JPS6366727A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS6366727A JPS6366727A JP21050586A JP21050586A JPS6366727A JP S6366727 A JPS6366727 A JP S6366727A JP 21050586 A JP21050586 A JP 21050586A JP 21050586 A JP21050586 A JP 21050586A JP S6366727 A JPS6366727 A JP S6366727A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は磁気記録媒体の製造方法に関し、さらに詳し
くは、磁性層の基体ｉこ対する接着性が良好で耐久性に
優れた磁気記録媒体の製造方法に関する。
くは、磁性層の基体ｉこ対する接着性が良好で耐久性に
優れた磁気記録媒体の製造方法に関する。
一般に、磁性粉末を結合剤成分とともに基体フィルム上
に結着させるか、或いは強磁性金属またはそれらの合金
などを真空蒸着等によって基体フィルム上に被着してつ
くられる磁気記録媒体は、記録再生蒔に磁気ヘッド等と
激しく摺接するため磁性層が摩耗され易く、特に真空蒸
着等によって形成される強磁性金属薄膜型磁気記録媒体
は、高密度記録特性に優れる反面、磁気ヘッドとの摩擦
係数が大きくて摩耗や損傷を受は易く、また空気中で除
々に酸化を受けて最大磁束密度などの磁気特性が劣化す
るなどの難点がある。
に結着させるか、或いは強磁性金属またはそれらの合金
などを真空蒸着等によって基体フィルム上に被着してつ
くられる磁気記録媒体は、記録再生蒔に磁気ヘッド等と
激しく摺接するため磁性層が摩耗され易く、特に真空蒸
着等によって形成される強磁性金属薄膜型磁気記録媒体
は、高密度記録特性に優れる反面、磁気ヘッドとの摩擦
係数が大きくて摩耗や損傷を受は易く、また空気中で除
々に酸化を受けて最大磁束密度などの磁気特性が劣化す
るなどの難点がある。
このため、近年、強磁性金属を有機高分子化合物層内に
分散させて磁性層を形成し耐久性および耐食性を改善す
ることが行われている。（特公昭６０−３１０１３号） 〔発明が解決しようとする問題点〕 ところが、強磁性金属を有機高分子化合物層内に分散さ
せて磁性層を形成したものでは、耐食性は改善されるも
のの、磁性層の基体に対する接着性が充分でなく、耐久
性が未だ充分に改善されていない。
分散させて磁性層を形成し耐久性および耐食性を改善す
ることが行われている。（特公昭６０−３１０１３号） 〔発明が解決しようとする問題点〕 ところが、強磁性金属を有機高分子化合物層内に分散さ
せて磁性層を形成したものでは、耐食性は改善されるも
のの、磁性層の基体に対する接着性が充分でなく、耐久
性が未だ充分に改善されていない。
この発明はかかる現状に鑑み鋭意研究を重ねた結果なさ
れたもので、強磁性金属を含む有機化合物のモノマーガ
スとＳｉＦ４ガスとの混合ガス中でグロー放電処理を行
うことによって、強磁性金属とＳｉをアモルファス状の
カーボン膜層内に導入した強靭で基体との接着性に優れ
る磁性層を基体上に形成し、磁性層の基体に対する接着
性を改善し、耐久性を充分に向上させたものである。
れたもので、強磁性金属を含む有機化合物のモノマーガ
スとＳｉＦ４ガスとの混合ガス中でグロー放電処理を行
うことによって、強磁性金属とＳｉをアモルファス状の
カーボン膜層内に導入した強靭で基体との接着性に優れ
る磁性層を基体上に形成し、磁性層の基体に対する接着
性を改善し、耐久性を充分に向上させたものである。
この発明において、磁性層を形成する際使用される強磁
性金属を含む有機化合物のモノマーガスとしては、フェ
ロセン、コバルトセン、ニソケロセン等の昇華ガス、ペ
ンタカルボニル鉄、オクタカルボニルジコバルト、テト
ラカルボニルニッケル等の金属カルボニル化合物のモノ
マーガスと、ＣＨ４、ｃ２Ｈ４等の有機化合物の七ツマ
ーガスとの混合ガスが好適なものとして使用され、特に
炭素原子に対する水素原子の原子数比の小さいものが好
ましく使用される。
性金属を含む有機化合物のモノマーガスとしては、フェ
ロセン、コバルトセン、ニソケロセン等の昇華ガス、ペ
ンタカルボニル鉄、オクタカルボニルジコバルト、テト
ラカルボニルニッケル等の金属カルボニル化合物のモノ
マーガスと、ＣＨ４、ｃ２Ｈ４等の有機化合物の七ツマ
ーガスとの混合ガスが好適なものとして使用され、特に
炭素原子に対する水素原子の原子数比の小さいものが好
ましく使用される。
これらの強磁性金属を含む有機化合物のモノマーガスは
、Ｓ ｉ Ｆ４ガスと混合し、この混合ガス中でグロー
放電処理を行うと、有機金属化合物の七ツマーガスが分
解してこの七ツマーガス中に含まれる強磁性金属がＭＲ
ｔｌし、またＳｉＦ４ガスが解離されてフッ素原子が生
じ、この解離されたフッ素原子が処理槽内のガス中に存
在する水素原子と反応し、ＨＦとなって排除されるため
、極めて架橋の進んだ硬質のアモルファス状カーボン膜
層が形成されると同時にアモルファス状カーボン膜層内
に、遊離した強磁性金属およびＳｉが導入され、強靭で
耐久性に優れた磁性層が形成される。
、Ｓ ｉ Ｆ４ガスと混合し、この混合ガス中でグロー
放電処理を行うと、有機金属化合物の七ツマーガスが分
解してこの七ツマーガス中に含まれる強磁性金属がＭＲ
ｔｌし、またＳｉＦ４ガスが解離されてフッ素原子が生
じ、この解離されたフッ素原子が処理槽内のガス中に存
在する水素原子と反応し、ＨＦとなって排除されるため
、極めて架橋の進んだ硬質のアモルファス状カーボン膜
層が形成されると同時にアモルファス状カーボン膜層内
に、遊離した強磁性金属およびＳｉが導入され、強靭で
耐久性に優れた磁性層が形成される。
またＳｉは磁性層の下層側に多く含有され、磁性層内の
炭素原子や基体表面と強固に結合するため、磁性層の基
体に対する接着性が充分に向上され、耐久性が充分に向
上される。この際、強磁性金泥を含む有機化合物の七ツ
マーガスとして、金属カルボニル化合物の七ツマーガス
を使用する場合は、形成される磁性層に取り込まれる酸
素原子や、グロー放電処理の際に残留ガスもしくは吸着
分子から取り込まれる酸素原子を除去するため、還元性
ガスとして一酸化炭素ガスを混入することが好ましく、
−酸化炭素ガスを混入すると、炭素原子の架橋がさらに
高まり、また同時に強磁性金属が還元されて磁気特性が
向上される。またＳｉＦ４ガスとともにさらにＣＦ４ガ
スを混合すると、処理槽内のガス中に存在する水素原子
が一段と良好に排除されて、一段と架橋の進んだ硬質の
アモルファス状カーボン膜層が形成され、このアモルフ
ァス状カーボン膜層内に強磁性金属およびケイ素原子が
導入されて、一段と強靭で耐久性に優れた磁性層が形成
されるため、ＣＦ４ガスを併用するのが好ましい。
炭素原子や基体表面と強固に結合するため、磁性層の基
体に対する接着性が充分に向上され、耐久性が充分に向
上される。この際、強磁性金泥を含む有機化合物の七ツ
マーガスとして、金属カルボニル化合物の七ツマーガス
を使用する場合は、形成される磁性層に取り込まれる酸
素原子や、グロー放電処理の際に残留ガスもしくは吸着
分子から取り込まれる酸素原子を除去するため、還元性
ガスとして一酸化炭素ガスを混入することが好ましく、
−酸化炭素ガスを混入すると、炭素原子の架橋がさらに
高まり、また同時に強磁性金属が還元されて磁気特性が
向上される。またＳｉＦ４ガスとともにさらにＣＦ４ガ
スを混合すると、処理槽内のガス中に存在する水素原子
が一段と良好に排除されて、一段と架橋の進んだ硬質の
アモルファス状カーボン膜層が形成され、このアモルフ
ァス状カーボン膜層内に強磁性金属およびケイ素原子が
導入されて、一段と強靭で耐久性に優れた磁性層が形成
されるため、ＣＦ４ガスを併用するのが好ましい。
このようなグロー放電処理は、通常、高周波電力、直流
電力、交流電力、マイクロ波電力などに７よりグロー放
電を発生して行われるが、比較的取扱が容易な１３．５
６ＭＨｚの高周波電力が好ましく使用される。またこの
グロー放電処理は、強磁性金属の加熱蒸発あるいはスパ
ッタリングと併用して行うことができる。グロー放電処
理する際のガス圧及び電力は、強磁性金属およびケイ素
原子をアモルファス状カーボン膜層中に導入した磁性層
が良好に形成されるように、ガス圧をｌＸｌ０−’〜１
トールの範囲内にするのが好ましく、高周波電力は０．
０１〜５ Ｗ ／ ｃｎｌの範囲内にするのが好ましい
。またグロー放電処理する際の混合ガス中におけるＳ
ｉ Ｆ４ガスの含有割合は、強磁性金属を含む有機化合
物の七ツマーガスとの合計量に対して０６１〜５０容量
％の範囲内にするのが好ましく、少なすぎると所期の効
果が得られず、多すぎると強磁性金属の含有率が減少し
たり、成膜速度が低下する。
電力、交流電力、マイクロ波電力などに７よりグロー放
電を発生して行われるが、比較的取扱が容易な１３．５
６ＭＨｚの高周波電力が好ましく使用される。またこの
グロー放電処理は、強磁性金属の加熱蒸発あるいはスパ
ッタリングと併用して行うことができる。グロー放電処
理する際のガス圧及び電力は、強磁性金属およびケイ素
原子をアモルファス状カーボン膜層中に導入した磁性層
が良好に形成されるように、ガス圧をｌＸｌ０−’〜１
トールの範囲内にするのが好ましく、高周波電力は０．
０１〜５ Ｗ ／ ｃｎｌの範囲内にするのが好ましい
。またグロー放電処理する際の混合ガス中におけるＳ
ｉ Ｆ４ガスの含有割合は、強磁性金属を含む有機化合
物の七ツマーガスとの合計量に対して０６１〜５０容量
％の範囲内にするのが好ましく、少なすぎると所期の効
果が得られず、多すぎると強磁性金属の含有率が減少し
たり、成膜速度が低下する。
このようにして形成される磁性層において、アモルファ
ス状カーボン膜層中に導入された強磁性金属は、使用す
るモノマーガスにより異なるが、平均粒径が２００〜３
００人の範囲内であると、強磁性金属粒子間がアモルフ
ァス状カーボンで磁気的に絶縁されて単磁区粒子的な構
造となり、良好な磁気特性が得られるとともに耐食性も
向上される。また、この強磁性金属粒子の磁性層中にお
ける充虜率は、磁性層の全成分に対して２０〜６０容量
％の範囲内となるようにするのが好ましく、充虜率が２
０容量％より少なくては、強磁性金屈粒子の充虜率が低
くなり、充分な磁気特性が得られず、６０容量％より多
くては、各強磁性金属粒子間を良好に磁気的に絶縁して
磁気特性および耐食性を充分に向上することができない
。さらに、このような磁性層中における水素原子、ケイ
素原子、フッ素原子および酸素原子は、炭素原子に対す
る原子数比で、それぞれ０．２倍以下、１．０倍以下、
０．１倍以下および０．１倍以下であることが好ましく
、多すぎると炭素原子同士の架橋が断たれる箇所が増加
するため、耐久性が充分に改善されない。
ス状カーボン膜層中に導入された強磁性金属は、使用す
るモノマーガスにより異なるが、平均粒径が２００〜３
００人の範囲内であると、強磁性金属粒子間がアモルフ
ァス状カーボンで磁気的に絶縁されて単磁区粒子的な構
造となり、良好な磁気特性が得られるとともに耐食性も
向上される。また、この強磁性金属粒子の磁性層中にお
ける充虜率は、磁性層の全成分に対して２０〜６０容量
％の範囲内となるようにするのが好ましく、充虜率が２
０容量％より少なくては、強磁性金屈粒子の充虜率が低
くなり、充分な磁気特性が得られず、６０容量％より多
くては、各強磁性金属粒子間を良好に磁気的に絶縁して
磁気特性および耐食性を充分に向上することができない
。さらに、このような磁性層中における水素原子、ケイ
素原子、フッ素原子および酸素原子は、炭素原子に対す
る原子数比で、それぞれ０．２倍以下、１．０倍以下、
０．１倍以下および０．１倍以下であることが好ましく
、多すぎると炭素原子同士の架橋が断たれる箇所が増加
するため、耐久性が充分に改善されない。
このようにして得られる磁気記録媒体としては、ポリエ
ステルフィルム、ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フ
ィルムを基体とする磁気テープ、合成樹脂フィルム、ア
ルミニウム板およびガラス板等からなる円盤やドラムを
基体とする磁気ディスクや磁気ドラムなど、磁気ヘッド
と摺接する構造の種々の形態を包含する。
ステルフィルム、ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フ
ィルムを基体とする磁気テープ、合成樹脂フィルム、ア
ルミニウム板およびガラス板等からなる円盤やドラムを
基体とする磁気ディスクや磁気ドラムなど、磁気ヘッド
と摺接する構造の種々の形態を包含する。
次に、この発明の実施例について説明する。
実施例１
第１図に示すグロー放電処理装置を使用し、厚さが１０
μｍのポリエステルフィルム１を、処理槽２内の原反ロ
ール３からガイドロール４を介して高周波印加電極５の
表面に沿って移動させ、さらにガイドロール６を介して
巻き取りロール７に巻き取るようにセットした。次いで
、排気系８で処理槽２内をｌＸｌ０−’トールに真空排
気して、ポリエステルフィルム１を３ｍ／ｍｉｎの速度
で走行させ、処理槽２の側壁に取りつけられたガス導入
管９から、シクロペンタジェニルジカルボニルコバルト
の七ツマーガスを２０ｓｅｃｍの流量で、またＳ ｉ
Ｆ４ガスをｌＱｓｃｃｍの流量で混合して導入し、高周
波型ｉｔｏにより高周波印加電極５に、１３．５６ＭＨ
ｚの高周波電力を１００Ｗ印加してグロー放電処理し、
コバルトおよびＳｉがアモルファス状カーボン膜層内に
導入された厚さ１８００人の磁性層を形成した。しかる
後、所定の巾に裁断して第２図に示すような、ポリエス
テルフィルム１上に強磁性全尿およびＳｉをアモルファ
ス状カーボン膜層内に導入した磁性層１２を形成した磁
気テープＡをつくった。なお、第１図中１１はアース側
電極である。
μｍのポリエステルフィルム１を、処理槽２内の原反ロ
ール３からガイドロール４を介して高周波印加電極５の
表面に沿って移動させ、さらにガイドロール６を介して
巻き取りロール７に巻き取るようにセットした。次いで
、排気系８で処理槽２内をｌＸｌ０−’トールに真空排
気して、ポリエステルフィルム１を３ｍ／ｍｉｎの速度
で走行させ、処理槽２の側壁に取りつけられたガス導入
管９から、シクロペンタジェニルジカルボニルコバルト
の七ツマーガスを２０ｓｅｃｍの流量で、またＳ ｉ
Ｆ４ガスをｌＱｓｃｃｍの流量で混合して導入し、高周
波型ｉｔｏにより高周波印加電極５に、１３．５６ＭＨ
ｚの高周波電力を１００Ｗ印加してグロー放電処理し、
コバルトおよびＳｉがアモルファス状カーボン膜層内に
導入された厚さ１８００人の磁性層を形成した。しかる
後、所定の巾に裁断して第２図に示すような、ポリエス
テルフィルム１上に強磁性全尿およびＳｉをアモルファ
ス状カーボン膜層内に導入した磁性層１２を形成した磁
気テープＡをつくった。なお、第１図中１１はアース側
電極である。
実施例２
実施例１におけるグロー放電処理において、シクロペン
タジェニルジカルボニルコバルトのモノマーガスに代え
て、オクタカルボニルジコバルトのモノマーガスをｌ
５ ｓｃｃｍ、メタンのモノマーガスを５ ｓｅｃｍの
流量で混合した混合ガスを導入した以外は、実施例１と
同様にして、コバルトおよびＳｉがアモルファス状カー
ボン膜層内に導入された厚さ２０００人の磁性層を形成
し、磁気テープＡをつくった。
タジェニルジカルボニルコバルトのモノマーガスに代え
て、オクタカルボニルジコバルトのモノマーガスをｌ
５ ｓｃｃｍ、メタンのモノマーガスを５ ｓｅｃｍの
流量で混合した混合ガスを導入した以外は、実施例１と
同様にして、コバルトおよびＳｉがアモルファス状カー
ボン膜層内に導入された厚さ２０００人の磁性層を形成
し、磁気テープＡをつくった。
実施例３
実施例１におけるグロー放電処理において、シクロペン
タジェニルジカルボニルコバルトのモノマーガスに代え
て、ペンタカルボニル鉄のモノマーガスを１２ ｓｅｃ
ｍ、テトラカルボニルニッケルのモノマーガス３ ＳＣ
Ｃｍ、ベンゼンのモノマーガスを５ ｓｅｃｍの流量で
混合した混合ガスを導入した以外は、実施例１と同様に
して、鉄、ニッケルおよびＳｉがアモルファス状カーボ
ン膜層内に導入された厚さ１８００人の磁性層を形成し
、磁気テープＡをつくった。
タジェニルジカルボニルコバルトのモノマーガスに代え
て、ペンタカルボニル鉄のモノマーガスを１２ ｓｅｃ
ｍ、テトラカルボニルニッケルのモノマーガス３ ＳＣ
Ｃｍ、ベンゼンのモノマーガスを５ ｓｅｃｍの流量で
混合した混合ガスを導入した以外は、実施例１と同様に
して、鉄、ニッケルおよびＳｉがアモルファス状カーボ
ン膜層内に導入された厚さ１８００人の磁性層を形成し
、磁気テープＡをつくった。
比較例１
実施例１におけるグロー放電処理において、ＳｉＦ４ガ
スの導入を省いた以外は、実施例１と同様にして、コバ
ルトがアモルファス状カーボン膜層内に導入された厚さ
１８００人の磁性層を形成し、磁気テープをつくった。
スの導入を省いた以外は、実施例１と同様にして、コバ
ルトがアモルファス状カーボン膜層内に導入された厚さ
１８００人の磁性層を形成し、磁気テープをつくった。
比較例２
実施例２におけるグロー放電処理において、ＳｉＦ４ガ
スの導入を省いた以外は、実施例２と同様にして、コバ
ルトがアモルファス状カーボン膜層内に導入された厚さ
２０００人の磁性層を形成し、磁気テープをつくった。
スの導入を省いた以外は、実施例２と同様にして、コバ
ルトがアモルファス状カーボン膜層内に導入された厚さ
２０００人の磁性層を形成し、磁気テープをつくった。
比較例３
実施例３におけるグロー放電処理において、ＳｉＦ４ガ
スの導入を省いた以外は、実施例３と同様にして、鉄お
よびニッケルがアモルファス状カ−ボン膜層内に導入さ
れた厚さ１８００人の磁性層を形成し、磁気テープをつ
くった。
スの導入を省いた以外は、実施例３と同様にして、鉄お
よびニッケルがアモルファス状カ−ボン膜層内に導入さ
れた厚さ１８００人の磁性層を形成し、磁気テープをつ
くった。
各実施例および比較例で得られた磁気テープについて、
保磁力および残留磁束密度を測定した。
保磁力および残留磁束密度を測定した。
また磁性層の基体に対する接着性および耐久性を調べる
ため固定ＳＵＳビン摺動試験および常温スチル寿命試験
を行った。固定ＳＵＳピン摺動試験は、摺動によって磁
性層が剥離するまでの摺動回数を測定して行い、また常
温スチル寿命試験は、市販のＶＴＲ用いて行い、磁性層
が剥離したり、その摩耗粉によって磁気ヘッドが目づま
りを生じて出力が停止するまでの時間を測定して行った
。
ため固定ＳＵＳビン摺動試験および常温スチル寿命試験
を行った。固定ＳＵＳピン摺動試験は、摺動によって磁
性層が剥離するまでの摺動回数を測定して行い、また常
温スチル寿命試験は、市販のＶＴＲ用いて行い、磁性層
が剥離したり、その摩耗粉によって磁気ヘッドが目づま
りを生じて出力が停止するまでの時間を測定して行った
。
下記第１表はその結果である。
第１表
〔発明の効果〕
上記第１表から明らかなように、この発明で得られた磁
気テープ（実施例１〜３）は、いずれも従来の磁気テー
プ（比較例１〜３）に比し、摺動回数が多くて、常温ス
チル寿命が長く、このことからこの発明によって得られ
る磁気記録媒体は、磁性層の基体に対する接着性が良好
で、耐久性が一段と向上されていることがわかる。
気テープ（実施例１〜３）は、いずれも従来の磁気テー
プ（比較例１〜３）に比し、摺動回数が多くて、常温ス
チル寿命が長く、このことからこの発明によって得られ
る磁気記録媒体は、磁性層の基体に対する接着性が良好
で、耐久性が一段と向上されていることがわかる。
第１図はこの発明の磁性層を形成する際に使用するグロ
ー放電処理装置の１例を示す概略断面図、第２図はこの
発明によって得られた磁気テープの部分拡大断面図であ
る。 １・・・ポリエステルフィルム（基体）、１２・・・磁
性層、Ａ・・・磁気テープ（磁気記録媒体）特許出願人
日立マクセル株式会社 第１図
ー放電処理装置の１例を示す概略断面図、第２図はこの
発明によって得られた磁気テープの部分拡大断面図であ
る。 １・・・ポリエステルフィルム（基体）、１２・・・磁
性層、Ａ・・・磁気テープ（磁気記録媒体）特許出願人
日立マクセル株式会社 第１図
Claims (1)
- １、基体上に磁性層を形成するにあたり、強磁性金属を
含む有機化合物のモノマーガスとＳｉＦ＿４ガスとの混
合ガス中でグロー放電処理を行い、強磁性金属とＳｉを
アモルファス状のカーボン膜層内に導入した磁性層を形
成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21050586A JPS6366727A (ja) | 1986-09-06 | 1986-09-06 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21050586A JPS6366727A (ja) | 1986-09-06 | 1986-09-06 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6366727A true JPS6366727A (ja) | 1988-03-25 |
Family
ID=16590477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21050586A Pending JPS6366727A (ja) | 1986-09-06 | 1986-09-06 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6366727A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62110101U (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-14 | ||
| JPH0467972U (ja) * | 1990-10-24 | 1992-06-16 | ||
| FR2678955A1 (fr) * | 1991-07-12 | 1993-01-15 | Applic Couches Minces | Substrat revetu d'une couche mince a base de carbone et de silicium, sa preparation et son utilisation. |
-
1986
- 1986-09-06 JP JP21050586A patent/JPS6366727A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62110101U (ja) * | 1985-12-28 | 1987-07-14 | ||
| JPH0433201Y2 (ja) * | 1985-12-28 | 1992-08-10 | ||
| JPH0467972U (ja) * | 1990-10-24 | 1992-06-16 | ||
| FR2678955A1 (fr) * | 1991-07-12 | 1993-01-15 | Applic Couches Minces | Substrat revetu d'une couche mince a base de carbone et de silicium, sa preparation et son utilisation. |
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