JPH05325175A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPH05325175A JPH05325175A JP3279198A JP27919891A JPH05325175A JP H05325175 A JPH05325175 A JP H05325175A JP 3279198 A JP3279198 A JP 3279198A JP 27919891 A JP27919891 A JP 27919891A JP H05325175 A JPH05325175 A JP H05325175A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 非磁性基板１上に強磁性金属薄膜２を設け、
その上に真空成膜法にて膜状あるいは粒状の第１の炭素
膜４を設け、さらにプラズマＣＶＤ法等にて非晶で高質
の第２の炭素膜５を設けた磁気記録媒体であり、特に強
磁性金属薄膜２と非晶質で硬質の第２の炭素膜５の間に
設けた膜状あるいは粒状の第１の炭素膜４の効果によ
り、接着強度が高く、金属を膜中に取り込まない非晶質
で硬質の第２の炭素膜５を形成する。 【効果】 磁気テープにおいては、スチル寿命の向上と
出力低下が改善され、磁気ディスクにおいては、ＣＳＳ
特性が大幅に改善される。
その上に真空成膜法にて膜状あるいは粒状の第１の炭素
膜４を設け、さらにプラズマＣＶＤ法等にて非晶で高質
の第２の炭素膜５を設けた磁気記録媒体であり、特に強
磁性金属薄膜２と非晶質で硬質の第２の炭素膜５の間に
設けた膜状あるいは粒状の第１の炭素膜４の効果によ
り、接着強度が高く、金属を膜中に取り込まない非晶質
で硬質の第２の炭素膜５を形成する。 【効果】 磁気テープにおいては、スチル寿命の向上と
出力低下が改善され、磁気ディスクにおいては、ＣＳＳ
特性が大幅に改善される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、強磁性金属型磁気記録
媒体に関し、特に磁性層形成後に実用性能向上のために
保護膜として設ける硬質炭素膜の性能を最大限に生かし
得る磁気記録媒体に関する。
媒体に関し、特に磁性層形成後に実用性能向上のために
保護膜として設ける硬質炭素膜の性能を最大限に生かし
得る磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅまたはそれらを主成分
とする合金を、真空蒸着法、スパッタリング法、イオン
プレーティング法等の真空中での成膜法により、ポリエ
ステル、ポリイミド等の高分子フィルムや非磁性金属か
らなる基板上に形成した強磁性金属型磁気記録媒体は、
従来の塗布型磁気記録媒体に比して記録密度を飛躍的に
向上させることが可能である。ところで、この高記録密
度化のための条件としては、記録再生欠陥を極力低減さ
せるとともに、磁気ヘッド、磁気記録媒体間のスペーシ
ングロスを極力減少させることが重要である。また磁気
記録媒体としては、耐久性をもかね備えていることが重
要である。
とする合金を、真空蒸着法、スパッタリング法、イオン
プレーティング法等の真空中での成膜法により、ポリエ
ステル、ポリイミド等の高分子フィルムや非磁性金属か
らなる基板上に形成した強磁性金属型磁気記録媒体は、
従来の塗布型磁気記録媒体に比して記録密度を飛躍的に
向上させることが可能である。ところで、この高記録密
度化のための条件としては、記録再生欠陥を極力低減さ
せるとともに、磁気ヘッド、磁気記録媒体間のスペーシ
ングロスを極力減少させることが重要である。また磁気
記録媒体としては、耐久性をもかね備えていることが重
要である。
【０００３】従来これらの条件を満足するために、磁性
層形成後に保護膜として比晶質の硬質炭素膜および滑剤
層を設けることが知られている。具体的には、硬質炭素
膜形成前にプラズマ重合膜を設ける構成（特開昭６３−
２９１１６４号公報等），グラファイト層を設ける構成
（特開平３−１９１２２号公報）あるいは金属炭化物，
島状の金属層を設ける構成（特開平３−８３２２４号公
報，特開平３−１１６５２０号公報）等がある。
層形成後に保護膜として比晶質の硬質炭素膜および滑剤
層を設けることが知られている。具体的には、硬質炭素
膜形成前にプラズマ重合膜を設ける構成（特開昭６３−
２９１１６４号公報等），グラファイト層を設ける構成
（特開平３−１９１２２号公報）あるいは金属炭化物，
島状の金属層を設ける構成（特開平３−８３２２４号公
報，特開平３−１１６５２０号公報）等がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の構成として、強磁性金属薄膜上にプラズマ重合膜ある
いはグラファイト層を設ける構成では金属薄膜と硬質炭
素膜との十分な接着性が得られず、磁気テープの場合は
耐久性が十分でなく、固定ディスクの場合は硬質炭素膜
の剥離が発生する。また金属炭化物，島状の金属層を設
ける構成では、金属あるいは金属炭化物が、硬質炭素膜
形成時にスパッタリングされ硬質炭素膜中に取り込ま
れ、これらがヘッドに凝着し、磁気テープの場合は、記
録再生時の出力低下，固定磁気ディスクの場合は、ヘッ
ドクラシュが発生する。
の構成として、強磁性金属薄膜上にプラズマ重合膜ある
いはグラファイト層を設ける構成では金属薄膜と硬質炭
素膜との十分な接着性が得られず、磁気テープの場合は
耐久性が十分でなく、固定ディスクの場合は硬質炭素膜
の剥離が発生する。また金属炭化物，島状の金属層を設
ける構成では、金属あるいは金属炭化物が、硬質炭素膜
形成時にスパッタリングされ硬質炭素膜中に取り込ま
れ、これらがヘッドに凝着し、磁気テープの場合は、記
録再生時の出力低下，固定磁気ディスクの場合は、ヘッ
ドクラシュが発生する。
【０００５】本発明の目的は、前記課題を解決するた
め、強磁性金属薄膜と硬質炭素膜との接着性を改善する
とともに、硬質炭素膜形成時に金属等が取り込まれない
磁気記録媒体を提供しようとするものである。
め、強磁性金属薄膜と硬質炭素膜との接着性を改善する
とともに、硬質炭素膜形成時に金属等が取り込まれない
磁気記録媒体を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板上に強磁性金属薄
膜を設け、前記強磁性金属薄膜上に、膜状あるいは粒状
の第１の炭素膜を設け、さらにその上に非晶質で硬質の
第２の炭素膜を設けることを特徴とする。
本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板上に強磁性金属薄
膜を設け、前記強磁性金属薄膜上に、膜状あるいは粒状
の第１の炭素膜を設け、さらにその上に非晶質で硬質の
第２の炭素膜を設けることを特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明によれば、強磁性金属薄膜上に膜状ある
いは粒状の第１の炭素膜，非晶質で硬質の第２の炭素膜
を順次形成することにより、強磁性金属薄膜と非晶質で
硬質の炭素膜との接着強度を高めるとともに、金属等を
膜中に取り込まない硬質炭素膜を形成することにより、
磁気テープにおいてはビデオテープレコーダーでの実用
性能試験で、耐久性の目安となるスチル寿命が向上する
とともに、硬質炭素膜中に金属等が取り込まれないた
め、ヘッドへの凝着がなく記録再生時の出力低下が大幅
に改善される。また固定磁気ディスクにおいては、硬質
炭素膜の剥離がなく、さらにヘッドへの凝着が発生しな
いため、ＣＳＳ試験ではヘッドクラッシュが発生せず長
時間にわたってその性能を維持することができる。
いは粒状の第１の炭素膜，非晶質で硬質の第２の炭素膜
を順次形成することにより、強磁性金属薄膜と非晶質で
硬質の炭素膜との接着強度を高めるとともに、金属等を
膜中に取り込まない硬質炭素膜を形成することにより、
磁気テープにおいてはビデオテープレコーダーでの実用
性能試験で、耐久性の目安となるスチル寿命が向上する
とともに、硬質炭素膜中に金属等が取り込まれないた
め、ヘッドへの凝着がなく記録再生時の出力低下が大幅
に改善される。また固定磁気ディスクにおいては、硬質
炭素膜の剥離がなく、さらにヘッドへの凝着が発生しな
いため、ＣＳＳ試験ではヘッドクラッシュが発生せず長
時間にわたってその性能を維持することができる。
【０００８】
【実施例】以下本発明の実施例について図面を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
【０００９】（実施例１）（図１）は本発明の（実施例
１）における磁気テープ２０の基本構造を示す。
１）における磁気テープ２０の基本構造を示す。
【００１０】（図１）中１は非磁性基板であり、３〜２
０μｍのポリエステル（ＰＥＴ）フィルムであり、２は
強磁性金属薄膜であり、０．１〜０．２μｍの膜厚でＣ
ｏ−Ｎｉ合金の斜方蒸着により酸素を導入しながら形成
される。３はバックコーティング層であり、ポリエステ
ル樹脂とカーボン等の混合体を塗布することにより形成
される。４は膜状あるいは粒状の第１の炭素膜であり、
スパッタリング法，プラズマＣＶＤ法等の真空成膜法に
より形成される。５は非晶質で硬質の第２の炭素膜であ
りプラズマＣＶＤ法等により形成される。６は滑剤層で
あり湿式塗布法あるいは真空蒸着法により形成される。
０μｍのポリエステル（ＰＥＴ）フィルムであり、２は
強磁性金属薄膜であり、０．１〜０．２μｍの膜厚でＣ
ｏ−Ｎｉ合金の斜方蒸着により酸素を導入しながら形成
される。３はバックコーティング層であり、ポリエステ
ル樹脂とカーボン等の混合体を塗布することにより形成
される。４は膜状あるいは粒状の第１の炭素膜であり、
スパッタリング法，プラズマＣＶＤ法等の真空成膜法に
より形成される。５は非晶質で硬質の第２の炭素膜であ
りプラズマＣＶＤ法等により形成される。６は滑剤層で
あり湿式塗布法あるいは真空蒸着法により形成される。
【００１１】また、（図２）は本発明の実施例における
磁気記録媒体の製造方法の一例の概要を示す。（図２）
において、２０ａは非磁性基板１上に強磁性金属薄膜２
を設けた磁気テープであり、繰り出しローラ２１に巻か
れるとともに、この繰り出しローラ２１からその張力が
制御され送り出されている。２２，２４はパスローラで
あり、磁気テープ２０と接触し回転する。２３はメイン
ローラであり、装置本体より絶縁され冷媒などを介して
接地され、磁気記録媒体２０を一定速度で搬送できるよ
う回転制御されている。２５は第１および第２の炭素膜
形成後の磁気記録媒体２０ｂを連続的に巻き取るローラ
であり、繰り出しローラ２１と同様張力制御されてい
る。
磁気記録媒体の製造方法の一例の概要を示す。（図２）
において、２０ａは非磁性基板１上に強磁性金属薄膜２
を設けた磁気テープであり、繰り出しローラ２１に巻か
れるとともに、この繰り出しローラ２１からその張力が
制御され送り出されている。２２，２４はパスローラで
あり、磁気テープ２０と接触し回転する。２３はメイン
ローラであり、装置本体より絶縁され冷媒などを介して
接地され、磁気記録媒体２０を一定速度で搬送できるよ
う回転制御されている。２５は第１および第２の炭素膜
形成後の磁気記録媒体２０ｂを連続的に巻き取るローラ
であり、繰り出しローラ２１と同様張力制御されてい
る。
【００１２】２６はスパッター用ターゲットであり、ス
パッター用電源２８と接続されている。このスパッター
電源２８は直流あるいは交流（５０Ｈｚ〜３０ＭＨ
ｚ），あるいはそれらの重畳で最高−７ｋＶの電圧が印
加できる。２７はガス導入口であり、その導入量により
仕切り板２９に囲まれる範囲の圧力を設定することがで
きる。またガス導入口２７より炭化水素系の反応ガスを
導入することによりプラズマＣＶＤ装置としても使用で
きる。これら２６〜２９で膜状あるいは粒状の第１の炭
素膜を形成する装置を構成する。３０は非晶質で硬質の
第２の炭素膜形成用プラズマノズルで、３１はプラズマ
用電極でありプラズマ用電源３３と接続されている。こ
のプラズマ用電源３３は直流あるいは交流（５０Ｈｚ〜
３０ＭＨｚ），あるいはそれらの重畳で０．０５〜７ｋ
Ｖの電圧が印加できる。
パッター用電源２８と接続されている。このスパッター
電源２８は直流あるいは交流（５０Ｈｚ〜３０ＭＨ
ｚ），あるいはそれらの重畳で最高−７ｋＶの電圧が印
加できる。２７はガス導入口であり、その導入量により
仕切り板２９に囲まれる範囲の圧力を設定することがで
きる。またガス導入口２７より炭化水素系の反応ガスを
導入することによりプラズマＣＶＤ装置としても使用で
きる。これら２６〜２９で膜状あるいは粒状の第１の炭
素膜を形成する装置を構成する。３０は非晶質で硬質の
第２の炭素膜形成用プラズマノズルで、３１はプラズマ
用電極でありプラズマ用電源３３と接続されている。こ
のプラズマ用電源３３は直流あるいは交流（５０Ｈｚ〜
３０ＭＨｚ），あるいはそれらの重畳で０．０５〜７ｋ
Ｖの電圧が印加できる。
【００１３】３２は原料ガス導入口であり、Ｈ2、Ａ
ｒ、ＣＨ系の反応ガスあるいは、ケトン系、アルコール
系等の気化したガスを０．５〜０．００１Ｔｏｒｒの分
圧で導入している。これら、プラズマノズル３０、プラ
ズマ用電極３１、原料ガス導入口３２、プラズマ用電源
３３によりプラズマＣＶＤ装置が構成される。また３４
は真空槽であり、３５は真空ポンプである。
ｒ、ＣＨ系の反応ガスあるいは、ケトン系、アルコール
系等の気化したガスを０．５〜０．００１Ｔｏｒｒの分
圧で導入している。これら、プラズマノズル３０、プラ
ズマ用電極３１、原料ガス導入口３２、プラズマ用電源
３３によりプラズマＣＶＤ装置が構成される。また３４
は真空槽であり、３５は真空ポンプである。
【００１４】以上のように構成された磁気記録媒体の製
造方法について（図２）を参照して説明する。
造方法について（図２）を参照して説明する。
【００１５】まず真空槽３４を、真空ポンプ３５で排気
し、規定の真空度に到達した後、強磁性金属薄膜２を形
成した磁気テープ２０ａは、メインローラ２３に密着
し、繰り出しローラ２１から巻取りローラ２５に向けて
連続的に送り出されている。一方第１の炭素膜４形成領
域に到達すると、電源２８からの電圧とガス導入口２７
からのＡｒガスによりターゲット２６の炭素がスパッタ
ーされ、その分子が金属薄膜２に到達して第１の炭素膜
が形成される。またガス導入口２７から反応ガスを導入
しプラズマＣＶＤ法による第１の炭素膜の形成も可能で
ある。次に非晶質で硬質の第２の炭素膜５形成領域に到
達すると、ガス導入口３２からの原料ガスとプラズマ用
電源３３からの印加電圧によりプラズマノズル３０内の
プラズマ用電極３１からプラズマのイオン電流が発生加
速され、プラズマ用電極３１に対向して位置する強磁性
金属薄膜２上の第１の炭素膜４上に到達し、非晶質で硬
質の第２の炭素膜５が形成される。
し、規定の真空度に到達した後、強磁性金属薄膜２を形
成した磁気テープ２０ａは、メインローラ２３に密着
し、繰り出しローラ２１から巻取りローラ２５に向けて
連続的に送り出されている。一方第１の炭素膜４形成領
域に到達すると、電源２８からの電圧とガス導入口２７
からのＡｒガスによりターゲット２６の炭素がスパッタ
ーされ、その分子が金属薄膜２に到達して第１の炭素膜
が形成される。またガス導入口２７から反応ガスを導入
しプラズマＣＶＤ法による第１の炭素膜の形成も可能で
ある。次に非晶質で硬質の第２の炭素膜５形成領域に到
達すると、ガス導入口３２からの原料ガスとプラズマ用
電源３３からの印加電圧によりプラズマノズル３０内の
プラズマ用電極３１からプラズマのイオン電流が発生加
速され、プラズマ用電極３１に対向して位置する強磁性
金属薄膜２上の第１の炭素膜４上に到達し、非晶質で硬
質の第２の炭素膜５が形成される。
【００１６】第１の炭素膜４は強磁性金属薄膜２上に高
いエネルギーをもって到達するため、強磁性金属と一部
が化学結合すると共に、クサビ効果により強力に結合す
る。また膜状あるいは粒状の第１の炭素膜４と非晶質で
硬質の第２の炭素膜５とは、炭素同志で化学結合すると
共に、粒状の非晶質炭素層４の形状をそのまま覆うた
め、極めて強力に強磁性金属薄膜２と結合する。従っ
て、磁気テープとしての実用性能においてスチル寿命が
大幅に向上する。さらには、非晶質で硬質の第２の炭素
膜５に金属が取り込まれないために磁気ヘッドへの金属
凝着がなく記録再生時の出力低下が大幅に改善される。
いエネルギーをもって到達するため、強磁性金属と一部
が化学結合すると共に、クサビ効果により強力に結合す
る。また膜状あるいは粒状の第１の炭素膜４と非晶質で
硬質の第２の炭素膜５とは、炭素同志で化学結合すると
共に、粒状の非晶質炭素層４の形状をそのまま覆うた
め、極めて強力に強磁性金属薄膜２と結合する。従っ
て、磁気テープとしての実用性能においてスチル寿命が
大幅に向上する。さらには、非晶質で硬質の第２の炭素
膜５に金属が取り込まれないために磁気ヘッドへの金属
凝着がなく記録再生時の出力低下が大幅に改善される。
【００１７】また、実用性能測定用に用いた磁気テープ
２０は、非磁性基板１として約１０μｍのポリエステル
フィルム上に、約１８００Åの厚さのＣｏを主成分とす
る強磁性金属薄膜２を設け、その上にラマンスペクトル
の面積強度比１．８〜２５、ビッカース硬度４０〜１１
００ｋｇ／ｍｍ2、厚さ４〜３５０Åの範囲の膜状の第
１の炭素膜、あるいは１５〜３５０Åの粒径、ラマンス
ペクトルの面積強度比１．８〜２０、ビッカース硬度８
０〜１１００ｋｇ／ｍｍ2、厚さ２０〜４００Åの粒状
の第１の炭素膜４を設けた。
２０は、非磁性基板１として約１０μｍのポリエステル
フィルム上に、約１８００Åの厚さのＣｏを主成分とす
る強磁性金属薄膜２を設け、その上にラマンスペクトル
の面積強度比１．８〜２５、ビッカース硬度４０〜１１
００ｋｇ／ｍｍ2、厚さ４〜３５０Åの範囲の膜状の第
１の炭素膜、あるいは１５〜３５０Åの粒径、ラマンス
ペクトルの面積強度比１．８〜２０、ビッカース硬度８
０〜１１００ｋｇ／ｍｍ2、厚さ２０〜４００Åの粒状
の第１の炭素膜４を設けた。
【００１８】これら膜状、粒状の形状、粒径、ラマンス
ペクトルの面積強度比およびビッカース硬度は、第１の
炭素膜４形成域の圧力、電源２８からの印加電圧、ター
ゲット２６と磁気テープ２０間の距離、磁気テープ２０
を支持するメインローラ２３の温度等の成膜条件を変更
することにより得られる。さらにその上にラマンスペク
トルの面積強度比が約１．２、ビッカース硬度８００ｋ
ｇ／ｍｍ2〜４０００ｋｇ／ｍｍ2および厚さ３０〜３０
０Åの非晶質で硬質の第２の炭素膜５を設け、さらに約
３０Åの含フッ素カルボン酸からなる滑剤層６を設け
た。
ペクトルの面積強度比およびビッカース硬度は、第１の
炭素膜４形成域の圧力、電源２８からの印加電圧、ター
ゲット２６と磁気テープ２０間の距離、磁気テープ２０
を支持するメインローラ２３の温度等の成膜条件を変更
することにより得られる。さらにその上にラマンスペク
トルの面積強度比が約１．２、ビッカース硬度８００ｋ
ｇ／ｍｍ2〜４０００ｋｇ／ｍｍ2および厚さ３０〜３０
０Åの非晶質で硬質の第２の炭素膜５を設け、さらに約
３０Åの含フッ素カルボン酸からなる滑剤層６を設け
た。
【００１９】次に前述した実施例の効果について（表
１）〜（表４）を用いて説明する。
１）〜（表４）を用いて説明する。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【表２】
【００２２】
【表３】
【００２３】
【表４】
【００２４】（表１）〜（表４）は本発明および比較例
の磁気テープ２０を、ビデオテープレコーダを用いて実
用性能を評価した時の低湿環境下でのスチル寿命および
出力低下について示したものである。
の磁気テープ２０を、ビデオテープレコーダを用いて実
用性能を評価した時の低湿環境下でのスチル寿命および
出力低下について示したものである。
【００２５】（表１）〜（表２）のサンプルＮｏ．１〜
２０は、ラマンスペクトルの面積強度比１．８〜２５、
ビッカース硬度４０〜１１００ｋｇ／ｍｍ2、厚さ４〜
３５０Åの膜状の第１の炭素膜４及び、ラマンスペクト
ルの面積強度比約１．２、ビッカース硬度２５００ｋｇ
／ｍｍ2で厚さ約１００Åの非晶質で硬質の第２の炭素
膜５を形成したものである。このときのラマンスペクト
ルの面積強度比とビッカース硬度の関係は、本実施例で
はある程度の相関があり大きく変化させることはできな
いが、可能な範囲で変化させサンプルを作成した。
２０は、ラマンスペクトルの面積強度比１．８〜２５、
ビッカース硬度４０〜１１００ｋｇ／ｍｍ2、厚さ４〜
３５０Åの膜状の第１の炭素膜４及び、ラマンスペクト
ルの面積強度比約１．２、ビッカース硬度２５００ｋｇ
／ｍｍ2で厚さ約１００Åの非晶質で硬質の第２の炭素
膜５を形成したものである。このときのラマンスペクト
ルの面積強度比とビッカース硬度の関係は、本実施例で
はある程度の相関があり大きく変化させることはできな
いが、可能な範囲で変化させサンプルを作成した。
【００２６】また効果の比較のため、第１の炭素膜４の
代わりに、（比較例１）としてプラズマ重合膜を設けた
もの、（比較例２）としてグラファイト層を設けたも
の、（比較例３）として金属炭化物を設けたもの、（比
較例４）として島状金属層を各々６０Å設けたものを用
い、（実施例１）と同様の非晶質の硬質の第２の炭素膜
５と滑剤層６を設け、同様に実用性能を測定した。
代わりに、（比較例１）としてプラズマ重合膜を設けた
もの、（比較例２）としてグラファイト層を設けたも
の、（比較例３）として金属炭化物を設けたもの、（比
較例４）として島状金属層を各々６０Å設けたものを用
い、（実施例１）と同様の非晶質の硬質の第２の炭素膜
５と滑剤層６を設け、同様に実用性能を測定した。
【００２７】（表３）〜（表４）のサンプルＮｏ．２１
〜４８は、粒状の第１の炭素膜４の粒径を約１５〜３５
０Å、ラマンスペクトルの面積強度比を１．８〜２０、
ビッカス硬度を８０〜１１００ｋｇ／ｍｍ2、厚さ２０
〜４００Åの範囲とし、その上にラマンスペクトルの面
積強度比約１．２、ビッカース硬度約２５００ｋｇ／ｍ
ｍ2で厚さ約１００Åの非晶質で硬質の第２の炭素膜５
を形成した磁気記録媒体２０を用いて、実用性能を測定
した。
〜４８は、粒状の第１の炭素膜４の粒径を約１５〜３５
０Å、ラマンスペクトルの面積強度比を１．８〜２０、
ビッカス硬度を８０〜１１００ｋｇ／ｍｍ2、厚さ２０
〜４００Åの範囲とし、その上にラマンスペクトルの面
積強度比約１．２、ビッカース硬度約２５００ｋｇ／ｍ
ｍ2で厚さ約１００Åの非晶質で硬質の第２の炭素膜５
を形成した磁気記録媒体２０を用いて、実用性能を測定
した。
【００２８】次に実用性能の評価法について説明する。
スチル寿命の具体的な評価方法として、約１０ｍ程度の
長さで８ｍｍ幅に切断した磁気テープ２０を１４ｍｍ／
ｓｅｃで走行させ相対速度３．８ｍ／ｓｅｃ、トラック
ピッチ約２０μｍで、突出が３０μｍのヘッドを２対搭
載した外径が４０ｍｍの回転シリンダ型のビデオテープ
レコーダで２３℃７０％の環境で映像信号を記録し、２
３℃１０％の環境で通常走行時の約３倍の荷重を負荷し
測定したもので、磁気記録媒体２０の強磁性金属薄膜２
まで傷が入り出力が全くでなくなった時点を寿命とし
た。出力低下の評価方法については、スチル寿命測定時
と同一のビデオテープレコーダで記録した約３０分長の
磁気テープ２０を２３℃７０％の環境下で再生を行い、
再生はじめの出力を０ｄＢとして、１００パス再生中最
も出力が低下した値と定義した。
スチル寿命の具体的な評価方法として、約１０ｍ程度の
長さで８ｍｍ幅に切断した磁気テープ２０を１４ｍｍ／
ｓｅｃで走行させ相対速度３．８ｍ／ｓｅｃ、トラック
ピッチ約２０μｍで、突出が３０μｍのヘッドを２対搭
載した外径が４０ｍｍの回転シリンダ型のビデオテープ
レコーダで２３℃７０％の環境で映像信号を記録し、２
３℃１０％の環境で通常走行時の約３倍の荷重を負荷し
測定したもので、磁気記録媒体２０の強磁性金属薄膜２
まで傷が入り出力が全くでなくなった時点を寿命とし
た。出力低下の評価方法については、スチル寿命測定時
と同一のビデオテープレコーダで記録した約３０分長の
磁気テープ２０を２３℃７０％の環境下で再生を行い、
再生はじめの出力を０ｄＢとして、１００パス再生中最
も出力が低下した値と定義した。
【００２９】（表１）〜（表２）より、スチル寿命は比
較例に対して膜状の第１の炭素膜のラマンスペクトルの
面積強度比２０〜２、ビッカース硬度５０〜１０００ｋ
ｇ／ｍｍ2、厚さ５〜３００Åの範囲で効果が認められ
る。また出力低下については、全域で改善されている
が、ラマンスペクトルの面積強度比約４、ビッカース硬
度６００ｋｇ／ｍｍ2近傍が最も良いことが確認され
た。
較例に対して膜状の第１の炭素膜のラマンスペクトルの
面積強度比２０〜２、ビッカース硬度５０〜１０００ｋ
ｇ／ｍｍ2、厚さ５〜３００Åの範囲で効果が認められ
る。また出力低下については、全域で改善されている
が、ラマンスペクトルの面積強度比約４、ビッカース硬
度６００ｋｇ／ｍｍ2近傍が最も良いことが確認され
た。
【００３０】従って、磁気テープにおいては膜状の第１
の炭素膜のラマンスペクトルの面積強度比は、２０〜
２、ビッカース硬度は５０〜１０００ｋｇ／ｍｍ2、厚
さは５〜１００Åが好ましい。また、スチル寿命の余
裕，保護膜によるスペーシングロス等を考慮すると、ラ
マンスペクトルの面積強度比は１５〜２、ビッカース硬
度は３００〜８００ｋｇ／ｍｍ2、厚さは５〜１５０Å
の範囲がより好ましい。
の炭素膜のラマンスペクトルの面積強度比は、２０〜
２、ビッカース硬度は５０〜１０００ｋｇ／ｍｍ2、厚
さは５〜１００Åが好ましい。また、スチル寿命の余
裕，保護膜によるスペーシングロス等を考慮すると、ラ
マンスペクトルの面積強度比は１５〜２、ビッカース硬
度は３００〜８００ｋｇ／ｍｍ2、厚さは５〜１５０Å
の範囲がより好ましい。
【００３１】（表３）〜（表４）より、スチル寿命につ
いては、粒状の第１の炭素膜の粒径が２０〜３００Å、
ラマンスペクトルの面積強度比は１５〜２、ビッカース
硬度が３００〜１０００ｋｇ／ｍｍ2の範囲で効果が認
められる。また出力低下については、粒径が３００Å以
上、厚さ３５０Å以上では返って悪化することが判っ
た。
いては、粒状の第１の炭素膜の粒径が２０〜３００Å、
ラマンスペクトルの面積強度比は１５〜２、ビッカース
硬度が３００〜１０００ｋｇ／ｍｍ2の範囲で効果が認
められる。また出力低下については、粒径が３００Å以
上、厚さ３５０Å以上では返って悪化することが判っ
た。
【００３２】従って、磁気テープにおいては粒状の第１
の炭素膜の粒径は２０〜３００Å、ラマンスペクトルの
面積強度比は１５〜２，ビッカース硬度は１００〜１０
００ｋｇ／ｍｍ2、厚さは３０〜３５０Åが好ましい。
また、スチル寿命の余裕，出力低下の値、保護膜による
スペーシングロス等を考慮すると、粒径は３０〜２００
Å，ラマンスペクトルの面積強度比は１０〜２，ビッカ
ース硬度は３００〜８００ｋｇ／ｍｍ2、厚さは３０〜
１５０Åの範囲がより好ましい。
の炭素膜の粒径は２０〜３００Å、ラマンスペクトルの
面積強度比は１５〜２，ビッカース硬度は１００〜１０
００ｋｇ／ｍｍ2、厚さは３０〜３５０Åが好ましい。
また、スチル寿命の余裕，出力低下の値、保護膜による
スペーシングロス等を考慮すると、粒径は３０〜２００
Å，ラマンスペクトルの面積強度比は１０〜２，ビッカ
ース硬度は３００〜８００ｋｇ／ｍｍ2、厚さは３０〜
１５０Åの範囲がより好ましい。
【００３３】また膜状あるいは粒状の第１の炭素膜のラ
マンスペクトルの面積強度比、硬度の範囲については、
膜自体がその上の非晶質で硬質の第２の炭素膜形成時に
化学結合できる程度の活性点が存在する程度の膜がよ
く、面積強度比２以下あるいはビッカース硬度が１００
０ｋｇ／ｍｍ2を越えると膜表面の安定度が向上し、接
着強度が低下するものと考えられる。
マンスペクトルの面積強度比、硬度の範囲については、
膜自体がその上の非晶質で硬質の第２の炭素膜形成時に
化学結合できる程度の活性点が存在する程度の膜がよ
く、面積強度比２以下あるいはビッカース硬度が１００
０ｋｇ／ｍｍ2を越えると膜表面の安定度が向上し、接
着強度が低下するものと考えられる。
【００３４】以上の結果より、強磁性金属薄膜上に第１
の炭素膜は高エネルギー到達するため、強磁性金属と一
部が化学結合すると共に、クサビ効果により強力に結合
し、また第１の炭素膜と非晶質で硬質の第２の炭素膜と
は、炭素同志で化学結合すると共に、膜状の場合は、そ
の上の第２の炭素膜と相互影響する範囲が最も良いと考
えられる。また粒状の場合は、非晶質で硬質の第２の炭
素膜が形状をそのまま覆うため、極めて強力に強磁性金
属薄膜２と結合すると考えられ、磁気テープとしての実
用性能において硬質の保護膜でヘッドとの摺動によるせ
ん断力による非晶質の硬質炭素膜の剥離を防止するため
スチル寿命が向上すると考えられる。さらには、非晶質
で硬質の第２の炭素膜に金属が取り込まれないために磁
気ヘッドへの金属凝着がなく記録再生時の出力低下が大
幅に改善されると考えられる。
の炭素膜は高エネルギー到達するため、強磁性金属と一
部が化学結合すると共に、クサビ効果により強力に結合
し、また第１の炭素膜と非晶質で硬質の第２の炭素膜と
は、炭素同志で化学結合すると共に、膜状の場合は、そ
の上の第２の炭素膜と相互影響する範囲が最も良いと考
えられる。また粒状の場合は、非晶質で硬質の第２の炭
素膜が形状をそのまま覆うため、極めて強力に強磁性金
属薄膜２と結合すると考えられ、磁気テープとしての実
用性能において硬質の保護膜でヘッドとの摺動によるせ
ん断力による非晶質の硬質炭素膜の剥離を防止するため
スチル寿命が向上すると考えられる。さらには、非晶質
で硬質の第２の炭素膜に金属が取り込まれないために磁
気ヘッドへの金属凝着がなく記録再生時の出力低下が大
幅に改善されると考えられる。
【００３５】なお、（表１）〜（表４）に記載した（実
施例１）のサンプルは、ラマンスペクトルの面積強度比
が約１．２、ビッカース硬度が約２５００ｋｇ／ｍ
ｍ2、厚さが約１００Åの非晶質で硬質の第２の炭素膜
５を用いたが、ラマンスペクトルの面積強度比は０．８
〜３、ビッカース硬度は１０００ｋｇ／ｍｍ2以上、厚
さは７０〜２００Åの範囲が適切であった。
施例１）のサンプルは、ラマンスペクトルの面積強度比
が約１．２、ビッカース硬度が約２５００ｋｇ／ｍ
ｍ2、厚さが約１００Åの非晶質で硬質の第２の炭素膜
５を用いたが、ラマンスペクトルの面積強度比は０．８
〜３、ビッカース硬度は１０００ｋｇ／ｍｍ2以上、厚
さは７０〜２００Åの範囲が適切であった。
【００３６】（実施例２）（図３）は本発明の（実施例
２）における固定磁気ディスク４０の基本構造を示す。
１は非磁性基板で、約１．２ｍｍのアルミニウム基板で
あり、約２０μｍのＮｉ−Ｐメッキ１ａをし、その上に
強磁性金属薄膜２の配向性改善のために下地Ｃｒ１ｂと
して約２０００Å厚さのＣｒをスパッタリング法により
形成している。２は強磁性金属薄膜であり約７００Åの
膜厚でＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の合金をスパッタリング法に
より形成する。４は膜状あるいは粒状の第１の炭素膜で
あり、スパッタリング法，プラズマＣＶＤ法等の真空成
膜法により形成される。５は非晶質で硬質の第２の炭素
膜でありプラズマＣＶＤ法等により形成される。６は滑
剤層であり湿式塗布法により形成される。
２）における固定磁気ディスク４０の基本構造を示す。
１は非磁性基板で、約１．２ｍｍのアルミニウム基板で
あり、約２０μｍのＮｉ−Ｐメッキ１ａをし、その上に
強磁性金属薄膜２の配向性改善のために下地Ｃｒ１ｂと
して約２０００Å厚さのＣｒをスパッタリング法により
形成している。２は強磁性金属薄膜であり約７００Åの
膜厚でＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の合金をスパッタリング法に
より形成する。４は膜状あるいは粒状の第１の炭素膜で
あり、スパッタリング法，プラズマＣＶＤ法等の真空成
膜法により形成される。５は非晶質で硬質の第２の炭素
膜でありプラズマＣＶＤ法等により形成される。６は滑
剤層であり湿式塗布法により形成される。
【００３７】また、（図４）は本発明の別の実施例にお
ける製造方法の一例を示す概略図である。本実施例が
（実施例１）と大きく異なるのは、磁気テープを搬送す
るための繰り出しローラ２１〜巻取りローラ２５の代わ
りにキャリアー５１を設け、キャリアー５１に固定磁気
ディスクを装着するための装着室５３、各々の処理室間
の真空シールのための仕切バルブ５２及び処理された固
定磁気ディスクを取り出すための取出し室５４を設けた
点である。その他の部分は（実施例１）と同様であるの
で、同一符号を付与するにとどめ詳細な説明は省略す
る。
ける製造方法の一例を示す概略図である。本実施例が
（実施例１）と大きく異なるのは、磁気テープを搬送す
るための繰り出しローラ２１〜巻取りローラ２５の代わ
りにキャリアー５１を設け、キャリアー５１に固定磁気
ディスクを装着するための装着室５３、各々の処理室間
の真空シールのための仕切バルブ５２及び処理された固
定磁気ディスクを取り出すための取出し室５４を設けた
点である。その他の部分は（実施例１）と同様であるの
で、同一符号を付与するにとどめ詳細な説明は省略す
る。
【００３８】以上のように構成された本実施例に付いて
（図４）を参照しながら説明する。まず装着室５３を大
気解放し、強磁性金属薄膜２までが形成された固定磁気
ディスクをキャリアー５１に装着する。次に装着室５３
を真空排気し、規定の真空度に到達した時点で、仕切り
バルブ５２を解放しキャリアー５１が第１の炭素膜形成
域に送られる。以降は（実施例１）と全く同様の方法に
て膜状あるいは粒状の第１の炭素膜４および非晶質で硬
質の第２の炭素膜５が形成されるので詳細な説明は省略
する。
（図４）を参照しながら説明する。まず装着室５３を大
気解放し、強磁性金属薄膜２までが形成された固定磁気
ディスクをキャリアー５１に装着する。次に装着室５３
を真空排気し、規定の真空度に到達した時点で、仕切り
バルブ５２を解放しキャリアー５１が第１の炭素膜形成
域に送られる。以降は（実施例１）と全く同様の方法に
て膜状あるいは粒状の第１の炭素膜４および非晶質で硬
質の第２の炭素膜５が形成されるので詳細な説明は省略
する。
【００３９】また、実用性能測定用に用いた固定磁気デ
ィスク４０は、非磁性基板１として、３．５インチのア
ルミニウム基板に、約２０μｍのＮｉ−Ｐメッキをし、
その上に約２０００Å厚さのＣｒをスパッタリング法に
より形成したものを用い、強磁性金属薄膜２として約７
００Åの膜厚でＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の合金をスパッタリ
ング法により形成する。その上にラマンスペクトルの面
積強度比１．８〜２５、ビッカース硬度４０〜１１００
ｋｇ／ｍｍ2、厚さ８〜３５０Åの範囲の膜状の第１の
炭素膜、あるいは２０〜３５０Åの粒径、ラマンスペク
トルの面積強度比１．８〜２５、ビッカース硬度８０〜
１１００ｋｇ／ｍｍ2，厚さ３０〜４００Åの粒状の第
１の炭素膜４を設けた。
ィスク４０は、非磁性基板１として、３．５インチのア
ルミニウム基板に、約２０μｍのＮｉ−Ｐメッキをし、
その上に約２０００Å厚さのＣｒをスパッタリング法に
より形成したものを用い、強磁性金属薄膜２として約７
００Åの膜厚でＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の合金をスパッタリ
ング法により形成する。その上にラマンスペクトルの面
積強度比１．８〜２５、ビッカース硬度４０〜１１００
ｋｇ／ｍｍ2、厚さ８〜３５０Åの範囲の膜状の第１の
炭素膜、あるいは２０〜３５０Åの粒径、ラマンスペク
トルの面積強度比１．８〜２５、ビッカース硬度８０〜
１１００ｋｇ／ｍｍ2，厚さ３０〜４００Åの粒状の第
１の炭素膜４を設けた。
【００４０】これた膜状、粒状の形状、粒径、ラマンス
ペクトルの面積強度比およびビッカース硬度は、第１の
炭素膜４形成域の圧力、電源２８からの印加電圧，ター
ゲット２６と磁気ディスク４０間の距離、磁気ディスク
４０の温度等の成膜条件を変更することにより得られ
る。さらにその上にラマンスペクトルの面積強度比が約
１．２、ビッカース硬度８００ｋｇ／ｍｍ2〜４０００
ｋｇ／ｍｍ2および厚さ３０〜３００Åの非晶質で硬質
の第２の炭素膜５を設け、さらに約３０Åの含フッ素カ
ルボン酸からなる滑剤層６を設けた。
ペクトルの面積強度比およびビッカース硬度は、第１の
炭素膜４形成域の圧力、電源２８からの印加電圧，ター
ゲット２６と磁気ディスク４０間の距離、磁気ディスク
４０の温度等の成膜条件を変更することにより得られ
る。さらにその上にラマンスペクトルの面積強度比が約
１．２、ビッカース硬度８００ｋｇ／ｍｍ2〜４０００
ｋｇ／ｍｍ2および厚さ３０〜３００Åの非晶質で硬質
の第２の炭素膜５を設け、さらに約３０Åの含フッ素カ
ルボン酸からなる滑剤層６を設けた。
【００４１】次に前述した実施例の効果について（表
５）〜（表８）を用いて説明する。
５）〜（表８）を用いて説明する。
【００４２】
【表５】
【００４３】
【表６】
【００４４】
【表７】
【００４５】
【表８】
【００４６】（表５）〜（表８）は本発明および比較例
の固定磁気ディスク４０を、市販の固定磁気ディスクド
ライブを用いてＣＳＳ（コンタクトスタートストップ）
試験を行なった結果について示したものである。
の固定磁気ディスク４０を、市販の固定磁気ディスクド
ライブを用いてＣＳＳ（コンタクトスタートストップ）
試験を行なった結果について示したものである。
【００４７】（表５）〜（表６）のサンプルＮｏ．５１
〜６０は、ラマンスペクトルの面積強度比１．８〜２
５、ビッカース硬度４０〜１１００ｋｇ／ｍｍ2，厚さ
８〜３５０Åの膜状の第１の炭素膜４及び、ラマンスペ
クトルの面積強度比約１．２、ビッカース硬度約２５０
０ｋｇ／ｍｍ2で厚さ約２００Åの非晶質で硬質の第２
の炭素膜５を形成したものである。このときのラマンス
ペクトルの面積強度比とビッカース硬度の関係は、本実
施例ではある程度の相関があり大きく変化させることは
できないが、可能な範囲で変化させサンプルを作成し
た。
〜６０は、ラマンスペクトルの面積強度比１．８〜２
５、ビッカース硬度４０〜１１００ｋｇ／ｍｍ2，厚さ
８〜３５０Åの膜状の第１の炭素膜４及び、ラマンスペ
クトルの面積強度比約１．２、ビッカース硬度約２５０
０ｋｇ／ｍｍ2で厚さ約２００Åの非晶質で硬質の第２
の炭素膜５を形成したものである。このときのラマンス
ペクトルの面積強度比とビッカース硬度の関係は、本実
施例ではある程度の相関があり大きく変化させることは
できないが、可能な範囲で変化させサンプルを作成し
た。
【００４８】また効果の比較のため、第１の炭素膜４の
代わりに、（比較例５）としてプラズマ重合膜を設けた
もの、（比較例６）としてグラファイト層を設けたも
の、（比較例７）として金属炭化物を設けたもの、（比
較例８）として島状金属層を各々１５０Å設けたものを
用い、（実施例１）と同様の非晶質で硬質の第２の炭素
膜５と滑剤層６を設け、同様にＣＣＳ試験をおこなっ
た。
代わりに、（比較例５）としてプラズマ重合膜を設けた
もの、（比較例６）としてグラファイト層を設けたも
の、（比較例７）として金属炭化物を設けたもの、（比
較例８）として島状金属層を各々１５０Å設けたものを
用い、（実施例１）と同様の非晶質で硬質の第２の炭素
膜５と滑剤層６を設け、同様にＣＣＳ試験をおこなっ
た。
【００４９】（表７）〜（表８）のサンプルＮｏ．７１
〜９７は、粒状の第１の炭素膜４の粒径を約２０〜３５
０Å、ラマンスペクトルの面積強度比を１．８〜２０、
ビッカス硬度を８０〜１１００ｋｇ／ｍｍ2、厚さを３
０〜４００Åの範囲とし、その上にラマンスペクトルの
面積強度比約１．２、ビッカース硬度約２５００ｋｇ／
ｍｍ2で厚さ約２００Åの非晶質で硬質の第２の炭素膜
５を形成した磁気ディスク４０を用いて、ＣＳＳ試験を
行なった。
〜９７は、粒状の第１の炭素膜４の粒径を約２０〜３５
０Å、ラマンスペクトルの面積強度比を１．８〜２０、
ビッカス硬度を８０〜１１００ｋｇ／ｍｍ2、厚さを３
０〜４００Åの範囲とし、その上にラマンスペクトルの
面積強度比約１．２、ビッカース硬度約２５００ｋｇ／
ｍｍ2で厚さ約２００Åの非晶質で硬質の第２の炭素膜
５を形成した磁気ディスク４０を用いて、ＣＳＳ試験を
行なった。
【００５０】ＣＳＳ試験の方法は、固定磁気ディスクド
ライブのスライダーにアルチックを用い、約３６００ｒ
ｐｍ回転している固定磁気ディスク上に約１０ｇｆの荷
重を負荷し、約３０ｓｅｃの周期で、固定磁気ディスク
上へ着陸、離陸を繰り返す方法であり、（表５）〜（表
８）には固定磁気ディスク上に傷が付きヘッドがクラッ
シュするまでのＣＳＳ回数を記載した。また試験環境は
５℃１０％である。
ライブのスライダーにアルチックを用い、約３６００ｒ
ｐｍ回転している固定磁気ディスク上に約１０ｇｆの荷
重を負荷し、約３０ｓｅｃの周期で、固定磁気ディスク
上へ着陸、離陸を繰り返す方法であり、（表５）〜（表
８）には固定磁気ディスク上に傷が付きヘッドがクラッ
シュするまでのＣＳＳ回数を記載した。また試験環境は
５℃１０％である。
【００５１】（表５）〜（表６）より、ＣＳＳ試験結果
は、比較例に対して膜状の第１の炭素膜のラマンスペク
トルの面積強度比１５〜２，ビッカース硬度１００〜１
０００ｋｇ／ｍｍ2、厚さ１０〜３００Åの範囲で効果
が認められる。
は、比較例に対して膜状の第１の炭素膜のラマンスペク
トルの面積強度比１５〜２，ビッカース硬度１００〜１
０００ｋｇ／ｍｍ2、厚さ１０〜３００Åの範囲で効果
が認められる。
【００５２】従って、磁気ディスクにおいては膜状の第
１の炭素膜のラマンスペクトルの面積強度比は、１５〜
２、ビッカース硬度は１００〜１０００ｋｇ／ｍｍ2、
厚さは１０〜３００Åが好ましい。また、ＣＳＳ特性の
余裕，保護膜によるスペーシングロス等を考慮すると、
ラマンスペクトルの面積強度比は１０〜２、ビッカース
硬度は３００〜８００ｋｇ／ｍｍ2、厚さは１０〜２０
０Åの範囲がより好ましい。
１の炭素膜のラマンスペクトルの面積強度比は、１５〜
２、ビッカース硬度は１００〜１０００ｋｇ／ｍｍ2、
厚さは１０〜３００Åが好ましい。また、ＣＳＳ特性の
余裕，保護膜によるスペーシングロス等を考慮すると、
ラマンスペクトルの面積強度比は１０〜２、ビッカース
硬度は３００〜８００ｋｇ／ｍｍ2、厚さは１０〜２０
０Åの範囲がより好ましい。
【００５３】（表７）〜（表８）より、ＣＳＳ特性につ
いては、粒状の第１の炭素膜の粒径が２０〜３００Å、
ラマンスペクトルの面積強度比は１５〜２、ビッカース
硬度が１００〜１０００ｋｇ／ｍｍ2の範囲で効果が認
められる。また粒径が３００Å以上，厚さ３５０Å以上
では返って悪化することが判った。
いては、粒状の第１の炭素膜の粒径が２０〜３００Å、
ラマンスペクトルの面積強度比は１５〜２、ビッカース
硬度が１００〜１０００ｋｇ／ｍｍ2の範囲で効果が認
められる。また粒径が３００Å以上，厚さ３５０Å以上
では返って悪化することが判った。
【００５４】従って、磁気ディスクにおいては粒状の第
１の炭素膜の粒径は２０〜３００Å、ラマンスペクトル
の面積強度比は１５〜２，ビッカース硬度は１００〜１
０００ｋｇ／ｍｍ2、厚さは３０〜３５０Åが好まし
い。また、ＣＳＳ特性の余裕、保護膜によるスペーシン
グロス等を考慮すると、粒径は３０〜２００Å，ラマン
スペクトルの面積強度比は１０〜２、ビッカース硬度は
３００〜８００ｋｇ／ｍｍ2、厚さは３０〜２００Åの
範囲がより好ましい。
１の炭素膜の粒径は２０〜３００Å、ラマンスペクトル
の面積強度比は１５〜２，ビッカース硬度は１００〜１
０００ｋｇ／ｍｍ2、厚さは３０〜３５０Åが好まし
い。また、ＣＳＳ特性の余裕、保護膜によるスペーシン
グロス等を考慮すると、粒径は３０〜２００Å，ラマン
スペクトルの面積強度比は１０〜２、ビッカース硬度は
３００〜８００ｋｇ／ｍｍ2、厚さは３０〜２００Åの
範囲がより好ましい。
【００５５】また膜状あるいは粒状の第１の炭素膜のラ
マンスペクトルの面積強度比、硬度の範囲については、
膜自体がその上の非晶質で硬質の第２の炭素膜形成時に
化学結合できる程度の活性点が存在する程度の膜がよ
く、面積強度比２以下あるいはビッカース硬度が１００
０ｋｇ／ｍｍ2を越えると膜表面の安定度が向上し、接
着強度が低下するものと考えられる。
マンスペクトルの面積強度比、硬度の範囲については、
膜自体がその上の非晶質で硬質の第２の炭素膜形成時に
化学結合できる程度の活性点が存在する程度の膜がよ
く、面積強度比２以下あるいはビッカース硬度が１００
０ｋｇ／ｍｍ2を越えると膜表面の安定度が向上し、接
着強度が低下するものと考えられる。
【００５６】以上の結果より、強磁性金属薄膜上に第１
の炭素膜は高エネルギー到達するため、強磁性金属と一
部が化学結合すると共に、クサビ効果により強力に結合
し、また第１の炭素膜と非晶質で硬質の第２の炭素膜と
は、炭素同志で化学結合すると共に、膜状の場合は、そ
の上の第２の炭素膜と相互影響する範囲が最も良いと考
えられる。
の炭素膜は高エネルギー到達するため、強磁性金属と一
部が化学結合すると共に、クサビ効果により強力に結合
し、また第１の炭素膜と非晶質で硬質の第２の炭素膜と
は、炭素同志で化学結合すると共に、膜状の場合は、そ
の上の第２の炭素膜と相互影響する範囲が最も良いと考
えられる。
【００５７】また粒状の場合は、非晶質で硬質の第２の
炭素膜が形状をそのまま覆うため、極めて強力に強磁性
金属薄膜２と結合すると考えられ、磁気ディスクとして
のＣＳＳ試験において、硬質の保護膜でヘッドとの摺動
によるせん断力による非晶質で硬質の第２の炭素膜の剥
離を防止するため低い摩擦係数を維持し、ヘッドクラッ
シュが発生せず、ＣＳＳ特性が向上すると考えられる。
さらには、非晶質で硬質の第２の炭素膜に金属が取り込
まれないために磁気ヘッドへの金属凝着がないために、
ヘッドクラッシュ発生せずＣＳＳ特性が向上すると考え
られる。
炭素膜が形状をそのまま覆うため、極めて強力に強磁性
金属薄膜２と結合すると考えられ、磁気ディスクとして
のＣＳＳ試験において、硬質の保護膜でヘッドとの摺動
によるせん断力による非晶質で硬質の第２の炭素膜の剥
離を防止するため低い摩擦係数を維持し、ヘッドクラッ
シュが発生せず、ＣＳＳ特性が向上すると考えられる。
さらには、非晶質で硬質の第２の炭素膜に金属が取り込
まれないために磁気ヘッドへの金属凝着がないために、
ヘッドクラッシュ発生せずＣＳＳ特性が向上すると考え
られる。
【００５８】なお、（表５）〜（表８）に記載した（実
施例２）のサンプルは、ラマンスペクトルの面積強度比
が約１．２、ビッカース硬度が約２５００ｋｇ／ｍ
ｍ2、厚さが約２００Åの非晶質で硬質の第２の炭素膜
５を用いたが、ラマンスペクトルの面積強度比は０．８
〜３、ビッカース硬度は１０００ｋｇ／ｍｍ2以上，厚
さは１００〜３００Åの範囲が適切であった。
施例２）のサンプルは、ラマンスペクトルの面積強度比
が約１．２、ビッカース硬度が約２５００ｋｇ／ｍ
ｍ2、厚さが約２００Åの非晶質で硬質の第２の炭素膜
５を用いたが、ラマンスペクトルの面積強度比は０．８
〜３、ビッカース硬度は１０００ｋｇ／ｍｍ2以上，厚
さは１００〜３００Åの範囲が適切であった。
【００５９】また（実施例１）および（実施例２）とも
第１の炭素膜の形成にスパッター法あるいはプラズマＣ
ＶＤ法を採用したが、炭素のイオン化蒸着あるいはクラ
スターイオン化蒸着でも同様の膜状あるいは粒状の第１
の炭素膜を得ることができる。
第１の炭素膜の形成にスパッター法あるいはプラズマＣ
ＶＤ法を採用したが、炭素のイオン化蒸着あるいはクラ
スターイオン化蒸着でも同様の膜状あるいは粒状の第１
の炭素膜を得ることができる。
【００６０】なお、（図５）はビッカース硬度が約６０
０ｋｇ／ｍｍ2の時の粒状の第１の炭素膜のラマンスペ
クトルを示し、（図６）はビッカース硬度が約２５００
ｋｇ／ｍｍ2の時の非晶質で硬質の第２の炭素膜のラマ
ンスペクトルを示す。
０ｋｇ／ｍｍ2の時の粒状の第１の炭素膜のラマンスペ
クトルを示し、（図６）はビッカース硬度が約２５００
ｋｇ／ｍｍ2の時の非晶質で硬質の第２の炭素膜のラマ
ンスペクトルを示す。
【００６１】（図５）においてその面積強度比は約４で
あり、（図６）では約１．２で硬度が高い程その値が小
さく、ｓｐ3性が高い炭素膜であると言える。
あり、（図６）では約１．２で硬度が高い程その値が小
さく、ｓｐ3性が高い炭素膜であると言える。
【００６２】
【発明の効果】本発明によれば、強磁性金属薄膜上に膜
状あるいは粒状の第１の炭素膜、非晶質で硬質の第２の
炭素膜を順次形成することにより、強磁性金属薄膜と非
晶質で硬質の第２の炭素膜との接着強度を高めるととも
に、金属等を膜中に取り込まない非晶質で硬質の第２の
炭素膜を形成することができる。
状あるいは粒状の第１の炭素膜、非晶質で硬質の第２の
炭素膜を順次形成することにより、強磁性金属薄膜と非
晶質で硬質の第２の炭素膜との接着強度を高めるととも
に、金属等を膜中に取り込まない非晶質で硬質の第２の
炭素膜を形成することができる。
【００６３】従って磁気テープにおいては、ビデオテー
プレコーダーでの実用性能試験で、耐久性の目安となる
スチル寿命が向上するとともに、非晶質で硬質の第２の
炭素膜中に金属等が取り込まれないため、ヘッドへの凝
着がなく記録再生時の出力低下が大幅に改善される。ま
た固定磁気ディスクにおいては、非晶質で硬質の第２の
炭素膜の剥離がなく、さらにヘッドへの凝着が発生しな
いため、ＣＳＳ試験ではヘッドクラシュが発生せず長時
間にわたってその性能を維持することができる。
プレコーダーでの実用性能試験で、耐久性の目安となる
スチル寿命が向上するとともに、非晶質で硬質の第２の
炭素膜中に金属等が取り込まれないため、ヘッドへの凝
着がなく記録再生時の出力低下が大幅に改善される。ま
た固定磁気ディスクにおいては、非晶質で硬質の第２の
炭素膜の剥離がなく、さらにヘッドへの凝着が発生しな
いため、ＣＳＳ試験ではヘッドクラシュが発生せず長時
間にわたってその性能を維持することができる。
【図１】磁気テープの断面図である。
【図２】本発明の（実施例１）の製造法の一例として
の、磁気テープの場合の膜状あるいは粒状の第１の炭素
膜を形成するための真空成膜装置、非晶質で硬質の第２
の炭素膜を形成するためのプラズマＣＶＤ装置を設けた
場合の製造法を示す概略図である。
の、磁気テープの場合の膜状あるいは粒状の第１の炭素
膜を形成するための真空成膜装置、非晶質で硬質の第２
の炭素膜を形成するためのプラズマＣＶＤ装置を設けた
場合の製造法を示す概略図である。
【図３】固定磁気ディスクの断面図である。
【図４】本発明の（実施例２）の製造法の一例として
の、固定磁気ディスクの場合の膜状あるいは粒状の第１
の炭素膜を形成するための真空成膜装置、非晶質で硬質
の第２の炭素膜を形成するためのプラズマＣＶＤ装置を
設けた場合の製造法を示す概略図である。
の、固定磁気ディスクの場合の膜状あるいは粒状の第１
の炭素膜を形成するための真空成膜装置、非晶質で硬質
の第２の炭素膜を形成するためのプラズマＣＶＤ装置を
設けた場合の製造法を示す概略図である。
【図５】第１の炭素膜のラマンスペクトルである。
【図６】第２の炭素膜のラマンスペクトルである。
１ 非磁性基板 ２ 強磁性金属薄膜 ３ バックコーティング層 ４ 第１の炭素膜 ５ 第２の炭素膜 ６ 滑剤層 ２０ 磁気テープ ２１ 繰り出しローラ ２２ パスローラ ２３ メインローラ ２４ パスローラ ２５ 巻き取りローラ ２６ スパッター用ターゲット ２７ ガス導入口 ２８ スパッター用電源 ２９ 仕切り板 ３０ プラズマノズル ３１ プラズマ発生用電極 ３２ 原料ガス導入口 ３３ プラズマ用電源 ３４ 真空槽 ３５ 真空ポンプ ４０ 固定磁気ディスク １ａ ＮｉーＰメッキ １ｂ 下地Ｃｒ ５１ キャリアー ５２ 仕切りバルブ ５３ 装着室 ５４ 取り出し室
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 植田 英之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 大地 幸和 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 樋渡 竜也 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 非磁性基板上に強磁性金属薄膜を設け、
前記強磁性金属薄膜上に、ラマン分光分析時のラマンス
ペクトルにおいて、１３８０ｃｍ-1付近に現われるピー
クを（Ａ）、１５５０ｃｍ-1付近に現われるピークを
（Ｂ）とし、各々をガウス関数を用いてフィッティング
した時の、（Ａ）の面積強度を（Ｂ）の面積強度で除し
た値（以降ラマンスペクトルの面積強度比と称する）が
２〜２０である膜状の第１の炭素膜を設け、さらにその
上にラマンスペクトルの面積強度比が０．８〜３、かつ
ビッカース硬度が１０００ｋｇ／ｍｍ2以上、かつ厚さ
が５０〜３００Ａである非晶質で硬質の第２の炭素膜を
設けることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 非磁性基板上に強磁性金属薄膜を設け、
前記強磁性金属薄膜上に、ビッカース硬度が５０〜１０
００ｋｇ／ｍｍ2である第１の炭素膜を設け、さらにそ
の上に請求項１記載の第２の炭素膜を設けることを特徴
とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】 非磁性基板上に強磁性金属薄膜を設け、
前記強磁性金属薄膜上に、ラマンスペクトルの面積強度
比が２〜２０、かつビッカース硬度が５０〜１０００ｋ
ｇ／ｍｍ2である第１の炭素膜を設け、さらにその上に
請求項１記載の第２の炭素膜を設けることを特徴とする
磁気記録媒体。 - 【請求項４】 第１の炭素膜の厚さが５〜３００Åであ
ることを特徴とする請求項３記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 非磁性基板上に強磁性金属薄膜を設け、
前記強磁性金属薄膜上に、粒径が２０〜３００Åの粒状
の第１の炭素膜を設け、さらにその上に請求項１記載の
第２の炭素膜を設けることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項６】 第１の炭素膜のラマンスペクトルの面積
強度比が２〜１５であることを特徴とする請求項５記載
の磁気記録媒体。 - 【請求項７】 第１の炭素膜のビッカース硬度が１００
〜１０００ｋｇ／ｍｍ 2であることを特徴とする請求項
５記載の磁気記録媒体。 - 【請求項８】 第１の炭素膜のラマンスペクトルの面積
強度比が２〜１５、かつビッカース硬度が１００〜１０
００ｋｇ／ｍｍ2であることを特徴とする請求項５記載
の磁気記録媒体。 - 【請求項９】 第１の炭素膜のラマンスペクトルの面積
強度比が２〜１５、かつビッカース硬度が１００〜１０
００ｋｇ／ｍｍ2、かつその厚さが３０〜３５０Åであ
ることを特徴とする請求項５記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3279198A JP2830544B2 (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 磁気記録媒体 |
| DE69211945T DE69211945T2 (de) | 1991-10-25 | 1992-10-22 | Magnetisches Aufzeichnungsmedium |
| EP92118080A EP0538855B1 (en) | 1991-10-25 | 1992-10-22 | Magnetic recording medium |
| US07/964,861 US5364690A (en) | 1991-10-25 | 1992-10-22 | Magnetic recording medium comprising a ferromagnetic metal film and two carbon protective layers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3279198A JP2830544B2 (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05325175A true JPH05325175A (ja) | 1993-12-10 |
| JP2830544B2 JP2830544B2 (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=17607803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3279198A Expired - Lifetime JP2830544B2 (ja) | 1991-10-25 | 1991-10-25 | 磁気記録媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5364690A (ja) |
| EP (1) | EP0538855B1 (ja) |
| JP (1) | JP2830544B2 (ja) |
| DE (1) | DE69211945T2 (ja) |
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| EP2000560A1 (en) | 1999-07-08 | 2008-12-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd | Hard coating and coated member |
| JP2018119682A (ja) * | 2017-01-26 | 2018-08-02 | Toto株式会社 | 水栓バルブ |
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| US6805941B1 (en) * | 1992-11-19 | 2004-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| US5637373A (en) * | 1992-11-19 | 1997-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
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| JPH08124149A (ja) * | 1994-10-25 | 1996-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| RU2095464C1 (ru) * | 1996-01-12 | 1997-11-10 | Акционерное общество закрытого типа "Тетра" | Биокарбон, способ его получения и устройство для его осуществления |
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| US5364690A (en) | 1994-11-15 |
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