JPS616281A - 無電解磁性メツキ液 - Google Patents
無電解磁性メツキ液Info
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- JPS616281A JPS616281A JP12613684A JP12613684A JPS616281A JP S616281 A JPS616281 A JP S616281A JP 12613684 A JP12613684 A JP 12613684A JP 12613684 A JP12613684 A JP 12613684A JP S616281 A JPS616281 A JP S616281A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- ion
- acid
- plating solution
- plating liquid
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
- C23C18/34—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分解）
本発明は、磁気ディスク、磁気ドラム、磁気テープ等の
磁気記録媒体を製造する際に用いられる無電解磁性メッ
キ液に関するものである。
磁気記録媒体を製造する際に用いられる無電解磁性メッ
キ液に関するものである。
（従来の技術）
従来から磁気記録媒体を製造する場合、γ−Ｆｅ ２０
３ 。
３ 。
Ｆ ＠ ３０４’Ｃ・０・あるいは合金製の磁性材料を
有機物バインダー中に分散させこれを基体上に塗布する
方法が広く利用されてきた。しかし、高密度記録化に伴
い塗布型に代わり電気メッキ、無電解メッキ、真空蒸着
、スパッタリング等の手段により磁気記録媒体を製造す
る方法が注目されている。この場合無電解メッキは、媒
体の高抗磁力化、薄膜化、均一化に適した方法である。
有機物バインダー中に分散させこれを基体上に塗布する
方法が広く利用されてきた。しかし、高密度記録化に伴
い塗布型に代わり電気メッキ、無電解メッキ、真空蒸着
、スパッタリング等の手段により磁気記録媒体を製造す
る方法が注目されている。この場合無電解メッキは、媒
体の高抗磁力化、薄膜化、均一化に適した方法である。
無電解メッキ法による磁性膜の研究はフィッシャーらに
よって報告（ジャーナル・エレクトロケミカル・ンサイ
エテイ第１０９巻、第４８５頁、１９６２年）されて以
来、いろいろ提案されている。（金属表面技術、第２０
巻、第６４８頁１９６９年）しかし、これらの提案には
浴の安定性に関する報告はほとんど見当たらず、被膜の
磁気特性に大きな影響を及ぼす錯化剤については僅か提
案されているにすぎない。
よって報告（ジャーナル・エレクトロケミカル・ンサイ
エテイ第１０９巻、第４８５頁、１９６２年）されて以
来、いろいろ提案されている。（金属表面技術、第２０
巻、第６４８頁１９６９年）しかし、これらの提案には
浴の安定性に関する報告はほとんど見当たらず、被膜の
磁気特性に大きな影響を及ぼす錯化剤については僅か提
案されているにすぎない。
錯化剤とはコバルトイオンあるいはニッケルイオンと配
位可能なものであり、分子中にカルボキシル基、アミノ
基、水酸基をもった化合物が知られている。
位可能なものであり、分子中にカルボキシル基、アミノ
基、水酸基をもった化合物が知られている。
その具体例としてはα−アラニンやセリン等のアミノ酸
系のものや乳酸、マロン酸、コハク酸、グリコール酸、
リンゴ酸、クエン酸、酒石酸等があげられる。しかし、
これらを使用した場合には種々の問題がある。本発明者
らの実験によれば、アミノ酸系錯化剤を用いた場合には
、メッキ液の経時変化が激しく被膜の磁気特性が変化し
てしまうことがわかった。さらに説明すると乳酸、マロ
ン酸、コハク酸、グリコール酸を用いた場合には、金属
イオンとの配位力が十分ないために、−の上昇により沈
殿する。また、リンゴ酸を用いた場合には、反応性が下
地により影響を受けやすい欠点がある。クエン酸を用い
た場合のメッキ浴は、カセイアルカリを…調整剤として
用いた（以下Ｃ−Ｃ浴という）ものと、アンモニアな一
調整剤に用いた（以下Ａ−Ｃ浴という）ものとがある。
系のものや乳酸、マロン酸、コハク酸、グリコール酸、
リンゴ酸、クエン酸、酒石酸等があげられる。しかし、
これらを使用した場合には種々の問題がある。本発明者
らの実験によれば、アミノ酸系錯化剤を用いた場合には
、メッキ液の経時変化が激しく被膜の磁気特性が変化し
てしまうことがわかった。さらに説明すると乳酸、マロ
ン酸、コハク酸、グリコール酸を用いた場合には、金属
イオンとの配位力が十分ないために、−の上昇により沈
殿する。また、リンゴ酸を用いた場合には、反応性が下
地により影響を受けやすい欠点がある。クエン酸を用い
た場合のメッキ浴は、カセイアルカリを…調整剤として
用いた（以下Ｃ−Ｃ浴という）ものと、アンモニアな一
調整剤に用いた（以下Ａ−Ｃ浴という）ものとがある。
Ｃ−Ｃ浴の場合は、ｐＨ−８，０前後を境にしてそれ以
下では抗磁力が６００エルステツド（Ｏｅ）以下の膜し
か得られず、それ以上では軟磁性となる。Ａ−Ｃ浴では
液の使用による−の低下が激しい。又、酒石酸を用いた
メッキ浴も同様にカセイアルカリな一調整剤に用いた場
合（以下Ｃ−Ｔ浴という）とアンモニアの場合（以下Ａ
−Ｔ浴とい５）がある。カセイアルカリを用いた場合に
は、−を上昇させることによりかなり高抗磁力の膜が得
られるものの液の安定性が乏しく、アンモニア浴では液
の使用による−の低下が問題となる。
下では抗磁力が６００エルステツド（Ｏｅ）以下の膜し
か得られず、それ以上では軟磁性となる。Ａ−Ｃ浴では
液の使用による−の低下が激しい。又、酒石酸を用いた
メッキ浴も同様にカセイアルカリな一調整剤に用いた場
合（以下Ｃ−Ｔ浴という）とアンモニアの場合（以下Ａ
−Ｔ浴とい５）がある。カセイアルカリを用いた場合に
は、−を上昇させることによりかなり高抗磁力の膜が得
られるものの液の安定性が乏しく、アンモニア浴では液
の使用による−の低下が問題となる。
この様に、錯化剤は磁気特性、液の安定性に非常に大き
な役割を果たすものであるが、未だ優れた錯化剤は見当
っていない。
な役割を果たすものであるが、未だ優れた錯化剤は見当
っていない。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は、従来の無電解メッキ液の欠点である磁気特性
及び液の安定性を解決するためになされたもので、無電
解メッキ液の磁気特性及び安定性にすぐれたメッキ液を
提供しようとするものである。
及び液の安定性を解決するためになされたもので、無電
解メッキ液の磁気特性及び安定性にすぐれたメッキ液を
提供しようとするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明はコバルトイオン、又はコバルトイオン及びニッ
ケルイオン、錯化剤、緩衝剤、還元剤、−一整剤から成
る無電解メッキ液において、錯化剤としてグルコン酸及
びムチン酸を含有させてなることを特徴とする無電解磁
性メッキ液である。
ケルイオン、錯化剤、緩衝剤、還元剤、−一整剤から成
る無電解メッキ液において、錯化剤としてグルコン酸及
びムチン酸を含有させてなることを特徴とする無電解磁
性メッキ液である。
以下、本発明をさらに詳しく説明する。
本発明は、グルコン酸とムチン酸とを含有させたものか
らなるメッキ液であって、従来のメッキ液では得られな
かったメッキ液の特性を具備したものである。
らなるメッキ液であって、従来のメッキ液では得られな
かったメッキ液の特性を具備したものである。
グルコン酸のみを用いた場合には抗磁力が上昇せず均一
な膜も得られに（い。ムチン酸のみを用いた場合はニッ
ケルイオンに対する配位力が弱い。
な膜も得られに（い。ムチン酸のみを用いた場合はニッ
ケルイオンに対する配位力が弱い。
本発明のように、グルコン酸とムチン酸とを含有させる
と、両者の間で何らかの相互作用が発生し種々の点で改
良される。本発明のメッキ液を用いるとメッキ被膜の光
沢が良くなり、同一面内の磁気特性の均一性が上昇する
。また、容易に高抗磁力媒体が得られるという利点があ
る。さらには、メッキ液の安定性が良いために、浴寿命
が長くなる。さらにメッキ液の安定性について説明する
と液の安定性は−、金属と錯化剤との配位力、ｃ。
と、両者の間で何らかの相互作用が発生し種々の点で改
良される。本発明のメッキ液を用いるとメッキ被膜の光
沢が良くなり、同一面内の磁気特性の均一性が上昇する
。また、容易に高抗磁力媒体が得られるという利点があ
る。さらには、メッキ液の安定性が良いために、浴寿命
が長くなる。さらにメッキ液の安定性について説明する
と液の安定性は−、金属と錯化剤との配位力、ｃ。
及びＮｉ１１度、還元剤濃度により太き（影響される。
一般の無電解メッキ液は、−が高い程、金属との錯化力
が弱い程、金属塩及び還元剤濃度が高い程、液が不安定
になり易い傾向にある。例えば、Ｃ−Ｃ溶すなわち酒石
酸を錯化剤に用いた場合では、−が高（なければ抗磁力
が高（ならないために液が不安定となる。またＮ１に対
する配位力も弱いためＫＮｌを混合することにより、液
の分解が起こり易くなる。本発明のグルコン酸とムチン
酸との混合錯化剤系は−、金属塩濃度、還元剤濃度がそ
れぞれ比較的低い所でも十分な抗磁力を持つ膜が得られ
、且つＣＯ及びＮ１に対する配位力も十分であるため液
の安定性が優れている。
が弱い程、金属塩及び還元剤濃度が高い程、液が不安定
になり易い傾向にある。例えば、Ｃ−Ｃ溶すなわち酒石
酸を錯化剤に用いた場合では、−が高（なければ抗磁力
が高（ならないために液が不安定となる。またＮ１に対
する配位力も弱いためＫＮｌを混合することにより、液
の分解が起こり易くなる。本発明のグルコン酸とムチン
酸との混合錯化剤系は−、金属塩濃度、還元剤濃度がそ
れぞれ比較的低い所でも十分な抗磁力を持つ膜が得られ
、且つＣＯ及びＮ１に対する配位力も十分であるため液
の安定性が優れている。
グルコン酸、ムチン酸の濃度は、それぞれ０．０１〜５
．０モル／ｌ好ましくは０．０６〜２．０モル／ｌの範
囲、さらに好ましくは０．１〜０．６モル／ｌの範囲で
ある。これ以下の濃度では、金属との配位が不充分とな
り金属イオンが沈殿する。また、これ以上では磁気特性
に悪影響を及ぼす。
．０モル／ｌ好ましくは０．０６〜２．０モル／ｌの範
囲、さらに好ましくは０．１〜０．６モル／ｌの範囲で
ある。これ以下の濃度では、金属との配位が不充分とな
り金属イオンが沈殿する。また、これ以上では磁気特性
に悪影響を及ぼす。
コバルトイオン、ニッケルイオンを供給スる化合物とし
ては通常、硫酸塩、硝酸侵、ハロゲン化物、酢酸塩等が
あげられる。コバルトイオン濃度は通常０．００１〜０
．５モル／ｌの範囲で用いられるが、より好ましくは０
．０１〜０．０６モル／ｌである。
ては通常、硫酸塩、硝酸侵、ハロゲン化物、酢酸塩等が
あげられる。コバルトイオン濃度は通常０．００１〜０
．５モル／ｌの範囲で用いられるが、より好ましくは０
．０１〜０．０６モル／ｌである。
ニッケルイオンは通常０．０００２〜０．３モル／ｌの
範囲で用いられるが、より好ましくは０．００１〜０．
１モル／ｌである。これより低濃度では析出速度が遅（
なりメツキネ能となる。高濃度では溶液が不安定となる
。緩衝剤としてはアンモニウム塩、炭酸塩、ホウ酸塩、
リン酸塩、有機酸塩等が用いられ、その量は０．０５〜
２．０モル／ｌの範囲である。
範囲で用いられるが、より好ましくは０．００１〜０．
１モル／ｌである。これより低濃度では析出速度が遅（
なりメツキネ能となる。高濃度では溶液が不安定となる
。緩衝剤としてはアンモニウム塩、炭酸塩、ホウ酸塩、
リン酸塩、有機酸塩等が用いられ、その量は０．０５〜
２．０モル／ｌの範囲である。
還元剤の具体例としてはジメチルアミノボラン、水素化
ホウ素化合物、ヒドラゾン塩類、次亜リン酸ナトリウム
等があげられるが、液の安定性を考慮すると、次亜リン
酸ナトリウムが好ましくその添加量は０．１〜２．０モ
ル／ｌの範囲である。
ホウ素化合物、ヒドラゾン塩類、次亜リン酸ナトリウム
等があげられるが、液の安定性を考慮すると、次亜リン
酸ナトリウムが好ましくその添加量は０．１〜２．０モ
ル／ｌの範囲である。
−調整剤の具体例としては、アンモニア、カセイソーダ
、カセイカリ等があげられる。メッキ液の−は７．５〜
１０．５の範囲が望ましい。
、カセイカリ等があげられる。メッキ液の−は７．５〜
１０．５の範囲が望ましい。
７．５未満では光沢の乏しい膜しか得られず、１０．５
をこえると還元剤の自己分解が激しくなる。
をこえると還元剤の自己分解が激しくなる。
浴温としては通常５５〜９０℃の範囲が好ましい。
以上の様な組成をもつ無電解メッキ液を用いて得られた
被膜の抗磁力は膜厚０．０８μｍ糧度で４００〜１３０
００ｓの範囲であり、角形比は０’、７５以上である。
被膜の抗磁力は膜厚０．０８μｍ糧度で４００〜１３０
００ｓの範囲であり、角形比は０’、７５以上である。
同、本発明において抗磁力の測定は、振動試料型磁力計
を用いて外部磁場１０ｋＯ８をかけて測定した。その試
料の大きさは７＋＋＋１Ｘ１４ｉｎに切り出したものを
用いた。
を用いて外部磁場１０ｋＯ８をかけて測定した。その試
料の大きさは７＋＋＋１Ｘ１４ｉｎに切り出したものを
用いた。
実施例１
直径９０ｍｍ、内径３２ｍｍの旋盤加工した厚さＬ９＋
ｗのＡ／円盤に６０μｍの厚みで無電解Ｎ１メッキを施
した。その後鏡面研摩し、表面粗さ０．０３μｍまで仕
上げた。これを温度６０℃の２モル／ｌのカセイソーダ
溶液に、５分間浸種した後洗浄した。次いで触媒液（日
本カニゼン社製、商品名「レッドシューマー」）に浸種
して表面に付着させた。次いで表１の配合物にカセイソ
ーダを添加してｐＨ８，４に調整した温度７０°Ｃの無
電解メッキ液（１０Ａ’）を用いて膜厚０．０８ μｍ
のＣｏ−Ｎ１−Ｐ磁性薄膜を作製した。これを繰り返し
て１００枚作成しメッキ液の経時変化を抗磁力の測定を
行なうことＫよって求め浴の寿命を調べた。その結果を
表２に示すように抗磁力はほぼ一定であった。
ｗのＡ／円盤に６０μｍの厚みで無電解Ｎ１メッキを施
した。その後鏡面研摩し、表面粗さ０．０３μｍまで仕
上げた。これを温度６０℃の２モル／ｌのカセイソーダ
溶液に、５分間浸種した後洗浄した。次いで触媒液（日
本カニゼン社製、商品名「レッドシューマー」）に浸種
して表面に付着させた。次いで表１の配合物にカセイソ
ーダを添加してｐＨ８，４に調整した温度７０°Ｃの無
電解メッキ液（１０Ａ’）を用いて膜厚０．０８ μｍ
のＣｏ−Ｎ１−Ｐ磁性薄膜を作製した。これを繰り返し
て１００枚作成しメッキ液の経時変化を抗磁力の測定を
行なうことＫよって求め浴の寿命を調べた。その結果を
表２に示すように抗磁力はほぼ一定であった。
なおメッキ膜厚が０．０８μｍとなった時に引上げて抗
磁力の測定用試料とした。
磁力の測定用試料とした。
表 １ 単位 モル／ｌさ
らに同じメッキ液を１日放置後前記と同一のＡＡ’基板
を用いて磁性薄膜を作製した。引き続き、２日、６日、
４日、５日と同様の試験を行ない磁気特性の変化を調べ
た。結果を表６に示す。
らに同じメッキ液を１日放置後前記と同一のＡＡ’基板
を用いて磁性薄膜を作製した。引き続き、２日、６日、
４日、５日と同様の試験を行ない磁気特性の変化を調べ
た。結果を表６に示す。
表 ３ 放置時間の影響
比較例１
メッキ液の配合を表４のようにし、カセインーｆｔ、ｐ
Ｈ８，５とした温度７０℃の磁性メッキ液を用いた以外
は実施例１と同様に行った。その結果を表５に示す。
Ｈ８，５とした温度７０℃の磁性メッキ液を用いた以外
は実施例１と同様に行った。その結果を表５に示す。
メッキ枚数を増やしてゆ（と、抗磁力は減少し、溶液の
いたる所から泡の発生がみもれ、最後に分解した。
いたる所から泡の発生がみもれ、最後に分解した。
表 ４ 単位 モル／１表
５ 浴寿命試験 比較例２ メッキ液の配合を表６のようにしアンモニア水でｐＨ９
，０とした温度７０’Ｏの磁性メッキ液を用いた以外は
実施例１と同様に行った。その結果を表７に示す。
５ 浴寿命試験 比較例２ メッキ液の配合を表６のようにしアンモニア水でｐＨ９
，０とした温度７０’Ｏの磁性メッキ液を用いた以外は
実施例１と同様に行った。その結果を表７に示す。
メッキ枚数を増やしてゆ（と抗磁力、析出速度、−のい
ずれも減少した。また得られた被膜は、光沢に乏しかっ
た。
ずれも減少した。また得られた被膜は、光沢に乏しかっ
た。
表 ６ 単位 モル／１表
７ 浴寿命試験 実施例２ メッキ液の配合を表８のようにしカセイソーダでｐＨ８
，４に調整した温度７０’０の磁性メッキ液を用いた以
外は、実施例１と同様にＣｏ −Ｎｉ−Ｐ薄膜を作製し
た。次に得られた基板の９カ所を磁気測定し、抗磁力の
ばらつきを調べた。結果を表９に示す。
７ 浴寿命試験 実施例２ メッキ液の配合を表８のようにしカセイソーダでｐＨ８
，４に調整した温度７０’０の磁性メッキ液を用いた以
外は、実施例１と同様にＣｏ −Ｎｉ−Ｐ薄膜を作製し
た。次に得られた基板の９カ所を磁気測定し、抗磁力の
ばらつきを調べた。結果を表９に示す。
均一な特性をもつ磁性薄膜であることがわかった。
比較例３
メッキ液の配合を表１０のようにし、カセイソーダでｐ
Ｈ８，４に調整した温度７０℃の磁性メッキ液を用いた
以外は実施例１と同様に行った。得られた基板の９カ所
の抗磁力を測定したが、表１１に示すようにばらつきの
あることがわかった。
Ｈ８，４に調整した温度７０℃の磁性メッキ液を用いた
以外は実施例１と同様に行った。得られた基板の９カ所
の抗磁力を測定したが、表１１に示すようにばらつきの
あることがわかった。
表１０ 単位 モル／ｌ比較例４
メッキ液の配合を表１２のようにし、カセイソーダでｐ
Ｈ８，４とした温度７０℃の磁性メッキ液を用いた以外
は実施例１と同様に行った。磁気特性の経時変化を調べ
た結果、表１３に示すように抗磁力の減少が認められた
。
Ｈ８，４とした温度７０℃の磁性メッキ液を用いた以外
は実施例１と同様に行った。磁気特性の経時変化を調べ
た結果、表１３に示すように抗磁力の減少が認められた
。
表１２ 単位 モル／１表１３
放置時間の影響 実施例３ 圧延された厚さ１００μｍの銅基板にアルカリ脱脂、触
媒（日本カニゼン社製、商品名「レッドシューマー」）
付着させた後、表１４に示す配合の液にカセイソーダを
添加しＦＪ（８，８とした塩度７ＣｆＯの無電解メッキ
液に浸漬し、膜厚０．１μｍのＣｏ−Ｐ磁性薄膜を作製
した。
放置時間の影響 実施例３ 圧延された厚さ１００μｍの銅基板にアルカリ脱脂、触
媒（日本カニゼン社製、商品名「レッドシューマー」）
付着させた後、表１４に示す配合の液にカセイソーダを
添加しＦＪ（８，８とした塩度７ＣｆＯの無電解メッキ
液に浸漬し、膜厚０．１μｍのＣｏ−Ｐ磁性薄膜を作製
した。
得られた薄膜は抗磁力８５００８％角形比０．８０の光
沢の良いものであった。
沢の良いものであった。
実施例４
３８μ厚のポリエチレンテンフタレートフィルムを２０
重量％カカセイソーダ溶液に７０℃、１０分間浸浸種、
触媒（日立化成工業社製、商品名ｒＨＢ−１０１ＢＪ
）付着後、密着促進剤（日立化成工業社製、商品名「Ａ
ＤＰ−２０１」）で処理し、表１５の配合とし、カセイ
ソーダで−１８，４に調整した温度７０℃の無電解磁性
メッキを用いて行なった。
重量％カカセイソーダ溶液に７０℃、１０分間浸浸種、
触媒（日立化成工業社製、商品名ｒＨＢ−１０１ＢＪ
）付着後、密着促進剤（日立化成工業社製、商品名「Ａ
ＤＰ−２０１」）で処理し、表１５の配合とし、カセイ
ソーダで−１８，４に調整した温度７０℃の無電解磁性
メッキを用いて行なった。
得られた被膜は膜厚０．１μｍ１抗磁カフ０００ｅ。
角形比０．８０であった。また、光沢、密着性とも良好
であった。
であった。
表１５ 単位 モル／ｌ（発明の
効果） 発明の効果を列記すると次のようＫなる。
効果） 発明の効果を列記すると次のようＫなる。
１）本発明のメッキ液を用いると従来用いられていたも
のよりもメッキ液の安定性が良いために浴寿命が長（な
る。
のよりもメッキ液の安定性が良いために浴寿命が長（な
る。
２）磁気記録媒体の同一面内の磁気特性が均一となる。
３）高抗磁力の磁気記録媒体が得られる。
４）生成した被膜の光沢が一段向上する。
特許出願人 電気化学工業株式会社
手続補正書
特許庁長官 志 賀 学 殿
１事件の表示
昭和５９年特許願第１２６１３６号
２発明の名称
無電解磁性メッキ液
３補正をする者
事件との関係 特許出願人
住 所 東京都千代田区有楽町１丁目４番１号明細書
の発明の詳細な説明の欄 ５補正の内容 明細書第７頁第１８行「浴温」を「浴温」と訂正する。
の発明の詳細な説明の欄 ５補正の内容 明細書第７頁第１８行「浴温」を「浴温」と訂正する。
Claims (1)
- コバルトイオン又はコバルトイオン及びニッケルイオン
、錯化剤、緩衝剤、還元剤、ｐＨ調整剤から成る無電解
メッキ液において、錯化剤としてグルコン酸及びムチン
酸を含有させてなることを特徴とする無電解磁性メッキ
液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12613684A JPS616281A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 無電解磁性メツキ液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12613684A JPS616281A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 無電解磁性メツキ液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS616281A true JPS616281A (ja) | 1986-01-11 |
Family
ID=14927561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12613684A Pending JPS616281A (ja) | 1984-06-19 | 1984-06-19 | 無電解磁性メツキ液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS616281A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4940417A (en) * | 1988-06-24 | 1990-07-10 | Yazaki Corporation | Connector device with fitting adjustment mechanism |
-
1984
- 1984-06-19 JP JP12613684A patent/JPS616281A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4940417A (en) * | 1988-06-24 | 1990-07-10 | Yazaki Corporation | Connector device with fitting adjustment mechanism |
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