JPH0853769A - 薄膜形成方法及びその装置 - Google Patents
薄膜形成方法及びその装置Info
- Publication number
- JPH0853769A JPH0853769A JP18696994A JP18696994A JPH0853769A JP H0853769 A JPH0853769 A JP H0853769A JP 18696994 A JP18696994 A JP 18696994A JP 18696994 A JP18696994 A JP 18696994A JP H0853769 A JPH0853769 A JP H0853769A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction tube
- thin film
- film
- plasma
- plasma reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 連続成膜時間が長く、ダイヤモンドライクカ
ーボン薄膜を長尺状のものに効率よく形成できる技術を
提供することである。 【構成】 支持体上にＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ
法により薄膜を形成する技術であって、薄膜形成時にプ
ラズマ反応管に超音波振動を作用させる薄膜形成技術。
ーボン薄膜を長尺状のものに効率よく形成できる技術を
提供することである。 【構成】 支持体上にＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ
法により薄膜を形成する技術であって、薄膜形成時にプ
ラズマ反応管に超音波振動を作用させる薄膜形成技術。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばダイヤモンドラ
イクカーボン膜と言った薄膜を形成する為の技術に関す
るものである。
イクカーボン膜と言った薄膜を形成する為の技術に関す
るものである。
【０００２】
【発明の背景】磁気テープ等の磁気記録媒体において
は、高密度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けら
れる磁性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のもの
ではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが
提案されていることは周知の通りである。
は、高密度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けら
れる磁性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のもの
ではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが
提案されていることは周知の通りである。
【０００３】すなわち、無電解メッキといった湿式メッ
キ手段、真空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレ
ーティングといった乾式メッキ手段により磁性層を構成
した磁気記録媒体が提案されている。そして、この種の
磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いことから、高密
度記録に適したものである。ところで、この種の金属薄
膜型磁気記録媒体における金属磁性膜を保護する為に、
従来より各種の保護膜を表面に設けることが提案されて
いる。例えば、ダイヤモンドライクカーボン膜もこれら
の提案の一つである。このダイヤモンドライクカーボン
膜を表面に設ける手段としては各種のものが有る。例え
ば、熱フィラメントＣＶＤ装置、光ＣＶＤ装置、ＲＦプ
ラズマＣＶＤ装置、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置、Ｅ
ＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置などのＣＶＤ（ケミ
カルベーパーデポジション）装置が有る。中でも、ＥＣ
Ｒマイクロ波プラズマＣＶＤ装置が用いられる。尚、こ
のＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤは、反応管内に反応
ガスを供給し、そこにマイクロ波を入射してプラズマを
励起し、又、マイクロ波の進行方向と同方向の磁場をか
けてサイクロトロン共鳴を起こさせ、高い電子温度を実
現するものである。
キ手段、真空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレ
ーティングといった乾式メッキ手段により磁性層を構成
した磁気記録媒体が提案されている。そして、この種の
磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いことから、高密
度記録に適したものである。ところで、この種の金属薄
膜型磁気記録媒体における金属磁性膜を保護する為に、
従来より各種の保護膜を表面に設けることが提案されて
いる。例えば、ダイヤモンドライクカーボン膜もこれら
の提案の一つである。このダイヤモンドライクカーボン
膜を表面に設ける手段としては各種のものが有る。例え
ば、熱フィラメントＣＶＤ装置、光ＣＶＤ装置、ＲＦプ
ラズマＣＶＤ装置、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置、Ｅ
ＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置などのＣＶＤ（ケミ
カルベーパーデポジション）装置が有る。中でも、ＥＣ
Ｒマイクロ波プラズマＣＶＤ装置が用いられる。尚、こ
のＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤは、反応管内に反応
ガスを供給し、そこにマイクロ波を入射してプラズマを
励起し、又、マイクロ波の進行方向と同方向の磁場をか
けてサイクロトロン共鳴を起こさせ、高い電子温度を実
現するものである。
【０００４】ところで、上記のようなＥＣＲマイクロ波
プラズマＣＶＤ手段によりダイヤモンドライクカーボン
膜を成膜しようとした場合に、連続して成膜できる時間
が比較的短く、この為長尺状の磁気記録媒体に連続成膜
しようとしても限界があり、生産効率が低い問題点があ
る。すなわち、連続成膜時間が長くなると、プラズマ反
応管にダイヤモンドライクカーボン膜が堆積してしま
い、これがマイクロ波を吸収するようになってプラズマ
が励起され難くなり、成膜効率が低下してしまうのであ
る。
プラズマＣＶＤ手段によりダイヤモンドライクカーボン
膜を成膜しようとした場合に、連続して成膜できる時間
が比較的短く、この為長尺状の磁気記録媒体に連続成膜
しようとしても限界があり、生産効率が低い問題点があ
る。すなわち、連続成膜時間が長くなると、プラズマ反
応管にダイヤモンドライクカーボン膜が堆積してしま
い、これがマイクロ波を吸収するようになってプラズマ
が励起され難くなり、成膜効率が低下してしまうのであ
る。
【０００５】
【発明の開示】本発明の目的は、連続成膜時間が長く、
ダイヤモンドライクカーボン薄膜を長尺状のものに効率
よく形成できる技術を提供することである。この本発明
の目的は、支持体上にＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ
法により薄膜を形成する方法であって、薄膜形成時にプ
ラズマ反応管に超音波振動を作用させることを特徴とす
る薄膜形成方法によって達成される。
ダイヤモンドライクカーボン薄膜を長尺状のものに効率
よく形成できる技術を提供することである。この本発明
の目的は、支持体上にＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ
法により薄膜を形成する方法であって、薄膜形成時にプ
ラズマ反応管に超音波振動を作用させることを特徴とす
る薄膜形成方法によって達成される。
【０００６】特に、プラズマ反応管に対向した位置にあ
る支持体上にＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ法によ
り、例えばダイヤモンドライクカーボン薄膜を形成する
方法であって、前記プラズマ反応管にマイクロ波を導入
する工程と、前記プラズマ反応管に炭化水素系等の反応
ガスを導入する工程と、薄膜形成時に前記プラズマ反応
管に超音波振動を作用させる超音波振動工程とを具備す
ることを特徴とする薄膜形成方法によって達成される。
る支持体上にＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ法によ
り、例えばダイヤモンドライクカーボン薄膜を形成する
方法であって、前記プラズマ反応管にマイクロ波を導入
する工程と、前記プラズマ反応管に炭化水素系等の反応
ガスを導入する工程と、薄膜形成時に前記プラズマ反応
管に超音波振動を作用させる超音波振動工程とを具備す
ることを特徴とする薄膜形成方法によって達成される。
【０００７】尚、薄膜形成時に支持体にも超音波振動を
作用させることが好ましい。すなわち、薄膜形成時に支
持体に超音波振動を作用させる超音波振動工程を具備し
ていることが好ましい。又、支持体上にＥＣＲマイクロ
波プラズマＣＶＤ法により薄膜を形成する装置であっ
て、支持体上に薄膜を形成するプラズマ反応管を具備す
るＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置と、前記プラズ
マ反応管に超音波振動を作用させる超音波装置とを具備
することを特徴とする薄膜形成装置によって達成され
る。
作用させることが好ましい。すなわち、薄膜形成時に支
持体に超音波振動を作用させる超音波振動工程を具備し
ていることが好ましい。又、支持体上にＥＣＲマイクロ
波プラズマＣＶＤ法により薄膜を形成する装置であっ
て、支持体上に薄膜を形成するプラズマ反応管を具備す
るＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置と、前記プラズ
マ反応管に超音波振動を作用させる超音波装置とを具備
することを特徴とする薄膜形成装置によって達成され
る。
【０００８】特に、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ法
により、例えばダイヤモンドライクカーボン薄膜を形成
する装置であって、真空槽と、この真空槽内に配設され
た支持体に対向した位置にあるプラズマ反応管と、この
プラズマ反応管にマイクロ波を導入するマイクロ波導入
手段と、前記プラズマ反応管に炭化水素系等の反応ガス
を供給する反応ガス供給手段と、前記プラズマ反応管に
超音波振動を作用させる超音波装置とを具備することを
特徴とする薄膜形成装置によって達成される。
により、例えばダイヤモンドライクカーボン薄膜を形成
する装置であって、真空槽と、この真空槽内に配設され
た支持体に対向した位置にあるプラズマ反応管と、この
プラズマ反応管にマイクロ波を導入するマイクロ波導入
手段と、前記プラズマ反応管に炭化水素系等の反応ガス
を供給する反応ガス供給手段と、前記プラズマ反応管に
超音波振動を作用させる超音波装置とを具備することを
特徴とする薄膜形成装置によって達成される。
【０００９】尚、薄膜形成時に支持体にも超音波振動を
作用させる超音波装置を具備していることが好ましい。
すなわち、上記技術を用いて５０〜１５０Å厚さのダイ
ヤモンドライクカーボン薄膜を形成するに際して、例え
ば１ｋＨｚ〜５０ｋＨｚ、振幅０．０１〜１０μｍ程度
の超音波をプラズマ反応管に作用させていると、プラズ
マ反応管の内壁にダイヤモンドライクカーボンが付着・
堆積することなく、すなわち長時間の連続運転が可能で
あった。これは、プラズマ反応管が極めて微小な振幅で
繰り返して振動していることから、反応管内壁に付着し
たある程度大きなダイヤモンドダストは振るい落とさ
れ、反応管内壁にカーボン膜が堆積しないのであろうと
考えられた。
作用させる超音波装置を具備していることが好ましい。
すなわち、上記技術を用いて５０〜１５０Å厚さのダイ
ヤモンドライクカーボン薄膜を形成するに際して、例え
ば１ｋＨｚ〜５０ｋＨｚ、振幅０．０１〜１０μｍ程度
の超音波をプラズマ反応管に作用させていると、プラズ
マ反応管の内壁にダイヤモンドライクカーボンが付着・
堆積することなく、すなわち長時間の連続運転が可能で
あった。これは、プラズマ反応管が極めて微小な振幅で
繰り返して振動していることから、反応管内壁に付着し
たある程度大きなダイヤモンドダストは振るい落とさ
れ、反応管内壁にカーボン膜が堆積しないのであろうと
考えられた。
【００１０】本発明でダイヤモンドライクカーボン膜を
成膜する為に用いられる反応ガスとしては、例えばメタ
ン等の鎖状炭化水素、ベンゼンやシクロヘキサン等の環
状炭化水素、あるいはこれらの炭化水素と窒素やアンモ
ニア等の窒素化合物との混合物、又はピラジン、ピラゾ
リジン、ピラゾリン、ピラゾール、ピリジン、ピリダジ
ン、ピリミジン、ピペリジン、ピペラジン、イミダゾー
ル、ピロール、あるいはこれらの同族体や誘導体のよう
な窒素含有環状炭化水素などが用いられる。
成膜する為に用いられる反応ガスとしては、例えばメタ
ン等の鎖状炭化水素、ベンゼンやシクロヘキサン等の環
状炭化水素、あるいはこれらの炭化水素と窒素やアンモ
ニア等の窒素化合物との混合物、又はピラジン、ピラゾ
リジン、ピラゾリン、ピラゾール、ピリジン、ピリダジ
ン、ピリミジン、ピペリジン、ピペラジン、イミダゾー
ル、ピロール、あるいはこれらの同族体や誘導体のよう
な窒素含有環状炭化水素などが用いられる。
【００１１】プラズマ反応管内に反応ガスを供給する位
置は、マイクロ波導入部とＥＣＲ点との間の位置である
ことが好ましい。すなわち、このような位置に反応ガス
を供給させると、反応ガスのプラズマ化が効率よく行わ
れ、均一、かつ、良好な薄膜が形成されていた。又、反
応ガスを供給する反応ガス供給手段（例えば、パイプ）
の先端部に取り付けた多孔質体からプラズマ反応管内に
ガスが供給されるよう構成されていることが好ましい。
すなわち、多孔質体からプラズマ反応管内にガスが供給
されるよう構成していると、ガスは四方八方に吹き出す
ようになり、均一に、かつ、効率よく薄膜が形成されて
いた。
置は、マイクロ波導入部とＥＣＲ点との間の位置である
ことが好ましい。すなわち、このような位置に反応ガス
を供給させると、反応ガスのプラズマ化が効率よく行わ
れ、均一、かつ、良好な薄膜が形成されていた。又、反
応ガスを供給する反応ガス供給手段（例えば、パイプ）
の先端部に取り付けた多孔質体からプラズマ反応管内に
ガスが供給されるよう構成されていることが好ましい。
すなわち、多孔質体からプラズマ反応管内にガスが供給
されるよう構成していると、ガスは四方八方に吹き出す
ようになり、均一に、かつ、効率よく薄膜が形成されて
いた。
【００１２】本発明における支持体とは、ＰＥＴ等のポ
リエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォ
ン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等のオレフィン
系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂と
いった高分子材料、ガラスやセラミック等の無機系材料
などが挙げられる。又、これらに蒸着手段やスパッタ手
段といった乾式メッキ手段によって金属薄膜型の磁性膜
が設けられたものであっても良い。尚、金属薄膜型の磁
性膜を構成する磁性粒子の材料としては、例えばＦｅ，
Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐ
ｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ
−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合
金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、ある
いはこれらにＡｌ等の金属を含有させたもの等が用いら
れる。
リエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォ
ン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等のオレフィン
系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂と
いった高分子材料、ガラスやセラミック等の無機系材料
などが挙げられる。又、これらに蒸着手段やスパッタ手
段といった乾式メッキ手段によって金属薄膜型の磁性膜
が設けられたものであっても良い。尚、金属薄膜型の磁
性膜を構成する磁性粒子の材料としては、例えばＦｅ，
Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐ
ｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ
−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合
金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、ある
いはこれらにＡｌ等の金属を含有させたもの等が用いら
れる。
【００１３】尚、成膜が行われる支持体にも超音波振動
を作用させていると、成膜される膜の厚さが極めて均一
なものが得られていた。従って、超音波振動を、プラズ
マ反応管と支持体との双方に作用させるようにしている
ことが好ましい。
を作用させていると、成膜される膜の厚さが極めて均一
なものが得られていた。従って、超音波振動を、プラズ
マ反応管と支持体との双方に作用させるようにしている
ことが好ましい。
【００１４】
【実施例】図１は、本発明になる薄膜形成装置の全体概
略図である。図１中、１は金属薄膜型の磁性膜が支持体
表面に設けられた磁気記録媒体の原反、２は真空槽、３
ａは原反１の供給側ロール、３ｂは原反１の巻取側ロー
ル、４は冷却キャンローラであり、原反１は供給側ロー
ル３ａから冷却キャンローラ４を経て巻取側ロール３ｂ
に走行し、巻き取られて行くように構成されている。
略図である。図１中、１は金属薄膜型の磁性膜が支持体
表面に設けられた磁気記録媒体の原反、２は真空槽、３
ａは原反１の供給側ロール、３ｂは原反１の巻取側ロー
ル、４は冷却キャンローラであり、原反１は供給側ロー
ル３ａから冷却キャンローラ４を経て巻取側ロール３ｂ
に走行し、巻き取られて行くように構成されている。
【００１５】５は冷却キャンローラ４に対向して設けら
れている石英製のプラズマ反応管、６は炭化水素ガス供
給用のパイプ、６ａはパイプ先端に取り付けられている
直径３ｃｍの球状多孔質体（ゼオライト）、７はマイク
ロ波の導波管、８はＥＣＲ用コイルである。尚、球状多
孔質体６ａは、プラズマ反応管内におけるＥＣＲ点とマ
イクロ波導入部との間の位置に設定されている。そし
て、炭化水素ガスをパイプ６先端の球状多孔質体６ａか
らプラズマ反応管５に供給し、かつ、導波管７によって
プラズマ反応管５に波長λのマイクロ波を導入して、プ
ラズマを励起し、マイクロ波の進行方向と同方向にＥＣ
Ｒ用コイル８で磁場を掛け、サイクロトロン共鳴を起こ
させることにより、原反１表面の金属磁性膜上にダイヤ
モンドライクカーボン膜が形成される。
れている石英製のプラズマ反応管、６は炭化水素ガス供
給用のパイプ、６ａはパイプ先端に取り付けられている
直径３ｃｍの球状多孔質体（ゼオライト）、７はマイク
ロ波の導波管、８はＥＣＲ用コイルである。尚、球状多
孔質体６ａは、プラズマ反応管内におけるＥＣＲ点とマ
イクロ波導入部との間の位置に設定されている。そし
て、炭化水素ガスをパイプ６先端の球状多孔質体６ａか
らプラズマ反応管５に供給し、かつ、導波管７によって
プラズマ反応管５に波長λのマイクロ波を導入して、プ
ラズマを励起し、マイクロ波の進行方向と同方向にＥＣ
Ｒ用コイル８で磁場を掛け、サイクロトロン共鳴を起こ
させることにより、原反１表面の金属磁性膜上にダイヤ
モンドライクカーボン膜が形成される。
【００１６】９，１０は超音波発生装置である。超音波
発生装置９からの超音波振動は冷却キャンローラ４に作
用する。従って、冷却キャンローラ４に沿って走行して
いる原反１に周波数１５ｋＨｚ〜１００ｋＨｚ、振幅
０．０１〜１０μｍ程度、例えば周波数２５ｋＨｚで振
幅１μｍ程度の超音波振動が作用するようになってい
る。超音波発生装置１０からの超音波振動はプラズマ反
応管５に作用する。従って、プラズマ反応管５の管壁に
超音波振動が作用し、プラズマ反応管５の管壁は周波数
１ｋＨｚ〜５０ｋＨｚ、振幅０．０１〜１０μｍ程度、
例えば周波数２５ｋＨｚで振幅１μｍ程度で振動してい
る。
発生装置９からの超音波振動は冷却キャンローラ４に作
用する。従って、冷却キャンローラ４に沿って走行して
いる原反１に周波数１５ｋＨｚ〜１００ｋＨｚ、振幅
０．０１〜１０μｍ程度、例えば周波数２５ｋＨｚで振
幅１μｍ程度の超音波振動が作用するようになってい
る。超音波発生装置１０からの超音波振動はプラズマ反
応管５に作用する。従って、プラズマ反応管５の管壁に
超音波振動が作用し、プラズマ反応管５の管壁は周波数
１ｋＨｚ〜５０ｋＨｚ、振幅０．０１〜１０μｍ程度、
例えば周波数２５ｋＨｚで振幅１μｍ程度で振動してい
る。
【００１７】１１はバイアス電源であり、金属磁性膜に
５０Ｖのバイアス電圧が掛かっている。上記のように構
成させた薄膜形成装置を用いて、５ｍ／ｍｉｎの速度で
走行する原反１表面の金属磁性膜（２０００Å厚さのＣ
ｏ系金属磁性膜）上に７０Å厚さのダイヤモンドライク
カーボン膜を３時間にわたって連続成膜した。
５０Ｖのバイアス電圧が掛かっている。上記のように構
成させた薄膜形成装置を用いて、５ｍ／ｍｉｎの速度で
走行する原反１表面の金属磁性膜（２０００Å厚さのＣ
ｏ系金属磁性膜）上に７０Å厚さのダイヤモンドライク
カーボン膜を３時間にわたって連続成膜した。
【００１８】尚、マイクロ波の周波数は２．４５ＧＨ
ｚ、出力は１０００Ｗ、ＥＣＲ磁場は８７５Ｇａｕｓｓ
であり、供給ガスはＣＨ4 ＋Ｈ2 （供給量が５０ｓｃｃ
ｍ＋５０ｓｃｃｍ）である。このように長時間の連続成
膜で得られたダイヤモンドライクカーボン膜の厚さをオ
ージェ電子分光により評価した処、±０．１％の範疇に
あり、広範囲にわたって極めて均一性が高いものであっ
た。
ｚ、出力は１０００Ｗ、ＥＣＲ磁場は８７５Ｇａｕｓｓ
であり、供給ガスはＣＨ4 ＋Ｈ2 （供給量が５０ｓｃｃ
ｍ＋５０ｓｃｃｍ）である。このように長時間の連続成
膜で得られたダイヤモンドライクカーボン膜の厚さをオ
ージェ電子分光により評価した処、±０．１％の範疇に
あり、広範囲にわたって極めて均一性が高いものであっ
た。
【００１９】これに対して、超音波振動を作用させてい
ない従来のＥＣＲプラズマＣＶＤ装置により３時間にわ
たって連続成膜していると、徐々に成膜効率が低下して
おり、３時間後には成膜効率が７０％にも低下してしま
い、作業開始直後のダイヤモンドライクカーボン膜の厚
さと３時間後のダイヤモンドライクカーボン膜の厚さと
は全く異なっており、これでは到底に長時間の連続成膜
を安定して行えるものではなかった。
ない従来のＥＣＲプラズマＣＶＤ装置により３時間にわ
たって連続成膜していると、徐々に成膜効率が低下して
おり、３時間後には成膜効率が７０％にも低下してしま
い、作業開始直後のダイヤモンドライクカーボン膜の厚
さと３時間後のダイヤモンドライクカーボン膜の厚さと
は全く異なっており、これでは到底に長時間の連続成膜
を安定して行えるものではなかった。
【００２０】尚、上記本実施例のものでは、６時間後に
あっても成膜効率が殆ど低下していなかった。
あっても成膜効率が殆ど低下していなかった。
【００２１】
【効果】本発明によれば、極めて均一性に富むダイヤモ
ンドライクカーボン薄膜が良好に形成される。
ンドライクカーボン薄膜が良好に形成される。
【図１】薄膜形成装置の全体概略図
１ 磁気記録媒体の原反 ２ 真空槽 ４ 冷却キャンローラ ５ プラズマ反応管 ６ 炭化水素ガス供給用のパイプ ６ａ 球状多孔質体 ７ 導波管 ８ ＥＣＲ用コイル ９，１０ 超音波発生装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水野谷 博英 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 支持体上にＥＣＲマイクロ波プラズマＣ
ＶＤ法により薄膜を形成する方法であって、薄膜形成時
にプラズマ反応管に超音波振動を作用させることを特徴
とする薄膜形成方法。 - 【請求項２】 支持体上にＥＣＲマイクロ波プラズマＣ
ＶＤ法により薄膜を形成する装置であって、支持体上に
薄膜を形成するプラズマ反応管を具備するＥＣＲマイク
ロ波プラズマＣＶＤ装置と、前記プラズマ反応管に超音
波振動を作用させる超音波装置とを具備することを特徴
とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18696994A JPH0853769A (ja) | 1994-08-09 | 1994-08-09 | 薄膜形成方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18696994A JPH0853769A (ja) | 1994-08-09 | 1994-08-09 | 薄膜形成方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0853769A true JPH0853769A (ja) | 1996-02-27 |
Family
ID=16197899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18696994A Pending JPH0853769A (ja) | 1994-08-09 | 1994-08-09 | 薄膜形成方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0853769A (ja) |
-
1994
- 1994-08-09 JP JP18696994A patent/JPH0853769A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000228009A (ja) | 保護膜 | |
| JP3555797B2 (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
| JPH0835069A (ja) | 成膜装置 | |
| JPH0853769A (ja) | 薄膜形成方法及びその装置 | |
| JPH0849077A (ja) | 薄膜形成方法及びその装置 | |
| JPH0860373A (ja) | 薄膜形成方法及びその装置 | |
| JPH08100266A (ja) | 薄膜形成方法及びその装置 | |
| JPH0860364A (ja) | ダイヤモンド状カーボン膜形成方法及びその装置 | |
| JPH0853768A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0524114B2 (ja) | ||
| JP3323660B2 (ja) | 磁気記録媒体と薄膜の製造方法及び薄膜の製造装置 | |
| JPH0853770A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH10152778A (ja) | 保護膜の形成方法 | |
| JPH0849078A (ja) | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 | |
| JPH08193270A (ja) | ダイヤモンド状カーボン膜の形成方法及びその装置 | |
| JPH08193269A (ja) | ダイヤモンド状カーボン膜形成方法及びその装置 | |
| JP2001148112A (ja) | 情報記録再生装置 | |
| JPH08203074A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH1046346A (ja) | 成膜装置 | |
| JP3687117B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH08193268A (ja) | 薄膜形成方法及びその装置 | |
| JP2000123348A (ja) | 保護膜 | |
| JPH10251858A (ja) | 保護膜製造装置及び保護膜製造方法 | |
| JPH0941150A (ja) | 薄膜の形成方法 | |
| JPH07331440A (ja) | 薄膜形成方法 |