JPS624774B2 - - Google Patents
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- JPS624774B2 JPS624774B2 JP10830879A JP10830879A JPS624774B2 JP S624774 B2 JPS624774 B2 JP S624774B2 JP 10830879 A JP10830879 A JP 10830879A JP 10830879 A JP10830879 A JP 10830879A JP S624774 B2 JPS624774 B2 JP S624774B2
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Description
この発明は強磁性金属薄膜型磁気記録媒体に関
し、その目的とするところは強磁性金属薄膜層の
基体に対する接着性が良好で、磁気特性および耐
擦傷性に優れた強磁性金属薄膜型磁気記録媒体を
提供することにある。 近年、磁気記録の高密度化に対応してプラスチ
ツクフイルムや非磁性金属等からなる基体上に、
強磁性金属またはその合金あるいはこれらの金属
を含む化合物等からなる強磁性金属薄膜層を蒸着
等によつて被着形成した強磁性金属薄膜型磁気記
録媒体が開発されている。この種の磁気記録媒体
は従来の磁性粉末を有機バインダー中に分散して
塗布する塗布型磁気記録媒体に比べ高密度記録に
適した特性を有するが、基体として用いるプラス
チツクフイルムには結晶部分と無定形部分とから
なる結晶性組識があつて本質的に不均一であり、
また延伸などの機械的処理による配向組識や、表
面の平滑性を調節するための充填粒子の存在、さ
らに汚染物質の吸着などによつて基体表面が不均
一になり、この基体表面の不均一性が原因となつ
てこの上に蒸着等によつて被着形成される強磁性
金属薄膜層が不均一になり易く、このためノイズ
が高くなり、出力変動も大きくなつて所望の磁気
特性が得られにくい難点がある。又基体が無極性
高分子である場合や低分子量の汚染物質が基体表
面に吸着されている場合、基体と強磁性金属薄膜
層との接着力が弱く、このため強磁性金属薄膜層
が基体から剥離し易く、耐擦傷性等の機械的性質
も劣る。 そこで、このような欠点を克服する手段として
強磁性金属薄膜層の下に非磁性金属又はその酸化
物からなる下地膜層を介在させることが提案され
ているが、金属からなる下地膜層では磁気特性を
改善し得ても基体との接着性を充分に改善し得
ず、金属酸化物からなる下地膜層では基体との接
着性を改善し得ても磁気特性を充分に改善し得な
いなどこれら全ての欠点を改善するにはいまひと
つ不充分である。 この発明者らはかかる問題を解決するため下地
膜層について種々検討を行なつた結果、アモルフ
アスシリコンを用いて下地膜層を形成すると、ア
モルフアスシリコンが非晶質であるため均質な下
地膜層が形成され、その結果この下地膜層上には
均一でかつ平滑性に優れた強磁性金属薄膜層が形
成されて磁気特性が改善されるばかりでなく、基
体との接着性および耐擦傷性も同時に改善される
ことを見いだしてこの発明をなすに至つた。 すなわち、この発明は、基体上にアモルフアス
シリコンからなる下地膜層を形成し、この下地膜
層上に強磁性金属薄膜層を形成してなる磁気記録
媒体に係り、アモルフアスシリコンからなる下地
膜層の作用によつて強磁性金属薄膜層の基体に対
する接着性を改善するとともに磁気特性および耐
擦傷性に優れた磁気記録媒体を提供するものであ
る。 この発明において基体上に形成されるアモルフ
アスシリコンからなる下地膜層は、たとえばプラ
ズマCVD装置を用い、装置内に基体をセツトす
るとともに装置内を真空にしてSiH4ガスを導入
し、プラズマ中で気相反応させて基体上にアモル
フアスシリコンを真空蒸着させるプラズマCVD
法、あるいはイオンプレーテイング、スパツタリ
ング、蒸着法等の手段によつても形成される。こ
のアモルフアスシリコンからなる下地膜層は、ア
モルフアスシリコンが非晶質であるため均質で平
滑性に優れ、その結果この上に形成される強磁性
金属薄膜層も均一かつ平滑性に優れたものとなり
磁気特性が改善される。又基体との接着性に優
れ、耐擦傷性も改善される。層厚は充分な下地膜
効果を発揮し、かつ基体と下地膜層との熱膨脹係
数の相違にもとづく下地膜層の微細な割れや熱変
形を防止するため200〜2000Åの範囲にするのが
好ましい。 また強磁性金属薄膜層を形成する磁性材料とし
てはコバルト、ニツケル、鉄などの金属単体の他
これらの合金あるいは酸化物、およびCo―Ｐ、
Co―Ni―Ｐなどが好適なものとして使用され
る。 基体としてはポリエステル、ポリイミド、ポリ
アミド、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポ
リエチレン等一般に使用される材質のプラスチツ
クフイルムあるいは銅などの非磁性金属からなる
ベースフイルムなどが使用され、これら基体上に
アモルフアスシリコンからなる下地膜層および強
磁性金属薄膜層が順次積層形成される。 次に、この発明の実施例について説明する。 実施例 20μ厚のポリイミドベースフイルムを直径150
mmに切り抜き、これを日電バリアン製プラズマ
CVD装置の基板ホルダーにセツトし、10-2トー
ル台の真空度まで真空排気した。その後SiH4ガ
スを動作圧力0.5トールになるように導入し、
13.56MHzのプラズマ中で気相反応させてポリイ
ミドベースフイルム上にアモルフアスシリコンを
析出させ膜厚500Åの下地膜層を形成した。この
ようにして得たアモルフアスシリコン下地膜層は
Ｘ線分析と化学分析によつて分析した結果、水素
を多少含む非晶質シリコンであつた。 次いでこのアモルフアスシリコン下地膜層を形
成したベースフイルム上に酸素圧５×10-4トール
の残留ガス圧の下で、コバルト金属を2000Åの膜
厚になるように蒸着して強磁性金属薄膜層を形成
した。コバルト金属の蒸着はコバルト金属の蒸気
の入射方向とベースフイルムの法線方向とのなす
角（入射角）が45゜以上になるように蒸着装置内
に防着板を設けて連続斜め入射蒸着を行なつた。
次いでこれを所定の巾に裁断して磁気テープをつ
くつた。 比較例 実施例においてアモルフアスシリコンからなる
下地膜層の形成を省いた以外は実施例と同様にし
て磁気テープをつくつた。 実施例および比較例で得られた磁気テープにつ
いて保磁力（Hc）および角型（Br／Bm）を測定
し、接着力および耐擦傷性を試験した。接着力は
セロテープ剥離試験およびダイヤモンド描畫試験
によつて行ない、耐擦傷性は脱脂綿による擦傷試
験によつて行なつた。 下表はその結果である。
し、その目的とするところは強磁性金属薄膜層の
基体に対する接着性が良好で、磁気特性および耐
擦傷性に優れた強磁性金属薄膜型磁気記録媒体を
提供することにある。 近年、磁気記録の高密度化に対応してプラスチ
ツクフイルムや非磁性金属等からなる基体上に、
強磁性金属またはその合金あるいはこれらの金属
を含む化合物等からなる強磁性金属薄膜層を蒸着
等によつて被着形成した強磁性金属薄膜型磁気記
録媒体が開発されている。この種の磁気記録媒体
は従来の磁性粉末を有機バインダー中に分散して
塗布する塗布型磁気記録媒体に比べ高密度記録に
適した特性を有するが、基体として用いるプラス
チツクフイルムには結晶部分と無定形部分とから
なる結晶性組識があつて本質的に不均一であり、
また延伸などの機械的処理による配向組識や、表
面の平滑性を調節するための充填粒子の存在、さ
らに汚染物質の吸着などによつて基体表面が不均
一になり、この基体表面の不均一性が原因となつ
てこの上に蒸着等によつて被着形成される強磁性
金属薄膜層が不均一になり易く、このためノイズ
が高くなり、出力変動も大きくなつて所望の磁気
特性が得られにくい難点がある。又基体が無極性
高分子である場合や低分子量の汚染物質が基体表
面に吸着されている場合、基体と強磁性金属薄膜
層との接着力が弱く、このため強磁性金属薄膜層
が基体から剥離し易く、耐擦傷性等の機械的性質
も劣る。 そこで、このような欠点を克服する手段として
強磁性金属薄膜層の下に非磁性金属又はその酸化
物からなる下地膜層を介在させることが提案され
ているが、金属からなる下地膜層では磁気特性を
改善し得ても基体との接着性を充分に改善し得
ず、金属酸化物からなる下地膜層では基体との接
着性を改善し得ても磁気特性を充分に改善し得な
いなどこれら全ての欠点を改善するにはいまひと
つ不充分である。 この発明者らはかかる問題を解決するため下地
膜層について種々検討を行なつた結果、アモルフ
アスシリコンを用いて下地膜層を形成すると、ア
モルフアスシリコンが非晶質であるため均質な下
地膜層が形成され、その結果この下地膜層上には
均一でかつ平滑性に優れた強磁性金属薄膜層が形
成されて磁気特性が改善されるばかりでなく、基
体との接着性および耐擦傷性も同時に改善される
ことを見いだしてこの発明をなすに至つた。 すなわち、この発明は、基体上にアモルフアス
シリコンからなる下地膜層を形成し、この下地膜
層上に強磁性金属薄膜層を形成してなる磁気記録
媒体に係り、アモルフアスシリコンからなる下地
膜層の作用によつて強磁性金属薄膜層の基体に対
する接着性を改善するとともに磁気特性および耐
擦傷性に優れた磁気記録媒体を提供するものであ
る。 この発明において基体上に形成されるアモルフ
アスシリコンからなる下地膜層は、たとえばプラ
ズマCVD装置を用い、装置内に基体をセツトす
るとともに装置内を真空にしてSiH4ガスを導入
し、プラズマ中で気相反応させて基体上にアモル
フアスシリコンを真空蒸着させるプラズマCVD
法、あるいはイオンプレーテイング、スパツタリ
ング、蒸着法等の手段によつても形成される。こ
のアモルフアスシリコンからなる下地膜層は、ア
モルフアスシリコンが非晶質であるため均質で平
滑性に優れ、その結果この上に形成される強磁性
金属薄膜層も均一かつ平滑性に優れたものとなり
磁気特性が改善される。又基体との接着性に優
れ、耐擦傷性も改善される。層厚は充分な下地膜
効果を発揮し、かつ基体と下地膜層との熱膨脹係
数の相違にもとづく下地膜層の微細な割れや熱変
形を防止するため200〜2000Åの範囲にするのが
好ましい。 また強磁性金属薄膜層を形成する磁性材料とし
てはコバルト、ニツケル、鉄などの金属単体の他
これらの合金あるいは酸化物、およびCo―Ｐ、
Co―Ni―Ｐなどが好適なものとして使用され
る。 基体としてはポリエステル、ポリイミド、ポリ
アミド、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポ
リエチレン等一般に使用される材質のプラスチツ
クフイルムあるいは銅などの非磁性金属からなる
ベースフイルムなどが使用され、これら基体上に
アモルフアスシリコンからなる下地膜層および強
磁性金属薄膜層が順次積層形成される。 次に、この発明の実施例について説明する。 実施例 20μ厚のポリイミドベースフイルムを直径150
mmに切り抜き、これを日電バリアン製プラズマ
CVD装置の基板ホルダーにセツトし、10-2トー
ル台の真空度まで真空排気した。その後SiH4ガ
スを動作圧力0.5トールになるように導入し、
13.56MHzのプラズマ中で気相反応させてポリイ
ミドベースフイルム上にアモルフアスシリコンを
析出させ膜厚500Åの下地膜層を形成した。この
ようにして得たアモルフアスシリコン下地膜層は
Ｘ線分析と化学分析によつて分析した結果、水素
を多少含む非晶質シリコンであつた。 次いでこのアモルフアスシリコン下地膜層を形
成したベースフイルム上に酸素圧５×10-4トール
の残留ガス圧の下で、コバルト金属を2000Åの膜
厚になるように蒸着して強磁性金属薄膜層を形成
した。コバルト金属の蒸着はコバルト金属の蒸気
の入射方向とベースフイルムの法線方向とのなす
角（入射角）が45゜以上になるように蒸着装置内
に防着板を設けて連続斜め入射蒸着を行なつた。
次いでこれを所定の巾に裁断して磁気テープをつ
くつた。 比較例 実施例においてアモルフアスシリコンからなる
下地膜層の形成を省いた以外は実施例と同様にし
て磁気テープをつくつた。 実施例および比較例で得られた磁気テープにつ
いて保磁力（Hc）および角型（Br／Bm）を測定
し、接着力および耐擦傷性を試験した。接着力は
セロテープ剥離試験およびダイヤモンド描畫試験
によつて行ない、耐擦傷性は脱脂綿による擦傷試
験によつて行なつた。 下表はその結果である。
【表】
上表から明らかなように、この発明によつて得
られた磁気テープ（実施例）は下地膜層のない磁
気テープ（比較例）に比し、保磁力が一段と大き
く、角型も高くて磁気特性に優れていることがわ
かる。又接着力及び耐擦傷性も良好でともに改善
されていることがわかる。
られた磁気テープ（実施例）は下地膜層のない磁
気テープ（比較例）に比し、保磁力が一段と大き
く、角型も高くて磁気特性に優れていることがわ
かる。又接着力及び耐擦傷性も良好でともに改善
されていることがわかる。
Claims (1)
- １ 基体上にアモルフアスシリコンからなる下地
膜層を形成し、この下地膜層上に強磁性金属薄膜
層を形成したことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10830879A JPS5634143A (en) | 1979-08-25 | 1979-08-25 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10830879A JPS5634143A (en) | 1979-08-25 | 1979-08-25 | Magnetic recording medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5634143A JPS5634143A (en) | 1981-04-06 |
| JPS624774B2 true JPS624774B2 (ja) | 1987-01-31 |
Family
ID=14481406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10830879A Granted JPS5634143A (en) | 1979-08-25 | 1979-08-25 | Magnetic recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5634143A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2559295B1 (fr) * | 1984-02-03 | 1987-01-16 | Commissariat Energie Atomique | Nouveau support pour disque magnetique d'enregistrement et son procede de fabrication |
| JPH0618059B2 (ja) * | 1984-04-11 | 1994-03-09 | 株式会社日立製作所 | 垂直磁気記録媒体 |
| DE3546325C2 (de) * | 1985-01-17 | 1994-06-01 | Hitachi Metals Ltd | Magnetisches Aufzeichnungsmedium |
| US4647494A (en) * | 1985-10-31 | 1987-03-03 | International Business Machines Corporation | Silicon/carbon protection of metallic magnetic structures |
| JP4551459B2 (ja) * | 2008-02-19 | 2010-09-29 | 信越化学工業株式会社 | 磁気記録用シリコン基板および磁気記録用媒体の製造方法 |
-
1979
- 1979-08-25 JP JP10830879A patent/JPS5634143A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5634143A (en) | 1981-04-06 |
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