JPH0230567B2 - - Google Patents
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- JPH0230567B2 JPH0230567B2 JP57158926A JP15892682A JPH0230567B2 JP H0230567 B2 JPH0230567 B2 JP H0230567B2 JP 57158926 A JP57158926 A JP 57158926A JP 15892682 A JP15892682 A JP 15892682A JP H0230567 B2 JPH0230567 B2 JP H0230567B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/657—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing inorganic, non-oxide compound of Si, N, P, B, H or C, e.g. in metal alloy or compound
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
本発明は記録媒体に係り、記録媒体の磁性膜の
組成としてCo、Ni、Ｐ、及びZnを用い、かつこ
れらの組成の含有率（重量％）をXCp、XNi、XP、
XZoとすると３≦XCp≦42、54≦XNi≦89、４≦XP
≦８、0.1≦XZo≦3.2、7.2XP＋12.8≦XNi≦7.2XP
＋43.2の条件を満たす組成よりなる垂直磁化膜を
用いることによつて、高密度記録再生が可能とな
る記録媒体を提供することを目的とする。 従来、一般に用いられているオーデイオ、ビデ
オ、コンピユータ用のデータフアイル等に用いら
れている磁気テープ、磁気シート、磁気デイス
ク、磁気カード等の磁気記録媒体は、基板上に磁
性層が形成されたものであり、このような磁気記
録媒体に磁気記録媒体面と平行な方向の磁化を行
なうことによつて記録再生を行なつている。しか
し、このような水平方向の磁気記録では、高密度
記録化、すなわち短波長記録化に伴ない、磁気記
録媒体自体において自己減磁作用が増大し、再生
出力が著しく低下したものとなる。 そこで、短波長記録化に伴なつて増大する自己
減磁の問題を解決する手段として、短波長記録に
なればなる程自己減磁作用が弱いものとなる垂直
磁化膜記録媒体が有望視されるに至つている。こ
のような磁気記録媒体の磁性膜が垂直磁化膜であ
る条件は、膜面に垂直方向に磁化容易軸を持ち、
かつ磁気モーメントが膜面に垂直であること、す
なわち磁気異方性定数が正であるということであ
る。この磁気異方性定数Kuは、膜固有の垂直異
方性定数をK⊥、反磁場を2πM2 s（Msは飽和磁化）
とすると、Ku＝K⊥−2πM2 sで表わされるもので
あるから、磁性膜が垂直磁化膜であるということ
は、Ku＞０すなわちK⊥＞2πM2 sでなければなら
ず、しかも膜固有の垂直異方性定数が反磁場より
も大きければ大きい程磁気記録媒体として望まし
いものとなる。 このような垂直磁化膜は、例えば不純物を含ま
ないコバルト単体の薄膜の飽和磁化は約
1400emu／c.c.もあり、不純物を含まないコバルト
単体の磁性膜の磁気異方性定数は負の値のもので
あり、垂直磁化膜は実現されておらず、その為コ
バルトに対して各種の不純物を混入することによ
つて飽和磁化を小さなものとする試みがなされて
いる。そして、現在垂直磁化膜として提案されて
いるものは、例えばスパツタ法あるいは蒸着法等
によるCo―Cr合金、スパツタ法によるCo―Ru合
金、無電解メツキ法によるCo―Ni―Mn―Ｐ合金
等があり、これらのコバルト系合金はコバルトの
六方最密構造のＣ軸を膜面と垂直方向にそろえる
ことにより、結晶異方性エネルギーによつて垂直
異方性エネルギーを確保し、かつ不純物の作用に
よつて飽和磁化を減少させ、もつてK⊥＞2πM2 s
の条件を達成して垂直磁化膜となすものである
が、例えばCo（75重量％）―Ni（20重量％）―Ｐ
（３重量％）―Mn（２重量％）の磁性膜は、磁気
異方性定数が正の値のものであるといつても、ゼ
ロに近い値のものであり、垂直磁気記録方式に適
した磁気特性のものではなく、不満足なものであ
る。 本発明は、磁性膜の形成速度が速く、かつ例え
ば基板の両面に同時に安定して安価に、しかも量
産性にも富むメツキ法等の薄膜形成技術をもつて
しても行なえるものであつて、３≦XCp≦42、54
≦XNi≦89、４≦XP≦８、0.1≦XZo≦3.2、7.2XP
＋12.8≦XNi≦7.2XP＋43.2の条件を満たす組成の
Co―Ni―Ｐ―Znの合金磁性膜を、例えば基板上
に形成することにより、磁気異方性定数が正の大
きな値で垂直磁気記録方式に適したものとなる磁
気記録媒体を開発したものである。 特に、本発明のコバルト系合金の垂直磁化膜
は、Znが約3.2重量％以下共析しているので、皮
膜組成が安定化するのみでなく、析出した皮膜の
ａ―Coの六方最密構造のＣ軸が膜面と垂直方向
に配向しやすくなり、かつ飽和磁化が減少し、
K⊥＞2πM2 sの垂直磁化膜の条件が達成されるも
のとなり、例えば電気メツキ法によつて本発明の
組成の垂直磁化膜を構成する場合でも、メツキ浴
温は比較的低温でも行なえるようになり、又、
Co含有率の少ない領域にても垂直磁化膜が得ら
れるものとなり、しかもHc⊥は25〜2320エルス
テツドといつた広い範囲にわたるものが得られる
ものとなるので、コバルト系合金の組成を調整す
ることによつて、垂直磁化記録媒体として望まし
いHc⊥が200〜800エルステツドのものが得られ
る。 以下、本発明に係る記録媒体の具体的実施例に
ついて説明する。 まず、約0.2mm厚の圧延銅板を、電解洗浄及び
酸中和処理等によつて表面を清浄、活性化処理し
た後、例えば無電解メツキ法によつてニツケル―
リン非磁性膜を約0.2μm厚形成する。 このメツキ処理された圧延銅板をベースとし
て、少なくともニツケルとコバルトと亜鉛の塩
（例えば塩化物）を含み、かつリンの供給剤（例
えば次亜リン酸塩）を含む酸性溶液のメツキ液中
に浸漬し、加温状態で電気メツキし、約1.3μmの
厚Co―Ni―Ｐ―Zn合金の磁性薄膜を形成する。 このようにして構成された記録媒体の磁性膜の
組成は、Niが82.8重量％、Coが8.4重量％、Znが
2.2重量％、Ｐが6.7重量％であり、この磁性膜の
Ｘ線回折パターン、（002）面のロツキング曲線、
ヒステリシス曲線、トルク曲線を求めると、それ
ぞれ第１図、第２図、第３図、第４図に示す通り
であつた。これらによれば、すなわちＸ線回折パ
ターンによれば、（002）面のみがピークとして現
われており、ａ―Coの六方最密構造のＣ軸は膜
面に垂直方向に配向したものとなつており、Ｃ軸
の分散度合は、ロツキング曲線の半値巾Δθ50が
10.8゜と小さいことから、配向性の良いことを示
している。さらに、垂直磁化膜特有のヒステリシ
ス曲線、すなわちMr(⊥)／Mr( )＞１を示してお
り、又、トルク曲線においても垂直磁化膜の特徴
を示している。又、この磁性膜の飽和磁化Msは
254emu／c.c.であり、膜面と垂直方向に磁界を印
加して測定した保持力はHc⊥は415エルステツ
ド、膜面と平行方向に磁界を印加して測定した保
持力Hcは120エルステツドであり、又、磁気異
方性定数Kuは約2.0×105erg／c.c.といつたように
正の大きな値をもつ垂直磁化膜であり、垂直磁気
記録方式の記録媒体として優れたものである。 特に、この垂直磁化膜は、Hc⊥がそれ程大き
なものではないので、Hc⊥が大きい為に記録時
において磁気ヘツドにより多くの電流を流さなけ
ればならず、又、磁気ヘツドにより多くの巻線を
施しておかねばならないといつたことが要らず、
このようにした為に磁気ヘツドの高周波応答性が
悪くなるといつたことはなく、かつHc⊥がそれ
程小さなものではないので、Hc⊥が小さい場合
に磁気ヘツド以外の外部磁場によつて記録情報が
損なわれるといつた欠点の起きない、望ましい
Hc⊥（200〜800エルステツド）のものである。 又、上記実施例と同様にして、但し例えばメツ
キ浴組成、浴PH、電流密度等の条件を変えて、
Co―Ni―Ｐ―Zn合金の磁性膜をベース上に構成
した記録媒体について、そのＸ線回折パターン、
ロツキング曲線、ヒステリシス曲線、トルク曲線
等より磁気性特性を求めると、表１に示す通り、
３≦XCp≦42、54≦XNi≦89、４≦XP≦８、0.1≦
XZo≦3.2、7.2XP＋12.8≦XNi≦7.2XP＋43.2（但し、
XCp、XNi、XP及びXZoは、Co―Ni―Ｐ―Zn合金
磁性膜中のCo、Ni、Ｐ及びZnの含有率（重量
％）の値）の条件を満たす組成のものは、垂直磁
気記録方式の記録媒体として優れた特性の垂直磁
化膜である。
組成としてCo、Ni、Ｐ、及びZnを用い、かつこ
れらの組成の含有率（重量％）をXCp、XNi、XP、
XZoとすると３≦XCp≦42、54≦XNi≦89、４≦XP
≦８、0.1≦XZo≦3.2、7.2XP＋12.8≦XNi≦7.2XP
＋43.2の条件を満たす組成よりなる垂直磁化膜を
用いることによつて、高密度記録再生が可能とな
る記録媒体を提供することを目的とする。 従来、一般に用いられているオーデイオ、ビデ
オ、コンピユータ用のデータフアイル等に用いら
れている磁気テープ、磁気シート、磁気デイス
ク、磁気カード等の磁気記録媒体は、基板上に磁
性層が形成されたものであり、このような磁気記
録媒体に磁気記録媒体面と平行な方向の磁化を行
なうことによつて記録再生を行なつている。しか
し、このような水平方向の磁気記録では、高密度
記録化、すなわち短波長記録化に伴ない、磁気記
録媒体自体において自己減磁作用が増大し、再生
出力が著しく低下したものとなる。 そこで、短波長記録化に伴なつて増大する自己
減磁の問題を解決する手段として、短波長記録に
なればなる程自己減磁作用が弱いものとなる垂直
磁化膜記録媒体が有望視されるに至つている。こ
のような磁気記録媒体の磁性膜が垂直磁化膜であ
る条件は、膜面に垂直方向に磁化容易軸を持ち、
かつ磁気モーメントが膜面に垂直であること、す
なわち磁気異方性定数が正であるということであ
る。この磁気異方性定数Kuは、膜固有の垂直異
方性定数をK⊥、反磁場を2πM2 s（Msは飽和磁化）
とすると、Ku＝K⊥−2πM2 sで表わされるもので
あるから、磁性膜が垂直磁化膜であるということ
は、Ku＞０すなわちK⊥＞2πM2 sでなければなら
ず、しかも膜固有の垂直異方性定数が反磁場より
も大きければ大きい程磁気記録媒体として望まし
いものとなる。 このような垂直磁化膜は、例えば不純物を含ま
ないコバルト単体の薄膜の飽和磁化は約
1400emu／c.c.もあり、不純物を含まないコバルト
単体の磁性膜の磁気異方性定数は負の値のもので
あり、垂直磁化膜は実現されておらず、その為コ
バルトに対して各種の不純物を混入することによ
つて飽和磁化を小さなものとする試みがなされて
いる。そして、現在垂直磁化膜として提案されて
いるものは、例えばスパツタ法あるいは蒸着法等
によるCo―Cr合金、スパツタ法によるCo―Ru合
金、無電解メツキ法によるCo―Ni―Mn―Ｐ合金
等があり、これらのコバルト系合金はコバルトの
六方最密構造のＣ軸を膜面と垂直方向にそろえる
ことにより、結晶異方性エネルギーによつて垂直
異方性エネルギーを確保し、かつ不純物の作用に
よつて飽和磁化を減少させ、もつてK⊥＞2πM2 s
の条件を達成して垂直磁化膜となすものである
が、例えばCo（75重量％）―Ni（20重量％）―Ｐ
（３重量％）―Mn（２重量％）の磁性膜は、磁気
異方性定数が正の値のものであるといつても、ゼ
ロに近い値のものであり、垂直磁気記録方式に適
した磁気特性のものではなく、不満足なものであ
る。 本発明は、磁性膜の形成速度が速く、かつ例え
ば基板の両面に同時に安定して安価に、しかも量
産性にも富むメツキ法等の薄膜形成技術をもつて
しても行なえるものであつて、３≦XCp≦42、54
≦XNi≦89、４≦XP≦８、0.1≦XZo≦3.2、7.2XP
＋12.8≦XNi≦7.2XP＋43.2の条件を満たす組成の
Co―Ni―Ｐ―Znの合金磁性膜を、例えば基板上
に形成することにより、磁気異方性定数が正の大
きな値で垂直磁気記録方式に適したものとなる磁
気記録媒体を開発したものである。 特に、本発明のコバルト系合金の垂直磁化膜
は、Znが約3.2重量％以下共析しているので、皮
膜組成が安定化するのみでなく、析出した皮膜の
ａ―Coの六方最密構造のＣ軸が膜面と垂直方向
に配向しやすくなり、かつ飽和磁化が減少し、
K⊥＞2πM2 sの垂直磁化膜の条件が達成されるも
のとなり、例えば電気メツキ法によつて本発明の
組成の垂直磁化膜を構成する場合でも、メツキ浴
温は比較的低温でも行なえるようになり、又、
Co含有率の少ない領域にても垂直磁化膜が得ら
れるものとなり、しかもHc⊥は25〜2320エルス
テツドといつた広い範囲にわたるものが得られる
ものとなるので、コバルト系合金の組成を調整す
ることによつて、垂直磁化記録媒体として望まし
いHc⊥が200〜800エルステツドのものが得られ
る。 以下、本発明に係る記録媒体の具体的実施例に
ついて説明する。 まず、約0.2mm厚の圧延銅板を、電解洗浄及び
酸中和処理等によつて表面を清浄、活性化処理し
た後、例えば無電解メツキ法によつてニツケル―
リン非磁性膜を約0.2μm厚形成する。 このメツキ処理された圧延銅板をベースとし
て、少なくともニツケルとコバルトと亜鉛の塩
（例えば塩化物）を含み、かつリンの供給剤（例
えば次亜リン酸塩）を含む酸性溶液のメツキ液中
に浸漬し、加温状態で電気メツキし、約1.3μmの
厚Co―Ni―Ｐ―Zn合金の磁性薄膜を形成する。 このようにして構成された記録媒体の磁性膜の
組成は、Niが82.8重量％、Coが8.4重量％、Znが
2.2重量％、Ｐが6.7重量％であり、この磁性膜の
Ｘ線回折パターン、（002）面のロツキング曲線、
ヒステリシス曲線、トルク曲線を求めると、それ
ぞれ第１図、第２図、第３図、第４図に示す通り
であつた。これらによれば、すなわちＸ線回折パ
ターンによれば、（002）面のみがピークとして現
われており、ａ―Coの六方最密構造のＣ軸は膜
面に垂直方向に配向したものとなつており、Ｃ軸
の分散度合は、ロツキング曲線の半値巾Δθ50が
10.8゜と小さいことから、配向性の良いことを示
している。さらに、垂直磁化膜特有のヒステリシ
ス曲線、すなわちMr(⊥)／Mr( )＞１を示してお
り、又、トルク曲線においても垂直磁化膜の特徴
を示している。又、この磁性膜の飽和磁化Msは
254emu／c.c.であり、膜面と垂直方向に磁界を印
加して測定した保持力はHc⊥は415エルステツ
ド、膜面と平行方向に磁界を印加して測定した保
持力Hcは120エルステツドであり、又、磁気異
方性定数Kuは約2.0×105erg／c.c.といつたように
正の大きな値をもつ垂直磁化膜であり、垂直磁気
記録方式の記録媒体として優れたものである。 特に、この垂直磁化膜は、Hc⊥がそれ程大き
なものではないので、Hc⊥が大きい為に記録時
において磁気ヘツドにより多くの電流を流さなけ
ればならず、又、磁気ヘツドにより多くの巻線を
施しておかねばならないといつたことが要らず、
このようにした為に磁気ヘツドの高周波応答性が
悪くなるといつたことはなく、かつHc⊥がそれ
程小さなものではないので、Hc⊥が小さい場合
に磁気ヘツド以外の外部磁場によつて記録情報が
損なわれるといつた欠点の起きない、望ましい
Hc⊥（200〜800エルステツド）のものである。 又、上記実施例と同様にして、但し例えばメツ
キ浴組成、浴PH、電流密度等の条件を変えて、
Co―Ni―Ｐ―Zn合金の磁性膜をベース上に構成
した記録媒体について、そのＸ線回折パターン、
ロツキング曲線、ヒステリシス曲線、トルク曲線
等より磁気性特性を求めると、表１に示す通り、
３≦XCp≦42、54≦XNi≦89、４≦XP≦８、0.1≦
XZo≦3.2、7.2XP＋12.8≦XNi≦7.2XP＋43.2（但し、
XCp、XNi、XP及びXZoは、Co―Ni―Ｐ―Zn合金
磁性膜中のCo、Ni、Ｐ及びZnの含有率（重量
％）の値）の条件を満たす組成のものは、垂直磁
気記録方式の記録媒体として優れた特性の垂直磁
化膜である。
【表】
【表】
尚、Hc⊥が大きすぎる場合には磁気ヘツドの
高周波応答性が悪くなり、逆にHc⊥が小さすぎ
る場合には記録情報が外部磁場によつて損なわれ
やすくなり、このような点よりHc⊥の最適範囲
は約200〜800エルステツドのものである為、この
範囲内のCo―Ni―Ｐ―Zn合金磁性膜は、その組
成が、５≦XCp≦22、73≦XNi≦85、４≦XP≦８、
0.1≦XZo≦3.2、XNi＜7.2XP＋43.2の条件を満たす
ものであることが一層望ましい。 尚、Co、Ni、Ｐ及びZnの含有割合が本発明の
条件からずれると、表２に示される通り、磁気異
方性定数Kuが負の値であつて面内膜であるか、
Kuがほぼ零でランダム膜であつたり、あるいは
Kuが正の値であつても小さい値であつて、垂直
磁気記録方式の記録媒体として適したものでない
ことが判る。
高周波応答性が悪くなり、逆にHc⊥が小さすぎ
る場合には記録情報が外部磁場によつて損なわれ
やすくなり、このような点よりHc⊥の最適範囲
は約200〜800エルステツドのものである為、この
範囲内のCo―Ni―Ｐ―Zn合金磁性膜は、その組
成が、５≦XCp≦22、73≦XNi≦85、４≦XP≦８、
0.1≦XZo≦3.2、XNi＜7.2XP＋43.2の条件を満たす
ものであることが一層望ましい。 尚、Co、Ni、Ｐ及びZnの含有割合が本発明の
条件からずれると、表２に示される通り、磁気異
方性定数Kuが負の値であつて面内膜であるか、
Kuがほぼ零でランダム膜であつたり、あるいは
Kuが正の値であつても小さい値であつて、垂直
磁気記録方式の記録媒体として適したものでない
ことが判る。
【表】
上述の如く、本発明に係る記録媒体は、３≦
XCp≦42、54≦XNi≦89、４≦XP≦８、0.1≦XZo≦
3.2、7.2XP＋12.8≦XNi≦7.2XP＋43.2（但し、XCp、
XNi、XP、XZoはそれぞれCo、Ni、Ｐ、Znの含有
重量％の値）の条件を満たすCo、Ni、Ｐ及びZn
を含む垂直磁化膜で磁性膜を構成してなるので、
面内磁気記録方式の記録密度の限界を越える高密
度記録ができるようになり、しかもこのような垂
直磁化膜は例えばメツキ法によつて形成できるの
で低コストで実施できる等種々のメリツトがあ
り、又、メツキ条件の変化によつてもそれ程特性
に大きな差のないものができ、均一な安定した特
性の記録媒体を作りやすく、又、高価なコバルト
量は比較的少なくてすむので低コストなものであ
る等の特長を有する。
XCp≦42、54≦XNi≦89、４≦XP≦８、0.1≦XZo≦
3.2、7.2XP＋12.8≦XNi≦7.2XP＋43.2（但し、XCp、
XNi、XP、XZoはそれぞれCo、Ni、Ｐ、Znの含有
重量％の値）の条件を満たすCo、Ni、Ｐ及びZn
を含む垂直磁化膜で磁性膜を構成してなるので、
面内磁気記録方式の記録密度の限界を越える高密
度記録ができるようになり、しかもこのような垂
直磁化膜は例えばメツキ法によつて形成できるの
で低コストで実施できる等種々のメリツトがあ
り、又、メツキ条件の変化によつてもそれ程特性
に大きな差のないものができ、均一な安定した特
性の記録媒体を作りやすく、又、高価なコバルト
量は比較的少なくてすむので低コストなものであ
る等の特長を有する。
第１図、第２図、第３図及び第４図は、本発明
に係る記録媒体の１実施例のＸ線回折パターン、
ロツキング曲線、反磁場補正のないヒステリシス
曲線及びトルク曲線の説明図である。
に係る記録媒体の１実施例のＸ線回折パターン、
ロツキング曲線、反磁場補正のないヒステリシス
曲線及びトルク曲線の説明図である。
Claims (1)
- １ ３≦XCp≦42、54≦XNi≦89、４≦XP≦８、
0.1≦XZo≦3.2、7.2XP＋12.8≦XNi≦7.2XP＋43.2
（但し、XCp、XNi、XP、XZoはそれぞれCo、Ni、
Ｐ、Znの含有重量％の値）の条件を満たすCo、
Ni、Ｐ及びZnを含む垂直磁化膜で磁性膜を構成
したことを特徴とする記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57158926A JPS5948904A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 記録媒体 |
| US06/531,681 US4517257A (en) | 1982-09-14 | 1983-09-13 | Recording media comprising vertical magnetization layers essentially consisting of quaternary Co--Ni--Zn--P alloys |
| DE3333186A DE3333186C2 (de) | 1982-09-14 | 1983-09-14 | Magnetaufzeichnungsmaterial |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57158926A JPS5948904A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5948904A JPS5948904A (ja) | 1984-03-21 |
| JPH0230567B2 true JPH0230567B2 (ja) | 1990-07-06 |
Family
ID=15682352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57158926A Granted JPS5948904A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 記録媒体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4517257A (ja) |
| JP (1) | JPS5948904A (ja) |
| DE (1) | DE3333186C2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4680742A (en) * | 1984-07-07 | 1987-07-14 | Kyocera Corporation | Magneto-optical recording element |
| DE3672639D1 (de) * | 1985-03-26 | 1990-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Aufzeichnungstraeger mit senkrechter magnetisierung. |
| US4769282A (en) * | 1985-06-21 | 1988-09-06 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| DE3637805A1 (de) * | 1985-11-06 | 1987-07-16 | Tdk Corp | Magnetischer aufzeichnungstraeger |
| KR870011582A (ko) * | 1986-05-27 | 1987-12-24 | 시노하라 아끼라 | 자기 기록 매체 |
| JPH0770037B2 (ja) * | 1987-07-07 | 1995-07-31 | 株式会社クボタ | 面内磁化記録用金属薄膜型磁気記録媒体 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5729769B2 (ja) * | 1974-02-15 | 1982-06-24 | ||
| US4153920A (en) * | 1975-08-23 | 1979-05-08 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Recording method employing a magnetic recording medium |
| JPS54159203A (en) * | 1978-06-07 | 1979-12-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | Audio magnetic recording tape |
-
1982
- 1982-09-14 JP JP57158926A patent/JPS5948904A/ja active Granted
-
1983
- 1983-09-13 US US06/531,681 patent/US4517257A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-09-14 DE DE3333186A patent/DE3333186C2/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3333186C2 (de) | 1987-03-05 |
| JPS5948904A (ja) | 1984-03-21 |
| US4517257A (en) | 1985-05-14 |
| DE3333186A1 (de) | 1984-03-15 |
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