JPH08102052A - 記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH08102052A JPH08102052A JP23666194A JP23666194A JPH08102052A JP H08102052 A JPH08102052 A JP H08102052A JP 23666194 A JP23666194 A JP 23666194A JP 23666194 A JP23666194 A JP 23666194A JP H08102052 A JPH08102052 A JP H08102052A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 保護機能に優れ、しかも薄くても充分にその
機能が発揮され、かつ、耐久性に富む保護層が設けられ
た記録媒体を提供することである。 【構成】 支持体と、記録層と、Ｃを主成分とする保護
層とを具備する記録媒体であって、前記保護層にＳが含
まれている記録媒体。
機能が発揮され、かつ、耐久性に富む保護層が設けられ
た記録媒体を提供することである。 【構成】 支持体と、記録層と、Ｃを主成分とする保護
層とを具備する記録媒体であって、前記保護層にＳが含
まれている記録媒体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体などの記
録媒体、特にＳ成分を含有するダイヤモンドライクカー
ボンで構成されてなる保護層を有する記録媒体に関す
る。
録媒体、特にＳ成分を含有するダイヤモンドライクカー
ボンで構成されてなる保護層を有する記録媒体に関す
る。
【０００２】
【発明の背景】磁気テープ等の磁気記録媒体において
は、高密度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けら
れる磁性膜として、バインダ樹脂を用いた塗布型のもの
ではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが
提案されている。すなわち、無電解メッキ等の湿式メッ
キ手段、蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレーテ
ィング等のフィジカルベーパーデポジション（ＰＶＤ）
法による乾式メッキ手段により磁性層を構成した磁気記
録媒体が提案されている。そして、この種の磁気記録媒
体は磁性体の充填密度が高いことから、高密度記録に適
したものである。
は、高密度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けら
れる磁性膜として、バインダ樹脂を用いた塗布型のもの
ではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが
提案されている。すなわち、無電解メッキ等の湿式メッ
キ手段、蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレーテ
ィング等のフィジカルベーパーデポジション（ＰＶＤ）
法による乾式メッキ手段により磁性層を構成した磁気記
録媒体が提案されている。そして、この種の磁気記録媒
体は磁性体の充填密度が高いことから、高密度記録に適
したものである。
【０００３】ところで、この種の金属薄膜型の磁気記録
媒体における金属磁性膜は磁気ヘッドとの摺動による耐
久性に乏しいことから、表面酸化処理を行い、酸化膜に
よる保護膜を設けることが行われている。しかしなが
ら、表面酸化の手段では耐久性の向上効果が少なく、更
なる研究が行われている。
媒体における金属磁性膜は磁気ヘッドとの摺動による耐
久性に乏しいことから、表面酸化処理を行い、酸化膜に
よる保護膜を設けることが行われている。しかしなが
ら、表面酸化の手段では耐久性の向上効果が少なく、更
なる研究が行われている。
【０００４】このような観点から、表面酸化膜ではな
く、カーボン、特にダイヤモンドライクカーボン等の保
護膜を設けることが提案されている。例えば、ケミカル
ベーパーデポジション（ＣＶＤ）装置に炭素源としての
Ｃ6 Ｈ6 ガスを供給し、これからのプラズマガスを金属
磁性膜表面に堆積させることにより、表面にダイヤモン
ドライクカーボンからなる保護膜が設けられた磁気記録
媒体が提案（特開平６−４１７５８号公報）されてい
る。
く、カーボン、特にダイヤモンドライクカーボン等の保
護膜を設けることが提案されている。例えば、ケミカル
ベーパーデポジション（ＣＶＤ）装置に炭素源としての
Ｃ6 Ｈ6 ガスを供給し、これからのプラズマガスを金属
磁性膜表面に堆積させることにより、表面にダイヤモン
ドライクカーボンからなる保護膜が設けられた磁気記録
媒体が提案（特開平６−４１７５８号公報）されてい
る。
【０００５】しかしながら、この提案のものでも充分で
はなかった。例えば、剥離が起き、耐久性に問題が残さ
れている。
はなかった。例えば、剥離が起き、耐久性に問題が残さ
れている。
【０００６】
【発明の開示】本発明の目的は、保護機能に優れ、しか
も薄くても充分にその機能が発揮され、かつ、耐久性に
富む保護層が設けられた記録媒体を提供することであ
る。この本発明の目的は、支持体と、記録層と、Ｃを主
成分とする保護層とを具備する記録媒体であって、前記
保護層にＳが含まれていることを特徴とする記録媒体に
よって達成される。
も薄くても充分にその機能が発揮され、かつ、耐久性に
富む保護層が設けられた記録媒体を提供することであ
る。この本発明の目的は、支持体と、記録層と、Ｃを主
成分とする保護層とを具備する記録媒体であって、前記
保護層にＳが含まれていることを特徴とする記録媒体に
よって達成される。
【０００７】又、支持体の上に記録層を設ける工程と、
前記記録層上にＣを主成分とし、Ｓを含有する保護層を
設ける工程とを具備することを特徴とする記録媒体の製
造方法によって達成される。尚、Ｃを主成分とし、Ｓを
含有する保護層は、炭化物（炭素化合物を含む）および
硫化物（硫黄化合物を含む）あるいは炭素・硫黄化合物
を反応ガス原料として用いた熱ＣＶＤ法、熱フィラメン
トＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法のようなケ
ミカルベーパーデポジション（ＣＶＤ）法により作製で
きる。例えば、メタンやエタン等の鎖状炭化水素、ベン
ゼンやシクロヘキサン等の環状炭化水素、ピラジン、ピ
ラゾリジン、ピラゾリン、ピラゾール、ピリジン、ピリ
ダジン、ピリミジン、ピペリジン、ピペラジン、イミダ
ゾール、ピロール等の窒素含有環状炭化水素と、水素や
酸素などのエッチングガスを併用した反応系に、更に硫
化水素や二酸化硫黄などの硫黄（Ｓ）含有の反応ガスと
をプラズマＣＶＤ装置の反応管に供給し、プラズマ化す
ることによりＣを主成分とし、Ｓを含有する保護層が作
製できる。あるいは、炭化物（炭素化合物を含む）およ
び硫化物（硫黄化合物を含む）あるいは炭素・硫黄化合
物をターゲットとしたスパッタ法や蒸発源とした蒸着法
などのフィジカルベーパーデポジション（ＰＶＤ）法に
より作製することが出来る。例えば、ガラス状カーボン
からなるターゲットに硫黄を置き、これを用いたスパッ
タによりＣを主成分とし、Ｓを含有する保護層が作製で
きる。いずれにしても、Ｃを主成分とし、Ｓを含有する
保護層は、従来から知られている薄膜形成手段を応用す
ることによって作製できる。
前記記録層上にＣを主成分とし、Ｓを含有する保護層を
設ける工程とを具備することを特徴とする記録媒体の製
造方法によって達成される。尚、Ｃを主成分とし、Ｓを
含有する保護層は、炭化物（炭素化合物を含む）および
硫化物（硫黄化合物を含む）あるいは炭素・硫黄化合物
を反応ガス原料として用いた熱ＣＶＤ法、熱フィラメン
トＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法のようなケ
ミカルベーパーデポジション（ＣＶＤ）法により作製で
きる。例えば、メタンやエタン等の鎖状炭化水素、ベン
ゼンやシクロヘキサン等の環状炭化水素、ピラジン、ピ
ラゾリジン、ピラゾリン、ピラゾール、ピリジン、ピリ
ダジン、ピリミジン、ピペリジン、ピペラジン、イミダ
ゾール、ピロール等の窒素含有環状炭化水素と、水素や
酸素などのエッチングガスを併用した反応系に、更に硫
化水素や二酸化硫黄などの硫黄（Ｓ）含有の反応ガスと
をプラズマＣＶＤ装置の反応管に供給し、プラズマ化す
ることによりＣを主成分とし、Ｓを含有する保護層が作
製できる。あるいは、炭化物（炭素化合物を含む）およ
び硫化物（硫黄化合物を含む）あるいは炭素・硫黄化合
物をターゲットとしたスパッタ法や蒸発源とした蒸着法
などのフィジカルベーパーデポジション（ＰＶＤ）法に
より作製することが出来る。例えば、ガラス状カーボン
からなるターゲットに硫黄を置き、これを用いたスパッ
タによりＣを主成分とし、Ｓを含有する保護層が作製で
きる。いずれにしても、Ｃを主成分とし、Ｓを含有する
保護層は、従来から知られている薄膜形成手段を応用す
ることによって作製できる。
【０００８】そして、保護層中におけるＳ含有量は０．
０１〜３０原子％、望ましくは０．０５〜２０原子％、
より望ましくは０．１〜１０原子％、更に望ましくは１
〜５原子％である。すなわち、Ｓ含有量が０．０１原子
％未満の少なすぎると、これを含有させた意味が低下、
つまり保護層の耐久性向上効果が小さかったからによ
る。これに対して、Ｓ含有量が３０原子％を越えて多く
なり過ぎた場合には、カーボン層の構造に欠陥が増加
し、保護層の強度が低下し、好ましくない傾向があった
からによる。
０１〜３０原子％、望ましくは０．０５〜２０原子％、
より望ましくは０．１〜１０原子％、更に望ましくは１
〜５原子％である。すなわち、Ｓ含有量が０．０１原子
％未満の少なすぎると、これを含有させた意味が低下、
つまり保護層の耐久性向上効果が小さかったからによ
る。これに対して、Ｓ含有量が３０原子％を越えて多く
なり過ぎた場合には、カーボン層の構造に欠陥が増加
し、保護層の強度が低下し、好ましくない傾向があった
からによる。
【０００９】本発明において、Ｃを主成分とする保護層
は、ダイヤモンド膜、ダイヤモンドライクカーボン膜、
アモルファスカーボン膜、グラファイト膜などのような
種々のカーボン膜が挙げられるが、硬度が高いダイヤモ
ンド膜やダイヤモンドライクカーボン膜が好ましい。そ
して、成膜コストや成膜方法のことを考慮すると、ダイ
ヤモンドライクカーボン膜が最も好ましい。すなわち、
ＰＶＤやＣＶＤ手段によりダイヤモンドライクカーボン
膜が簡単に成膜できるからである。そして、このような
手段によれば、−Ｃ−Ｓ−Ｃ−結合を部分的に有するダ
イヤモンドライクカーボン膜が簡単に得られる。
は、ダイヤモンド膜、ダイヤモンドライクカーボン膜、
アモルファスカーボン膜、グラファイト膜などのような
種々のカーボン膜が挙げられるが、硬度が高いダイヤモ
ンド膜やダイヤモンドライクカーボン膜が好ましい。そ
して、成膜コストや成膜方法のことを考慮すると、ダイ
ヤモンドライクカーボン膜が最も好ましい。すなわち、
ＰＶＤやＣＶＤ手段によりダイヤモンドライクカーボン
膜が簡単に成膜できるからである。そして、このような
手段によれば、−Ｃ−Ｓ−Ｃ−結合を部分的に有するダ
イヤモンドライクカーボン膜が簡単に得られる。
【００１０】この本発明になるＣを主成分とし、Ｓを含
有する保護層、特にＳを含有するダイヤモンドライクカ
ーボン膜は、２０〜５００Å厚さであることが好まし
い。尚、厚さの下限値は３０Åであることがより好まし
く、そして更に好ましくは４０Å、もっと好ましくは５
０Åである。厚さの上限値は３００Åであることがより
好ましく、そして更に好ましくは２００Å、さらに好ま
しくは１５０Å、もっと好ましくは１００Å、最も好ま
しくは９０Åである。
有する保護層、特にＳを含有するダイヤモンドライクカ
ーボン膜は、２０〜５００Å厚さであることが好まし
い。尚、厚さの下限値は３０Åであることがより好まし
く、そして更に好ましくは４０Å、もっと好ましくは５
０Åである。厚さの上限値は３００Åであることがより
好ましく、そして更に好ましくは２００Å、さらに好ま
しくは１５０Å、もっと好ましくは１００Å、最も好ま
しくは９０Åである。
【００１１】本発明で用いられる磁気記録媒体の支持体
は非磁性のものが好ましく、この支持体はＰＥＴ等のポ
リエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォ
ン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等のオレフィン
系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂な
どの高分子材料、ガラスやセラミック等の無機系材料な
どが用いられる。
は非磁性のものが好ましく、この支持体はＰＥＴ等のポ
リエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォ
ン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等のオレフィン
系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂な
どの高分子材料、ガラスやセラミック等の無機系材料な
どが用いられる。
【００１２】この支持体上に蒸着やスパッタ等の乾式メ
ッキ手段によって金属薄膜型の磁性膜（磁性層）が設け
られる。尚、蒸着装置やスパッタ装置などは従来から知
られているものを用いて差し支えない。金属磁性膜を構
成する磁性粒子の材料としては、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合
金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれ
らにＡｌ等の金属を含有させたもの等が用いられる。
尚、金属磁性膜の成膜時には酸化性ガスなどが供されて
いて、磁気特性の向上が図られる。
ッキ手段によって金属薄膜型の磁性膜（磁性層）が設け
られる。尚、蒸着装置やスパッタ装置などは従来から知
られているものを用いて差し支えない。金属磁性膜を構
成する磁性粒子の材料としては、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合
金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれ
らにＡｌ等の金属を含有させたもの等が用いられる。
尚、金属磁性膜の成膜時には酸化性ガスなどが供されて
いて、磁気特性の向上が図られる。
【００１３】又、必要に応じて、支持体の他面側にバッ
クコート層が設けられる。このバックコート層は蒸着の
ような乾式メッキ手段によって構成された非磁性の金属
系薄膜であっても、カーボンブラックやバインダ樹脂を
含む塗料を塗布することによって構成された塗布型のも
のであっても良い。磁性膜上には本発明になる保護膜
（保護層）が形成される。
クコート層が設けられる。このバックコート層は蒸着の
ような乾式メッキ手段によって構成された非磁性の金属
系薄膜であっても、カーボンブラックやバインダ樹脂を
含む塗料を塗布することによって構成された塗布型のも
のであっても良い。磁性膜上には本発明になる保護膜
（保護層）が形成される。
【００１４】例えば、図２に示す如く、金属磁性膜が支
持体上に設けられた磁気記録媒体Ａの原反１１を真空容
器１２内に配設された供給側ロール１３ａから冷却キャ
ンローラ１４を経て巻取側ロール１３ｂに走行させ、そ
してＣＶＤ装置１５を作動させ、冷却キャンローラ１４
に添接されている磁気記録媒体原反の金属磁性膜に対し
て炭化水素ガスと硫化水素ガスのプラズマを吹き付ける
と、金属磁性膜の表面にＳを含有するダイヤモンドライ
クカーボン膜が形成される。尚、図２中、１６ａはＨ2
Ｓガスボンベ、１６ｂはＣＨ4 ガスボンベ、１６ｃはＨ
2 ガスボンベ、１７はマスフローコントローラ（ＭＦ
Ｃ）、１８はスタティックミキサー、１９は２．４５Ｇ
Ｈｚのマイクロ波発振器、２０はプラズマ反応管、２１
はアイソレータ、２２はパワーモニター、２３はスリー
スタブチューナー、２４はコイルである。
持体上に設けられた磁気記録媒体Ａの原反１１を真空容
器１２内に配設された供給側ロール１３ａから冷却キャ
ンローラ１４を経て巻取側ロール１３ｂに走行させ、そ
してＣＶＤ装置１５を作動させ、冷却キャンローラ１４
に添接されている磁気記録媒体原反の金属磁性膜に対し
て炭化水素ガスと硫化水素ガスのプラズマを吹き付ける
と、金属磁性膜の表面にＳを含有するダイヤモンドライ
クカーボン膜が形成される。尚、図２中、１６ａはＨ2
Ｓガスボンベ、１６ｂはＣＨ4 ガスボンベ、１６ｃはＨ
2 ガスボンベ、１７はマスフローコントローラ（ＭＦ
Ｃ）、１８はスタティックミキサー、１９は２．４５Ｇ
Ｈｚのマイクロ波発振器、２０はプラズマ反応管、２１
はアイソレータ、２２はパワーモニター、２３はスリー
スタブチューナー、２４はコイルである。
【００１５】以下、具体的な実施例を挙げて本発明を説
明する。
明する。
【００１６】
〔実施例１〕図１は、本発明になる磁気記録媒体の概略
図である。図１中、Ａは磁気記録媒体、１は支持体、２
は磁性膜、３は保護膜、４はバックコート膜である。
図である。図１中、Ａは磁気記録媒体、１は支持体、２
は磁性膜、３は保護膜、４はバックコート膜である。
【００１７】この磁気記録媒体Ａは、先ず、斜め蒸着手
段により厚さ２〜５０μｍ、例えば６μｍで、中心線平
均粗さＲａ１ｎｍのＰＥＴフィルム等の非磁性の支持体
１の一面上に厚さ２０００ÅのＣｏ−Ｎｉ（８０％−２
０％）合金磁性膜２を設ける。尚、この磁性膜は、面内
保磁力１６００Ｏｅ、面内飽和磁化６０００Ｇａｕｓ
ｓ、角型比０．９であった。
段により厚さ２〜５０μｍ、例えば６μｍで、中心線平
均粗さＲａ１ｎｍのＰＥＴフィルム等の非磁性の支持体
１の一面上に厚さ２０００ÅのＣｏ−Ｎｉ（８０％−２
０％）合金磁性膜２を設ける。尚、この磁性膜は、面内
保磁力１６００Ｏｅ、面内飽和磁化６０００Ｇａｕｓ
ｓ、角型比０．９であった。
【００１８】又、蒸着手段により、支持体１の他面上に
厚さ３０００ÅのＡｌ膜（バックコート膜）４を設け
る。尚、このバックコート膜４の摩擦係数は０．１５で
あった。上記磁気記録媒体原反１１の合金磁性膜上に、
図２に示したＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用
いてダイヤモンドライクカーボン膜を６６Å厚さ堆積さ
せた。
厚さ３０００ÅのＡｌ膜（バックコート膜）４を設け
る。尚、このバックコート膜４の摩擦係数は０．１５で
あった。上記磁気記録媒体原反１１の合金磁性膜上に、
図２に示したＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用
いてダイヤモンドライクカーボン膜を６６Å厚さ堆積さ
せた。
【００１９】尚、このＣＶＤ時に導入したガスは、ＣＨ
4 が２０ｓｃｃｍ、Ｈ2 が２５ｓｃｃｍ、Ｈ2 Ｓが０．
２ｓｃｃｍであり、ＣＨ4 とＨ2 Ｓとの混合ガスを冷却
キャンローラ１４側口からプラズマ反応管２０内に、Ｈ
2 を発振器側口からプラズマ反応管２０内に導入した。
又、供給側ロール１３ａから−１０℃に冷却されている
冷却キャンローラ１４を経て巻取側ロール１３ｂに走行
させた磁気記録媒体原反１１の走行速度は０．５ｍ／ｍ
ｉｎであり、真空容器１２内の真空度は４×１０-3Ｔｏ
ｒｒである。マイクロ波出力は入射波３００Ｗ、反射波
はスリースタブチューナー２３を制御することで３０Ｗ
となるようにした。
4 が２０ｓｃｃｍ、Ｈ2 が２５ｓｃｃｍ、Ｈ2 Ｓが０．
２ｓｃｃｍであり、ＣＨ4 とＨ2 Ｓとの混合ガスを冷却
キャンローラ１４側口からプラズマ反応管２０内に、Ｈ
2 を発振器側口からプラズマ反応管２０内に導入した。
又、供給側ロール１３ａから−１０℃に冷却されている
冷却キャンローラ１４を経て巻取側ロール１３ｂに走行
させた磁気記録媒体原反１１の走行速度は０．５ｍ／ｍ
ｉｎであり、真空容器１２内の真空度は４×１０-3Ｔｏ
ｒｒである。マイクロ波出力は入射波３００Ｗ、反射波
はスリースタブチューナー２３を制御することで３０Ｗ
となるようにした。
【００２０】上記のようにして得られた保護膜３をＸＰ
Ｓスペクトルにより調べた処、Ｓを１原子％含むダイヤ
モンドライクカーボン膜であった。この後、ダイヤモン
ドライクカーボン膜上にフッ素系の潤滑剤（モンテカチ
ーニ社のＦＯＭＢＬＩＮ ＡＭ２００１）を真空中で超
音波噴霧し、２０Å厚さの潤滑膜５を付けた。
Ｓスペクトルにより調べた処、Ｓを１原子％含むダイヤ
モンドライクカーボン膜であった。この後、ダイヤモン
ドライクカーボン膜上にフッ素系の潤滑剤（モンテカチ
ーニ社のＦＯＭＢＬＩＮ ＡＭ２００１）を真空中で超
音波噴霧し、２０Å厚さの潤滑膜５を付けた。
【００２１】そして、８ｍｍ幅にスリットし、８ｍｍＶ
ＴＲ用カセットに装填した。 〔実施例２〕実施例１において同様に行い、厚さ６６Å
で、Ｓを５原子％含むダイヤモンドライクカーボン膜を
磁性膜上に設けた。 〔実施例３〕実施例１において同様に行い、厚さ６６Å
で、Ｓを０．１原子％含むダイヤモンドライクカーボン
膜を磁性膜上に設けた。
ＴＲ用カセットに装填した。 〔実施例２〕実施例１において同様に行い、厚さ６６Å
で、Ｓを５原子％含むダイヤモンドライクカーボン膜を
磁性膜上に設けた。 〔実施例３〕実施例１において同様に行い、厚さ６６Å
で、Ｓを０．１原子％含むダイヤモンドライクカーボン
膜を磁性膜上に設けた。
【００２２】〔実施例４〕実施例１において同様に行
い、厚さ６６Åで、Ｓを１０原子％含むダイヤモンドラ
イクカーボン膜を磁性膜上に設けた。 〔実施例５〕実施例１において同様に行い、厚さ６６Å
で、Ｓを０．０１原子％含むダイヤモンドライクカーボ
ン膜を磁性膜上に設けた。
い、厚さ６６Åで、Ｓを１０原子％含むダイヤモンドラ
イクカーボン膜を磁性膜上に設けた。 〔実施例５〕実施例１において同様に行い、厚さ６６Å
で、Ｓを０．０１原子％含むダイヤモンドライクカーボ
ン膜を磁性膜上に設けた。
【００２３】〔実施例６〕実施例１において同様に行
い、厚さ４０Åで、Ｓを５原子％含むダイヤモンドライ
クカーボン膜を磁性膜上に設けた。 〔実施例７〕実施例１において同様に行い、厚さ４０Å
で、Ｓを０．１原子％含むダイヤモンドライクカーボン
膜を磁性膜上に設けた。
い、厚さ４０Åで、Ｓを５原子％含むダイヤモンドライ
クカーボン膜を磁性膜上に設けた。 〔実施例７〕実施例１において同様に行い、厚さ４０Å
で、Ｓを０．１原子％含むダイヤモンドライクカーボン
膜を磁性膜上に設けた。
【００２４】〔実施例８〕実施例１において同様に行
い、厚さ４０Åで、Ｓを１０原子％含むダイヤモンドラ
イクカーボン膜を磁性膜上に設けた。 〔実施例９〕実施例１において同様に行い、厚さ４０Å
で、Ｓを０．０１原子％含むダイヤモンドライクカーボ
ン膜を磁性膜上に設けた。
い、厚さ４０Åで、Ｓを１０原子％含むダイヤモンドラ
イクカーボン膜を磁性膜上に設けた。 〔実施例９〕実施例１において同様に行い、厚さ４０Å
で、Ｓを０．０１原子％含むダイヤモンドライクカーボ
ン膜を磁性膜上に設けた。
【００２５】〔比較例１〕実施例１においてＨ2 Ｓを流
さなかった他は同様に行い、厚さ６６Åのダイヤモンド
ライクカーボン膜を磁性膜上に設けた。 〔比較例２〕実施例１においてＨ2 Ｓを流さなかった他
は同様に行い、厚さ１００Åのダイヤモンドライクカー
ボン膜を磁性膜上に設けた。
さなかった他は同様に行い、厚さ６６Åのダイヤモンド
ライクカーボン膜を磁性膜上に設けた。 〔比較例２〕実施例１においてＨ2 Ｓを流さなかった他
は同様に行い、厚さ１００Åのダイヤモンドライクカー
ボン膜を磁性膜上に設けた。
【００２６】〔特性〕上記の各例で得られた８ｍｍＶＴ
Ｒ用カセットを再生装置（ソニー社のＥＶ−Ｓ９００改
造機）に装填し、２３℃、７０％ＲＨの雰囲気下、周波
数５０μＨｚ、パルス率５０％、荷重１０ｇ、走行速度
１４ｍｍ／ｓｅｃ、ヘッドとの相対速度３．８ｍ／ｓｅ
ｃの条件下においてスチル耐久性を調べたので、その結
果を表−１に示す。又、スチル耐久性試験に用いた８ｍ
ｍＶＴＲを用いて再生出力も調べたので、併せて表−１
に示す。
Ｒ用カセットを再生装置（ソニー社のＥＶ−Ｓ９００改
造機）に装填し、２３℃、７０％ＲＨの雰囲気下、周波
数５０μＨｚ、パルス率５０％、荷重１０ｇ、走行速度
１４ｍｍ／ｓｅｃ、ヘッドとの相対速度３．８ｍ／ｓｅ
ｃの条件下においてスチル耐久性を調べたので、その結
果を表−１に示す。又、スチル耐久性試験に用いた８ｍ
ｍＶＴＲを用いて再生出力も調べたので、併せて表−１
に示す。
【００２７】 表−１ スチル耐久性（分） 再生出力（ｄＢ） 実施例１ ＞１２０ ０．１ 実施例２ ＞１２０ −０．２ 実施例３ ＞１２０ ０．２ 実施例４ ＞１２０ ０．１ 実施例５ ＞１２０ −０．１ 実施例６ ＞１２０ ０．５ 実施例７ ＞１２０ ０．６ 実施例８ ＞１２０ ０．６ 実施例９ ＞１２０ ０．５ 比較例１ ６０ ０．０ 比較例２ ＞１２０ −１．１ ＊スチル耐久性は出力が初期値より６ｄＢ低下するまでの時間 ＊再生出力は比較例１を基準 これによれば、磁性膜表面に設けたダイヤモンドライク
カーボン膜にＳを含有してなるものは、耐久性に富むこ
とが判る。特に、その厚さが４０Åと言ったような薄い
ものでも耐久性に富むものであり、これよりスペーシン
グロスを少なく出来るから、それだけ再生出力も大きな
ものとなる。
カーボン膜にＳを含有してなるものは、耐久性に富むこ
とが判る。特に、その厚さが４０Åと言ったような薄い
ものでも耐久性に富むものであり、これよりスペーシン
グロスを少なく出来るから、それだけ再生出力も大きな
ものとなる。
【００２８】
【効果】本発明によれば、耐久性および再生出力に優れ
た記録媒体が得られる。
た記録媒体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】磁気記録媒体の概略図
【図２】ダイヤモンドライクカーボン成膜装置の概略図
Ａ 磁気記録媒体 １ 支持体 ２ 磁性膜 ３ 保護膜 ４ バックコート膜 ５ 潤滑膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水野谷 博英 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】 支持体と、記録層と、Ｃを主成分とする
保護層とを具備する記録媒体であって、前記保護層にＳ
が含まれていることを特徴とする記録媒体。 - 【請求項２】 Ｃを主成分とする保護層がダイヤモンド
ライクカーボンであることを特徴とする請求項１の記録
媒体。 - 【請求項３】 保護層中におけるＳ含有量が０．０１〜
３０原子％であることを特徴とする請求項１または請求
項２の記録媒体。 - 【請求項４】 支持体の上に記録層を設ける工程と、前
記記録層上にＣを主成分とし、Ｓを含有する保護層を設
ける工程とを具備することを特徴とする記録媒体の製造
方法。 - 【請求項５】 保護層を設ける工程が、炭化物および硫
化物あるいは炭素・硫黄化合物を反応ガス原料として用
いたケミカルベーパーデポジション法によることを特徴
とする請求項４の記録媒体の製造方法。 - 【請求項６】 保護層を設ける工程が、炭化物および硫
化物あるいは炭素・硫黄化合物を用いたフィジカルベー
パーデポジション法によることを特徴とする請求項４の
記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23666194A JPH08102052A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23666194A JPH08102052A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08102052A true JPH08102052A (ja) | 1996-04-16 |
Family
ID=17003921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23666194A Pending JPH08102052A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | 記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08102052A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7513215B2 (en) | 1996-05-31 | 2009-04-07 | Stormedia Texas, Llc | Systems and methods for the production of highly tetrahedral amorphous carbon coatings |
-
1994
- 1994-09-30 JP JP23666194A patent/JPH08102052A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7513215B2 (en) | 1996-05-31 | 2009-04-07 | Stormedia Texas, Llc | Systems and methods for the production of highly tetrahedral amorphous carbon coatings |
| US7544397B2 (en) | 1996-05-31 | 2009-06-09 | Stormedia Texas, Llc | Recording media having protective overcoats of highly tetrahedral amorphous carbon and methods for their production |
| US7604881B2 (en) | 1996-05-31 | 2009-10-20 | Stormedia Texas, Llc | Highly tetrahedral amorphous carbon coatings and systems and methods for their production |
| US7931748B2 (en) | 1996-05-31 | 2011-04-26 | Stormedia Texas, Llc | Systems and methods for the production of highly tetrahedral amorphous carbon coatings |
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