JPH0760523B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH0760523B2 JPH0760523B2 JP61187189A JP18718986A JPH0760523B2 JP H0760523 B2 JPH0760523 B2 JP H0760523B2 JP 61187189 A JP61187189 A JP 61187189A JP 18718986 A JP18718986 A JP 18718986A JP H0760523 B2 JPH0760523 B2 JP H0760523B2
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- JP
- Japan
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- gas
- magnetic
- film layer
- protective film
- recording medium
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は磁気記録媒体の製造方法に関し、さらに詳し
くは耐久性に優れた磁気記録媒体の製造方法に関する。
くは耐久性に優れた磁気記録媒体の製造方法に関する。
〔従来の技術〕 一般に、金属もしくはそれらの合金などを真空蒸着、ス
パッタリング等によって基体フイルム上に被着するか、
あるいは磁性粉末を結合剤成分とともに基体フイルム上
に結着してつくられる磁気記録媒体は、記録再生時に磁
気ヘッド等と激しく摺接するため磁性層が摩耗されやす
く、特に真空蒸着等によって形成される強磁性金属膜層
は、高密度記録に適した特性を有する反面、磁気ヘッド
との摩擦係数が大きくて摩耗や損傷を受けやすい。
パッタリング等によって基体フイルム上に被着するか、
あるいは磁性粉末を結合剤成分とともに基体フイルム上
に結着してつくられる磁気記録媒体は、記録再生時に磁
気ヘッド等と激しく摺接するため磁性層が摩耗されやす
く、特に真空蒸着等によって形成される強磁性金属膜層
は、高密度記録に適した特性を有する反面、磁気ヘッド
との摩擦係数が大きくて摩耗や損傷を受けやすい。
このため、従来から磁性層上に種々の保護膜層を設ける
などして耐久性を改善することが行われており、たとえ
ば、グラファイトターゲットをアルゴンガスや水素ガス
でスパッタリングしてアモルファス状カーボンからなる
保護膜層を磁性層上に設けることが試みられている。
（特開昭53-143206号） 〔発明が解決しようとする問題点〕 ところが、このようにグラファイトターゲットを不活性
ガスや水素ガスでスパッタリングする方法では、形成さ
れる保護膜層の架橋がいまひとつ不充分で、硬質のアモ
ルファス状カーボンからなる保護膜層が形成されず、未
だ、耐久性を充分に向上することができない。
などして耐久性を改善することが行われており、たとえ
ば、グラファイトターゲットをアルゴンガスや水素ガス
でスパッタリングしてアモルファス状カーボンからなる
保護膜層を磁性層上に設けることが試みられている。
（特開昭53-143206号） 〔発明が解決しようとする問題点〕 ところが、このようにグラファイトターゲットを不活性
ガスや水素ガスでスパッタリングする方法では、形成さ
れる保護膜層の架橋がいまひとつ不充分で、硬質のアモ
ルファス状カーボンからなる保護膜層が形成されず、未
だ、耐久性を充分に向上することができない。
この発明は、かかる現状に鑑み鋭意研究を重ねた結果な
されたもので、基体上に磁性層を形成し、次いで、炭素
を主体とするターゲットを非重合性フッ素化合物を不活
性ガスまたは水素ガスもしくは不活性ガスおよび水素ガ
スとともに全てのガスの合計量に対して0.1〜20容量％
含むガスでスパッタリングすることによって、処理槽内
のガスや形成された保護膜層内に含まれる水素原子を非
重合性フッ素化合物から解離したフッ素原子と反応させ
て排除し、保護膜層の架橋を充分にして、硬質のアモル
ファス状カーボンからなる保護膜層を磁性層上に強固に
被着形成し、耐久性を充分に向上させたものである。
されたもので、基体上に磁性層を形成し、次いで、炭素
を主体とするターゲットを非重合性フッ素化合物を不活
性ガスまたは水素ガスもしくは不活性ガスおよび水素ガ
スとともに全てのガスの合計量に対して0.1〜20容量％
含むガスでスパッタリングすることによって、処理槽内
のガスや形成された保護膜層内に含まれる水素原子を非
重合性フッ素化合物から解離したフッ素原子と反応させ
て排除し、保護膜層の架橋を充分にして、硬質のアモル
ファス状カーボンからなる保護膜層を磁性層上に強固に
被着形成し、耐久性を充分に向上させたものである。
この発明において、磁性層上に形成されるアモルファス
状カーボンからなる保護膜層は、処理槽内に炭素を主体
とするターゲットをセットし、これをアルゴンガス、ヘ
リウムガスなどの不活性ガスあるいは水素ガス等に、非
重合性フッ素化合物を混合した混合ガスで、高周波によ
りスパッタリングすることによって形成される。非重合
性フッ素化合物としては、たとえば、CF4ガスなどが好
ましく使用され、このCF4などが含まれた混合ガスを使
用して高周波によるスパッタリングが行われると、CF4
ガスなどが解離されてフッ素原子が生じ、この解離され
たフッ素原子が処理槽内のガス中に存在する水素原子や
形成された保護膜層内に存在する水素原子と反応し、HF
となって排除されるため、極めて架橋の進んだ硬質のア
モルファス状カーボンからなる保護膜層が形成され、耐
久性が充分に向上される。
状カーボンからなる保護膜層は、処理槽内に炭素を主体
とするターゲットをセットし、これをアルゴンガス、ヘ
リウムガスなどの不活性ガスあるいは水素ガス等に、非
重合性フッ素化合物を混合した混合ガスで、高周波によ
りスパッタリングすることによって形成される。非重合
性フッ素化合物としては、たとえば、CF4ガスなどが好
ましく使用され、このCF4などが含まれた混合ガスを使
用して高周波によるスパッタリングが行われると、CF4
ガスなどが解離されてフッ素原子が生じ、この解離され
たフッ素原子が処理槽内のガス中に存在する水素原子や
形成された保護膜層内に存在する水素原子と反応し、HF
となって排除されるため、極めて架橋の進んだ硬質のア
モルファス状カーボンからなる保護膜層が形成され、耐
久性が充分に向上される。
このようなスパッタリングを行う場合、非重合性フッ素
化合物を含むガスのガス圧および高周波の電力は、析出
速度を良好にし、形成されたアモルファス状カーボンか
らなる保護膜層の過剰な分解を防止するため、ガス圧を
５×10-4〜５×10-2トールとし、平方センチあたりの高
周波電力を0.5〜10W/cm2の範囲内とすることが好まし
い。また非重合性フッ素化合物の含有割合は、アルゴン
ガス、ヘリウムガス等の不活性ガスや水素ガスとの合計
量に対して0.1〜20容量％の範囲内にするのが好まし
く、少なすぎると所期の効果が得られず、多すぎるとフ
ッ素原子が膜中に取り込まれやすくなる。
化合物を含むガスのガス圧および高周波の電力は、析出
速度を良好にし、形成されたアモルファス状カーボンか
らなる保護膜層の過剰な分解を防止するため、ガス圧を
５×10-4〜５×10-2トールとし、平方センチあたりの高
周波電力を0.5〜10W/cm2の範囲内とすることが好まし
い。また非重合性フッ素化合物の含有割合は、アルゴン
ガス、ヘリウムガス等の不活性ガスや水素ガスとの合計
量に対して0.1〜20容量％の範囲内にするのが好まし
く、少なすぎると所期の効果が得られず、多すぎるとフ
ッ素原子が膜中に取り込まれやすくなる。
このようにして形成されるアモルファス状カーボンから
なる保護膜層は、保護膜層中における水素原子、フッ素
原子および残留ガスから取り込まれる酸素原子が、炭素
原子に対する原子数比で、それぞれ0.2倍以下、0.1倍以
下、0.1倍以下であることが好ましく、多すぎると炭素
原子同士の架橋を断たれる箇所が増加するため、耐久性
が充分に改善されない。またこの保護膜層の膜厚は、20
〜1000Åの範囲内であることが好ましく、20Åより薄い
とこのカーボンからなる保護膜層による耐久性の効果が
充分に発揮されず、1000Åより厚くするとスペーシング
ロスが大きくなりすぎて電気的特性に悪影響を及ぼす。
なる保護膜層は、保護膜層中における水素原子、フッ素
原子および残留ガスから取り込まれる酸素原子が、炭素
原子に対する原子数比で、それぞれ0.2倍以下、0.1倍以
下、0.1倍以下であることが好ましく、多すぎると炭素
原子同士の架橋を断たれる箇所が増加するため、耐久性
が充分に改善されない。またこの保護膜層の膜厚は、20
〜1000Åの範囲内であることが好ましく、20Åより薄い
とこのカーボンからなる保護膜層による耐久性の効果が
充分に発揮されず、1000Åより厚くするとスペーシング
ロスが大きくなりすぎて電気的特性に悪影響を及ぼす。
基体上に形成される磁性層は、γ−Fe2O3粉末、Fe3O4粉
末、Co含有γ−Fe2O3粉末、Co含有Fe3O4粉末、Fe粉末、
Co粉末、Fe-Ni粉末などの磁性粉末を結合剤成分および
有機溶剤等とともに基体上に塗布、乾燥するか、あるい
は、Co、Fe、Ni、Co-Ni合金、Co-Cr合金、Co-P合金、Co
-Ni-P合金などの強磁性材を、真空蒸着、イオンプレー
ティング、スパッタリング、メッキ等の手段によって基
体上に被着するなどの方法で形成される。
末、Co含有γ−Fe2O3粉末、Co含有Fe3O4粉末、Fe粉末、
Co粉末、Fe-Ni粉末などの磁性粉末を結合剤成分および
有機溶剤等とともに基体上に塗布、乾燥するか、あるい
は、Co、Fe、Ni、Co-Ni合金、Co-Cr合金、Co-P合金、Co
-Ni-P合金などの強磁性材を、真空蒸着、イオンプレー
ティング、スパッタリング、メッキ等の手段によって基
体上に被着するなどの方法で形成される。
また、磁気記録媒体としては、ポリエステルフイルム、
ポリイミドフイルムなどの合成樹脂フイルムを基体とす
る磁気テープ、合成樹脂フイルム、アルミニウム板およ
びガラス板等からなる円盤やドラムを基体とする磁気デ
イスクや磁気ドラムなど、磁気ヘッドと摺接する構造の
種々の形態を包含する。
ポリイミドフイルムなどの合成樹脂フイルムを基体とす
る磁気テープ、合成樹脂フイルム、アルミニウム板およ
びガラス板等からなる円盤やドラムを基体とする磁気デ
イスクや磁気ドラムなど、磁気ヘッドと摺接する構造の
種々の形態を包含する。
次に、この発明の実施例について説明する。
実施例１ 厚さ10μｍのポリエステルフイルムを真空蒸着装置に装
填し、１×10-5トールの真空下でコバルト−ニッケル合
金（重量比80:20）を加熱蒸発させてポリエステルフイ
ルム上に厚さ1500Åのコバルト−ニッケル合金からなる
強磁性金属薄膜層を形成した。次いで、第１図に示すス
パッタリング装置を使用し、強磁性金属薄膜層を形成し
たポリエステルフイルム１を処理槽２内の基板電極３に
セットした。次に、処理槽２に取りつけたガス導入管４
からArガスおよびCF4ガスをそれぞれ100sccmおよび10sc
cmの流量で導入し、グラフアイトからなるターゲット５
をセットした電極６に13.56MHzの高周波電力を1000Wで
印加してスパッタリングし、厚さ200Åのアモルファス
状カーボンからなる保護膜層を形成した。しかる後、所
定の巾に裁断して第２図に示すようなポリエステルフイ
ルム１上に強磁性金属薄膜層９およびアモルファス状カ
ーボンからなる保護膜層10を順次に積層形成した磁気テ
ープＡをつくった。なお、第１図中７は処理槽２内を減
圧するための排気系、８は電極６に高周波を印加するた
めの高周波電源である。
填し、１×10-5トールの真空下でコバルト−ニッケル合
金（重量比80:20）を加熱蒸発させてポリエステルフイ
ルム上に厚さ1500Åのコバルト−ニッケル合金からなる
強磁性金属薄膜層を形成した。次いで、第１図に示すス
パッタリング装置を使用し、強磁性金属薄膜層を形成し
たポリエステルフイルム１を処理槽２内の基板電極３に
セットした。次に、処理槽２に取りつけたガス導入管４
からArガスおよびCF4ガスをそれぞれ100sccmおよび10sc
cmの流量で導入し、グラフアイトからなるターゲット５
をセットした電極６に13.56MHzの高周波電力を1000Wで
印加してスパッタリングし、厚さ200Åのアモルファス
状カーボンからなる保護膜層を形成した。しかる後、所
定の巾に裁断して第２図に示すようなポリエステルフイ
ルム１上に強磁性金属薄膜層９およびアモルファス状カ
ーボンからなる保護膜層10を順次に積層形成した磁気テ
ープＡをつくった。なお、第１図中７は処理槽２内を減
圧するための排気系、８は電極６に高周波を印加するた
めの高周波電源である。
実施例２ 実施例１における保護膜層の形成において、ガス導入管
４から導入するガスを、Arガス100sccmと水素ガス10scc
mおよびCF4ガス10sccmの混合ガスに変更した以外は、実
施例１と同様にしてアモルファス状カーボンからなる保
護膜層を形成し、磁気テープＡをつくった。
４から導入するガスを、Arガス100sccmと水素ガス10scc
mおよびCF4ガス10sccmの混合ガスに変更した以外は、実
施例１と同様にしてアモルファス状カーボンからなる保
護膜層を形成し、磁気テープＡをつくった。
実施例３ α−Fe磁性粉末 600重量部 エスレックCN（積水化学工業社製、塩化ビニル−酢酸ビ
ニル共重合体） 80 〃 パンデックスＴ−5250（大日本インキ化学工業社製、ウ
レタンエラストマー） 30 〃 コロネートＬ（日本ポリウレタン工業社製、三官能性低
分子量イソシアネート化合物） 10 〃 メチルイソブチルケトン 400 〃 トルエン 400 〃 この組成物をボールミル中で72時間混合分散して磁性塗
料を調製し、この磁性塗料を厚さ10μｍのポリエステル
フイルム上に乾燥厚が４μｍとなるように塗布、乾燥し
て磁性層を形成した。次いで、これに実施例１と同様に
してアモルファス状カーボンからなる保護膜層を形成
し、磁気テープをつくった。
ニル共重合体） 80 〃 パンデックスＴ−5250（大日本インキ化学工業社製、ウ
レタンエラストマー） 30 〃 コロネートＬ（日本ポリウレタン工業社製、三官能性低
分子量イソシアネート化合物） 10 〃 メチルイソブチルケトン 400 〃 トルエン 400 〃 この組成物をボールミル中で72時間混合分散して磁性塗
料を調製し、この磁性塗料を厚さ10μｍのポリエステル
フイルム上に乾燥厚が４μｍとなるように塗布、乾燥し
て磁性層を形成した。次いで、これに実施例１と同様に
してアモルファス状カーボンからなる保護膜層を形成
し、磁気テープをつくった。
比較例１ 実施例１における保護膜層の形成において、ガス導入管
４から導入するガスを、Arガス20sccmに変更した以外
は、実施例１と同様にしてアモルファス状カーボンから
なる保護膜層を形成し、磁気テープをつくった。
４から導入するガスを、Arガス20sccmに変更した以外
は、実施例１と同様にしてアモルファス状カーボンから
なる保護膜層を形成し、磁気テープをつくった。
比較例２ 実施例１における保護膜層の形成において、ガス導入管
４から導入するガスを、水素ガス12sccmに変更した以外
は、実施例１と同様にしてアモルファス状カーボンから
なる保護膜層を形成し、磁気テープをつくった。
４から導入するガスを、水素ガス12sccmに変更した以外
は、実施例１と同様にしてアモルファス状カーボンから
なる保護膜層を形成し、磁気テープをつくった。
比較例３ 実施例１において、アモルファス状カーボンからなる保
護膜層の形成を省いた以外は、実施例１と同様にして磁
気テープをつくった。
護膜層の形成を省いた以外は、実施例１と同様にして磁
気テープをつくった。
各実施例および比較例で得られた磁気テープについて、
常温スチル寿命を測定した。常温スチル寿命は、スチル
寿命試験機を用いて行い、摩耗粉によってヘッド目づま
りを生じたり、磁性層が剥離して出力が認められなくな
るまでの時間を測定した。
常温スチル寿命を測定した。常温スチル寿命は、スチル
寿命試験機を用いて行い、摩耗粉によってヘッド目づま
りを生じたり、磁性層が剥離して出力が認められなくな
るまでの時間を測定した。
下表はその結果である。
〔発明の効果〕 上表から明らかなように、この発明で得られた磁気テー
プ（実施例１ないし３）は、いずれも比較例１ないし３
で得られた磁気テープに比し、常温スチル寿命が長く、
このことからこの発明の製造方法によって得られる磁気
記録媒体は、耐久性が一段と向上されていることがわか
る。
プ（実施例１ないし３）は、いずれも比較例１ないし３
で得られた磁気テープに比し、常温スチル寿命が長く、
このことからこの発明の製造方法によって得られる磁気
記録媒体は、耐久性が一段と向上されていることがわか
る。
第１図は保護膜層を形成する際に使用するスパッタリン
グ装置の１例を示す概略断面図、第２図はこの発明の製
造方法によって得られた磁気テープの部分拡大断面図で
ある。 １……ポリエステルフイルム（基体）、９……強磁性金
属薄膜層（磁性層）、10……保護膜層、Ａ……磁気テー
プ（磁気記録媒体）
グ装置の１例を示す概略断面図、第２図はこの発明の製
造方法によって得られた磁気テープの部分拡大断面図で
ある。 １……ポリエステルフイルム（基体）、９……強磁性金
属薄膜層（磁性層）、10……保護膜層、Ａ……磁気テー
プ（磁気記録媒体）
Claims (2)
- 【請求項１】基体上に磁性層を形成し、次いで、炭素を
主体とするターゲットを非重合性フッ素化合物を不活性
ガスまたは水素ガスもしくは不活性ガスおよび水素ガス
とともに全てのガスの合計量に対して0.1〜20容量％含
むガスでスパッタリングして磁性層上にアモルファス状
カーボンからなる保護膜層を形成することを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法 - 【請求項２】非重合性フッ素化合物がCF4ガスである特
許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61187189A JPH0760523B2 (ja) | 1986-08-09 | 1986-08-09 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61187189A JPH0760523B2 (ja) | 1986-08-09 | 1986-08-09 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6344318A JPS6344318A (ja) | 1988-02-25 |
| JPH0760523B2 true JPH0760523B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=16201663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61187189A Expired - Lifetime JPH0760523B2 (ja) | 1986-08-09 | 1986-08-09 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760523B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8877121B2 (en) | 2007-12-20 | 2014-11-04 | Ati Properties, Inc. | Corrosion resistant lean austenitic stainless steel |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01269222A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-26 | Hitachi Ltd | 磁気ディスク及びその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60209929A (ja) * | 1984-04-03 | 1985-10-22 | Nec Corp | 磁気記憶体およびその製造方法 |
-
1986
- 1986-08-09 JP JP61187189A patent/JPH0760523B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8877121B2 (en) | 2007-12-20 | 2014-11-04 | Ati Properties, Inc. | Corrosion resistant lean austenitic stainless steel |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6344318A (ja) | 1988-02-25 |
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