JPS5819474A - 機能性メツキ膜の製法 - Google Patents

機能性メツキ膜の製法

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JPS5819474A
JPS5819474A JP56116474A JP11647481A JPS5819474A JP S5819474 A JPS5819474 A JP S5819474A JP 56116474 A JP56116474 A JP 56116474A JP 11647481 A JP11647481 A JP 11647481A JP S5819474 A JPS5819474 A JP S5819474A
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Shigeo Shimizu
滋雄 清水
Toshio Kato
敏雄 加藤
Hitoshi Oda
織田 仁
Masanobu Shigeta
正信 茂田
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Nippon Victor KK
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Victor Company of Japan Ltd
Nippon Victor KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は機能性メッキ膜の製法に係り、ペース上に形成
するメッキ層を、第1段階では蒸着法を用い、第2段階
で湿式法を用いて形成することにより、メッキ層の一輪
磁気異方性定数を大きくでき、しかもメッキ膜の形成が
極めて簡単で低】ストなものとなる機能性メッキ膜の製
法を提供することを目的とする。
例えば、コパル)等の磁性材料を用い九薄am磁性体に
おいて、コパルF薄膜層の形成手段としては、電気メツ
キ法又は無電解メッキ法等の湿式法と、蒸着法、スパッ
タリング法又はイオンプレーテインダ法等の乾式法とが
あり、それぞれ次のような特徴がある。例えば、湿式法
においては。
薄膜磁性層の磁気特性の再現性が良好であり、又薄膜型
磁性体の保磁力(−)は約15000・位のものも得ら
れ、かつH@分布も良好であり、すなわ−ち磁化曲線に
おいてHe近傍でのmsが残留磁化量と交わる点の磁場
をHとすると 1−B*が比’ He 較的大きいといった特長があり、従って湿式法によって
薄膜磁性層の形成された薄膜型磁性体は記録再生媒体に
用いると感度が良好なものとなり。
さらには湿式法は、例えば蒸着法等による場合と興なり
、薄膜磁性層の形成に際して磁性材料の無駄がなく、さ
らには薄膜磁性層がある程度の厚みを有する薄膜型磁性
体を簡単に作れるといった利点があるものの、湿式法に
よって形成した薄膜型磁性体は、薄膜磁性層が#面内に
おいて等方性のものであるので角型比(Rs )、は小
さいといった欠点を有している。これに対して、乾式法
、特に斜蒸着法によって形成された薄jII7I磁性体
は、−軸磁気員方性を付与できるのでRsは比較的大き
いものとなり、又Heを80000・程度まで大きくで
きるといった利点があるものの、蒸着法は、ベース上に
蒸着する例えばコバルトの蒸着量が蒸発源の量に対して
少なく、従って蒸発物質に無駄の多いものとなり、生産
フストが高いものにつき、さらにはHe分布が大きいの
で8 が悪く、従って蒸着法によって作られ九薄膜型磁
性体を記録再生媒体に用いると感度は悪く、又充分な出
力を得る為に蒸着薄膜磁性層の厚さを大きくすると磁気
特性が低下し、特にRsが悪くなるといつぇ欠点がある
。又、このような単なる斜蒸着法の欠点をある程度解決
、すなわち生産性の向上を図るものとして、例えばロー
ラーに巻き付けたベースフィルム上にまず高入射角度で
斜蒸着を行ない、その後ローラーの回転により低入射角
度で斜蒸着を行なうといった方法が提案されているが、
この方法によっても生産性はそれ程向上するものでもな
く、又低角変成分がはいるので一軸磁気異方性定数(K
u )は小さくなり、磁化容易軸が膜面と角度をもち、
かつ8*が悪くなり、さらには低角度成分の増大による
H@低下を少なくしようとして、例えば微量の酸素ガス
中で蒸着を行なうと飽和磁化量が減少してしまうといっ
た欠点がある。
本発明は上記欠点を除去したものであり、以下その実施
例について説明する。
例えば、ポリエステル、ポリイミド等の有機高分子膜、
又はガラスあるいはN1−P合金又はN1−W−P合金
等をメッキしたアルミニウム等の基板上に、まずコバル
ト又はコバルト合金の蒸着展層を蒸着法特に斜蒸着法に
よって形成する。この蒸着に際しては蒸着膜厚に特別の
条件はないが、約6A厚位の厚みがないと、すなわち斜
蒸着膜厚が薄すぎると、斜蒸着膜が結晶構造をとること
ができず、膜厚すぎる場合には生産性の低下といつ九問
題が生じるので、蒸着膜厚は約5〜6000人といった
範囲のものが望ましい。尚、このような所定の厚みに形
成された斜蒸着膜は入射方向と平行に磁化容易軸が発生
するので、本発明を実施したものを例えば磁気記録媒体
として用いる場合には磁気記録する方向と同一方向に蒸
着の入射方向を設定して行なうことが望ましい。
次に、所定厚の蒸着膜が形成された後、通常の湿式メッ
キ法によってコバルト又はコバルト合金層を蒸着膜上に
所定厚形成する。尚、本発明の実施によって得たものを
磁気記録媒体として用いる場合には、このメッキ磁性展
層が記録再生に必要な磁気特性、例えばHa及び残留磁
束が所望のものとなるように例えば約500X以上ある
ことが望ましい。
本発明についてさらに具体的に説明すると、例えば約0
.2膜厚の銅板も通常の研磨機によって表面研磨した後
、前処理として電解洗浄、及び酸中和処理を行ない、さ
らに無電解ニッケルメツ中を行ない、銅板表面に約α2
〜α6μm厚のニッケルメッキ膜を形成して、基板を構
成する0 次に、この基板を、真空蒸着装置内に置き、真空度約1
0 ”” 〜j O−’torr 、入射角度約0〜8
0°の条件で蒸着を行ない、基板上にコバルトを電子ビ
ーム加熱により蒸着して、約100OA厚以下の蒸着膜
を形成する。
蒸着膜の形成後、基板を蒸着装置より取り出し、蒸着膜
の形成された基板を、例えばN1−C・−Pの電気メッ
キ浴、又はC@−Pの電気メッキ浴、あるいはC(1−
Pの無電解メッキ洛中に浸漬し、通常の湿式メッキ法に
より蒸着膜上に所定厚の湿式メッキ膜層を形成する。
次に、比較例1として、表面研磨した圧延銅板を通常の
電解洗浄及び酸中和処理した後、無電解ニッケルメッキ
を行ないそして充分な水洗いをした後、N1−C・−P
の電気メッキ浴性浸漬し、約α12μm厚のメッキ膜を
形成した薄膜型磁性体、又比較例2として、表面研磨し
た圧延鋼板を通常の電解゛洗浄及び酸中和処理し大径、
無電解ニッケルメッキを行ない、そして充分に水洗いし
た後、Co−Pの電気メツキ洛中に浸漬し、約αγ2μ
m厚のメッキ膜を形成した薄膜型磁性体、比較例8とし
て、表面研磨した圧延銅板を通常の電解洗浄及び酸中和
処理した後、無電解ニッケルメッキを行ないそして充分
な水洗いをした後、無電解C・−Pメツキ浴中に浸漬し
、約α61声臘厚のメッキ族を形成した薄膜型磁性体、
及び比較例4として、表面研磨した圧延銅板を通常の電
解洗浄及び酸中和感理した後、無電解ニッケルメッキを
行なった基板を真空蒸着装置内に置き、真空度1〜10
 X 10−“torr 、入射角度70 の条件で電
子ビーム加熱によリフパルトを蒸発させ、約α61声臘
厚の斜蒸着膜を形成した薄膜型磁性体を形成する。
上記実施例及び比較例1.2,1.4で得た薄膜型磁性
体の特性について、その磁気特性を求めると表に示す通
りである。
これらの結果より明らかなように、まず蒸着法特に斜蒸
着法により、次いで湿式法によって薄膜磁性層を積重形
成した薄膜磁性体は、H@、残留磁束密度(Br)、H
@の大きなものとなり、その磁気特性は優れたものであ
り、又薄膜磁性層が斜蒸着法による蒸着原子の入射方向
と同方向に磁化容易軸を持ち、そして本発明を実施した
ものを記録媒体として用いる場合には磁化容易軸が記録
方向と平行となるようにしておくと、面記録密度の向上
に有利なものとなり、 87’Nは著しく向上し、高密
度記録に適しえものとなり、又Kvxは約10’・rg
/e@といったように大きなものであり、さらにはS″
は従来のものに比べて著しく大きく、従って記録再生媒
体として用いると感度は優れたものとなる。尚、従来の
メッキ法による薄膜磁性層は、例えば膜厚がα26pw
aでHeは約6000・、 Rsは約α66であり、膜
厚が増加すると例えば膜厚が2.6JIII&となると
Rsは約α46といったようにその磁気特性が低下する
のに対し、本発明による薄膜磁性層は、膜厚が約α89
1111でHeは約γ500・、Rmは約α89であり
、膜厚が増加しても、例えば膜厚が約L6βmとなって
もRsは約αB8といったようにその磁気特性はそれ程
低下しない。又、本発明による薄膜磁性層は、湿式法に
よって形成される膜厚の変化によってはに1Kにそれ程
差がないものでもある。
上述の如く、本発明に係る機能性メッキ族の製法は、蒸
着法によって形成したコバルト又はその合金層上に、湿
式法によって】バルト又はその合金層を形成するので、
所望の膜厚のものがスピーディに形成でき、その作業性
はよく、かつ所望の膜厚のもののうち蒸着法によって形
成する部分は一部分にすぎないので蒸着に際して失なわ
れる蒸着原子の損失量はそれだけ少なく、又湿式法によ
って形成する部分では失なわれるフパルト量は蒸着法に
比べれば格段に少なく、従ってそれだけフバルF量等の
損失が少ないのでメッキ膜の形成に際して無駄の少ない
ものとなり、さらには第1段階で蒸着法によってコパル
シ等の層を形成しているのでメッキ膜はKvaの大きな
ものとなり、又蒸着法の後湿式法によってメッキ膜を形
成するのでBr%Rs及びSの大きなものとなる等の特
長を有する。
特許出願人 日本ビクター株式金社 、−礎・7゛。
〆   、 代理人宇高克−私、71 手続補正書く自発) 昭和56年σ月3日 特許庁長官殿 l、事件の表示 特願昭56−11 f34 ’74号 2、発明の名称 機能性メッキ膜の製法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 日本ビクター株式会社 4、代理人 発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 蒸着法によって形成したツパルF又はその合金層上に、
    湿式法によってコバルト又はその合金層を形成すること
    を特徴とする機能性メッキ膜の製法。
JP56116474A 1981-07-27 1981-07-27 機能性メツキ膜の製法 Pending JPS5819474A (ja)

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