JPH038117A - 磁気記録テープの製造方法 - Google Patents
磁気記録テープの製造方法Info
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- JPH038117A JPH038117A JP14259589A JP14259589A JPH038117A JP H038117 A JPH038117 A JP H038117A JP 14259589 A JP14259589 A JP 14259589A JP 14259589 A JP14259589 A JP 14259589A JP H038117 A JPH038117 A JP H038117A
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 17
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 13
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 44
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 11
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N iron(II,III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]O[Fe]=O SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 108010084652 homeobox protein PITX1 Proteins 0.000 description 1
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 1
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- -1 suppress scratches Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は磁気記録テープに関する。更に詳細には、本発
明は耐久性が向上された磁気記録テープの製造方法に関
する。
明は耐久性が向上された磁気記録テープの製造方法に関
する。
〔従来の技術］
磁気記録テープは磁気ヘッドやガイドビン等と常に摺接
するため、高度な走行耐久性が要求される。オーディオ
テープの場合はベースフィルム面を荒らすことにより対
応しているが、スタンダードビデオテープ、ハイグレー
ドビデオテープ、８ｍ ｍ Ｖ Ｔ Ｒ用メタルビデオ
テープとテープのグレードが上がるにつれて高Ｓ／Ｎ１
高記録密度のためにベースフィルムの平滑性が要求され
、走行耐久性の向上には磁気記録層の反対の面にカーボ
ンや種々のフィラーおよびバインダよりなるバック。
するため、高度な走行耐久性が要求される。オーディオ
テープの場合はベースフィルム面を荒らすことにより対
応しているが、スタンダードビデオテープ、ハイグレー
ドビデオテープ、８ｍ ｍ Ｖ Ｔ Ｒ用メタルビデオ
テープとテープのグレードが上がるにつれて高Ｓ／Ｎ１
高記録密度のためにベースフィルムの平滑性が要求され
、走行耐久性の向上には磁気記録層の反対の面にカーボ
ンや種々のフィラーおよびバインダよりなるバック。
コート層を設けることにより対応している。
特に強磁性金属薄膜を磁気記録層とする高記録密度磁気
テープにおいては走行性の劣る超平滑なベースフィルム
を使用するため、バックコート層の形成は不可欠となっ
ている。
テープにおいては走行性の劣る超平滑なベースフィルム
を使用するため、バックコート層の形成は不可欠となっ
ている。
［発明が解決しようとする課題］
ところがバインダの架橋が不完全でバックコート層の強
度が部分でないため走行中にバックコート層が傷ついた
り、また固形分がこぼれ落ちる、いわゆる「粉落ち」現
象がヘッド目詰まりの原因となるなどの問題がある。
度が部分でないため走行中にバックコート層が傷ついた
り、また固形分がこぼれ落ちる、いわゆる「粉落ち」現
象がヘッド目詰まりの原因となるなどの問題がある。
本発明は上記従来品のバックコート層の欠陥を改善し、
以て走行性、耐久性に優れた磁気記録テープの製造方法
を提供することを目的とする。
以て走行性、耐久性に優れた磁気記録テープの製造方法
を提供することを目的とする。
［課通を解決するための手段］
前記目的を達成するために、本発明では、少なくとも、
非磁性基体の表面に磁気記録層を形成し、裏面にバック
コート層を形成してなる磁気記録テープの製造方法にお
いて、バックコート層形成後に真空槽中でバックコート
層表面をプラズマに曝してプラズマ処理する。
非磁性基体の表面に磁気記録層を形成し、裏面にバック
コート層を形成してなる磁気記録テープの製造方法にお
いて、バックコート層形成後に真空槽中でバックコート
層表面をプラズマに曝してプラズマ処理する。
［作用］
非磁性基体の裏面にバックコート層を有する磁気記録媒
体において、真空槽中でバックコート層の表面をプラズ
マに曝してプラズマ処理することにより、バックコート
層表面の低分子量成分をエツチングし、同時に表面のラ
ジカルの架橋を促進してバックコート層の強度を向−ヒ
させ、傷付、粉落ち等を抑制し、磁気記録媒体の耐久性
を改善させることができる。
体において、真空槽中でバックコート層の表面をプラズ
マに曝してプラズマ処理することにより、バックコート
層表面の低分子量成分をエツチングし、同時に表面のラ
ジカルの架橋を促進してバックコート層の強度を向−ヒ
させ、傷付、粉落ち等を抑制し、磁気記録媒体の耐久性
を改善させることができる。
プラズマ処理時には、希ガス、酸素、窒素、弗素、四弗
化炭素、一酸化炭素、水蒸気等の非汀機化合物ガスを単
独あるいは混合物として真空槽内に導入することが好ま
しい。
化炭素、一酸化炭素、水蒸気等の非汀機化合物ガスを単
独あるいは混合物として真空槽内に導入することが好ま
しい。
真空槽内のこれらのガスがプラズマ中で活性化され、処
理面（バックコート層表面）上の低分子量成分（例えば
、未乾燥の溶剤や架橋の不十分なバインダ等）をエツチ
ングする。同時に処理熱によりバックコート層表面の運
動が活発になり、エツチングで生成したラジカル同士が
結合してバックコート層表面の架橋密度が上昇する。そ
の結果、バックコート層表面付近に緻密で高架橋度の部
分が形成される。この緻密で高架橋度部分の形成により
磁気記録媒体の耐久性が向ヒされる。
理面（バックコート層表面）上の低分子量成分（例えば
、未乾燥の溶剤や架橋の不十分なバインダ等）をエツチ
ングする。同時に処理熱によりバックコート層表面の運
動が活発になり、エツチングで生成したラジカル同士が
結合してバックコート層表面の架橋密度が上昇する。そ
の結果、バックコート層表面付近に緻密で高架橋度の部
分が形成される。この緻密で高架橋度部分の形成により
磁気記録媒体の耐久性が向ヒされる。
プラズマ処理時のガス流量とガス圧力は小さすぎるとエ
ツチング効果が強くなりすぎて磁気記録層にダメージを
与え、大きすぎると所定の処理効果が得られないために
、それぞれ５〜３０００ｓｃＣｍ１ｏ、０１〜５０Ｔｏ
ｒｒの範囲内であることが好ましい。印加電力密度は小
さすぎると所定の処理効果が得られず、大きすぎるとエ
ツチング効果が強（なりすぎて磁気記録層にダメージを
与えるために、０．０２〜ＩＷ／ｃ／の範囲内であるこ
とが好ましい。
ツチング効果が強くなりすぎて磁気記録層にダメージを
与え、大きすぎると所定の処理効果が得られないために
、それぞれ５〜３０００ｓｃＣｍ１ｏ、０１〜５０Ｔｏ
ｒｒの範囲内であることが好ましい。印加電力密度は小
さすぎると所定の処理効果が得られず、大きすぎるとエ
ツチング効果が強（なりすぎて磁気記録層にダメージを
与えるために、０．０２〜ＩＷ／ｃ／の範囲内であるこ
とが好ましい。
基体上に形成される磁気記録層は、γ−Ｆｅ２０３粉末
、Ｆｅ３０４粉末、Ｃｏ含有ｙ−Ｆｅ２０３粉末、Ｃｏ
含有Ｆｅ３Ｏ４粉末、Ｆｅ粉末、Ｃｏ粉末、Ｆｅ−Ｎｉ
粉末などの磁性粉末を結合剤成分および有機溶剤等と共
に基体上に塗布、乾燥するなどの方法で形成される。別
法として、Ｃｏ１Ｆｅ１Ｎｉ１Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−
Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｐ合金、Ｇｏ−Ｎｉ−Ｐ合金などの強
磁性金属や合金をペーパーデポジション法により非磁性
基体ヒに被着させることによっても形成することができ
る。′ベーパー・デポジション法”とは気体または真空
空間中で、析出させようとする物質あるいは化合物等を
蒸気またはイオン化蒸気として基体上に析出させる方法
を意味する。この方法には、真空蒸着法、イオン拳ブレ
ーティング法、高周波イオン・ブレーティング法、イオ
ン・クラスタービーム法、イオンビームデポジション法
、スパッタリング法、ＣＶＤ法などがある。
、Ｆｅ３０４粉末、Ｃｏ含有ｙ−Ｆｅ２０３粉末、Ｃｏ
含有Ｆｅ３Ｏ４粉末、Ｆｅ粉末、Ｃｏ粉末、Ｆｅ−Ｎｉ
粉末などの磁性粉末を結合剤成分および有機溶剤等と共
に基体上に塗布、乾燥するなどの方法で形成される。別
法として、Ｃｏ１Ｆｅ１Ｎｉ１Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−
Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｐ合金、Ｇｏ−Ｎｉ−Ｐ合金などの強
磁性金属や合金をペーパーデポジション法により非磁性
基体ヒに被着させることによっても形成することができ
る。′ベーパー・デポジション法”とは気体または真空
空間中で、析出させようとする物質あるいは化合物等を
蒸気またはイオン化蒸気として基体上に析出させる方法
を意味する。この方法には、真空蒸着法、イオン拳ブレ
ーティング法、高周波イオン・ブレーティング法、イオ
ン・クラスタービーム法、イオンビームデポジション法
、スパッタリング法、ＣＶＤ法などがある。
本発明の磁気記録テープにおけるバックコート層の厚さ
自体は本発明の必須認件ではない。−膜内には２０００
人〜２００００人の範囲内である。
自体は本発明の必須認件ではない。−膜内には２０００
人〜２００００人の範囲内である。
同様に、バックフート層の形成方法も本発明の必須要件
ではない。塗布または転写などの慣用手段により形成す
ることができる。
ではない。塗布または転写などの慣用手段により形成す
ることができる。
磁気記録テープとしてはポリエステルフィルム、ポリイ
ミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とするオー
ディオテープ、ＶＴＲテープ、ＤＡＴテープ、ストリー
マテープ等、磁気ヘッドと摺接する構造の種々の形態を
包含する。
ミドフィルムなどの合成樹脂フィルムを基体とするオー
ディオテープ、ＶＴＲテープ、ＤＡＴテープ、ストリー
マテープ等、磁気ヘッドと摺接する構造の種々の形態を
包含する。
［実施例コ
実施例により本発明を更に詳細に説明する。
実１ｍ
厚さ１０μｍのポリエステルフィルムを真空蒸着装置に
装填し、１ｘＬＯ−５Ｔｏｒｒの真空下でＣｏａｏＮｉ
２ｏ合金を加熱蒸発させてポリエステルフィルム表面上
に厚さ１５００人の強磁性金属薄膜層を形成した。次い
で強磁性金属薄膜層を形成したポリエステルフィルムを
グラビア塗布装置に装填し、ポリエステルフィルム裏面
上にｔ＜ツクコート塗料を塗布し、厚さ１μｍのバンク
コート層を形成した。
装填し、１ｘＬＯ−５Ｔｏｒｒの真空下でＣｏａｏＮｉ
２ｏ合金を加熱蒸発させてポリエステルフィルム表面上
に厚さ１５００人の強磁性金属薄膜層を形成した。次い
で強磁性金属薄膜層を形成したポリエステルフィルムを
グラビア塗布装置に装填し、ポリエステルフィルム裏面
上にｔ＜ツクコート塗料を塗布し、厚さ１μｍのバンク
コート層を形成した。
次いで第１図に示すプラズマ処理装置を使用し、強磁性
金属薄膜層とバックコート層を形成したポリエステルフ
ィルム１を処理槽２内の原反ロール３から円筒上キャン
ロール４の周側面に沿って移動させ、巻取りロール５に
も取るようにセットした。続いてポリエステルフィルム
１を５ｍ／分の速度で走行させながら処理槽２に取り付
けたガス導入管６から酸素ガスを５０ ｓ ｅ ｃｍの
流量で導入し、ガス圧を０．０２ＴｏｒｒとしてＲＦ電
極７に１３．５６ＭＨｚの高周波を０．２Ｗ／ｃｍ２の
゛心力密度で印加し、バックコート層表面をプラズマ処
理した。なお、第１図中の符号８はＲＦ電極７に高周波
を印加する面周？Ｉｌ電源を示し、符号９は処理槽２を
排気するための排気系を示す。
金属薄膜層とバックコート層を形成したポリエステルフ
ィルム１を処理槽２内の原反ロール３から円筒上キャン
ロール４の周側面に沿って移動させ、巻取りロール５に
も取るようにセットした。続いてポリエステルフィルム
１を５ｍ／分の速度で走行させながら処理槽２に取り付
けたガス導入管６から酸素ガスを５０ ｓ ｅ ｃｍの
流量で導入し、ガス圧を０．０２ＴｏｒｒとしてＲＦ電
極７に１３．５６ＭＨｚの高周波を０．２Ｗ／ｃｍ２の
゛心力密度で印加し、バックコート層表面をプラズマ処
理した。なお、第１図中の符号８はＲＦ電極７に高周波
を印加する面周？Ｉｌ電源を示し、符号９は処理槽２を
排気するための排気系を示す。
その後、処理槽２からポリエステルフィルム１を取り出
し、所定の幅に裁断して第２図に示すような磁気記録層
１０、バックコート層１１および緻密高架橋部分１２を
ａする磁気記録テープ１３を作製した。
し、所定の幅に裁断して第２図に示すような磁気記録層
１０、バックコート層１１および緻密高架橋部分１２を
ａする磁気記録テープ１３を作製した。
夫五匠λ
実施例１において、酸素ガスを使用する代わりに酸素と
ベンゼンの［１比１０対ｌ混合ガスを使用し、高周波電
力密度を０．２Ｗ／ｃｒ／に代えて０．３５Ｗ／ｃ♂と
した他は実施例１と同様の操作によりバックコート層表
面をプラズマ処理し磁気記録テープを作製した。
ベンゼンの［１比１０対ｌ混合ガスを使用し、高周波電
力密度を０．２Ｗ／ｃｒ／に代えて０．３５Ｗ／ｃ♂と
した他は実施例１と同様の操作によりバックコート層表
面をプラズマ処理し磁気記録テープを作製した。
Ｌ五阻止
実施例１において、酸素ガスを使用する代わりにアルゴ
ンガスを使用し、高周波電力密度を０゜２Ｗ／ｃｊに代
えて０．１Ｗ／Ｃ−／とじた他は実施例１と同様にして
バンクコート層表面をプラズマ処理し磁気記録テープを
作製した。
ンガスを使用し、高周波電力密度を０゜２Ｗ／ｃｊに代
えて０．１Ｗ／Ｃ−／とじた他は実施例１と同様にして
バンクコート層表面をプラズマ処理し磁気記録テープを
作製した。
実ＪＥ例」。
実施例りにおいて、酸素ガスを使用する代わりにアルゴ
ンとテトラメチルシランの重量比５対１混合ガスを使用
した他は実施例１と同様にしてバックコート層表面をプ
ラズマ処理し磁気記録テープを作製した。
ンとテトラメチルシランの重量比５対１混合ガスを使用
した他は実施例１と同様にしてバックコート層表面をプ
ラズマ処理し磁気記録テープを作製した。
比較１
実施例１において、プラズマ処理を省いた他は実施例１
と同様にして磁気記録テープを作製した。
と同様にして磁気記録テープを作製した。
前記の実施例１〜４および比較例１で得られた各磁気記
録テープについて耐久性とバックコート層面の強度を調
べた。耐久性は９０分記録用テープを用いて実機で１０
０回の連続走行試験を行い、出力の劣化型（試験開始時
と終了時の再生出力の比）と「粉落ち」の程度により評
価した。またバンクコート層面を固定ビンに巻き付けて
５０ｇ荷重で摺動させ、バックコート層面に傷が付き始
める（目視）摺動回数によりバックコート層面の強度を
評価した。結果を下記の表１に示す。
録テープについて耐久性とバックコート層面の強度を調
べた。耐久性は９０分記録用テープを用いて実機で１０
０回の連続走行試験を行い、出力の劣化型（試験開始時
と終了時の再生出力の比）と「粉落ち」の程度により評
価した。またバンクコート層面を固定ビンに巻き付けて
５０ｇ荷重で摺動させ、バックコート層面に傷が付き始
める（目視）摺動回数によりバックコート層面の強度を
評価した。結果を下記の表１に示す。
及１
表１に示された結果から明らかなように、実施例１〜４
の磁気記録テープは比較例１の磁気記録テープに比べ走
行耐久性に優れ、またバックコート層自体の強度も優れ
ている。
の磁気記録テープは比較例１の磁気記録テープに比べ走
行耐久性に優れ、またバックコート層自体の強度も優れ
ている。
［発明の効果コ
以上説明したように、非磁性基体の裏面にバックコート
層を形成してなる磁気記録媒体において、バックコート
層表面をプラズマに曝し、プラズマ処理することにより
、バックコート層最表面の低分子量成分をエツチングし
、同時に表面のラジカルの架橋を促進してバックコート
層の強度を向上させ、傷付、粉落ち等を抑制し、磁気記
録媒体の耐久性を著しく改善することが出来る。
層を形成してなる磁気記録媒体において、バックコート
層表面をプラズマに曝し、プラズマ処理することにより
、バックコート層最表面の低分子量成分をエツチングし
、同時に表面のラジカルの架橋を促進してバックコート
層の強度を向上させ、傷付、粉落ち等を抑制し、磁気記
録媒体の耐久性を著しく改善することが出来る。
第１図は本発明の磁気記録媒体の製造に使用されるプラ
ズマ処理装置の一例を示す概略図であり、第２図は実施
例１で得られた本発明の磁気記録テープの部分拡大断面
図である。 １・・・非磁性基体（ポリエステルフィルム）１０・・
・磁気記録層 １１・・・バックコート層 １２・・・緻密高架橋部分 １３・・・本発明の磁気記録テープ
ズマ処理装置の一例を示す概略図であり、第２図は実施
例１で得られた本発明の磁気記録テープの部分拡大断面
図である。 １・・・非磁性基体（ポリエステルフィルム）１０・・
・磁気記録層 １１・・・バックコート層 １２・・・緻密高架橋部分 １３・・・本発明の磁気記録テープ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）少なくとも、非磁性基体の表面に磁気記録層を形
成し、裏面にバックコート層を形成してなる磁気記録テ
ープにおいて、バックコート層形成後に真空槽中でバッ
クコート層表面をプラズマに曝してプラズマ処理するこ
とを特徴とする磁気記録テープの製造方法。（２）真空
槽中に希ガス、酸素、窒素、弗素、四弗化炭素、一酸化
炭素または水蒸気等の非有機化合物ガスを単独あるいは
混合物として導入し、該非有機化合物ガスの存在下でプ
ラズマ処理を行うことを特徴とする請求項１記載の磁気
記録テープの製造方法。 （３）磁気記録層が強磁性金属薄膜層であることを特徴
とする請求項１記載の磁気記録テープの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14259589A JPH038117A (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 磁気記録テープの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14259589A JPH038117A (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 磁気記録テープの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH038117A true JPH038117A (ja) | 1991-01-16 |
Family
ID=15318960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14259589A Pending JPH038117A (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 磁気記録テープの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH038117A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005135929A (ja) * | 2001-02-19 | 2005-05-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
| US7485478B2 (en) | 2001-02-19 | 2009-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
-
1989
- 1989-06-05 JP JP14259589A patent/JPH038117A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005135929A (ja) * | 2001-02-19 | 2005-05-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
| US7485478B2 (en) | 2001-02-19 | 2009-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US7825419B2 (en) | 2001-02-19 | 2010-11-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US8497525B2 (en) | 2001-02-19 | 2013-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US8679875B2 (en) | 2001-02-19 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US8866184B2 (en) | 2001-02-19 | 2014-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US9502679B2 (en) | 2001-02-19 | 2016-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US9768405B2 (en) | 2001-02-19 | 2017-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US9954196B2 (en) | 2001-02-19 | 2018-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
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