JPH08203074A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPH08203074A JPH08203074A JP944695A JP944695A JPH08203074A JP H08203074 A JPH08203074 A JP H08203074A JP 944695 A JP944695 A JP 944695A JP 944695 A JP944695 A JP 944695A JP H08203074 A JPH08203074 A JP H08203074A
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- JP
- Japan
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- contaminants
- thin film
- plasma reaction
- scraping
- reaction tube
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 成膜に際して汚染物による不具合が起き難
く、高品質な保護膜を効率良く得ることが出来る装置を
提供することである。 【構成】 プラズマＣＶＤ法により薄膜を形成する装置
であって、真空槽と、薄膜が形成される支持体と、この
支持体の供給手段及び巻取手段と、供給手段と巻取手段
との間の真空槽内における支持体走行経路に設けられた
冷却キャンロールと、この冷却キャンロールに沿って走
行する支持体に対向して設けられたプラズマ反応管と、
このプラズマ反応管に反応ガスを供給する手段と、前記
プラズマ反応管にマイクロ波を照射するマイクロ波発振
器と、前記プラズマ反応管の内壁面に付着した汚染物を
掻き取る掻取手段とを具備してなる薄膜形成装置。
く、高品質な保護膜を効率良く得ることが出来る装置を
提供することである。 【構成】 プラズマＣＶＤ法により薄膜を形成する装置
であって、真空槽と、薄膜が形成される支持体と、この
支持体の供給手段及び巻取手段と、供給手段と巻取手段
との間の真空槽内における支持体走行経路に設けられた
冷却キャンロールと、この冷却キャンロールに沿って走
行する支持体に対向して設けられたプラズマ反応管と、
このプラズマ反応管に反応ガスを供給する手段と、前記
プラズマ反応管にマイクロ波を照射するマイクロ波発振
器と、前記プラズマ反応管の内壁面に付着した汚染物を
掻き取る掻取手段とを具備してなる薄膜形成装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば磁気記録媒体等
の記録媒体上に設けられる保護薄膜、特にダイヤモンド
ライクカーボン膜を形成する為の薄膜形成装置に関す
る。
の記録媒体上に設けられる保護薄膜、特にダイヤモンド
ライクカーボン膜を形成する為の薄膜形成装置に関す
る。
【０００２】
【発明の背景】磁気テープ等の磁気記録媒体において
は、高密度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けら
れる磁性膜として、バインダ樹脂を用いた塗布型のもの
ではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが
提案されている。すなわち、無電解メッキ等の湿式メッ
キ手段、蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレーテ
ィングといったフィジカルベーパーデポジション（ＰＶ
Ｄ）法による乾式メッキ手段により磁性層を構成した磁
気記録媒体が提案されている。そして、この種の磁気記
録媒体は磁性体の充填密度が高いことから、高密度記録
に適したものである。
は、高密度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けら
れる磁性膜として、バインダ樹脂を用いた塗布型のもの
ではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが
提案されている。すなわち、無電解メッキ等の湿式メッ
キ手段、蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレーテ
ィングといったフィジカルベーパーデポジション（ＰＶ
Ｄ）法による乾式メッキ手段により磁性層を構成した磁
気記録媒体が提案されている。そして、この種の磁気記
録媒体は磁性体の充填密度が高いことから、高密度記録
に適したものである。
【０００３】ところで、この種の金属薄膜型の磁気記録
媒体における金属磁性膜は磁気ヘッドとの摺動による耐
久性に乏しいことから、表面酸化処理を行い、酸化膜に
よる保護膜を設けることが行われている。しかしなが
ら、表面酸化の手段では耐久性の向上効果が少なく、更
なる研究が行われている。
媒体における金属磁性膜は磁気ヘッドとの摺動による耐
久性に乏しいことから、表面酸化処理を行い、酸化膜に
よる保護膜を設けることが行われている。しかしなが
ら、表面酸化の手段では耐久性の向上効果が少なく、更
なる研究が行われている。
【０００４】このような観点から、表面酸化膜ではな
く、カーボン、特にダイヤモンドライクカーボン等の保
護膜を設けることが提案されている。例えば、ケミカル
ベーパーデポジション（ＣＶＤ）装置に炭素源としての
Ｃ6 Ｈ6 ガスやＣＨ4 ガスを供給し、これらのプラズマ
ガスを金属磁性膜表面に堆積させることにより、表面に
ダイヤモンドライクカーボンからなる保護膜を形成する
技術が提案されている。
く、カーボン、特にダイヤモンドライクカーボン等の保
護膜を設けることが提案されている。例えば、ケミカル
ベーパーデポジション（ＣＶＤ）装置に炭素源としての
Ｃ6 Ｈ6 ガスやＣＨ4 ガスを供給し、これらのプラズマ
ガスを金属磁性膜表面に堆積させることにより、表面に
ダイヤモンドライクカーボンからなる保護膜を形成する
技術が提案されている。
【０００５】ところで、この技術によって保護膜を形成
するに際して、支持体に対向して設けられたプラズマ反
応管の内壁にカーボンダスト等の汚染物が付着する。こ
の汚染物が多くなると、成膜効率が低下する。
するに際して、支持体に対向して設けられたプラズマ反
応管の内壁にカーボンダスト等の汚染物が付着する。こ
の汚染物が多くなると、成膜効率が低下する。
【０００６】
【発明の開示】本発明の目的は、成膜に際して汚染物に
よる不具合が起き難く、高品質な保護膜を効率良く得る
ことが出来る装置を提供することである。この本発明の
目的は、プラズマＣＶＤ法により薄膜を形成する装置で
あって、真空槽と、薄膜が形成される支持体と、この支
持体の供給手段及び巻取手段と、供給手段と巻取手段と
の間の真空槽内における支持体走行経路に設けられた冷
却キャンロールと、この冷却キャンロールに沿って走行
する支持体に対向して設けられたプラズマ反応管と、こ
のプラズマ反応管に反応ガスを供給する手段と、前記プ
ラズマ反応管にマイクロ波を照射するマイクロ波発振器
と、前記プラズマ反応管の内壁面に付着した汚染物を掻
き取る掻取手段とを具備してなることを特徴とする薄膜
形成装置によって達成される。
よる不具合が起き難く、高品質な保護膜を効率良く得る
ことが出来る装置を提供することである。この本発明の
目的は、プラズマＣＶＤ法により薄膜を形成する装置で
あって、真空槽と、薄膜が形成される支持体と、この支
持体の供給手段及び巻取手段と、供給手段と巻取手段と
の間の真空槽内における支持体走行経路に設けられた冷
却キャンロールと、この冷却キャンロールに沿って走行
する支持体に対向して設けられたプラズマ反応管と、こ
のプラズマ反応管に反応ガスを供給する手段と、前記プ
ラズマ反応管にマイクロ波を照射するマイクロ波発振器
と、前記プラズマ反応管の内壁面に付着した汚染物を掻
き取る掻取手段とを具備してなることを特徴とする薄膜
形成装置によって達成される。
【０００７】すなわち、本発明は汚染物を掻き取る掻取
手段を具備しているから、プラズマ反応管の先端部内壁
面に付着し、成膜に悪影響を及ぼす汚染物を直ちに除去
することが可能であり、従って汚染物による不具合が発
生せず、高品質な保護膜を効率良く得ることが出来る。
尚、汚染物質の掻取手段として、プラズマ反応管を基部
側の固定管部と先端側の回転管部とに分割構成し、汚染
物を掻き取る掻取爪を前記回転管部の内壁面に当接さ
せ、回転管部を回転手段で回転させることによって、プ
ラズマ反応管内壁面に付着した汚染物を除去することが
出来る。そして、この掻取爪に対応して回転管部には孔
が形成されていて、この孔を介して掻き取られた汚染物
が排出されるよう構成してなることが好ましい。これに
よって、プラズマ反応管の内壁面から掻き取られた汚染
物が飛散し難い。
手段を具備しているから、プラズマ反応管の先端部内壁
面に付着し、成膜に悪影響を及ぼす汚染物を直ちに除去
することが可能であり、従って汚染物による不具合が発
生せず、高品質な保護膜を効率良く得ることが出来る。
尚、汚染物質の掻取手段として、プラズマ反応管を基部
側の固定管部と先端側の回転管部とに分割構成し、汚染
物を掻き取る掻取爪を前記回転管部の内壁面に当接さ
せ、回転管部を回転手段で回転させることによって、プ
ラズマ反応管内壁面に付着した汚染物を除去することが
出来る。そして、この掻取爪に対応して回転管部には孔
が形成されていて、この孔を介して掻き取られた汚染物
が排出されるよう構成してなることが好ましい。これに
よって、プラズマ反応管の内壁面から掻き取られた汚染
物が飛散し難い。
【０００８】尚、本発明で形成される薄膜がカーボン
膜、特にダイヤモンドライクカーボン膜である場合に
は、薄膜構成原料（炭素化合物）としては、例えばメタ
ンやｎ−ヘキサン等の鎖状炭化水素、ベンゼン、トルエ
ン、シクロヘキサン等の環状炭化水素、ピラジン、ピラ
ゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピペリジ
ン、ピペラジン、イミダゾール、ピロール等の窒素含有
環状炭化水素等の群の中から選ばれるものが用いられ
る。
膜、特にダイヤモンドライクカーボン膜である場合に
は、薄膜構成原料（炭素化合物）としては、例えばメタ
ンやｎ−ヘキサン等の鎖状炭化水素、ベンゼン、トルエ
ン、シクロヘキサン等の環状炭化水素、ピラジン、ピラ
ゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピペリジ
ン、ピペラジン、イミダゾール、ピロール等の窒素含有
環状炭化水素等の群の中から選ばれるものが用いられ
る。
【０００９】プラズマＣＶＤに際しては、上記のような
炭化水素と併用されるガスとして、水素や酸素等のエッ
チングガスが用いられる。そして、プラズマ反応管内に
炭化水素と水素ガスとが供給された段階でマイクロ波が
照射され、プラズマ化が行われる。このプラズマ粒子が
金属磁性膜上に堆積し、例えばダイヤモンドライクカー
ボン膜が形成される。
炭化水素と併用されるガスとして、水素や酸素等のエッ
チングガスが用いられる。そして、プラズマ反応管内に
炭化水素と水素ガスとが供給された段階でマイクロ波が
照射され、プラズマ化が行われる。このプラズマ粒子が
金属磁性膜上に堆積し、例えばダイヤモンドライクカー
ボン膜が形成される。
【００１０】このダイヤモンドライクカーボン膜は２０
〜５００Å厚さが好ましい。尚、厚さの下限値は３０Å
がより好ましく、そして更に好ましくは４０Å、もっと
好ましくは５０Åである。厚さの上限値は３００Åがよ
り好ましく、そして更に好ましくは２００Å、さらに好
ましくは１５０Å、もっと好ましくは１００Å、最も好
ましくは９０Åである。
〜５００Å厚さが好ましい。尚、厚さの下限値は３０Å
がより好ましく、そして更に好ましくは４０Å、もっと
好ましくは５０Åである。厚さの上限値は３００Åがよ
り好ましく、そして更に好ましくは２００Å、さらに好
ましくは１５０Å、もっと好ましくは１００Å、最も好
ましくは９０Åである。
【００１１】本発明で用いられる磁気記録媒体の支持体
は非磁性のものが好ましく、この支持体はＰＥＴ等のポ
リエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォ
ン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等のオレフィン
系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂な
どの高分子材料、ガラスやセラミック等の無機系材料等
が用いられる。
は非磁性のものが好ましく、この支持体はＰＥＴ等のポ
リエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォ
ン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等のオレフィン
系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂な
どの高分子材料、ガラスやセラミック等の無機系材料等
が用いられる。
【００１２】この支持体上に蒸着やスパッタ等の乾式メ
ッキ手段によって金属薄膜型の磁性膜が設けられる。
尚、蒸着装置やスパッタ装置等は従来から知られている
ものを用いて差し支えない。金属磁性膜を構成する磁性
粒子の材料としては、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属
の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−
Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆ
ｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれらにＡｌ等
の金属を含有させたもの等が用いられる。尚、金属磁性
膜の成膜時には酸化性ガス等が供されていて、磁気特性
の向上が図られる。
ッキ手段によって金属薄膜型の磁性膜が設けられる。
尚、蒸着装置やスパッタ装置等は従来から知られている
ものを用いて差し支えない。金属磁性膜を構成する磁性
粒子の材料としては、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の金属
の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−
Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆ
ｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれらにＡｌ等
の金属を含有させたもの等が用いられる。尚、金属磁性
膜の成膜時には酸化性ガス等が供されていて、磁気特性
の向上が図られる。
【００１３】又、必要に応じて、支持体の他面側にバッ
クコート層が設けられる。このバックコート層は蒸着な
ど乾式メッキ手段によって構成された非磁性の金属系薄
膜であっても、カーボンブラックやバインダ樹脂を含む
塗料を塗布することによって構成された塗布型のもので
あっても良い。以下、具体的な実施例を挙げて本発明を
説明する。
クコート層が設けられる。このバックコート層は蒸着な
ど乾式メッキ手段によって構成された非磁性の金属系薄
膜であっても、カーボンブラックやバインダ樹脂を含む
塗料を塗布することによって構成された塗布型のもので
あっても良い。以下、具体的な実施例を挙げて本発明を
説明する。
【００１４】
【実施例】図１及び図２は本発明の一実施例を示すもの
で、図１は磁気記録媒体の製造装置（ＥＣＲマイクロ波
プラズマＣＶＤ装置）の概略図、図２は装置の要部斜視
図である。各図中、１は、金属磁性膜が設けられたＰＥ
Ｔフィルム等の支持体である。尚、この金属磁性膜（厚
さ２０００ÅのＣｏ−Ｎｉ（８０％−２０％）合金磁性
膜）は、厚さ２〜５０μｍ、例えば６μｍで、中心線平
均粗さＲａ１ｎｍのＰＥＴフィルム等の非磁性の支持体
１の一面上に斜め蒸着装置を用いて設けられたものであ
る。この磁性膜は、面内保磁力１６００Ｏｅ、面内飽和
磁化６０００Ｇａｕｓｓ、角型比０．９であった。
で、図１は磁気記録媒体の製造装置（ＥＣＲマイクロ波
プラズマＣＶＤ装置）の概略図、図２は装置の要部斜視
図である。各図中、１は、金属磁性膜が設けられたＰＥ
Ｔフィルム等の支持体である。尚、この金属磁性膜（厚
さ２０００ÅのＣｏ−Ｎｉ（８０％−２０％）合金磁性
膜）は、厚さ２〜５０μｍ、例えば６μｍで、中心線平
均粗さＲａ１ｎｍのＰＥＴフィルム等の非磁性の支持体
１の一面上に斜め蒸着装置を用いて設けられたものであ
る。この磁性膜は、面内保磁力１６００Ｏｅ、面内飽和
磁化６０００Ｇａｕｓｓ、角型比０．９であった。
【００１５】又、バックコート膜として、厚さ３０００
Å、摩擦係数０．１５のＡｌ薄膜が蒸着手段で形成され
ている。この支持体１が、真空槽２内に配設された供給
側ロール３ａから冷却キャンロール４を経て巻取側ロー
ル３ｂに走行させられるよう配設されている。尚、真空
槽２にはターボポンプ５、メカニカルブースタポンプ６
及びロータリポンプ７が接続されており、これらポンプ
５〜７を作動させることによって真空槽２内が高真空度
なものとなる。
Å、摩擦係数０．１５のＡｌ薄膜が蒸着手段で形成され
ている。この支持体１が、真空槽２内に配設された供給
側ロール３ａから冷却キャンロール４を経て巻取側ロー
ル３ｂに走行させられるよう配設されている。尚、真空
槽２にはターボポンプ５、メカニカルブースタポンプ６
及びロータリポンプ７が接続されており、これらポンプ
５〜７を作動させることによって真空槽２内が高真空度
なものとなる。
【００１６】８はプラズマ反応管であり、固定管部８ａ
と先端に設けられた回転管部８ｂとからなる。回転管部
８ｂの外周には環状ラック９が形成されており、これと
噛合するピニオン１０ａ，１０ｂをベルト１１を介して
モータ１２ａ，１２ｂで駆動させることにより、回転管
部８ｂが所定の角速度で回転するようになっている。
尚、プラズマ反応管８には、後述する如く、カーボンダ
スト等の汚染物を掻き取る掻取手段が設けられ、この掻
取手段でプラズマ反応管８、特に先端側の回転管部８ｂ
の内壁面から除去する。
と先端に設けられた回転管部８ｂとからなる。回転管部
８ｂの外周には環状ラック９が形成されており、これと
噛合するピニオン１０ａ，１０ｂをベルト１１を介して
モータ１２ａ，１２ｂで駆動させることにより、回転管
部８ｂが所定の角速度で回転するようになっている。
尚、プラズマ反応管８には、後述する如く、カーボンダ
スト等の汚染物を掻き取る掻取手段が設けられ、この掻
取手段でプラズマ反応管８、特に先端側の回転管部８ｂ
の内壁面から除去する。
【００１７】１３は２．４５ＧＨｚのマイクロ波発振
器、１４はアイソレータ、１５はパワーモニター、１６
はスリースタブチューナー、１７はコイル、１８はメタ
ン等の炭化水素が入れられているボンベ、１９は反応ガ
ス（Ｈ2 ）ボンベ、２０，２１は各ボンベ１８，１９と
プラズマ反応管８とをつなぐパイプの途中に設けられた
マスフローコントローラ（ＭＦＣ）である。
器、１４はアイソレータ、１５はパワーモニター、１６
はスリースタブチューナー、１７はコイル、１８はメタ
ン等の炭化水素が入れられているボンベ、１９は反応ガ
ス（Ｈ2 ）ボンベ、２０，２１は各ボンベ１８，１９と
プラズマ反応管８とをつなぐパイプの途中に設けられた
マスフローコントローラ（ＭＦＣ）である。
【００１８】尚、このプラズマＣＶＤ装置において、汚
染物を掻き取る掻取手段の構成を除けば、従来の装置と
大幅な変更はないので、詳細な説明を省略する。プラズ
マ反応管８の先端部に設けられた掻取手段の構造は、図
２に示される通りである。すなわち、固定管部８ａに取
り付けられた爪２２のエッジが回転管部８ｂの内壁面と
接触しており、回転管部８ｂが回転させられると、爪２
２によって付着した汚染物が掻き取られる。
染物を掻き取る掻取手段の構成を除けば、従来の装置と
大幅な変更はないので、詳細な説明を省略する。プラズ
マ反応管８の先端部に設けられた掻取手段の構造は、図
２に示される通りである。すなわち、固定管部８ａに取
り付けられた爪２２のエッジが回転管部８ｂの内壁面と
接触しており、回転管部８ｂが回転させられると、爪２
２によって付着した汚染物が掻き取られる。
【００１９】爪２２に対応して回転管部８ｂには矩形状
のスリット（孔）２３が形成されている。従って、回転
管部８ｂ内壁から爪２２で掻き取られた汚染物（ダス
ト）はスリット２３から回転管部８ｂ外に排出され、ス
リット２３の下に配設された容器２４内に溜められる。
尚、真空槽２内は高真空であるから、回転管部８ｂ外に
排出されたダストが真空槽２内で舞い上がることはな
く、容器２４内に落下・収容される。
のスリット（孔）２３が形成されている。従って、回転
管部８ｂ内壁から爪２２で掻き取られた汚染物（ダス
ト）はスリット２３から回転管部８ｂ外に排出され、ス
リット２３の下に配設された容器２４内に溜められる。
尚、真空槽２内は高真空であるから、回転管部８ｂ外に
排出されたダストが真空槽２内で舞い上がることはな
く、容器２４内に落下・収容される。
【００２０】上記のように構成したＥＣＲマイクロ波プ
ラズマＣＶＤ装置を用いてダイヤモンドライクカーボン
膜を堆積させた。尚、このＣＶＤ時に導入した反応ガス
（Ｈ2 ）は２５ｓｃｃｍであり、炭化水素（ＣＨ4 ）は
２０ｓｃｃｍであり、ＣＨ4 は冷却キャンロール４側口
からプラズマ反応管８内に、Ｈ2 を石英窓側からプラズ
マ反応管８内に導入した。又、支持体１を供給側ロール
３ａから−１０℃に冷却されている冷却キャンロール４
を経て巻取側ロール３ｂに走行させた。
ラズマＣＶＤ装置を用いてダイヤモンドライクカーボン
膜を堆積させた。尚、このＣＶＤ時に導入した反応ガス
（Ｈ2 ）は２５ｓｃｃｍであり、炭化水素（ＣＨ4 ）は
２０ｓｃｃｍであり、ＣＨ4 は冷却キャンロール４側口
からプラズマ反応管８内に、Ｈ2 を石英窓側からプラズ
マ反応管８内に導入した。又、支持体１を供給側ロール
３ａから−１０℃に冷却されている冷却キャンロール４
を経て巻取側ロール３ｂに走行させた。
【００２１】支持体１の走行速度は０．５ｍ／ｍｉｎで
あり、成膜時における真空槽２内の真空度は４×１０-3
Ｔｏｒｒ、但しベースプレッシャは１０-7Ｔｏｒｒ程度
である。マイクロ波出力は入射波３００Ｗ、反射波はス
リースタブチューナー１７を制御することで３０Ｗとな
るようにした。これと同時に、プラズマ反応管８先端の
回転管部８ｂをπ／２（ｒａｄ／ｓｅｃ）の角速度で回
転させた。
あり、成膜時における真空槽２内の真空度は４×１０-3
Ｔｏｒｒ、但しベースプレッシャは１０-7Ｔｏｒｒ程度
である。マイクロ波出力は入射波３００Ｗ、反射波はス
リースタブチューナー１７を制御することで３０Ｗとな
るようにした。これと同時に、プラズマ反応管８先端の
回転管部８ｂをπ／２（ｒａｄ／ｓｅｃ）の角速度で回
転させた。
【００２２】又、比較の為に、回転管部８ｂを停止さ
せ、同様の条件下でダイヤモンドライクカーボン膜を堆
積させた。この結果、掻取手段を作動させない場合には
プラズマ反応管８の先端部（回転管部８ｂ）においてカ
ーボンダストが大きく成長し、ダイヤモンドライクカー
ボン膜の成膜具合は良くなかった。
せ、同様の条件下でダイヤモンドライクカーボン膜を堆
積させた。この結果、掻取手段を作動させない場合には
プラズマ反応管８の先端部（回転管部８ｂ）においてカ
ーボンダストが大きく成長し、ダイヤモンドライクカー
ボン膜の成膜具合は良くなかった。
【００２３】しかしながら、掻取手段をＣＶＤ中に作動
させていると、カーボンダストは初期段階でプラズマ反
応管８内壁面から掻き取られ、大きく成長することがな
く、高品質なダイヤモンドライクカーボン膜を得ること
が出来た。
させていると、カーボンダストは初期段階でプラズマ反
応管８内壁面から掻き取られ、大きく成長することがな
く、高品質なダイヤモンドライクカーボン膜を得ること
が出来た。
【００２４】
【効果】本発明によれば、成膜に際して汚染物による不
具合が起き難く、高品質な膜を効率良く得ることが出来
る。
具合が起き難く、高品質な膜を効率良く得ることが出来
る。
【図１】磁気記録媒体の製造装置概略図
【図２】磁気記録媒体の製造装置要部斜視図
１ 支持体 ２ 真空槽 ３ａ 供給側ロール ３ｂ 巻取側ロール ４ 冷却キャンロール ８ プラズマ反応管 ８ａ 固定管部 ８ｂ 回転管部 １３ マイクロ波発振器 ２２ 爪 ２３ スリット（孔） ２４ 容器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水野谷 博英 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 プラズマＣＶＤ法により薄膜を形成する
装置であって、真空槽と、薄膜が形成される支持体と、
この支持体の供給手段及び巻取手段と、供給手段と巻取
手段との間の真空槽内における支持体走行経路に設けら
れた冷却キャンロールと、この冷却キャンロールに沿っ
て走行する支持体に対向して設けられたプラズマ反応管
と、このプラズマ反応管に反応ガスを供給する手段と、
前記プラズマ反応管にマイクロ波を照射するマイクロ波
発振器と、前記プラズマ反応管の内壁面に付着した汚染
物を掻き取る掻取手段とを具備してなることを特徴とす
る薄膜形成装置。 - 【請求項２】 プラズマ反応管は固定管部及びこの固定
管部の先端側に設けられた回転管部を具備し、汚染物を
掻き取る掻取爪が前記回転管部の内壁面に当接させられ
てなり、前記回転管部を回転手段で回転させることによ
ってプラズマ反応管の先端部である回転管部内壁面に付
着した汚染物を除去するよう構成してなることを特徴と
する請求項１記載の薄膜形成装置。 - 【請求項３】 掻取爪に対応して回転管部には孔が形成
されてなり、この孔を介して掻き取られた汚染物が排出
されるよう構成してなることを特徴とする請求項１記載
の薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP944695A JPH08203074A (ja) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP944695A JPH08203074A (ja) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08203074A true JPH08203074A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11720528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP944695A Pending JPH08203074A (ja) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08203074A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115739859A (zh) * | 2022-10-25 | 2023-03-07 | 广东鼎泰高科技术股份有限公司 | 一种碳膜去除装置及方法 |
-
1995
- 1995-01-25 JP JP944695A patent/JPH08203074A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115739859A (zh) * | 2022-10-25 | 2023-03-07 | 广东鼎泰高科技术股份有限公司 | 一种碳膜去除装置及方法 |
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