JPS63157312A

JPS63157312A - 磁気記録媒体およびその製造法

Info

Publication number: JPS63157312A
Application number: JP30383686A
Authority: JP
Inventors: Minoru Ichijo; 稔一條; Kunio Wakai; 若居　邦夫
Original assignee: Hitachi Maxell Ltd
Current assignee: Maxell Ltd
Priority date: 1986-12-22
Filing date: 1986-12-22
Publication date: 1988-06-30
Anticipated expiration: 2010-10-25
Also published as: JPH0799576B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は強磁性金属薄膜層または塗布型の強磁性層を磁
気記録層とする磁気記録媒体に係わり。

さらに詳しくは、磁気記録層の上部に強固に結合された
保護層および潤滑層を設けた耐久性、走行特性ならびに
耐腐食性が良好で信頼性の高い磁気記録媒体およびその
製造方法に関する。

〔従来の技術〕

従来の磁気記録媒体としては、非磁性基体上に。

ｙ　Ｆｅ、Ｏ，、ＣｏをドープしたｙＦｅ、Ｏ，および
Ｆｅ、Ｏ，、Ｃｒｙ、、Ｆｅ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｇｏ
−Ｎｉ、Ｂａフェライトなどの強磁性体微粒子を各種の
バインダと混合し、溶剤中に分散させた磁性塗料を塗布
し、乾燥させることにより磁気記録層を形成させた塗布
型のものが広く使用されてきている。

そして、近年高密度記録への要求の高まりと共に真空蒸
着、スパッタリング、イオンブレーティングなどのベー
パデポジション法あるいは電気メッキ、無電解メッキな
どのメッキ法によって形成される強磁性金属または合金
薄膜層を磁気記録層とする強磁性金属薄膜型の磁気記録
媒体が注目を浴び、実用化が進められている。

しかしながら、これらの強磁性金属薄膜層を磁気記録層
とする磁気記録媒体においては、高密度記録に適すると
いう優れた特性を有する反面、磁気ヘッドとの摩擦係数
が大きく摩耗や損傷を受は易く、また空気中では徐々に
酸化されて最大磁束密度などの磁気特性が大きく劣化す
るなどの問題が生ずる。

このため従来から磁気記録層上に、硬質金属。

硬質無機化合物、潤滑剤あるいは有機高分子などの種々
の保護膜層を設けるなどして耐久性ならびに耐腐食性を
改善することが試みられているが十分に満足のいく磁気
記録媒体は得られなかった。

この主な理由として、硬質金属または硬質無機化合物の
保護膜層の場合には、これらの硬質保護層が剥離し、そ
の小片が磁気記録媒体を損傷させたり、また潤滑剤また
は有機高分子の保護膜層であっても、磁気記録層と保護
膜層との界面の結合が弱く、経時により走行特性および
耐摩耗特性の著しい劣化がみられるためであった。

近年、磁気記録媒体の耐久性ならびに耐腐食性を改善す
る方法として２強磁性金属薄膜層上、あるいは金属酸化
物層を有する強磁性金属薄膜層上に、ケイ酸エステルガ
ス雰囲気中でグロー放電プラズマ処理を行うことによっ
て、有機ケイ素化合物のプラズマ重合保護膜層を設け、
さらにこのプラズマ重合保護膜層上に、有機高分子、高
級脂肪酸、脂肪酸エステルなどの潤滑剤よりなる潤滑層
を形成させる方法が提案されている（特開昭５８−２２
０２４４号公報、同５８−２２２４３９号公報）、シか
しこれらの方法は、脂肪酸などの潤滑効果により、磁気
記録媒体の初期の耐摩耗性は改善されるもののプラズマ
重合保護膜層に対する潤滑層の接着性が悪く、磁気ヘッ
ドとの摺接によって短時間に潤滑層が剥離し損傷され易
く、磁気記録媒体としての耐久性は十分ではなかった。

また、他方磁気記録媒体の耐久性ならびに耐腐食性を改
善する方法として２例えば強磁性金属薄膜層上に、ダイ
ヤモンド構造を含むカーボン薄膜を形成し、磁気記録媒
体の保護膜層とすることが提案されている（特開昭５９
−１２７２３２号公報）。しかしこの方法によって、ｍ
気記録媒体の耐腐食性および磁気ヘッドなどに対する摩
擦係数は多少低減させることができるものの炭素質膜の
固有の摩擦係数は未だ十分に低いとはいえず、磁気ヘッ
ドなどとの摺接によって摩耗され易いという欠点があっ
た。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した従来技術において、磁気記録層上に。

ケイ素化合物などの重合体からなる保護膜層を形成し、
さらにその上に有機高分子、高級脂肪酸。

脂肪酸エステルなどの潤滑層を設けた磁気記録媒体は、
潤滑層の潤滑効果により初期の耐摩耗性は改善されるも
のの、潤滑層の保護層に対する接着性が悪いため、磁気
ヘッドなどとの摺接によって比較的短時間に潤滑層が剥
離、破壊されるという問題が生ずる。また、炭素質膜の
保護膜層を設ける場合は、炭素質膜自体の摩擦係数が十
分に低くなく、磁気ヘッドなどとの摺接の際に摩耗され
ることが多く、磁気記録媒体としての耐久性、走行特性
ならびに耐腐食性に劣るという問題があった。

本発明の目的は、かかる従来技術の問題点を解消し２強
磁性金属薄膜層あるいは強磁性体微粒子とバインダなど
からなる塗布型の磁気記録層を有する磁気記録媒体にお
いて、上記磁気記録層上に有機化合物のベーパデポジシ
ョン法による有機系または無機系の重合体からなる保護
膜層を形成させるか、もしくはベーパデポジション法に
よって炭素を主成分とする保護膜層を形成させ、これら
の保護膜層の表面を１例えば水蒸気またはアンモニアの
雰囲気下でプラズマ処理を行い、水酸基。

アミノ基あるいはイミノ基などを導入し、さらに。

その上に上記保護膜層表面の導入基と重付加反応を起こ
す活性部分を有する化合物からなる潤滑層を形成させて
、上記保護膜層と潤滑層とを強固に化学結合させること
によって、耐久性、走行特性ならびに耐腐食性が良好で
、信頼性の高い磁気記録媒体およびその製造方法を提供
することにある。

〔問題を解決するための手段〕

本発明は２強磁性金属薄膜からなる磁気記録層。

もしくは強磁性体微粒子とバインダなどからなる塗布型
の磁気記録層を有する磁気記録媒体において、上記磁気
記録層上に有機化合物のベーパデポジション法による有
機系または無機系重合体からなる保護膜層、もしくは炭
素を主成分とする保護膜層を形成し、この保護膜層の表
面に２例えば水蒸気もしくはアンモニアの雰囲気下にお
いてプラズマ処理を行うことによって水酸基（−ＯＨ）
。

アミノ基（−Ｎ　ＨＫ　）またはイミノ基（〉ＮＨ）を
導入することによって活性化処理層を形成させ。

その上に、上記保護膜層表面の導入基と重付加反応を起
こす活性部分を有する化合物であるイソシアネート〔−
Ｎ＝Ｃ＝Ｏ）やケテンイミン（−Ｃ＝Ｃ＝Ｎ−）に代表
される累積二重結合を有する化合物、あるいはα、β不
飽和カルボニル「物、あるいはアセチレン系（−ＣＥＣ−）やニトリル（
−ＣミＮ）に代表される三重結合を有する口原子を含む
環状化合物からなる潤滑層を設けることによって、上記
本発明の目的を達成することができる。

そして９本発明の潤滑層を構成する上記活性部分を有す
る有機化合物において、より潤滑性を高めるためには、
上記保護膜層表面に導入されたＯＨ，ＮＨ，、ＮＨ基な
どと重付加反応を起こす上記活性部分を末端に有する直
鎖状の有機化合物もしくは環状ではあるが上記活性部分
を環内に有し９重付加反応を起こすことによって環が開
裂して直鎖状になる有機化合物であることがより望まし
い。そして、上記有機化合物の直鎖は炭素原子のみによ
る鎖には限定されず、酸素、窒素、硫黄原子などが鎖中
に混在してもよい。また、水素原子の一部、または全部
がフッ素原子に置換されていてもよい。直鎖の長さは鎖
を直接構成する原子の数が１０〜３０個の範囲であるこ
とが望ましく、この範囲を外れると潤滑性が多少劣化す
ることになる。

本発明による潤滑層は、磁気記録層上に形成された保護
膜層の表面において、化学的に強固に結合されているの
で、磁気ヘッドなどの摺接による潤滑層の剥離および破
壊がなく、シたがって磁気記録媒体の耐久性、走行特性
ならびに耐腐食性が著しく改善されるものである。

本発明における強磁性金属薄膜からなる磁気記録層上も
しくは塗布型の磁気記録層上へのベーパデポジション法
による有機系または無機系重合体（以下単に重合体とい
う）である保護膜層の形成は有機系の場合、真空処理槽
内で、炭化水素系有機化合物、フッ素系有機化合物およ
びケイ素系有機化合物などのモノマーガスを用い、プラ
ズマ重合、イオンビーム蒸着、ＣＶＤ法などのベーパデ
ポジション法によって重合させ磁気記録層上に被着させ
るか、あるいは合成樹脂を蒸発源として用い、真空蒸着
法によって行なわれ、また無機系の場合は、無機化合物
または単体をターゲットあるいは蒸発源として用い、ス
パッタリング法あるいは真空蒸着法により行なわれるに
こでは９便宜上、プラズマ重合法による場合を例に挙げ
て説明する。

高周波によりプラズマ重合させて、磁気記録層上にプラ
ズマ重合保護膜層を形成するのに使用するモノマーガス
としては、たとえば、プロパン。

エチレン、プロピレンなどの炭化水素系化合物のモノマ
ーガス、Ｃ，Ｆ４．Ｃ，Ｆ、などのフッ素系有機化合物
のモノマーガスおよびテトラメチルシラン、オクタメチ
ルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルジシラザンな
どのケイ素系有機化合物のモノマーガスなどが好ましく
使用され、これらの有機化合物のモノマーガスは、高周
波によりラジカルが生成され、この生成されたラジカル
が反応し重合して被膜となる。またこれらのモノマーガ
スをプラズマ重合する際、アルゴンガス、ヘリウムガス
および酸素ガス等のキャリアガスを併存させるとモノマ
ーガスを単独でプラズマ重合する場合に比べて３〜５倍
の速度で被着されるため、これらのキャリアガスを併存
させて行うのが好ましい。これらのキャリアガスと併存
させる際、その組成割合はキャリアガス対上記有機化合
物のモノマーガスの比にして１対１〜２０対１の範囲内
で併存させるのが好ましく、キャリアガスが少なすぎる
と被着速度が低下し、多すぎるとモノマーガスが少なく
なってプラズマ重合反応に支障をきたす。

なお、炭化水素系化合物のモノマーガスを使用するとき
は、酸素ガスをキャリアガスとして使用すると酸化反応
が生じるため、酸素ガスをキャリアガスとして使用する
のは好ましくない。

プラズマ重合を行う場合のガス圧および高周波の電力は
、ガス圧が高くなるほど被着速度が速くなる反面モノマ
ーガスが比較的架橋密度低くプラズマ重合されて硬い保
護膜層が得られず、またガス圧を低くして高周波電力を
高くすると被着速度が遅くなる反面架橋密度が比較的高
い保護膜層が得られるが、ガス圧を低くして高周波電力
を高くしすぎると、モノマーガスが粉末化してしまいプ
ラズマ重合保護膜層が形成されないため、ガス圧を０．
００１〜５Ｔｏｒｒの範囲内とし、平方センチあたりの
高周波電力を０．０３〜５　Ｗ　／　ａｍ２の範囲内と
するのが好ましく、ガス圧を０．００３〜Ｉ　Ｔｏｒｒ
とし。

平方センチあたりの高周波電力を０．０５〜３Ｗ／ｃＩ
ｌ″の範囲内とするのがより好ましい。このようにして
プラズマ重合によって被着形成される有機化合物のプラ
ズマ重合保護膜層はｍ密であり、この有機化合物のプラ
ズマ重合保護膜層が形成されることによって耐摩耗性お
よび耐食性が一段と向上する。このような有機化合物の
プラズマ重合保護膜層は、その膜厚が薄すぎると保護膜
層による耐久性および耐食性の効果が充分に発揮されず
。

厚すぎるとスペーシングロスが大きくなりすぎて電磁変
換特性に悪影響を及ぼすので、膜厚は２０〜１０００人
の範囲が好ましく、より好ましい膜厚範囲は５０〜５０
０人である。

そして２本発明の磁気記録層上に形成する炭素を主成分
とする保護膜層の形成は、いわゆるイオンビーム蒸着、
ＣＶＤ、プラズマ重合法、スパッタリングなどの手法に
よってなされる。これらの手法によって形成された炭素
質膜は、炭素を中心の元素として骨格をなし、ところど
ころに水素原子や酸素原子などが結合した構造を有する
。炭素原子の含有量は少な過ぎると炭素骨格が形成でき
ず膜強度が落ちるので、　３０ａｔ％以上が必要である
。

特に炭素質膜が炭素と水素のみからなるときは。

炭素原子の含有量は４０ａｔ％以上が好適である。また
、炭素質膜が炭素と水素と酸素からなるときは。

炭素の含有量は３０ａｔ％以上、酸素の含有量は２０ａ
ｔ％以下であることが好ましい。

このような炭素質膜の膜厚は、膜厚が薄すぎるとこの保
護膜層による耐久性および耐食性の効果が充分に発揮さ
れず、厚すぎるとスペーシングロスが大きくなりすぎて
電磁変換特性に悪影響を及ぼすので、その膜厚は２０〜
１０００人の範囲が好ましく、より好ましい範囲は５０
〜５００人である。

本発明の有機系または無機系の重合体からなる保護膜層
上、もしくは炭素を主成分とす保護膜層上に水素基（−
ＯＨ）を導入するためには１例えば真空処理槽内に水蒸
気を導入し、高周波を印加して水蒸気プラズマを発生さ
せて、上記保護膜層を処理する。この時に導入する水蒸
気の流量、圧力、並びに印加する高周波（ＲＦ）電力は
、水蒸気流量、圧力が大き過ぎて、ＲＦ電力が小さ過ぎ
ると保護膜層上に充分に水酸基が導入されず、逆に水蒸
気流量、圧力が小さ過ぎて、ＲＦ電力が大き過ぎると、
保護膜層表面がエツチングされたり。

基板が熱により変形したりするために、水蒸気の流量は
１〜５ＱＯｓｃｃｍ、圧力は０．００１−１０　Ｔｏｒ
ｒ。

ＲＦ電力は０，０１〜３　Ｗ　／　ｃｍ”の範囲にする
のが好ましく、より好ましい条件は、水蒸気の流量が１
０〜２００ｓｃｃｍ、圧力が０．０１〜５　Ｔｏｒｒ、
　ＲＦ電力密度が０．０６〜ＩＷ／ａｍ”の範囲である
。

また２本発明の重合体からなる保護膜層上、もしくは炭
素質膜の保護膜層上にアミノ基あるいはイミノ基を導入
するためには９例えば真空処理槽内にアンモニアガスを
導入し、高周波を印加してアンモニアプラズマを発生さ
せて炭素質膜を処理する。この時に導入するアンモニア
ガスの流量。

圧力、並びに印加するＲＦ電力は、アンモニアガス流量
、圧力が大きすぎて、ＲＦ電力が小さすぎると、炭素質
膜上に十分にアミノ基あるいはイミノ基が導入されず、
逆にアンモニアガスの流量。

圧力が小さすぎて、ＲＦ電力が大きすぎると２炭素質膜
表面がエツチングされたり、基板が熱により変形したり
するために、アンモニアガスの流量は１〜５００ｓｅｃ
＋ａ、圧力は０．００１〜１０Ｔｏｒｒ、　ＲＦ電力密
度は０．０１〜３　Ｗ　／　ｃｒａ”の範囲にするのが
好ましく、より好ましい条件は、アンモニアガスの流量
がｌｏ〜２００ｓｃｃｍ、圧力が０．０１〜５　Ｔｏｒ
ｒ、　ＲＦ電力密度が０．０６〜Ｉ　Ｗ　／　ｃ＋ａ２
の範囲である。

本発明において、水蒸気もしくはアンモニアの雰囲気中
でプラズマ処理された保護膜層上に設ける潤滑層として
は、イソシアネート（−Ｎ＝Ｃ＝０）やケテンイミン（
−Ｃ＝Ｃ＝Ｎ−）に代表される累積二重結合を有する化
合物、あるいはα。

重結谷を有する化合物、あるいはアセチレン系（−Ｃ＝
Ｃ−＞やニトリル（−ＣミＮ）に代表さ有機化合物を用
いることが好ましく、特に保護膜層上に導入したＯＨ，
ＮＨ，ＮＨ，基などと重付加反応を起こす活性部分が末
端にある直鎖状の有機化合物を用いることがより好まし
い。

そして２本発明の潤滑層を構成する具体的な有機化合物
は、累積二重結合を有する化合物群として、イソシアネ
ート〔−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ（活性部分を示す）〕、イソチオシ
アネート（−Ｎ＝Ｃ＝Ｓ）。

ケテン（−Ｃ＝Ｃ−０）、ケテンイミン〔−Ｃ＝Ｃ＝Ｎ
−３，カルボジイミド［−Ｎ＝Ｃ＝Ｎ−３などがあり１
例えばオクタデシルイソシアネート。

オクタデシルイソチオシアネート、メチル−ｎ−オクチ
ルケテン、ｎ−デシルケテンイミン、ｎ−デシルカルボ
ジイミドなどが挙げられる。また。

電子吸収性基により活性化されたＣ＝Ｃ結合を有する化
合物群として、α、β−不飽和不飽和ニルボニルを有する化合物群として、アセチレン系（−ＣＥＣ
−）、ニトリル（−ＣミＮ〕などかあり、１−オクタデ
セン、オクタデシルシアニドなどが挙げられる。また、
ヘテロ原子を含む環状化ルオキシレン、Ｎ−デシルアジ
リジン、γ−ステアロラクトン、γ−パルミトエノール
ラクトン。

ブチルアズラクトン、ｎ−デシル無水コハク酸。

Ｎ−オクチルイソマレイミド、Ｎ−デシルイミノジオキ
ソランなどを挙げることができる。

これらの有機化合物を９本発明の水蒸気またはアンモニ
アの雰囲気中でプラズマ処理された保護膜層上に潤滑層
として適用する手段は、真空蒸着法または上記の有機化
合物を適当な溶剤に溶解し塗布する方法によって行うこ
とができる。このように形成された潤滑層は、保護膜層
の表面に導入されたＯＨ，ＮＨ，またはＮＨ基と重付加
反応を起こして２例えばインシアネート基の場合には。

以下に示すようなウレタン結合あるいは尿素結合を形成
し、保渡膜層と潤ＮＭとの間に強固な化学結合が形成さ
れる。

（式中、　Ｒ，Ｒ’、　Ｒ’はアルキル基を表わす、）
本発明の磁気記録媒体の磁気記録層を構成する強磁性金
属または合金薄膜層の形成材料としては。

Ｇｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｇｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金。

Ｃｏ−Ｐ合金、　Ｃｏ　−Ｎ　ｉ　”　Ｐ合金などの強
磁性材料が使用され、二九らの強磁性材料からなる強磁
性金属薄膜層は、真空蒸着、イオンブレーティング、ス
パッタリング、メッキ等の手段によって基体上に被着形
成される。

なお磁気記録層としては２強磁性金属薄膜層に限らず、
’ＩＦｅ、Ｏ，，ＣｏをドープしたγＦｅ、Ｏ。

およびＦｅ、Ｏ，、、Ｃｒ０ａ、Ｆａ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆ
ｅ−Ｇｏ−Ｎｉ、Ｂａフェライトなどの強磁性体微粒子
を各種バインダーと混合し、溶剤中に分散させた磁性塗
料を非磁性基体上に塗布、乾燥させることにより形成し
た磁気記録層を含むことはいうまでもない。

さらに２本発明の磁気記録媒体としては、ポリエステル
フィルム、ポリイミドフィルムなどの合成樹脂フィルム
を基体とする磁気テープ、合成樹脂フィルム、アルミニ
ウム板およびガラス板等からなる円盤やドラムを基体と
する磁気ディスク。

フロッピーディスクおよびハード磁気ディスクや磁気ド
ラムなど、走行時あるいはスタートおよびストップ時に
磁気ヘッドと摺接する構造の種々の形態の磁気記録媒体
を包含する。

〔実施例〕

以下に本発明の一実施例を挙げ図面に基づいてさらに詳
細に説明する。図において同一符号を付したものは同一
部品または同一機能を有する部分を示す。

（実施例　１）厚さ１０μのポリエステルフィルムを真空蒸着装置に装
填し、　Ｉ　Ｘｌ０−’Ｔｏｒｒの真空下でコバルトを
加熱蒸発させてポリエステルフィルム上に厚さ１０００
人のコバルトからなる強磁性金属薄膜層を形成した。次
いで、第２図に示すプラズマ処理装置を使用し２強磁性
金属薄膜層を形成したポリエステルフィルム１を処理槽
２内の原反ロール３から円筒状キャン４の周側面に沿っ
て移動させ２巻き取りロール５に巻き取るようにセット
した。次いで、ポリエステルフィルム１を円筒状キャン
４の周側面に沿って２ｍ／ｗｉｎの走行速度で走行させ
ながら、処理槽６に取り付けたガス導入管７からテトラ
フルオロエチレンのモノマーガスを５０ｓｅｃ鵬の流量
で導入し、ガス圧を０．０３Ｔｏｒｒとして電極８で１
３．５６ＭＨｚの高周波を０．５Ｗ／ｃｍ”の電力密度
で印加してプラズマ重合を行い、プラズマ重合保護膜層
を形成した。この時プラズマ重合保護膜層の膜厚は２０
０人であった。同時に、処理槽９に取り付けたガス導入
管１０から水蒸気を１０１００５ｅの流量で導入し、ガ
ス圧を０．ＩＴｏｒｒとして電極１１で１３．５６Ｍ１
（ｚの高周波を０．ＩＷ／ａｍ”の電力密度で印加し、
既に形成したプラズマ重合保護膜層表面を処理した。続
いて；フィルムを処理槽から取り出し、所定の幅に裁断
しオクタデシルイソシアネートを０．１ｖｔ％ベンゼン
溶液にしてディップ塗布し。

十分乾燥して潤滑層を形成し、第１図に示す構造の磁気
テープを得た。なお、第２図に示す１２．１３゜１４は
それぞれ処理槽２，６．９を排気する排気系。

１５、１６はそれぞれ電極８，１１に高周波を印加する
ための高周波を源である。

（実施例　２）実施例１におけるプラズマ重合保護膜層形成の際、テト
ラフルオロエチレンを５０ｓｃｃｍ導入する代りに、テ
トラメチルシランを２０ｓｃｃｍ導入した他は実施例１
と同様にして磁気テープを作製した。プラズマ重合保護
膜層の厚さは１８０人であった。

（実施例　３）実施例１における潤滑層形成の際に、オクタデシルイソ
シアネートのＱ、１ｗｔ％ベンゼン溶液に代えて、１−
デセン−３−オンの０，１ｗｔ％ｎ−ヘキサン溶液を用
いた他は実施例１と同様にして磁気テープを作製した。

（実施例　４）実施例１における潤滑層形成の際に、オクタデシルイソ
シアネートの０．１ｖｔ％ベンゼン溶液に代えて、ホン
プリンＺ−ＤＩＳＯＣ（モンテジソン社製、末端−Ｎ＝
Ｃ＝Ｏ）の０．１ｗｔ％フレオン溶液を用いた他は実施
例１と同様にして磁気テープを作製した。

（実施例　５）実施例１における潤滑層形成の際に、オクタデシルイソ
シアネートの０．１ｗｔ％ベンゼン溶液に代えて、ｎ−
オクタデシルシアニドの０．２ｗｔ％メチルイソブチル
ケトン溶液を用いた他は実施例１と同様にして磁気テー
プを作製した。

（実施例　６）実施例１における潤滑層形成の際に、オクタデシルイソ
シアネートの０．１ｗｔ％ベンゼン溶液に代えて、ｎ−
ペンタデシルオキシレンの０．１ｗｔ％ベンゼン溶液を
用いた他は実施例１と同様にして磁気テープを作製した
。

（比較例　１）実施例１においてプラズマ重合保護膜層上への水蒸気プ
ラズマ処理を省いた他は実施例１と同様にして磁気テー
プを作製した。

（比較例　２）実施例２において、プラズマ重合保護膜層上への水蒸気
プラズマ処理を省いた他は実施例２と同様にして磁気テ
ープを作製した。

（比較例　３）実施例１においてプラズマ重合保護膜層上への水蒸気プ
ラズマ処理、並びに潤滑層の形成を省いた他は実施例１
と同様にして磁気テープを作製した・（比較例　４）比較例３においてプラズマ重合保護膜層の形成を省いた
他は比較例３と同様にして磁気テープを作製した。

上記の実施例１〜６及び比較例１〜４で作製した磁気テ
ープについて、耐食性、耐久性を調べた。

耐食性は、温度が６０℃でＲＨ（関係湿度）が９０％の
雰囲気中に５週間放置した時の飽和磁化の劣化率（％）
、耐久性は、スチル試験を行ない、初期出力が６ｄＢ低
下するまでの時間（分）により評価した。その結果を第
１表に示す。

第１表から明らかなごとく、実施例１〜６及び比較例１
〜４によって作製したプラズマ重合保護膜層を有する磁
気テープは、プラズマ重合保護膜層を有しない比較例４
の磁気テープに比べ著しく耐腐食性が高い。さらに、実
施例１〜６の磁気テープは、潤滑層を設けていない比較
例３の磁気テープ、及び潤滑層は設けであるものの水蒸
気プラズマ処理を施していない比較例１および２の磁気
テープに比べ、耐スチル時間が長く耐久性が一段と改善
されていることがわかる。

（実施例　７）第２図に示す実施例１で用いた同じ構造のプラズマ処理
装置を用い、実施例１における水蒸気プラズマ処理に代
えて、処理槽９に取付けられたガス導入管１０からアン
モニアガスを１０１００５ｅの流量で導入し、ガス圧を
０．３Ｔｏｒｒとして、電填１１で１３．５６ＭＨｚの
高周波を０．１５Ｗ／ｃｍ”の電力密度で印加し、プラ
ズマ重合保護膜層の表面をアンモニアプラズマ処理した
以外は実施例１と同様にして磁気テープを作製した。

（実施例　８）実施例７におけるプラズマ重合保護膜層形成の際、テト
ラフルオロエチレンを５０ｓｅｃ＋＋＋導入する代りに
、テトラメチルシランを２０ｓｃｃｍ導入した他は実施
例７と同様にして磁気テープを作製した。プラズマ重合
保護膜層の厚さは１８０人であった。

（実施例　９）実施例７における潤滑層形成の際に、オクタデシルイソ
シアネートのＯ，１ｗｔ％ベンゼン溶液に代えて、１−
デセン−３−オンの０．１ｗｔ％ｎ−ヘキサン溶液を用
いた他は実施例７と同様にして磁気テープを作製した。

（実施例　１０）実施例７における潤滑層形成の際に、オクタデシルイソ
シアネートの０，１ｗｔ％ベンゼン溶液に代えて、ホン
プリンＺ−ＤＩＳＯＣ（モンテジソン社製、末端−Ｎ＝
Ｃ＝Ｏ）の０．１ｖｔ％フレオン溶液を用いた他は実施
例７と同様にして磁気テープを作製した。

（実施例　１１）実施例７における潤滑層形成の際に、オクタデシルイソ
シアネートの０，１ｗｔ％ベンゼン溶液に代えて、ｎ−
オクタデシルシアニドの０．２ｖｔ％メチルイソブチル
ケトン溶液を用いた他は実施例７と同様にして磁気テー
プを作製した。

（実施例　１２）実施例７における潤滑層形成の際に、オクタデシルイソ
シアネートの０，１ｗｔ％ベンゼン溶液に代えて、ｎ−
ペンタデシルオキシレンの０．１ｗｔ％ベンゼン溶液を
用いた他は実施例７と同様にして磁気テープを作製した
。

（比較例　５）実施例７においてプラズマ重合保護膜層上へのアンモニ
アプラズマ処理を省いた他は実施例７と同様にして磁気
テープを作製した。

（比較例　６）実施例８において、プラズマ重合保護膜層上へのアンモ
ニアプラズマ処理を省いた他は実施例８と同様にして磁
気テープを作製した。

（比較例　７）実施例７においてプラズマ重合保護膜層上へのアンモニ
アプラズマ処理、並びに潤滑層の形成を省いた他は実施
例７と同様にして磁気テープを作製した。

（比較例　８）比較例７においてプラズマ重合保護膜層の形成を省いた
他は比較例７と同様にして磁気テープを作製した。

上記の実施例７〜１２及び比較例５〜８で作製した磁気
テープについて、実施例１〜６及び比較例１〜４の場合
と同様にして、飽和磁化の劣化率（％）および耐スチル
時闇（分）を調べた結果を第２表に示す。

第２表から明らかなごとく、実施例７〜１２及び比較例
５〜８によって作製したプラズマ重合保護膜層を有する
磁気テープは、プラズマ重合保護膜層を有しない比較例
８の磁気テープに比入著しく耐腐食性が高い。さらに、
実施例７〜１２の磁気テープは、潤滑層を設けていない
比較例７の磁気テープ、及び潤滑層は設けであるものの
アンモニアプラズマ処理を施していない比較例５及び６
の磁気テープに比べ、耐スチル時間が長く耐久性が一段
と改善されていることがわかる。

（実施例　１３）厚さ１０μのポリエステルフィルムを真空蒸着装置に装
填し＋　Ｉ　Ｘｌ０−’Ｔｏｒｒの真空下でコバルトを
加熱蒸発させてポリエステルフィルム上に厚さ１０００
人のコバルトからなる強磁性金属薄膜層を形成した。次
いで、第４図に示すプラズマ処理装置を使用し２強磁性
金属薄膜層を形成したポリエステルフィルム１を処理槽
２内の原反ロール３から円筒状キャン４の周側面に沿っ
て移動させ２巻き取りロールＳに巻き取るようにセット
した。次いで、ポリエステルフィルム１を円筒状キャン
４の周側面に沿って０．２ｍ／分の走行速度で走行させ
ながら、処理槽６に取り付けたガス導入管７からアルゴ
ンと水素の１対１混合ガスを導入し、ガス圧を０．００
５Ｔｏｒｒとして電極８で１３．５６Ｍ）ＬＺの高周波
を５　Ｗ　／　ｃ＋ａ”の電力密度で印加して、電極８
上に設置したグラファイト１７のスパッタリングを行な
い２強磁性金属薄膜層上に炭素質膜を形成した。

この時炭素質膜は炭素と水素からなり２組成比は原子数
比で炭素対水素で、ｌ：ｏ、７であった。また膜厚は１
２０人であった。同時に、処理槽９に取り付けたガス導
入管１０から水蒸気を１００ｓｃｃｎ＋の流量で導入し
、ガス圧を０．ＩＴｏｒｒとして電極１１で１３．５６
ＭＨｚの高周波を０．０５Ｗ／ｃｍ２の電力密度で印加
し、既に形成した炭素質膜の表面をプラズマ処理した。

続いて、フィルムを処理槽から取り出し。

所定の幅に裁断しオクタデシルイソシアネートを０．１
ｗｔ％ベンゼン溶液にしてディップ塗布し、十分乾燥し
て潤滑層を形成し、第３図に示す構造の磁気テープを得
た。なお、第４図に示す１２．１３゜１４はそれぞれ処
理槽２，６．９を排気する排気系。

Ｉｓ、　１６はそれぞれ電極８，１１に高周波を印加す
るための高周波電源である。

（実施例　１４）実施例１３における潤滑層形成の際に、オクタデシルイ
ソシアネートの０．１ｗｔ％ベンゼン溶液に代えて、１
−デセン−３−オンの０．１ｗｔ％ｎ−ヘキサン溶液を
用いた他は実施例１３と同様にして磁気テープを作製し
た。

（実施例　１５）実施例１３における潤滑層形成の際に、オクタデシルイ
ソシアネートの０．１ｗｔ％ベンゼン溶液に代えて、ホ
ンプリンＺ−ＤＩＳＯＣ（モンテジソン社製、末端−Ｎ
＝Ｃ＝Ｏ）の０，１ｗｔ％フレオン溶液を用いた他は実
施例１３と同様にして磁気テープを作製した。

（実施例　１６）実施例１３における潤滑層形成の際に、オクタデシルイ
ソシアネートの０．１ｗｔ％ベンゼン溶液に代えて、ｎ
−オクタデシルシアニドの０．２ｖｔ％メチルイソブチ
ルケトン溶液を用いた他は実施例１３と同様にして磁気
テープを作製した。

（実施例　１７）実施例１３における潤滑層形成の際に、オクタデシルイ
ソシアネートの０．１ｗｔ％ベンゼン溶液に代えて、ｎ
−ペンタデシルオキシレンの０．１ｗｔ％ベンゼン溶液
を用いた他は実施例１３と同様にして磁気テープを作製
した。

（比較例　９）実施例１３において炭素質膜上への水蒸気プラズマ処理
を省いた他は実施例１３と同様にして磁気テープを作製
した。

（比較例　１０）実施例１３において、炭素質膜上への水蒸気プラズマ処
理、並びに潤滑層の形成を省いた他は実施例１３と同様
にして磁気テープを作製した。

（比較例　１１）強磁性金属薄膜に何ら処理を施さず、かつ炭素質膜など
を全く形成させずに磁気テープを作製した。

上記の実施例１３〜１７及び比較例９〜１０で作製した
磁気テープについて、上述の実施例の場合と同様な方法
で、飽和磁化の劣化率（％）および耐スチル時間（分）
を求め、耐腐食性および耐久性を評価した。その結果を
第３表に示す。

第３表から明らかなごとく、実施例１３〜１７及び比較
例９〜１１によって作製した炭素質膜を有する磁気テー
プは、炭素質膜を有しない比較例１１の磁気テープに比
べ著しく耐腐食性が高い。さらに。

実施例１３〜１７の磁気テープは、潤滑層を設けていな
い比較例１０．１１の磁気テープ、及び潤滑層は設けで
あるものの水蒸気プラズマ処理を施していない比較例９
の磁気テープに比べ、耐スチル時間が長く、耐久性が一
段と改善されていることがわかる。

（実施例　１８）第４図に示す実施例１３で用いた同じ構造のスパッタリ
ングおよびプラズマ処理装置を用い、実施例１３におけ
る水蒸気プラズマに代えて、処理槽９に取付けられたガ
ス導入管１０からアンモニアガスを１０１００５ｅの流
量で導入し、ガス圧を０．３Ｔｏｒｒとして、電極１１
で１３．５６Ｍ七の高周波を０．０５Ｗ　／　ｃｍ”の
電力密度で印加し、炭素質膜の表面をアンモニアプラズ
マ処理した以外は実施例１３と同様にして磁気テープを
作製した。

（実施例　１９）実施例１８における潤滑層形成の際に、オクタデシルイ
ソシアネートの０．１ｗｔ％ベンゼン溶液に代えて、１
−デセン−３−オンの０．１ｗｔ％ｎ−ヘキサン溶液を
用いた他は実施例１８と同様にして磁気テープを作製し
た。

（実施例　２０）実施例１８における潤滑層形成の際に、オクタデシルイ
ソシアネートの０．１ｗｔ％ベンゼン溶液に代えて、ホ
ンプリンＺ−ＤＩＳＯＣ（モンテジソン社展、末端−Ｎ
＝Ｃ＝Ｏ）の０．１ｗｔ％フレオン溶液を用いた他は実
施例１８と同様にして磁気テープを作製した。

（実施例　２１）実施例１８における潤滑層形成の際に、オクタデシルイ
ソシアネートの０．１ｗｔ％ベンゼン溶液に代えて、ｎ
−オクタデシルシアニドの０．２ｗｔ％メチルイソブチ
ルケトン溶液を用いた他は実施例１８と同様にして磁気
テープを作製した。

（実施例　２２）実施例１８における潤滑層形成の際に、オクタデシルイ
ソシアネートの０，１ｗｔ％ベンゼン溶液に代えて、ｎ
−ペンタデシルオキシレンの０．１ｖｔ％ベンゼン溶液
を用いた他は実施例１８と同様にして磁気テープを作製
した。

（比較例　１２）Ｘ施例１８において炭素質膜上へのアンモニアプラズマ
処理を省いた他は実施例１８と同様にして磁気テープを
作製した。

（比較例　１３）実施例１８において、炭素質膜上へのアンモニアプラズ
マ処理、並びに潤滑層の形成を省いた他は実施例１８と
同様にして磁気テープを作製した。

（比較例　１４）強磁性金属薄膜に何ら処理を施さず、かつ炭素質膜など
を全く形成させずに磁気テープを作製した。

上記の実施例１８〜２２及び比較例１２〜１４で作製し
た磁気テープについて、上述の実施例の場合と同様な方
法で飽和磁化の劣化率Ｃ％）および耐スチル時間（分）
を求め、耐腐食性ならびに耐久性を評価した。その結果
を第４表に示す。

第４表から明らかなごとく、実施例１８〜２２及び比較
例１２〜１３によって作製した炭素質膜を有する磁気テ
ープは、炭素質膜を有しない比較例１４の磁気テープに
比べ、著しく耐腐食性が高い。さらに。

実施例１８〜２２の磁気テープは、潤滑層を設けていな
い比較例１３．１４の磁気テープ、及び潤滑層は設けで
あるもののアンモニアプラズマ処理を施していない比較
例１２の磁気テープに比較して耐スチル時間が長く、耐
久性が一段と改善されていることがわかる。

以上の本発明の実施例において、潤滑層を構成する有機
化合物として、（１）累積二重結合を有する化合物であ
るオクタデシルイソシアネート。

オクタデシルイソチオシアネート、（２）電子吸収性基
により活性化された炭素−炭素結合を有する化合物であ
る１−デセン−３−オン、（３）三重結合を有する化合
物であるオクタデシルシアニド、および（４）へテロ原
子を含む環状化合物であるペンタデシルオキシレンを例
に挙げて説明したが、上記の有機化合物以外に、（１）
の化合物として、メチル−ｎ−オクチルケテン、ｎ−デ
シルケテンイミン、ｎ−デシルカルボジイミドなど。

（３）の化合物として、１−オクタデセンなど。

（４）の化合物どして、Ｎ−デシルアジリジン。

γ−ステアロラクトン、γ−パルミトエノールラクトン
、ブチルアズラクトン、ｎ−デシル無水コハク酸、Ｎ−
オクチルイソマレイミド、Ｎ−デシルイミノジオキソラ
ンなどについても、上記本発明の実施例と同様の効果が
あることを確認している。

さらに、上記の本発明の実施例において、磁気記録層と
して強磁性金属薄膜層を有する磁気記録媒体にライて述
べたがｒ　ｙ　Ｆｅ、Ｏ，、Ｃｒｙ、、Ｆｅ。

Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、Ｂａフェライトなどの
強磁性体微粒子を各種バインダと混合し、溶剤中に分散
させた磁性塗料を非磁性基体上に塗布し形成させた磁気
記録層を有する磁気記録媒体においても上記実施例と同
様の効果があることを実験により確認している。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したごとく９本発明の磁気記録層上に、
有機系または無機系の重合体膜からなる保護膜層、もし
くは炭素物質を主成分とする保護膜層を形成し、その表
面に水酸基、アミノ基、イミノ基などを導入し、さらに
その表面に、上記の導入基と重付加反応を起こす活性部
分である累積二重結合を有する化合物、電子吸引性基に
より活性化された炭素−炭素二重結合を有する化合物。

三重結合を有する化合物、あるいはへテロ原子を含む環
状化合物などからなる潤滑層を設けることによって、耐
腐食性ならびに走行特性が良好で。

耐久性に優れた信頼性の高い磁気記録媒体を得ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例１〜１２において作製した磁気
記録媒体の構造を示す部分拡大断面図、第２図は実施例
１〜１２において用いたプラズマ重合およびプラズマ処
理装置の構造を示す模式図、第３図は実施例１３〜２２
において作製した磁気記録媒体の構造を示す部分拡大断
面図、第４図は実施例１３〜２２において用いたスパッ
タリングおよびプラズマ処理装置の構造を示す模式図で
ある。１・・・ポリエステルフィルム２・・・処理槽　　　　　　３・・・原反ロール４・・
・円筒状キャン　　　５・・・巻き取りロール６・・・
処理槽　　　　　　７・・・ガス導入管８・・・電極　
　　　　　　９・・・処理槽１０・・・ガス導入管　　
　　１１・・・電極１２、１３．１４・・・排気系　　
１５．１６・・・高周波電源１７・・・グラファイト　
　　１８・・・基体１９・・・強磁性金属薄膜層２０・・・プラズマ重合保護膜層２１・・・プラズマ処理層　　２２・・・潤滑層２３・
・・炭素質膜代理人弁理士　　中　村　純之助才１　図２Ｉ−一一プラズ７又ルテ里漕２２−潤滑漕津２間１−一一汀！リエ２−ｒルフィ）しム　　　　　　２−
−・欠ル（喧５ｐ「３−−一滓及ロール　　　　　　　
　４−Ｐ”ｌ偵ｉ欠゛キャン１１−ｆ’ｌＦｋ　　　　
　　　　　＋２．１３．１４−”！非気子１５、１６−
−一烏周展電源Ｊ′Ｉｐ３　間

Claims

【特許請求の範囲】１、強磁性金属薄膜型もしくは塗布型の磁気記録層を有
する磁気記録媒体において、上記磁気記録層上に、ベー
パデポジション法による有機系または無機系の重合体か
らなる保護膜層、もしくは炭素を主成分とする保護膜層
を形成し、該保護膜層の表面に、水酸基、アミノ基、イ
ミノ基のうちより選ばれる少なくとも１種の基を導入す
ることによって活性化処理層を形成し、さらに該活性化
処理層上に、上記導入基と重付加反応を起こす活性部分
である累積二重結合を有する化合物、電子吸引性基によ
り活性化された炭素−炭素二重結合を有する化合物、三
重結合を有する化合物、ヘテロ原子を有する環状化合物
のうちより選ばれる少なくとも１種の有機化合物からな
る潤滑層を設けることを特徴とする磁気記録媒体。２、ベーパデポジション法による有機系の重合体からな
る保護膜層は、炭化水素系有機化合物、フッ素系有機化
合物、ケイ素系有機化合物のうちより選ばれる少なくと
も１種の化合物のガス、もしくは蒸気をモノマーガスと
して用い、プラズマ重合法、イオンビーム蒸着法、化学
蒸着（ＣＶＤ）法の少なくとも１種の方法によって形成
される重合体、もしくは合成樹脂をターゲットとして用
い、スパッタ法により形成される重合体、あるいは合成
樹脂を蒸発源として用い真空蒸着法により形成される重
合体よりなることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載の磁気記録媒体。３、ベーパデポジション法による無機系の重合体からな
る保護膜層は、無機化合物あるいは単体をターゲットと
して用い、スパッタ法により形成される重合体、もしく
は無機化合物あるいは単体を蒸発源として用い、真空蒸
着法により形成される重合体よりなることを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体。４、モノマーガスである炭化水素系有機化合物が、メタ
ン、エチレン、エタン、プロピレン、プロパンであり、
フッ素系有機化合物がＣ＿２Ｆ＿４、Ｃ＿３Ｆ＿６であ
り、ケイ素系有機化合物がテトラメチルシラン、オクタ
メチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルジシラザ
ンであり、プラズマ重合法によって形成される重合体か
らなる保護膜層を有することを特徴とする特許請求の範
囲第２項に記載の磁気記録媒体。５、炭素を主成分とする保護膜層は、イオンビーム蒸着
法、ＣＶＤ法、プラズマ重合法、スパッタリング法の少
なくとも１種の方法によって形成され、炭素元素が３０
ａｔ％以上含有する炭素質膜であるか、または炭素質膜
が炭素と水素からなり、炭素の含有量が４０ａｔ％以上
含有する炭素質膜であるか、もしくは炭素質膜が炭素と
水素と酸素からなり、炭素の含有量が３０ａｔ％以上で
あり、かつ酸素の含有量が２０ａｔ％以下であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の磁気記録媒体
。６、潤滑層を構成する累積二重結合を有する化合物群は
、イソシアネート〔−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ〕、イソチオシアネー
ト〔−Ｎ＝Ｃ＝Ｓ〕、ケテン〔−Ｃ＝Ｃ＝Ｏ〕、ケテン
イミン〔−Ｃ＝Ｃ＝Ｎ−〕、カルボジイミド〔−Ｎ＝Ｃ
＝Ｎ−〕であり、電子吸収性基により活性化された炭素
−炭素結合を有する化合物群は、α，β−不飽和カルボ
ニルであり、三重結合を有する化合物群は、アセチレン
系〔−Ｃ≡Ｃ−〕、ニトリル〔−Ｃ≡Ｎ〕であり、ヘテ
ロ原子を含む環状化合物群は、エポキシ▲数式、化学式
、表等があります▼、エチレンイミン▲数式、化学式、
表等があります▼、ラクトン▲数式、化学式、表等があ
ります▼ エノールラクトン▲数式、化学式、表等があります▼、
アズラクトン▲数式、化学式、表等があります▼、酸無水
物▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼、イソマレイミド▲
数式、化学式、表等があります▼、イミノジオキソラン▲数式、化学式、表等があります▼であ
り、潤滑層はこれらの化合物群に属する化合物のうちから選ばれる少
なくとも１種以上の化合物からなることを特徴とする特
許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれか１項に記載
の磁気記録媒体。７、強磁性金属薄膜型もしくは塗布型の磁気記録層を有
する磁気記録媒体の製造方法において、上記磁気記録層
上に、有機化合物をモノマーガスとして用いベーパデポ
ジション法により有機系または無機系の重合体からなる
保護膜層を形成させるか、もしくはベーパデポジション
法により炭素を主成分とする保護膜層を形成させた後、
上記保護膜層を、水蒸気もしくはアンモニア雰囲気中で
プラズマ処理を行ない、上記保護膜層の表面に、水酸基
、アミノ基、イミノ基の少なくとも１種の基を導入する
ことによって活性化処理層を形成し、さらに該活性化処
理層上に、上記保護膜層の表面の導入基と重付加反応を
起こす活性部分である累積二重結合を有する化合物、電
子吸引性基により活性化された炭素−炭素二重結合を有
する化合物、三重結合を有する化合物、ヘテロ原子を有
する環状化合物のうちより選ばれる少なくとも１種の化
合物からなる潤滑層を、塗布法もしくは物理蒸着法によ
って形成させることを特徴とする磁気記録媒体の製造法
。８、保護膜層の表面の活性化処理層の形成は、水蒸気、
アンモニアガスのうちの少なくとも１種を含むガスを用
い、該ガス流量が１〜５００ｓｃｃｍもしくは１０〜２
００ｓｃｃｍ、ガス圧力が０．００１〜１０Ｔｏｒｒも
しくは０．０１〜５Ｔｏｒｒ、高周波電力密度が０．０
１〜３Ｗ／ｃｍ＾２もしくは０．０６〜１Ｗ／ｃｍ＾２
の条件下でのプラズマ処理によることを特徴とする特許
請求の範囲第７項に記載の磁気記録媒体の製造法。