JPH071546B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH071546B2 JPH071546B2 JP12122386A JP12122386A JPH071546B2 JP H071546 B2 JPH071546 B2 JP H071546B2 JP 12122386 A JP12122386 A JP 12122386A JP 12122386 A JP12122386 A JP 12122386A JP H071546 B2 JPH071546 B2 JP H071546B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- recording medium
- gas
- film
- magnetic layer
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- Expired - Lifetime
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、耐久性に優れた磁気記録媒体の製造方法に関
する。
する。
〔従来の技術〕 一般に、、強磁性金属もくしは合金を真空蒸着、スパッ
タリング等によって基体上に被着するか、また磁性粉末
を結合剤成分とともに基体上に結着してつくられる磁気
記録媒体は、記録再生時に磁気ヘッド等と激しく摺接す
るため、磁性層が摩耗しやすく、特に真空蒸着等によっ
て形成される強磁性金属薄膜層は、高密度記録に適した
特性を有する反面、磁気ヘッドとの摩擦係数が大で摩耗
や損傷を浮けやすく、耐久性に劣るという難点があっ
た。
タリング等によって基体上に被着するか、また磁性粉末
を結合剤成分とともに基体上に結着してつくられる磁気
記録媒体は、記録再生時に磁気ヘッド等と激しく摺接す
るため、磁性層が摩耗しやすく、特に真空蒸着等によっ
て形成される強磁性金属薄膜層は、高密度記録に適した
特性を有する反面、磁気ヘッドとの摩擦係数が大で摩耗
や損傷を浮けやすく、耐久性に劣るという難点があっ
た。
このため、従来から磁性層上に種々の保護膜層を設ける
などして耐摩耗性を改善する努力が払われており、たと
えば炭化水素系化合物を用いて炭素を主成分とする皮膜
を設けたり（特開昭53−143206号）、ダイヤモンド構造
をもつカーボン膜を設ける（特開昭59−127232号）こと
などが提案されている。
などして耐摩耗性を改善する努力が払われており、たと
えば炭化水素系化合物を用いて炭素を主成分とする皮膜
を設けたり（特開昭53−143206号）、ダイヤモンド構造
をもつカーボン膜を設ける（特開昭59−127232号）こと
などが提案されている。
しかし、これらの炭素を主成分とする皮膜を設けたもの
やダイヤモンド構造をもつカーボン膜を設けたものは耐
摩耗性を改善するものの未だ十分でなく、十分に良好な
耐久性が得られるまでに至っていない。
やダイヤモンド構造をもつカーボン膜を設けたものは耐
摩耗性を改善するものの未だ十分でなく、十分に良好な
耐久性が得られるまでに至っていない。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を補い、耐久性に
優れた磁気記録媒体を提供することにある。
優れた磁気記録媒体を提供することにある。
本発明は、炭化水素系化合物を用いて磁性層上にカーボ
ン膜を形成する際、炭化水素系化合物のモノマーガス
と、放電によりフッ素ラジカルを生成する非重合性フッ
素含有ガスの混合気中でグロー放電を行ない、このグロ
ー放電によるプラズマ中に磁性層をさらすことにより、
モノマーガス中の水素原子をフッ素ラジカルと反応させ
て排除し、磁性層上に形成されるカーボン膜中に水素原
子等の異種の原子が取り込まれることを防いだもので、
その機構を非重合性フッ素含有ガスの代表的な例として
CF4ガスを用いた場合について説明すると、次のようで
ある。すなわち、グロー放電によってそれぞれ分解した
炭化水素系化合物中の水素原子とCF4ガス中のフッ素原
子（ラジカル）とは、 CF4CF3 +＋Ｆ＊＋ｅ Ｈ＋Ｆ＊→HF なる反応によりHFガスとして排出されること、また、CF
4ガスは非重合性であることから、磁性層上で水素原子
等の異種の原子により結合を断たれることなく炭素原子
同士の架橋が進み、その結果、耐摩耗性に優れた硬質の
アモルファス状カーボン膜からなる保護膜層が形成さ
れ、耐久性を一段と改善することができるのである。
ン膜を形成する際、炭化水素系化合物のモノマーガス
と、放電によりフッ素ラジカルを生成する非重合性フッ
素含有ガスの混合気中でグロー放電を行ない、このグロ
ー放電によるプラズマ中に磁性層をさらすことにより、
モノマーガス中の水素原子をフッ素ラジカルと反応させ
て排除し、磁性層上に形成されるカーボン膜中に水素原
子等の異種の原子が取り込まれることを防いだもので、
その機構を非重合性フッ素含有ガスの代表的な例として
CF4ガスを用いた場合について説明すると、次のようで
ある。すなわち、グロー放電によってそれぞれ分解した
炭化水素系化合物中の水素原子とCF4ガス中のフッ素原
子（ラジカル）とは、 CF4CF3 +＋Ｆ＊＋ｅ Ｈ＋Ｆ＊→HF なる反応によりHFガスとして排出されること、また、CF
4ガスは非重合性であることから、磁性層上で水素原子
等の異種の原子により結合を断たれることなく炭素原子
同士の架橋が進み、その結果、耐摩耗性に優れた硬質の
アモルファス状カーボン膜からなる保護膜層が形成さ
れ、耐久性を一段と改善することができるのである。
上述の炭化水素系化合物としては、ベンゼン、メタン、
プロパン、エチレン、プロピレン、スチレン等が使用さ
れ、特に炭素原子に対する水素原子の原子数比が小さい
ものが好ましく使用される。
プロパン、エチレン、プロピレン、スチレン等が使用さ
れ、特に炭素原子に対する水素原子の原子数比が小さい
ものが好ましく使用される。
グロー放電は、高周波電力、直流電力、商用交流電力、
マイクロ波電力等により発生させることができるが、取
扱が比較的容易な13.56MHzの高周波電力が好ましく使用
される。
マイクロ波電力等により発生させることができるが、取
扱が比較的容易な13.56MHzの高周波電力が好ましく使用
される。
形成されたカーボン膜中の水素原子、フッ素原子および
残留ガスから取り込まれる酸素原子は、炭素原子に対す
る原子数比でそれぞれ0.2倍以下、0.1倍以下であること
が好ましく、多すぎると、炭素原子同士の架橋が断たれ
る箇所が増加するため、耐久性が改善されない。これ
は、モノマーガスとこれに混合するフッ素含有ガスの組
成、混合比など、グロー放電処理の条件を適当に選定す
ることで解決される。
残留ガスから取り込まれる酸素原子は、炭素原子に対す
る原子数比でそれぞれ0.2倍以下、0.1倍以下であること
が好ましく、多すぎると、炭素原子同士の架橋が断たれ
る箇所が増加するため、耐久性が改善されない。これ
は、モノマーガスとこれに混合するフッ素含有ガスの組
成、混合比など、グロー放電処理の条件を適当に選定す
ることで解決される。
このようにして形成されたアモルファス状カーボン膜の
膜厚は、20〜1000Åの範囲内であることが好ましく、膜
厚が薄すぎると、このカーボン膜による耐久性改善の効
果が十分に発揮されず、厚すぎると、スペーシングロス
が大きくなり、電磁変換特性に悪影響を及ぼす。
膜厚は、20〜1000Åの範囲内であることが好ましく、膜
厚が薄すぎると、このカーボン膜による耐久性改善の効
果が十分に発揮されず、厚すぎると、スペーシングロス
が大きくなり、電磁変換特性に悪影響を及ぼす。
基体上に形成される磁性層は、γ−Fe2O3粉末、Fe3O4粉
末、Co含有γ−Fe2O3粉末、Co含有Fe3O4粉末、Fe粉末、
Co粉末、Fe−Ni粉末等の磁性粉末を接合剤成分および有
機溶剤等とともに基体上に塗布、乾燥するか、またはC
o、Ni、Fe、Co−Ni、Co−Cr、Co−Ｐ、Co−Ni−Ｐなど
の強磁性材を真空蒸着、イオンプレーティング、スパッ
タリング、メッキ等によって基体上に被着するなどの方
法で形成される。
末、Co含有γ−Fe2O3粉末、Co含有Fe3O4粉末、Fe粉末、
Co粉末、Fe−Ni粉末等の磁性粉末を接合剤成分および有
機溶剤等とともに基体上に塗布、乾燥するか、またはC
o、Ni、Fe、Co−Ni、Co−Cr、Co−Ｐ、Co−Ni−Ｐなど
の強磁性材を真空蒸着、イオンプレーティング、スパッ
タリング、メッキ等によって基体上に被着するなどの方
法で形成される。
また、磁気記録媒体としては、ポリエステルフィルムな
どの合成樹脂フィルムを基体とする磁気テープ、円盤や
ドラムを基体とする磁気ディスクや磁気ドラムなど、磁
気ヘッドと摺接する構造の種々の形態を包含する。
どの合成樹脂フィルムを基体とする磁気テープ、円盤や
ドラムを基体とする磁気ディスクや磁気ドラムなど、磁
気ヘッドと摺接する構造の種々の形態を包含する。
以下、本発明の代表的な実施例について詳述し、併せて
検証のための比較例を示す。
検証のための比較例を示す。
実施例１ 厚さ10μｍのポリエステルフィルムを基体として使用
し、これを真空蒸着装置に装填し、１×10-5torrの真空
下でCo−Ni合金（80:20）を加熱蒸発させて、ポリエス
テルフィルム上に厚さ1500ÅのCo−Ni薄膜からなる磁性
層を形成した。次いで、第１図に示すグロー放電処理装
置を使用し、磁性層を形成したポリエステルフィルム１
を処理槽２内の供給リール３からガイドロール４を経て
キャンロール５に沿って移動させ、ガイドロール６を経
て巻取リール７に巻き取るように装填した。次に、処理
槽２に接続したガス導入管８からモノマーガスとしての
ベンゼンを15sccmの流量で導入し、かつこれと一緒にCF
4ガスを5sccmの流量で導入し、電極９に13.56MHz、20W
の高周波電力を印加してグロー放電処理を行ない、磁性
層上に厚さ150Åのアモルファス状カーボン膜を形成し
た。
し、これを真空蒸着装置に装填し、１×10-5torrの真空
下でCo−Ni合金（80:20）を加熱蒸発させて、ポリエス
テルフィルム上に厚さ1500ÅのCo−Ni薄膜からなる磁性
層を形成した。次いで、第１図に示すグロー放電処理装
置を使用し、磁性層を形成したポリエステルフィルム１
を処理槽２内の供給リール３からガイドロール４を経て
キャンロール５に沿って移動させ、ガイドロール６を経
て巻取リール７に巻き取るように装填した。次に、処理
槽２に接続したガス導入管８からモノマーガスとしての
ベンゼンを15sccmの流量で導入し、かつこれと一緒にCF
4ガスを5sccmの流量で導入し、電極９に13.56MHz、20W
の高周波電力を印加してグロー放電処理を行ない、磁性
層上に厚さ150Åのアモルファス状カーボン膜を形成し
た。
その後、所定の幅に裁断することにより、第２図に示す
ようなポリエステルフィルムからなる基体１上に磁性層
12およびアモルファス状カーボン膜13を順次に積層形成
した磁気テープＡをつくった。なお、第１図中、10は排
気系、11は高周波電源である。
ようなポリエステルフィルムからなる基体１上に磁性層
12およびアモルファス状カーボン膜13を順次に積層形成
した磁気テープＡをつくった。なお、第１図中、10は排
気系、11は高周波電源である。
実施例２ 実施例１におけるモノマーガスのベンゼンに代えて、メ
タンガスを10sccmの流量で導入した点以外は実施例１と
同様にして磁気テープをつくった。
タンガスを10sccmの流量で導入した点以外は実施例１と
同様にして磁気テープをつくった。
実施例３ 実施例１におけるモノマーガスのベンゼンに代えて、エ
チレンガスを15sccmの流量で導入した点以外は実施例１
と同様にして磁気テープをつくった。
チレンガスを15sccmの流量で導入した点以外は実施例１
と同様にして磁気テープをつくった。
比較例１〜３ 実施例１〜３におけるCF4ガスの導入を省いた点以外は
実施例１〜３と同様にして磁気テープをつくった。
実施例１〜３と同様にして磁気テープをつくった。
上記各実施例および比較例で得られた磁気テープについ
て常温スチル寿命を測定した。常温スチル寿命の測定
は、スチル寿命試験機を用い、常温下のスチル試験（磁
気テープ固定、磁気ヘッドのみ摺動）において、摩耗粉
により磁気ヘッドのギャップに目づまりが生じたり、磁
性層が剥離して出力が認められなくなるまでの時間を測
定することで行なった。
て常温スチル寿命を測定した。常温スチル寿命の測定
は、スチル寿命試験機を用い、常温下のスチル試験（磁
気テープ固定、磁気ヘッドのみ摺動）において、摩耗粉
により磁気ヘッドのギャップに目づまりが生じたり、磁
性層が剥離して出力が認められなくなるまでの時間を測
定することで行なった。
下表はその結果である。
〔発明の効果〕 上表から明らかなように、実施例１〜３で得られた磁気
テープは、比較例１〜３で得られた磁気テープに比べ、
いずれも常温スチル寿命が長く、このことから本発明に
より得られる磁気記録媒体は、耐久性が一段と向上して
いることがわかる。
テープは、比較例１〜３で得られた磁気テープに比べ、
いずれも常温スチル寿命が長く、このことから本発明に
より得られる磁気記録媒体は、耐久性が一段と向上して
いることがわかる。
第１図は本発明において保護膜層を形成する際に用いる
グロー放電処理装置の一例を示す概略断面図、第２図は
本発明により得られた磁気テープの部分拡大断面図であ
る。 １…基体（ポリエステルフィルム） 12…磁性層（Co−Ni薄膜） 13…アモルファス状カーボン膜 Ａ…磁気テープ
グロー放電処理装置の一例を示す概略断面図、第２図は
本発明により得られた磁気テープの部分拡大断面図であ
る。 １…基体（ポリエステルフィルム） 12…磁性層（Co−Ni薄膜） 13…アモルファス状カーボン膜 Ａ…磁気テープ
Claims (2)
- 【請求項１】基体上に磁性層を形成する工程と、炭化水
素系化合物と放電によりフッ素ラジカルを生成する非重
合性フッ素含有ガスの混合気中でグロー放電を行ない、
このグロー放電によるプラズマ中に磁性層をさらすこと
により、磁性層上にアモルファス状カーボン膜を形成す
る工程とを含む磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】前記非重合性フッ素含有ガスはCF4ガスで
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気
記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12122386A JPH071546B2 (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12122386A JPH071546B2 (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62279521A JPS62279521A (ja) | 1987-12-04 |
| JPH071546B2 true JPH071546B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=14805943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12122386A Expired - Lifetime JPH071546B2 (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH071546B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01269222A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-26 | Hitachi Ltd | 磁気ディスク及びその製造方法 |
| JPH02281420A (ja) * | 1989-04-21 | 1990-11-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属薄膜型磁気記録媒体の保護膜製造方法およびその装置 |
| US6835523B1 (en) | 1993-05-09 | 2004-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
| US5932302A (en) | 1993-07-20 | 1999-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating with ultrasonic vibration a carbon coating |
| US9928994B2 (en) * | 2015-02-03 | 2018-03-27 | Lam Research Corporation | Methods for decreasing carbon-hydrogen content of amorphous carbon hardmask films |
-
1986
- 1986-05-28 JP JP12122386A patent/JPH071546B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62279521A (ja) | 1987-12-04 |
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