JPH0666086B2 - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH0666086B2 JPH0666086B2 JP59123234A JP12323484A JPH0666086B2 JP H0666086 B2 JPH0666086 B2 JP H0666086B2 JP 59123234 A JP59123234 A JP 59123234A JP 12323484 A JP12323484 A JP 12323484A JP H0666086 B2 JPH0666086 B2 JP H0666086B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、磁気記録媒体の膜厚方向の磁化によって記録
を行う、いわゆる垂直記録に用いる磁気記録媒体（磁性
膜）及びその製造方法に関するものである。
を行う、いわゆる垂直記録に用いる磁気記録媒体（磁性
膜）及びその製造方法に関するものである。
（従来技術） 従来、一般の磁気ディスク装置、磁気テープ装置などの
磁気記録装置においては、基板上に形成された磁気記録
媒体にリング型磁気ヘッドによって水平方向に磁化する
ことにより記録を行なっている。
磁気記録装置においては、基板上に形成された磁気記録
媒体にリング型磁気ヘッドによって水平方向に磁化する
ことにより記録を行なっている。
しかし、水平磁化による記録には記録信号が短波長にな
るに従い、即ち記録密度の増加に従って、媒体内の反磁
界が増大して残留磁化の減衰と回転を生じ、再生出力が
著しく減少するという欠点が存在する。そこで、この問
題解決のため短波長になる程反磁界が小さくなる性質を
もつ垂直記録方式が提案され、この垂直記録に適した磁
気記録媒体としては、膜厚に垂直な方向に磁化容易軸を
もつCo−Crスパッタ膜が提案されている。ところがCo−
Cr膜をスパッタ法により作製する場合、真空系内で行う
ため量産性に問題がある。
るに従い、即ち記録密度の増加に従って、媒体内の反磁
界が増大して残留磁化の減衰と回転を生じ、再生出力が
著しく減少するという欠点が存在する。そこで、この問
題解決のため短波長になる程反磁界が小さくなる性質を
もつ垂直記録方式が提案され、この垂直記録に適した磁
気記録媒体としては、膜厚に垂直な方向に磁化容易軸を
もつCo−Crスパッタ膜が提案されている。ところがCo−
Cr膜をスパッタ法により作製する場合、真空系内で行う
ため量産性に問題がある。
このためこの様な製造上の問題点を改善して量産性に優
れた無電解めっき法により、膜面に垂直な方向に磁化容
易軸をもつ磁気記録媒体を製造する無電解Co−Mn−Ｐめ
っき浴が見い出されている（特願昭56-025833、“無電
解めっき浴”）。一般に膜面に垂直な方向に磁化容易と
なる条件は、媒体の垂直異方性磁界Hkと減磁界の最大値
４πMs（Msは飽和磁化）の間にHk＞４πMsの関係または
Hk／４πMs＞１の関係があることである。垂直記録媒体
においては必ずしもこの条件を満たす必要はないが、Hk
／４πMs１であっても大きな値をもつ程垂直磁化容易
の条件に近づいているため媒体特性として好ましいとい
える。実際に記録媒体を用いて記録密度特性を測定した
結果によってもこの傾向が示されている。例えば、電子
通信学会技術研究報告、MR82-22,1982年10月15日では種
々の特性のCo−Ｖスパッタ媒体にリングヘッドを用いて
垂直記録を行ない、Hk／４πMs値が大きくなる程限界記
録密度D50（孤立波再生出力が１／２となる記録密度
で、媒体の記録密度の性能の表わす値）が増加するこ
と、またHk／４πMs値が0.5を下回るとD50が急激に減少
することを示している。この傾向は媒体の種類，記録再
生条件が異なる場合も同様の関係にある。
れた無電解めっき法により、膜面に垂直な方向に磁化容
易軸をもつ磁気記録媒体を製造する無電解Co−Mn−Ｐめ
っき浴が見い出されている（特願昭56-025833、“無電
解めっき浴”）。一般に膜面に垂直な方向に磁化容易と
なる条件は、媒体の垂直異方性磁界Hkと減磁界の最大値
４πMs（Msは飽和磁化）の間にHk＞４πMsの関係または
Hk／４πMs＞１の関係があることである。垂直記録媒体
においては必ずしもこの条件を満たす必要はないが、Hk
／４πMs１であっても大きな値をもつ程垂直磁化容易
の条件に近づいているため媒体特性として好ましいとい
える。実際に記録媒体を用いて記録密度特性を測定した
結果によってもこの傾向が示されている。例えば、電子
通信学会技術研究報告、MR82-22,1982年10月15日では種
々の特性のCo−Ｖスパッタ媒体にリングヘッドを用いて
垂直記録を行ない、Hk／４πMs値が大きくなる程限界記
録密度D50（孤立波再生出力が１／２となる記録密度
で、媒体の記録密度の性能の表わす値）が増加するこ
と、またHk／４πMs値が0.5を下回るとD50が急激に減少
することを示している。この傾向は媒体の種類，記録再
生条件が異なる場合も同様の関係にある。
しかし、前記無電解めっき浴においてはα‐Co六方晶
（磁化容易軸）が基板に対して垂直配向し垂直磁化膜と
なる可能性のある磁性膜が得られるが、飽和磁化Msの低
下が少なく４πMsの値が非常に大きくなるため垂直磁化
記録の障碍となる。このためニッケルを共析することに
より（特願昭56-155706,“無電解めっき浴”）、またニ
ッケルに加えてレニウムを共析することにより（1982
年、金属表面技術協会、第66回学術講演要旨集p.8〜９
に掲載されためっき浴、以下A-T浴と呼ぶ）Msの低下が
はかられている。ところが、Co-Ni-Mn-P磁性膜にレニウ
ムを共析するために無電解めっき浴にレニウムイオンを
添加した場合、めっき浴が不安定となり、磁気特性の不
均一、再現性の劣化等を生じるという問題があった。Co
-Ni-Mn-Re-P膜を媒体とする磁気記録体、例えば、磁気
ディスクを作製する場合、磁気特性の不均一のために一
周の再生出力波形（エンベロープ）の一様性の低下を招
き、磁気特性の再現性が劣り浴寿命が短いため一定のメ
ッキ浴から極く限られた少ない数量しか得られない等の
欠点があった。
（磁化容易軸）が基板に対して垂直配向し垂直磁化膜と
なる可能性のある磁性膜が得られるが、飽和磁化Msの低
下が少なく４πMsの値が非常に大きくなるため垂直磁化
記録の障碍となる。このためニッケルを共析することに
より（特願昭56-155706,“無電解めっき浴”）、またニ
ッケルに加えてレニウムを共析することにより（1982
年、金属表面技術協会、第66回学術講演要旨集p.8〜９
に掲載されためっき浴、以下A-T浴と呼ぶ）Msの低下が
はかられている。ところが、Co-Ni-Mn-P磁性膜にレニウ
ムを共析するために無電解めっき浴にレニウムイオンを
添加した場合、めっき浴が不安定となり、磁気特性の不
均一、再現性の劣化等を生じるという問題があった。Co
-Ni-Mn-Re-P膜を媒体とする磁気記録体、例えば、磁気
ディスクを作製する場合、磁気特性の不均一のために一
周の再生出力波形（エンベロープ）の一様性の低下を招
き、磁気特性の再現性が劣り浴寿命が短いため一定のメ
ッキ浴から極く限られた少ない数量しか得られない等の
欠点があった。
（発明の目的） 本発明の目的は、従来の問題を改善して膜面に垂直な方
向に磁気記録するのに好ましい特性が再現性良く得られ
る磁気記録媒体とその製造方法を提供することにある。
向に磁気記録するのに好ましい特性が再現性良く得られ
る磁気記録媒体とその製造方法を提供することにある。
（発明の構成） 上記目的を達成するために、本発明は、構成成分とし
て、Co、Ni、Re、および、Ｐを含有する六方晶のＣ軸が
主として膜面に垂直な方向に配向している強磁性薄膜に
おいて、その強磁性薄膜の異方性磁界をHk、飽和磁化を
Msとするとき、Hk／４πMs＞0.5を満足するようにした
ものである。
て、Co、Ni、Re、および、Ｐを含有する六方晶のＣ軸が
主として膜面に垂直な方向に配向している強磁性薄膜に
おいて、その強磁性薄膜の異方性磁界をHk、飽和磁化を
Msとするとき、Hk／４πMs＞0.5を満足するようにした
ものである。
また、上記目的を達成するために、本発明は、金属イオ
ンとしてCoイオン、Niイオン、および、Reイオンを含
み、これら金属イオンの還元剤として次亜リン酸塩を含
み、添加剤としてこれら金属イオンの錯化剤、pH緩衝
剤、および、pH調節剤を含む水溶液にタルトロン酸基が
添加されていることを特徴とする無電界めっき液を用い
て強磁性薄膜を形成するようにしたものである。
ンとしてCoイオン、Niイオン、および、Reイオンを含
み、これら金属イオンの還元剤として次亜リン酸塩を含
み、添加剤としてこれら金属イオンの錯化剤、pH緩衝
剤、および、pH調節剤を含む水溶液にタルトロン酸基が
添加されていることを特徴とする無電界めっき液を用い
て強磁性薄膜を形成するようにしたものである。
（発明の構成に関する説明） 本発明者らは前述の問題を改善するため各種の無電解Co
-Ni-Mn-Re-Pめっき浴を試みたが十分な安定性が得られ
なかった。この原因はめっき膜がCo-Ni-Mn-Re-Pという
多元合金で系が複雑であり、めっき浴中に著しく析出容
易なReと著しく析出困難なMnを含むことによる。従来よ
り浴管理の容易化のためめっき膜構成元素数の減少が望
まれていたが、Co,Niは強磁性薄膜を得るため必要であ
り、Ｐは還元剤に次亜リン酸塩を用いる場合には共析は
避けがたく、ReはMsの減少に必要であった。著しく析出
困難なMnの除外が特に望まれたが、従来はＣ軸を垂直配
向させるのにMnは不可欠であった。
-Ni-Mn-Re-Pめっき浴を試みたが十分な安定性が得られ
なかった。この原因はめっき膜がCo-Ni-Mn-Re-Pという
多元合金で系が複雑であり、めっき浴中に著しく析出容
易なReと著しく析出困難なMnを含むことによる。従来よ
り浴管理の容易化のためめっき膜構成元素数の減少が望
まれていたが、Co,Niは強磁性薄膜を得るため必要であ
り、Ｐは還元剤に次亜リン酸塩を用いる場合には共析は
避けがたく、ReはMsの減少に必要であった。著しく析出
困難なMnの除外が特に望まれたが、従来はＣ軸を垂直配
向させるのにMnは不可欠であった。
発明者らはめっき浴組成各成分濃度とめっき膜特性の関
係を詳細に検討した結果タルトロン酸はＣ軸を垂直配向
させる作用をもち、めっき浴中にマンガンイオンを含む
ことなしにめっき膜の垂直異方性を増加しうることを見
い出した。本発明はかかる知見をもとになされたもので
ある。
係を詳細に検討した結果タルトロン酸はＣ軸を垂直配向
させる作用をもち、めっき浴中にマンガンイオンを含む
ことなしにめっき膜の垂直異方性を増加しうることを見
い出した。本発明はかかる知見をもとになされたもので
ある。
本発明において金属イオンとして用いられるコバルトイ
オン、ニッケルイオンとしては、コバルト、ニッケルの
硫酸塩、塩化塩、酢酸塩などの可溶性塩を無電解めっき
浴中に溶解することによって供給される。コバルトイオ
ンの濃度は、0.005〜1mol／の範囲が用いられるが、
好ましくは0.01〜0.15mol／の範囲である。ニッケル
イオンの濃度は、0.001〜0.5mol／の範囲が用いられ
るが好ましくは0.005〜0.20mol／の範囲である。
オン、ニッケルイオンとしては、コバルト、ニッケルの
硫酸塩、塩化塩、酢酸塩などの可溶性塩を無電解めっき
浴中に溶解することによって供給される。コバルトイオ
ンの濃度は、0.005〜1mol／の範囲が用いられるが、
好ましくは0.01〜0.15mol／の範囲である。ニッケル
イオンの濃度は、0.001〜0.5mol／の範囲が用いられ
るが好ましくは0.005〜0.20mol／の範囲である。
レニウムイオンは過レニウム酸カリ、過レニウム酸アン
モニウムなどの可溶性塩により供給され、レニウムイオ
ン濃度として0.0001〜0.1mol／、好ましくは0.001〜
0.05mol／の範囲が用いられる。
モニウムなどの可溶性塩により供給され、レニウムイオ
ン濃度として0.0001〜0.1mol／、好ましくは0.001〜
0.05mol／の範囲が用いられる。
pH緩衝剤としてはアンモニウム塩、炭酸塩、有機酸塩な
どが使用され、0.01〜2mol／の範囲の濃度が用いられ
る。
どが使用され、0.01〜2mol／の範囲の濃度が用いられ
る。
pH調節剤としては、pHの上昇にはアンモニア、水酸化ナ
トリウムなどのアルカリが用いられ、pHの降下には硫
酸、塩酸などの酸が用いられる。
トリウムなどのアルカリが用いられ、pHの降下には硫
酸、塩酸などの酸が用いられる。
錯化剤としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸等の
モノカルボン酸、シュウ酸、コハク酸、マロン酸、マイ
レン酸、イタコン酸、フタル酸、リンゴ酸等のジカルボ
ン酸、グリコール酸、乳酸、サリチル酸、酒石酸、クエ
ン酸等のオキシカルボン酸などの弱酸またはそれらの可
溶性塩の１種または２種以上の組合せが用いられる。特
にマロン酸とリンゴ酸の組合せ、リンゴ酸とコハク酸の
組合せ、マロン酸とリンゴ酸とコハク酸の組合せ、マロ
ン酸と酒石酸の組合せ、マロン酸と酒石酸とコハク酸の
組合せが好ましい。これら錯化剤の濃度は0.02〜1.5mol
／の範囲が用いられ、0.1〜0.8mol／の範囲が好ま
しい。
モノカルボン酸、シュウ酸、コハク酸、マロン酸、マイ
レン酸、イタコン酸、フタル酸、リンゴ酸等のジカルボ
ン酸、グリコール酸、乳酸、サリチル酸、酒石酸、クエ
ン酸等のオキシカルボン酸などの弱酸またはそれらの可
溶性塩の１種または２種以上の組合せが用いられる。特
にマロン酸とリンゴ酸の組合せ、リンゴ酸とコハク酸の
組合せ、マロン酸とリンゴ酸とコハク酸の組合せ、マロ
ン酸と酒石酸の組合せ、マロン酸と酒石酸とコハク酸の
組合せが好ましい。これら錯化剤の濃度は0.02〜1.5mol
／の範囲が用いられ、0.1〜0.8mol／の範囲が好ま
しい。
タルトロン酸基としては、タルトロン酸またはタルトロ
ン酸の可溶性塩によって供給される。タルトロン酸濃度
は0.001〜0.5mol／が用いられ、0.01〜0.2mol／が
好ましい。
ン酸の可溶性塩によって供給される。タルトロン酸濃度
は0.001〜0.5mol／が用いられ、0.01〜0.2mol／が
好ましい。
また本発明の無電解めっき浴は、基板依存性が少ないた
め金属または非金属の各種基板に適用できる。
め金属または非金属の各種基板に適用できる。
以下、本発明による無電解めっき浴の特長を比較例およ
び実施例により説明する。
び実施例により説明する。
比較例 アルミ合金基板内径100mm外径210mm上に非磁性Ni-P層を
めっきし、その上に下記のめっき浴およびめっき条件に
て膜厚0.5μｍのCo-Ni-Mn-Re-P合金磁性膜を形成した。
めっきし、その上に下記のめっき浴およびめっき条件に
て膜厚0.5μｍのCo-Ni-Mn-Re-P合金磁性膜を形成した。
めっき浴 硫酸コバルト 0.06mol／ 硫酸ニッケル 0.04mol／ 硫酸マンガン 0.03mol／ 過レニウム酸アンモニウム 0.003mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.2 mol／ 硫酸アンモニウム 0.5 mol／ 酒石酸ナトリウム 0.5 mol／ めっき条件 めっき浴のpH9.2（室温にてNH4OHでpH調節） めっき浴の温度80℃ 次にこの上に珪酸モノマーを回転塗布し、190℃で数時
間焼成して膜厚0.02μｍの珪酸重合体を主成分とする保
護膜を形成した。
間焼成して膜厚0.02μｍの珪酸重合体を主成分とする保
護膜を形成した。
こうして得られた磁気ディスクを下記の条件で記録再生
特性の測定を行ったところ、D50＝30KFRPIの値を得た。
特性の測定を行ったところ、D50＝30KFRPIの値を得た。
測定条件 使用ヘッド Mn-Znフェライト・リングヘッド ヘッドギャップ長 0.3μｍ ヘッド浮上量 0.2μｍ しかし、一周の再生出力については、最大値の１／２以
下になる部分が一周全体の25％以上もあり、エンベロー
プの一様性において実用上問題があった。エンベロープ
において出力が最大となる部分の媒体特性はHk／４πMs
値として0.6であったが、出力が１／２となる箇所では
0.5以下であり特性の不均一が認められた。
下になる部分が一周全体の25％以上もあり、エンベロー
プの一様性において実用上問題があった。エンベロープ
において出力が最大となる部分の媒体特性はHk／４πMs
値として0.6であったが、出力が１／２となる箇所では
0.5以下であり特性の不均一が認められた。
めっき浴の寿命に関しては次の様にして検討を行った。
一定のめっき液（容量100）において、本比較例の前
記手順と同様にして１日に20枚づつ磁気ディスクのめっ
きを行ない、めっき枚数と磁気特性の関係を調べた。金
属塩および還元剤は、各めっき日に各成分の消費量相当
分を補充した。めっき枚数20枚ごとのHk／４πMsの変化
を第１図に示す。めっき開始時のHk／４πMsの値は0.6
であるが、めっき枚数が増加するに従って減少し60枚め
っきが終了した時点でのHk／４πMsの値は0.5となり、
更にめっき枚数が増加するとHk／４πMsの値は更に減少
した。記憶媒体として実用上許容されるHk／４πMsの値
を0.5以上とすれば、前記のめっき浴（１）から得られ
る磁気ディスクの数量（以下浴寿命という）はめっき枚
数60枚程度でしかないことがわかる。
一定のめっき液（容量100）において、本比較例の前
記手順と同様にして１日に20枚づつ磁気ディスクのめっ
きを行ない、めっき枚数と磁気特性の関係を調べた。金
属塩および還元剤は、各めっき日に各成分の消費量相当
分を補充した。めっき枚数20枚ごとのHk／４πMsの変化
を第１図に示す。めっき開始時のHk／４πMsの値は0.6
であるが、めっき枚数が増加するに従って減少し60枚め
っきが終了した時点でのHk／４πMsの値は0.5となり、
更にめっき枚数が増加するとHk／４πMsの値は更に減少
した。記憶媒体として実用上許容されるHk／４πMsの値
を0.5以上とすれば、前記のめっき浴（１）から得られ
る磁気ディスクの数量（以下浴寿命という）はめっき枚
数60枚程度でしかないことがわかる。
なおめっき浴（１）は、浴の安定性の点で最も好ましい
組成を選択した。Ａ−Ｔ浴においては過レニウム酸アン
モニウムおよび酒石酸ナトリウムの濃度が、浴の安定性
および磁気特性に最も影響する。過レニウム酸アンモニ
ウムは、0.001mol／以下ではMsが大きすぎ、0.008mol
／以上ではめっき速度が低下し均一な析出が極めて困
難であり、0.003mol／が最も好ましかった。酒石酸ナ
トリウム濃度は、0.25mol／以下では浴分解を生じや
すく、0.75mol／以上では均一な析出が困難で浴寿命
も短かくなり、安定性の点で0.5mol／が最も好ましか
った。めっき浴（１）はＡ−Ｔ浴の中で好適組成である
にもかかわらず、本比較例で示された様に安定性、磁気
特性の点で問題があった。
組成を選択した。Ａ−Ｔ浴においては過レニウム酸アン
モニウムおよび酒石酸ナトリウムの濃度が、浴の安定性
および磁気特性に最も影響する。過レニウム酸アンモニ
ウムは、0.001mol／以下ではMsが大きすぎ、0.008mol
／以上ではめっき速度が低下し均一な析出が極めて困
難であり、0.003mol／が最も好ましかった。酒石酸ナ
トリウム濃度は、0.25mol／以下では浴分解を生じや
すく、0.75mol／以上では均一な析出が困難で浴寿命
も短かくなり、安定性の点で0.5mol／が最も好ましか
った。めっき浴（１）はＡ−Ｔ浴の中で好適組成である
にもかかわらず、本比較例で示された様に安定性、磁気
特性の点で問題があった。
実施例1. 比較例と同様の手順で磁気ディスクを作製したが、本実
施例では下記のめっき浴を用いた。
施例では下記のめっき浴を用いた。
めっき浴（２） 硫酸コバルト 0.06 mol／ 硫酸ニッケル 0.08 mol／ 過レニウム酸アンモニウム 0.004mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.2 mol／ 硫酸アンモニウム 0.5 mol／ 酒石酸ナトリウム 0.5 mol／ タルトロン酸 0.04 mol／ こうして得られた磁気ディスクを比較例と同様の条件で
記録再生特性の測定を行ったところ、D50＝47KFRPIの値
を得た。一周の再生出力については、最大値の90％以下
になる部分はなく、実用上十分良好なエンベロープを示
した。ディスク一面内の媒体特性も均一であり、平均値
のHk／４πMs＝0.95に対し±0.05内のバラツキであっ
た。また磁性薄膜の結晶構造は六方晶でありＣ軸は垂直
配向していた。
記録再生特性の測定を行ったところ、D50＝47KFRPIの値
を得た。一周の再生出力については、最大値の90％以下
になる部分はなく、実用上十分良好なエンベロープを示
した。ディスク一面内の媒体特性も均一であり、平均値
のHk／４πMs＝0.95に対し±0.05内のバラツキであっ
た。また磁性薄膜の結晶構造は六方晶でありＣ軸は垂直
配向していた。
めっき浴の寿命を比較例と同様にして検討した結果、め
っき枚数によるHk／４πMsの変化として第２図が得られ
た。めっき開始時のHk／４πMsの値は0.95であり、めっ
き枚数が増加するに従って減少するが、140枚めっきが
終了した時点でも0.9であり減少度合は少ない。その後
は減少度合が増すがHk／４πMsが0.5となるのはめっき
枚数240枚である。本実施例では、マンガン塩を除去し
タルトロン酸を添加しためっき浴を使用することによ
り、比較例にくらべ媒体特性、記録密度特性が著しく良
好かつ均一な磁気ディスクを多数枚得ることができた。
っき枚数によるHk／４πMsの変化として第２図が得られ
た。めっき開始時のHk／４πMsの値は0.95であり、めっ
き枚数が増加するに従って減少するが、140枚めっきが
終了した時点でも0.9であり減少度合は少ない。その後
は減少度合が増すがHk／４πMsが0.5となるのはめっき
枚数240枚である。本実施例では、マンガン塩を除去し
タルトロン酸を添加しためっき浴を使用することによ
り、比較例にくらべ媒体特性、記録密度特性が著しく良
好かつ均一な磁気ディスクを多数枚得ることができた。
実施例２ 比較例と同様の手順で磁気ディスクを作製したが、本実
施例では下記のめっき浴を用いた。
施例では下記のめっき浴を用いた。
めっき浴（３） 硫酸コバルト 0.06 mol／ 硫酸ニッケル 0.12 mol／ 過レニウム酸アンモニウム 0.004mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.2 mol／ 硫酸アンモニウム 0.5 mol／ 酒石酸ナトリウム 0.5 mol／ タルトロン酸 ０〜0.10 mol／ こうして得られた磁気ディスクのめっき開始時のHk／４
πMsの値と浴寿命（Hk／４πMsが0.5以下となるめっき
枚数）を第１表に示す。
πMsの値と浴寿命（Hk／４πMsが0.5以下となるめっき
枚数）を第１表に示す。
タルトロン酸なしではCo結晶のＣ軸が面内配向していた
がタルトロン酸濃度増加とともに垂直配向に変化し、0.
01mol／以上では十分な垂直配向性を示した。
がタルトロン酸濃度増加とともに垂直配向に変化し、0.
01mol／以上では十分な垂直配向性を示した。
タルトロン酸を0.01mol／以上加えることにより比較
例にくらべて媒体特性及び浴寿命が著しく改善され、ま
た得られた磁気ディスクの記録密度特性も良好かつ均一
であった。
例にくらべて媒体特性及び浴寿命が著しく改善され、ま
た得られた磁気ディスクの記録密度特性も良好かつ均一
であった。
実施例3. 比較例と同様の手順で磁気ディスクを作製したが、本実
施例では下記のめっき浴を用いた。
施例では下記のめっき浴を用いた。
めっき浴（４） 硫酸コバルト 0.07 mol／ 硫酸ニッケル 0.12 mol／ 過レニウム酸アンモニウム 0.005mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.3 mol／ 硫酸アンモニウム 0.5 mol／ マロン酸ナトリウム 0.6 mol／ リンゴ酸ナトリウム 0.3 mol／ タルトロン酸 0.02〜0.20 mol／ こうして得られた磁気ディスクのめっき開始時のHk／４
πMsの値と浴寿命を第２表に示す。
πMsの値と浴寿命を第２表に示す。
比較例にくらべて本実施例では、媒体特性および浴寿命
が著しく改善され、また得られた磁気ディスクの記録密
度特性も良好かつ均一であった。得られた磁性薄膜の結
晶構造は六方晶でありＣ軸は垂直配向していた。
が著しく改善され、また得られた磁気ディスクの記録密
度特性も良好かつ均一であった。得られた磁性薄膜の結
晶構造は六方晶でありＣ軸は垂直配向していた。
実施例4. 比較例と同様の手順で磁気ディスクを作製したが、本実
施例では下記のめっき浴を用いた。
施例では下記のめっき浴を用いた。
めっき浴（５） 硫酸コバルト 0.07 mol／ 硫酸ニッケル 0.13 mol／ 過レニウム酸アンモニウム 0.004mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.25 mol／ 硫酸アンモニウム 0.4 mol／ マロン酸ナトリウム 0.3 mol／ 酒石酸ナトリウム 0.2 mol／ タルトロン酸 0.03〜0.30 mol／ こうして得られた磁気ディスクのめっき開始時のHk／４
πMsの値と浴寿命を第３表に示す。
πMsの値と浴寿命を第３表に示す。
比較例にくらべて本実施例では、媒体特性および浴寿命
が著しく改善され、また得られた磁気ディスクの記録密
度特性も良好かつ均一であった。得られた磁性薄膜の結
晶構造は六方晶でありＣ軸は垂直配向していた。
が著しく改善され、また得られた磁気ディスクの記録密
度特性も良好かつ均一であった。得られた磁性薄膜の結
晶構造は六方晶でありＣ軸は垂直配向していた。
実施例5. 比較例と同様の手順で磁気ディスクを作製したが、本実
施例では下記のめっき浴を用いた。
施例では下記のめっき浴を用いた。
めっき浴（５） 硫酸コバルト 0.07 mol／ 硫酸ニッケル 0.12 mol／ 過レニウム酸アンモニウム 0.005mol／ 次亜リン酸ナトリウム 0.3 mol／ 硫酸アンモニウム 0.5 mol／ マロン酸ナトリウム 0.3 mol／ 酒石酸ナトリウム 0.2 mol／ コハク酸ナトリウム 0.3 mol／ タルトロン酸 0.02〜0.15 mol／ こうして得られた磁気ディスクのめっき開始時のHk／４
πMsの値と浴寿命を第４表に示す。
πMsの値と浴寿命を第４表に示す。
比較例にくらべて本実施例では、媒体特性および浴寿命
が著しく改善され、また得られた磁気ディスクの記録密
度特性も良好かつ均一であった。得られた磁性薄膜の結
晶構造は六方晶でありＣ軸は垂直配向していた。
が著しく改善され、また得られた磁気ディスクの記録密
度特性も良好かつ均一であった。得られた磁性薄膜の結
晶構造は六方晶でありＣ軸は垂直配向していた。
（発明の効果） 以上、比較例および実施例で示された様に本発明によれ
ば、磁性膜を作製するめっき浴において、金属イオンと
してCoイオン、Niイオン、および、Reイオンを含み、こ
れら金属イオンの還元剤として次亜リン酸塩を含み、添
加剤としてこれら金属イオンの錯化剤、pH緩衝剤、pH調
節剤を含む水溶液にタルトロン酸を含むことにより、垂
直記録媒体として優れた特性を均一に有する磁気記録体
を安定に多数得ることができる。
ば、磁性膜を作製するめっき浴において、金属イオンと
してCoイオン、Niイオン、および、Reイオンを含み、こ
れら金属イオンの還元剤として次亜リン酸塩を含み、添
加剤としてこれら金属イオンの錯化剤、pH緩衝剤、pH調
節剤を含む水溶液にタルトロン酸を含むことにより、垂
直記録媒体として優れた特性を均一に有する磁気記録体
を安定に多数得ることができる。
なお実施例では金属イオンとしてコバルトイオン、ニッ
ケルイオン、レニウムイオンのみを、添加剤として還元
剤、pH緩衝剤、pH調節剤、タルトロン酸のみを含むめっ
き浴について述べたが、本発明の目的、効果を損わない
範囲において、光沢剤、励起剤、平滑剤、応力緩和剤、
ピンホール防止剤等として前記以外の金属イオン、添加
剤および錯化剤を加えることも可能である。
ケルイオン、レニウムイオンのみを、添加剤として還元
剤、pH緩衝剤、pH調節剤、タルトロン酸のみを含むめっ
き浴について述べたが、本発明の目的、効果を損わない
範囲において、光沢剤、励起剤、平滑剤、応力緩和剤、
ピンホール防止剤等として前記以外の金属イオン、添加
剤および錯化剤を加えることも可能である。
第１図は、比較例のめっき浴を用いて磁気ディスクを作
製した場合のめっき枚数によるHk／４πMsの変化を示す
図であり、第２図は、実施例１のめっき浴を用いた場合
のめっき枚数によるHk／４πMsの変化を示す図。
製した場合のめっき枚数によるHk／４πMsの変化を示す
図であり、第２図は、実施例１のめっき浴を用いた場合
のめっき枚数によるHk／４πMsの変化を示す図。
Claims (2)
- 【請求項１】構成成分として、Co、Ni、Re、および、Ｐ
を含有する六方晶のＣ軸が主として膜面に垂直な方向に
配向している強磁性薄膜において、その強磁性薄膜の異
方性磁界をHk、飽和磁化をMsとするとき、Hk／４πMs＞
0.5であることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】金属イオンとしてCoイオン、Niイオン、お
よび、Reイオンを含み、これら金属イオンの還元剤とし
て次亜リン酸塩を含み、添加剤としてこれら金属イオン
の錯化剤、pH緩衝剤、および、pH調節剤を含む水溶液に
タルトロン酸基が添加されていることを特徴とする無電
界めっき液を用いて強磁性薄膜を形成する磁気記録媒体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59123234A JPH0666086B2 (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59123234A JPH0666086B2 (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS613316A JPS613316A (ja) | 1986-01-09 |
| JPH0666086B2 true JPH0666086B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=14855518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59123234A Expired - Lifetime JPH0666086B2 (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666086B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0343250Y2 (ja) * | 1986-06-27 | 1991-09-10 | ||
| JP2707251B2 (ja) * | 1987-07-29 | 1998-01-28 | 東芝セラミックス株式会社 | 半導体単結晶製造用黒鉛ルツボ |
| JPH02228479A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-11 | Univ Waseda | 無電解めっき浴 |
| JPH0594614A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-16 | Nec Corp | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JPH0589447A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-09 | Nec Corp | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JPH07187878A (ja) * | 1992-03-24 | 1995-07-25 | Tokai Carbon Co Ltd | シリコン単結晶製造用黒鉛ルツボ |
| SG118264A1 (en) * | 2004-06-29 | 2006-01-27 | Sony Corp | A magnetic material and a MEMS device using the magnetic material |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57178307A (en) * | 1981-04-28 | 1982-11-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Magnetic recording medium |
| JPS58157106A (ja) * | 1982-03-13 | 1983-09-19 | Victor Co Of Japan Ltd | 記録媒体 |
-
1984
- 1984-06-15 JP JP59123234A patent/JPH0666086B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS613316A (ja) | 1986-01-09 |
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