、垂直記録媒体として好ましい特性を有することが明
らかとなった。

【００１５】実施例２実施例１と同様の手順で磁性膜の作製を行ったが、本実
施例ではめっき浴（２）を用いて膜厚０．２５μｍのＣ
ｏＮｉＺｎＰ合金磁性膜を形成した。めっき浴（２）浴組成硫酸コバルト０．０７ｍｏｌ／ｌ硫酸ニッケル０．０３〜０．３１ｍｏｌ／ｌ硫酸亜鉛０．０３ｍｏｌ／ｌ次亜リン酸ナトリウム０．２４ｍｏｌ／ｌ硫酸アンモニウム０．１５ｍｏｌ／ｌマロン酸ナトリウム０．１ｍｏｌ／ｌリンゴ酸ナトリウム０．４５ｍｏｌ／ｌコハク酸ナトリウム０．５ｍｏｌ／ｌめっき条件浴温８０℃ めっき浴のｐＨ９．２（室温にてアンモニア水でｐＨ調節）

【００１６】こうして得られた磁性膜の磁気特性を振動
試料型磁力計を用いて測定した結果を図２に示す。硫酸
ニッケル濃度が０．０３ｍｏｌ／ｌの場合、Ｈｋは０．
７ｋＯｅであったが、硫酸ニッケル濃度の増加とともに
増加し、硫酸ニッケル０．０７ｍｏｌ／ｌで２．０５ｋ
Ｏｅとなる。硫酸ニッケル０．１６ｍｏｌ／ｌで最大値
Ｈｋ＝６．９ｋＯｅとなった後に減少し、硫酸ニッケル
０．２８ｍｏｌ／ｌで２．０ｋＯｅとなり、それ以上の
濃度ではさらに減少した。Ｈｃ（⊥）は、硫酸ニッケル
濃度０．０３ｍｏｌ／ｌで０．７９ｋＯｅであるが、硫
酸ニッケル濃度の増加とともに増加し、硫酸ニッケル
０．１６ｍｏｌ／ｌで最大値１．９４ｋＯｅとなった後
に減少し、硫酸ニッケル０．２８ｍｏｌ／ｌで１．１７
ｋＯｅとなった。Ｈｃ（⊥）については、Ｈｋが２ｋＯ
ｅ以上の膜において、かなり広い範囲で変化させること
ができた。Ｍｓは、硫酸コバルト濃度が増加するほど増
大する傾向があったが、Ｈｋが２ｋＯｅ以上の膜におい
て５００ｅｍｕ／ｃｃ以上の大きな値を有していた。次
に、このような特性を示す原因と考えられる磁性膜の構
造について、Ｘ線回折および電子線回折により検討し
た。Ｈｋが２ｋＯｅ以上の膜について、Ｘ線回折では、
ｈｃｐＣｏ（六方晶）のｃ軸が基板面に垂直配向してい
ることを示す（００２）面からの回折による鋭いピ―ク
のみが認められ、他の格子面からの回折に相当するピ―
クは認められなかった。また、電子線回折結果からもｃ
軸が基板面に垂直配向したｈｃｐＣｏ構造から構成され
ており、薄膜時より高い配向性を示していることが明ら
かとなった。すなわち本実施例で得られた磁性膜は垂直
磁気異方性を示し、垂直記録媒体として好ましい特性を
有することが明らかとなった。

【００１７】実施例３実施例１と同様の手順で磁性膜の作製を行ったが、本実
施例ではめっき浴（３）を用いて膜厚０．２５μｍのＣ
ｏＮｉＺｎＰ合金磁性膜を形成した。めっき浴（３）浴組成硫酸コバルト０．０１〜０．１３ｍｏｌ／ｌ硫酸ニッケル０．０１〜０．５０ｍｏｌ／ｌ硫酸亜鉛０．０３ｍｏｌ／ｌ次亜リン酸ナトリウム０．２４ｍｏｌ／ｌ硫酸アンモニウム０．１５ｍｏｌ／ｌマロン酸ナトリウム０．１ｍｏｌ／ｌリンゴ酸ナトリウム０．４５ｍｏｌ／ｌコハク酸ナトリウム０．５ｍｏｌ／ｌめっき条件浴温８０℃ めっき浴のｐＨ９．２（室温にてアンモニア水でｐＨ調節）

【００１８】硫酸コバルト濃度を０．０１〜０．１３ｍ
ｏｌ／ｌ、硫酸ニッケル濃度を０．０１〜０．５０ｍｏ
ｌ／ｌの範囲で変化させて得られた磁性膜の磁気特性を
振動試料型磁力計を用いて測定した。その結果、Ｃｏ濃
度が０．０２＜Ｃｏ＜０．１２ｍｏｌ／ｌの範囲にあ
り、Ｎｉ濃度とＣｏ濃度のモル比（Ｎｉ／Ｃｏ）が１＜
Ｎｉ／Ｃｏ＜４の範囲にある場合に、Ｈｋが２ｋＯｅ以
上の膜が得られた。Ｈｃ（⊥）は、Ｈｋが２ｋＯｅ以上
の膜において、０．６５〜２ｋＯｅの範囲で変化させる
ことができた。Ｍｓは、Ｎｉ／Ｃｏが増加するほど減少
する傾向があったが、Ｈｋが２ｋＯｅ以上の膜において
５００ｅｍｕ／ｃｃ以上の大きな値を有していた。ま
た、Ｘ線回折および電子線回折によって、Ｈｋが２ｋＯ
ｅ以上の膜については、ｈｃｐＣｏ（六方晶）のｃ軸が
基板面に垂直配向し、薄膜時より高い配向性を示してい
ることが明らかとなった。

【００１９】以上の実施例は、マロン酸ナトリウム０．
１ｍｏｌ／ｌ、リンゴ酸ナトリウム０．４５ｍｏｌ／
ｌ、コハク酸ナトリウム０．５ｍｏｌ／ｌとしている
が、これらの錯化剤が前述の濃度範囲にあれば、本実施
例と同様の結果が得られた。また、以上の実施例で用い
た無電解めっき浴は、従来のＭｎないしはＲｅを含む４
元あるいは５元の多元合金無電解めっき浴に比較して浴
管理が容易で著しく安定性に優れ、垂直記録媒体として
優れた特性を有する磁性膜を再現性良く作製することが
できた。同一容量のめっき浴から多数の媒体を作製する
場合、２．０ｋＯｅ以上の異方性磁界Ｈｋ値が得られる
めっき当初から２．０ｋＯｅ以下の値になるまでのめっ
き処理量を浴寿命とすると、本発明による無電解めっき
浴の浴寿命は従来の多元合金無電解めっき浴に比較して
１５倍以上に増加していた。

【００２０】

【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、垂直記録媒体として優れた特性を有するＣｏＮｉＺ
ｎＰ膜を安定に作製することの可能な無電解めっき浴が
提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の無電解めっき浴により得られるＣｏＮ
ｉＺｎＰ膜の一例の異方性磁界（Ｈｋ）および保磁力
（Ｈｃ）と、めっき浴中の硫酸コバルト濃度との関係を
示す図である。

【図２】本発明の無電解めっき浴により得られるＣｏＮ
ｉＺｎＰ膜の一例の異方性磁界（Ｈｋ）および保磁力
（Ｈｃ）と、めっき浴中の硫酸ニッケル濃度との関係を
示す図である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】金属イオンとして少なくともＣｏイオ
ン、ＮｉイオンおよびＺｎイオンを含み、添加剤として
少なくとも前記金属イオンの還元剤である次亜リン酸ま
たは次亜リン酸塩と、前記金属イオンの錯化剤であるマ
ロン酸基およびリンゴ酸基およびコハク酸基とを含む水
溶液であって、Ｃｏ濃度が０．０２〜０．１２ｍｏｌ／
ｌの範囲に、Ｎｉ濃度とＣｏ濃度のモル比（Ｎｉ／Ｃ
ｏ）が１≦Ｎｉ／Ｃｏ≦４の範囲にあることを特徴とす
る無電解めっき浴。