JPS6344318A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS6344318A JPS6344318A JP18718986A JP18718986A JPS6344318A JP S6344318 A JPS6344318 A JP S6344318A JP 18718986 A JP18718986 A JP 18718986A JP 18718986 A JP18718986 A JP 18718986A JP S6344318 A JPS6344318 A JP S6344318A
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Landscapes
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は磁気記録媒体の製造方法に関し、さらに詳し
くは耐久性に優れた磁気記録媒体の製造方法に関する。
くは耐久性に優れた磁気記録媒体の製造方法に関する。
一般に、金属もしくはそれらの合金などを真空蒸着、ス
パッタリング等によって基体フィルム上に被着するか、
あるいは磁性粉末を結合剤成分とともに基体フィルム上
に結着してつくられる磁気記録媒体は、記録再生時に磁
気ヘッド等と激しく摺接するため磁性層が摩耗されやす
く、特に真空蒸着等によって形成される強磁性金属薄膜
層は、高密度記録に通した特性を有する反面、磁気ヘッ
ドとの摩擦係数が大きくて摩耗や損傷を受けやすい。
パッタリング等によって基体フィルム上に被着するか、
あるいは磁性粉末を結合剤成分とともに基体フィルム上
に結着してつくられる磁気記録媒体は、記録再生時に磁
気ヘッド等と激しく摺接するため磁性層が摩耗されやす
く、特に真空蒸着等によって形成される強磁性金属薄膜
層は、高密度記録に通した特性を有する反面、磁気ヘッ
ドとの摩擦係数が大きくて摩耗や損傷を受けやすい。
このため、従来から磁性層上に種々の保護膜層を設ける
などして耐久性を改善することが行われており、たとえ
ば、グラファイトターゲットをアルゴンガスや水素ガス
でスパッタリングしてアモルファス状カーボンからなる
保護膜層を磁性層上に設けることが試みられている。（
特開昭５３−１４３２０６号） 〔発明が解決しようとする問題点〕 ところが、このようにグラファイトターゲットを不活性
ガスや水素ガスでスパッタリングする方法では、形成さ
れる保護膜層の架橋がいまひとつ不充分で、硬質のアモ
ルファス状カーボンからなる保護膜層が形成されず、未
だ、耐久性を充分に向上することができない。
などして耐久性を改善することが行われており、たとえ
ば、グラファイトターゲットをアルゴンガスや水素ガス
でスパッタリングしてアモルファス状カーボンからなる
保護膜層を磁性層上に設けることが試みられている。（
特開昭５３−１４３２０６号） 〔発明が解決しようとする問題点〕 ところが、このようにグラファイトターゲットを不活性
ガスや水素ガスでスパッタリングする方法では、形成さ
れる保護膜層の架橋がいまひとつ不充分で、硬質のアモ
ルファス状カーボンからなる保護膜層が形成されず、未
だ、耐久性を充分に向上することができない。
この発明は、かかる現状に鑑み鋭意研究を重ねた結果な
されたもので、基体上に磁性層を形成し、次いで、炭素
を主体とするターゲットを非重合性フッ素化合物を含む
ガスでスパッタリングすることによって、処理槽内のガ
スや形成された保護膜層内に含まれる水素原子を非重合
性フッ素化合物から解離したフッ素原子と反応させて排
除し、保護膜層の架橋を充分にして、硬質のアモルファ
ス状カーボンからなる保護膜層を磁性層上に強固に被着
形成し、耐久性を充分に向上させたものである。
されたもので、基体上に磁性層を形成し、次いで、炭素
を主体とするターゲットを非重合性フッ素化合物を含む
ガスでスパッタリングすることによって、処理槽内のガ
スや形成された保護膜層内に含まれる水素原子を非重合
性フッ素化合物から解離したフッ素原子と反応させて排
除し、保護膜層の架橋を充分にして、硬質のアモルファ
ス状カーボンからなる保護膜層を磁性層上に強固に被着
形成し、耐久性を充分に向上させたものである。
この発明において、磁性層上に形成されるアモルファス
状カーボンからなる保護膜層は、処理槽内に炭素を主体
とするターゲットをセットし、これをアルゴンガス、ヘ
リウムガスなどの不活性ガスあるいは水素ガス等に、非
重合性フン素化合物を混合した混合ガスで、高周波によ
りスパッタリングすることによって形成される。非重合
性フッ素化合物としては、たとえば、ＣＦ４ガスなどが
好ましく使用され、このＣＦ４ガスなどが含まれた混合
ガスを使用して高周波によるスパッタリングが行われる
と、ＣＦ、ガスなどが解離されてフッ素原子が生じ、こ
の解離されたフッ素原子が処理槽内のガス中に存在する
水素原子や形成された保護膜層内に存在する水素原子と
反応し、ＨＦとなって排除されるため、極めて架橋の進
んだ硬質のアモルファス状カーボンからなる保護膜層が
形成され、耐久性が充分に向上される。
状カーボンからなる保護膜層は、処理槽内に炭素を主体
とするターゲットをセットし、これをアルゴンガス、ヘ
リウムガスなどの不活性ガスあるいは水素ガス等に、非
重合性フン素化合物を混合した混合ガスで、高周波によ
りスパッタリングすることによって形成される。非重合
性フッ素化合物としては、たとえば、ＣＦ４ガスなどが
好ましく使用され、このＣＦ４ガスなどが含まれた混合
ガスを使用して高周波によるスパッタリングが行われる
と、ＣＦ、ガスなどが解離されてフッ素原子が生じ、こ
の解離されたフッ素原子が処理槽内のガス中に存在する
水素原子や形成された保護膜層内に存在する水素原子と
反応し、ＨＦとなって排除されるため、極めて架橋の進
んだ硬質のアモルファス状カーボンからなる保護膜層が
形成され、耐久性が充分に向上される。
このようなスパッタリングを行う場合、非重合性フッ素
化合物を含むガスのガス圧および高周波の電力は、析出
速度を良好にし、形成されたアモルファス状カーボンか
らなる保護Ｍ’ＪＦｉの過剰な分解を防止するため、ガ
ス圧を５Ｘ１（１’〜５×１０−２トールとし、平方セ
ンチあたりの高周波電力を０．５〜ＩＯＷ／ｃｕｔの範
囲内とすることが好ましい。また非重合性フッ素化合物
の含有割合は、アルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性
ガスや水素ガスとの合計量に対して０．１〜２０容量％
の範囲内にするのが好ましく、少なすぎると所期の効果
が得られず、多すぎるとフッ素原子が膜中に取り込まれ
やすくなる。
化合物を含むガスのガス圧および高周波の電力は、析出
速度を良好にし、形成されたアモルファス状カーボンか
らなる保護Ｍ’ＪＦｉの過剰な分解を防止するため、ガ
ス圧を５Ｘ１（１’〜５×１０−２トールとし、平方セ
ンチあたりの高周波電力を０．５〜ＩＯＷ／ｃｕｔの範
囲内とすることが好ましい。また非重合性フッ素化合物
の含有割合は、アルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性
ガスや水素ガスとの合計量に対して０．１〜２０容量％
の範囲内にするのが好ましく、少なすぎると所期の効果
が得られず、多すぎるとフッ素原子が膜中に取り込まれ
やすくなる。
このようにして形成されるアモルファス状カーボンから
なる保護膜層は、保護膜層中における水素原子、フッ素
原子および残留ガスから取り込まれる酸素原子が、炭素
原子に対する原子数比で、それぞれ０．２倍以下、０．
１倍以下、０．１倍以下であることが好ましく、多すぎ
ると炭素原子同士の架橋を断たれる箇所が増加するため
、耐久性が充分に改善されない。またこの保護膜層の膜
厚は、２０〜１０００人の範囲内であることが好ましく
、２０人より薄いとこのカーボンからなる保護膜層によ
る耐久性の効果が充分に発揮されず、１０００人より厚
くするとスペーシングロスが大きくなりすぎて電気的特
性に悪影響を及ぼす。
なる保護膜層は、保護膜層中における水素原子、フッ素
原子および残留ガスから取り込まれる酸素原子が、炭素
原子に対する原子数比で、それぞれ０．２倍以下、０．
１倍以下、０．１倍以下であることが好ましく、多すぎ
ると炭素原子同士の架橋を断たれる箇所が増加するため
、耐久性が充分に改善されない。またこの保護膜層の膜
厚は、２０〜１０００人の範囲内であることが好ましく
、２０人より薄いとこのカーボンからなる保護膜層によ
る耐久性の効果が充分に発揮されず、１０００人より厚
くするとスペーシングロスが大きくなりすぎて電気的特
性に悪影響を及ぼす。
基体上に形成される磁性層は、γ−Ｆ８２０３粉末、Ｆ
ｅ３Ｏ４粉末、ＣＯ含有ｒ−Ｆｅ２０３粉末、ＣＯ含有
Ｆｌｙ３０４粉末、Ｆｅ粉末、Ｃ０粉末、Ｆ ｅ−Ｎ
ｉ粉末などの磁性粉末を結合剤成分および有機溶剤等と
ともに基体上に塗布、乾燥するか、あるいは、Ｇｏ、Ｆ
ｅ、Ｎｉ、、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−
Ｐ合金、Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ合金などの強磁性材を、真空蒸
着、イオンブレーティング、スパッタリング、メツキ等
の手段によって基体上に被着するなどの方法で形成され
る。
ｅ３Ｏ４粉末、ＣＯ含有ｒ−Ｆｅ２０３粉末、ＣＯ含有
Ｆｌｙ３０４粉末、Ｆｅ粉末、Ｃ０粉末、Ｆ ｅ−Ｎ
ｉ粉末などの磁性粉末を結合剤成分および有機溶剤等と
ともに基体上に塗布、乾燥するか、あるいは、Ｇｏ、Ｆ
ｅ、Ｎｉ、、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−
Ｐ合金、Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ合金などの強磁性材を、真空蒸
着、イオンブレーティング、スパッタリング、メツキ等
の手段によって基体上に被着するなどの方法で形成され
る。
また、磁気記録媒体としては、ポリエステルフィルム、
ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とす
る磁気テープ、合成樹脂フィルム、アルミニウム板およ
びガラス板等からなる円盤やドラムを基体とする磁気デ
ィスクや磁気ドラムなど、磁気ヘッドと摺接する構造の
種々の形態を包含する。
ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とす
る磁気テープ、合成樹脂フィルム、アルミニウム板およ
びガラス板等からなる円盤やドラムを基体とする磁気デ
ィスクや磁気ドラムなど、磁気ヘッドと摺接する構造の
種々の形態を包含する。
次に、この発明の実施例について説明する。
実施例１
厚さ１０μｍのポリエステルフィルムを真空蒸着装置に
装置し、ｌＸｌ０’トールの真空下でコバルトーニッケ
ル合金（重量比８０：２０）を加熱蒸発させてポリエス
テルフィルム上に厚さ１５００人のコバルト−ニッケル
合金からなる強磁性金属薄膜層を形成した。次いで、第
１図に示すスパッタリング装置を使用し、強磁性金属薄
膜層を形成したポリエステルフィルム１を処理槽２内の
基板電極３にセットした。次に、処理槽２に取りつけた
ガス導入管４からＡｒガスおよびＣＦ４ガスをそれぞれ
１００ｓｃｃｍおよび１０１０５ｃの流量で導入し、グ
ラファイトからなるターゲット５をセットした電極６に
１３．５６ＭＨｚの高周波電力を１ｏｏｏｗで印加して
スパッタリングし、厚さ２００人のアモルファス状カー
ボンからなる保護膜層を形成した。しかる後、所定の巾
に裁断して第２図に示すようなポリエステルフィルム１
上に強磁性金属薄膜層９およびアモルファス状カーボン
からなる保護膜層１０を順次に積層形成した磁気テープ
Ａをつくった。なお、第１図中７は処理槽２内を減圧す
るための排気系、８は電極６に高周波を印加するための
高周波電源である。
装置し、ｌＸｌ０’トールの真空下でコバルトーニッケ
ル合金（重量比８０：２０）を加熱蒸発させてポリエス
テルフィルム上に厚さ１５００人のコバルト−ニッケル
合金からなる強磁性金属薄膜層を形成した。次いで、第
１図に示すスパッタリング装置を使用し、強磁性金属薄
膜層を形成したポリエステルフィルム１を処理槽２内の
基板電極３にセットした。次に、処理槽２に取りつけた
ガス導入管４からＡｒガスおよびＣＦ４ガスをそれぞれ
１００ｓｃｃｍおよび１０１０５ｃの流量で導入し、グ
ラファイトからなるターゲット５をセットした電極６に
１３．５６ＭＨｚの高周波電力を１ｏｏｏｗで印加して
スパッタリングし、厚さ２００人のアモルファス状カー
ボンからなる保護膜層を形成した。しかる後、所定の巾
に裁断して第２図に示すようなポリエステルフィルム１
上に強磁性金属薄膜層９およびアモルファス状カーボン
からなる保護膜層１０を順次に積層形成した磁気テープ
Ａをつくった。なお、第１図中７は処理槽２内を減圧す
るための排気系、８は電極６に高周波を印加するための
高周波電源である。
実施例２
実施例１における保護膜層の形成において、ガス導入管
４から導入するガスを、Ａｒガス１０１００５ｅと水素
ガス１０１０５ｅおよびＣＦ４ガスＩＱｓｃｃｍの混合
ガスに変更した以外は、実施例１と同様にしてアモルフ
ァス状カーボンからなる保護膜層を形成し、磁気テープ
Ａをつくった。
４から導入するガスを、Ａｒガス１０１００５ｅと水素
ガス１０１０５ｅおよびＣＦ４ガスＩＱｓｃｃｍの混合
ガスに変更した以外は、実施例１と同様にしてアモルフ
ァス状カーボンからなる保護膜層を形成し、磁気テープ
Ａをつくった。
実施例３
α−Ｆｅ磁性粉末 ６００重量部エスレッ
クＣＮ（積木化学工業 ８０ 〜？［、ｌｆｉ化ヒニ
ルー酢酸ビニ ル共重合体） パンデックスＴ−５２５０（大 ３０〃日本インキ化
学工業社製、ウ レタンエラストマー） コロネー１−Ｌ（日本ポリウレタ １０ 〃ン工業
社製、三官能性低分子 量イソシアネート化合物） メチルイソブチルケトン ４００〃トルエン
４００〃この組成物をボールミル中
で７２時間混合分散して磁性塗料を調製し、この磁性塗
料を厚さ１０μｍのポリエステルフィルム上に乾燥厚が
４μｍとなるように塗布、乾燥して磁性層を形成した。
クＣＮ（積木化学工業 ８０ 〜？［、ｌｆｉ化ヒニ
ルー酢酸ビニ ル共重合体） パンデックスＴ−５２５０（大 ３０〃日本インキ化
学工業社製、ウ レタンエラストマー） コロネー１−Ｌ（日本ポリウレタ １０ 〃ン工業
社製、三官能性低分子 量イソシアネート化合物） メチルイソブチルケトン ４００〃トルエン
４００〃この組成物をボールミル中
で７２時間混合分散して磁性塗料を調製し、この磁性塗
料を厚さ１０μｍのポリエステルフィルム上に乾燥厚が
４μｍとなるように塗布、乾燥して磁性層を形成した。
次いで、これに実施例１と同様にしてアモルファス状カ
ーボンからなる保護膜層を形成し、磁気テープをつくっ
た。
ーボンからなる保護膜層を形成し、磁気テープをつくっ
た。
比較例１
実施例１における保護１１１層の形成において、ガス導
入管４から導入するガスを、Ａｒガス２０ｓｅｃｍに変
更した以外は、実施例１と同様にしてアモルファス状カ
ーボンからなる保護膜層を形成し、磁気テープをつくっ
た。
入管４から導入するガスを、Ａｒガス２０ｓｅｃｍに変
更した以外は、実施例１と同様にしてアモルファス状カ
ーボンからなる保護膜層を形成し、磁気テープをつくっ
た。
比較例２
実施例１における保護膜層の形成において、ガス導入管
４から導入するガスを、水素ガス１２ｓｅｃｍに変更し
た以外は、実施例１と同様にしてアモルファス状カーボ
ンからなる保護膜層を形成し、磁気テープをつくった。
４から導入するガスを、水素ガス１２ｓｅｃｍに変更し
た以外は、実施例１と同様にしてアモルファス状カーボ
ンからなる保護膜層を形成し、磁気テープをつくった。
比較例３
実施例１において、アモルファス状カーボンからなる保
護膜層の形成を省いた以外は、実施例１と同様にして磁
気テープをつくった。
護膜層の形成を省いた以外は、実施例１と同様にして磁
気テープをつくった。
各実施例および比較例で得られた磁気テープについて、
常温スチル寿命を測定した。常温スチル寿命は、スチル
寿命試験機を用いて行い、摩耗粉によってヘッド目づま
りを生じたり、磁性層が剥離して出力が認められなくな
るまでの時間を測定した。
常温スチル寿命を測定した。常温スチル寿命は、スチル
寿命試験機を用いて行い、摩耗粉によってヘッド目づま
りを生じたり、磁性層が剥離して出力が認められなくな
るまでの時間を測定した。
下表はその結果である。
上表から明らかなように、この発明で得られた磁気テー
プ（実施例１ないし３）は、いずれも比較例１ないし３
で得られた磁気テープに比し、常温スチル寿命が長く、
このことからこの発明の製造方法によって得られる磁気
記録媒体は、耐久性が一段と向上されていることがわか
る。
プ（実施例１ないし３）は、いずれも比較例１ないし３
で得られた磁気テープに比し、常温スチル寿命が長く、
このことからこの発明の製造方法によって得られる磁気
記録媒体は、耐久性が一段と向上されていることがわか
る。
第１図は保護膜層を形成する際に使用するスパッタリン
グ装置の１例を示す概略断面図、第２図はこの発明の製
造方法によって得られた磁気テープの部分拡大断面図で
ある。 １・・・ポリエステルフィルム（基体）、９・・・強磁
性金属薄膜層（磁性層）、１０・・・保護膜層、Ａ・・
・磁気テープ（磁気記録媒体） 特許出願人 日立マクセル株式会社 第１図 第２図 １ポリエステルフイルム
グ装置の１例を示す概略断面図、第２図はこの発明の製
造方法によって得られた磁気テープの部分拡大断面図で
ある。 １・・・ポリエステルフィルム（基体）、９・・・強磁
性金属薄膜層（磁性層）、１０・・・保護膜層、Ａ・・
・磁気テープ（磁気記録媒体） 特許出願人 日立マクセル株式会社 第１図 第２図 １ポリエステルフイルム
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基体上に磁性層を形成し、次いで、炭素を主体とす
るターゲットを非重合性フッ素化合物を含むガスでスパ
ッタリングして磁性層上にアモルファス状カーボンから
なる保護膜層を形成することを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法 ２、非重合性フッ素化合物がＣＦ＿４ガスである特許請
求の範囲第１項記載の磁気記録媒体の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61187189A JPH0760523B2 (ja) | 1986-08-09 | 1986-08-09 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61187189A JPH0760523B2 (ja) | 1986-08-09 | 1986-08-09 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6344318A true JPS6344318A (ja) | 1988-02-25 |
| JPH0760523B2 JPH0760523B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=16201663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61187189A Expired - Lifetime JPH0760523B2 (ja) | 1986-08-09 | 1986-08-09 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760523B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01269222A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-26 | Hitachi Ltd | 磁気ディスク及びその製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MX2010005668A (es) | 2007-12-20 | 2010-06-03 | Ati Properties Inc | Acero inoxidable austenitico delgado resistente a la corrosion. |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60209929A (ja) * | 1984-04-03 | 1985-10-22 | Nec Corp | 磁気記憶体およびその製造方法 |
-
1986
- 1986-08-09 JP JP61187189A patent/JPH0760523B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60209929A (ja) * | 1984-04-03 | 1985-10-22 | Nec Corp | 磁気記憶体およびその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01269222A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-26 | Hitachi Ltd | 磁気ディスク及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0760523B2 (ja) | 1995-06-28 |
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