JPH0860364A - ダイヤモンド状カーボン膜形成方法及びその装置 - Google Patents
ダイヤモンド状カーボン膜形成方法及びその装置Info
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- JPH0860364A JPH0860364A JP19250394A JP19250394A JPH0860364A JP H0860364 A JPH0860364 A JP H0860364A JP 19250394 A JP19250394 A JP 19250394A JP 19250394 A JP19250394 A JP 19250394A JP H0860364 A JPH0860364 A JP H0860364A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイヤモンド構造に富むダイヤモンド状カー
ボン膜を得ることが出来る技術を提供することである。 【構成】 プラズマ反応管に対向した位置にある支持体
上にプラズマＣＶＤ法によりダイヤモンド状カーボン膜
を形成する方法であって、前記プラズマ反応管に反応ガ
スを導入する工程と、前記プラズマ反応管内にバルクな
ダイヤモンドを配置する工程とを具備するダイヤモンド
状カーボン膜形成方法。
ボン膜を得ることが出来る技術を提供することである。 【構成】 プラズマ反応管に対向した位置にある支持体
上にプラズマＣＶＤ法によりダイヤモンド状カーボン膜
を形成する方法であって、前記プラズマ反応管に反応ガ
スを導入する工程と、前記プラズマ反応管内にバルクな
ダイヤモンドを配置する工程とを具備するダイヤモンド
状カーボン膜形成方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばダイヤモンド状
カーボン膜と言った薄膜を形成する為の技術に関するも
のである。
カーボン膜と言った薄膜を形成する為の技術に関するも
のである。
【０００２】
【発明の背景】磁気テープ等の磁気記録媒体において
は、高密度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けら
れる磁性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のもの
ではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが
提案されていることは周知の通りである。
は、高密度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けら
れる磁性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のもの
ではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが
提案されていることは周知の通りである。
【０００３】すなわち、無電解メッキといった湿式メッ
キ手段、真空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレ
ーティングといった乾式メッキ手段により磁性層を構成
した磁気記録媒体が提案されている。そして、この種の
磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いことから、高密
度記録に適したものである。ところで、この種の金属薄
膜型磁気記録媒体における金属磁性膜を保護する為に、
従来より各種の保護膜を表面に設けることが提案されて
いる。例えば、ダイヤモンド状カーボン膜もこれらの提
案の一つである。このダイヤモンド状カーボン膜を表面
に設ける手段としては各種のものが有る。例えば、熱フ
ィラメントＣＶＤ装置、光ＣＶＤ装置、ＲＦプラズマＣ
ＶＤ装置、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置、ＥＣＲマイ
クロ波プラズマＣＶＤ装置などのＣＶＤ（ケミカルベー
パーデポジション）装置が有る。
キ手段、真空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレ
ーティングといった乾式メッキ手段により磁性層を構成
した磁気記録媒体が提案されている。そして、この種の
磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いことから、高密
度記録に適したものである。ところで、この種の金属薄
膜型磁気記録媒体における金属磁性膜を保護する為に、
従来より各種の保護膜を表面に設けることが提案されて
いる。例えば、ダイヤモンド状カーボン膜もこれらの提
案の一つである。このダイヤモンド状カーボン膜を表面
に設ける手段としては各種のものが有る。例えば、熱フ
ィラメントＣＶＤ装置、光ＣＶＤ装置、ＲＦプラズマＣ
ＶＤ装置、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置、ＥＣＲマイ
クロ波プラズマＣＶＤ装置などのＣＶＤ（ケミカルベー
パーデポジション）装置が有る。
【０００４】ところで、上記のような手段により形成さ
れるダイヤモンド状カーボン膜は、ダイヤモンド構造を
有してはいるものの、完全なダイヤモンド構造のもので
はなく、グラファイト構造も有している。すなわち、ダ
イヤモンド及びグラフィトのＥＥＬＳ（Electron Energ
y Loss Spectroscopy ）を図３に、そしてＥＣＲマイク
ロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて形成されるダイヤモン
ド状カーボン膜のＥＥＬＳを図４に示すが、グラファイ
ト結合の存在することが認められる。
れるダイヤモンド状カーボン膜は、ダイヤモンド構造を
有してはいるものの、完全なダイヤモンド構造のもので
はなく、グラファイト構造も有している。すなわち、ダ
イヤモンド及びグラフィトのＥＥＬＳ（Electron Energ
y Loss Spectroscopy ）を図３に、そしてＥＣＲマイク
ロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて形成されるダイヤモン
ド状カーボン膜のＥＥＬＳを図４に示すが、グラファイ
ト結合の存在することが認められる。
【０００５】このグラファイト結合を有した膜は、軟ら
かいことから、金属薄膜型の磁気記録媒体の保護膜とし
ては充分なものでない。つまり、ダイヤモンド構造に富
むダイヤモンド状カーボン膜が求められている。
かいことから、金属薄膜型の磁気記録媒体の保護膜とし
ては充分なものでない。つまり、ダイヤモンド構造に富
むダイヤモンド状カーボン膜が求められている。
【０００６】
【発明の開示】本発明の目的は、ダイヤモンド構造に富
むダイヤモンド状カーボン膜を得ることが出来る技術を
提供することである。この本発明の目的は、プラズマ反
応管に対向した位置にある支持体上にプラズマＣＶＤ法
によりダイヤモンド状カーボン膜を形成する方法であっ
て、前記プラズマ反応管に反応ガスを導入する工程と、
前記プラズマ反応管内にバルクなダイヤモンドを配置す
る工程とを具備することを特徴とするダイヤモンド状カ
ーボン膜形成方法によって達成される。
むダイヤモンド状カーボン膜を得ることが出来る技術を
提供することである。この本発明の目的は、プラズマ反
応管に対向した位置にある支持体上にプラズマＣＶＤ法
によりダイヤモンド状カーボン膜を形成する方法であっ
て、前記プラズマ反応管に反応ガスを導入する工程と、
前記プラズマ反応管内にバルクなダイヤモンドを配置す
る工程とを具備することを特徴とするダイヤモンド状カ
ーボン膜形成方法によって達成される。
【０００７】又、プラズマ反応管に対向した位置にある
支持体上にＥＣＲプラズマＣＶＤ法によりダイヤモンド
状カーボン膜を形成する方法であって、前記プラズマ反
応管に反応ガスを導入する工程と、前記プラズマ反応管
内にバルクなダイヤモンドを配置する工程とを具備する
ことを特徴とするダイヤモンド状カーボン膜形成方法に
よって達成される。
支持体上にＥＣＲプラズマＣＶＤ法によりダイヤモンド
状カーボン膜を形成する方法であって、前記プラズマ反
応管に反応ガスを導入する工程と、前記プラズマ反応管
内にバルクなダイヤモンドを配置する工程とを具備する
ことを特徴とするダイヤモンド状カーボン膜形成方法に
よって達成される。
【０００８】又、プラズマＣＶＤ法によりダイヤモンド
状カーボン膜を形成する装置であって、真空槽と、この
真空槽内に配設された支持体に対向した位置にあるプラ
ズマ反応管と、このプラズマ反応管に反応ガスを供給す
る反応ガス供給手段と、前記プラズマ反応管内に設けら
れたバルクなダイヤモンドとを具備することを特徴とす
るダイヤモンド状カーボン膜形成装置によって達成され
る。
状カーボン膜を形成する装置であって、真空槽と、この
真空槽内に配設された支持体に対向した位置にあるプラ
ズマ反応管と、このプラズマ反応管に反応ガスを供給す
る反応ガス供給手段と、前記プラズマ反応管内に設けら
れたバルクなダイヤモンドとを具備することを特徴とす
るダイヤモンド状カーボン膜形成装置によって達成され
る。
【０００９】又、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によりダイヤ
モンド状カーボン膜を形成する装置であって、真空槽
と、この真空槽内に配設された支持体に対向した位置に
あるプラズマ反応管と、このプラズマ反応管に反応ガス
を供給する反応ガス供給手段と、前記プラズマ反応管内
に設けられたバルクなダイヤモンドとを具備することを
特徴とするダイヤモンド状カーボン膜形成装置によって
達成される。
モンド状カーボン膜を形成する装置であって、真空槽
と、この真空槽内に配設された支持体に対向した位置に
あるプラズマ反応管と、このプラズマ反応管に反応ガス
を供給する反応ガス供給手段と、前記プラズマ反応管内
に設けられたバルクなダイヤモンドとを具備することを
特徴とするダイヤモンド状カーボン膜形成装置によって
達成される。
【００１０】尚、バルクなダイヤモンドはプラズマ反応
管内におけるＥＣＲ点から支持体の側に配設されること
が好ましい。又、反応ガスを供給する反応ガス供給手段
（例えば、パイプ）の先端部に取り付けた多孔質体から
プラズマ反応管内にガスが供給されるよう構成されてい
ることが好ましい。すなわち、多孔質体からプラズマ反
応管内にガスが供給されるよう構成していると、ガスは
四方八方に吹き出すようになり、均一に、かつ、効率よ
く薄膜が形成される。
管内におけるＥＣＲ点から支持体の側に配設されること
が好ましい。又、反応ガスを供給する反応ガス供給手段
（例えば、パイプ）の先端部に取り付けた多孔質体から
プラズマ反応管内にガスが供給されるよう構成されてい
ることが好ましい。すなわち、多孔質体からプラズマ反
応管内にガスが供給されるよう構成していると、ガスは
四方八方に吹き出すようになり、均一に、かつ、効率よ
く薄膜が形成される。
【００１１】そして、上記技術を用いてダイヤモンド状
カーボン膜を形成すると、成膜時にバルクなダイヤモン
ドがプラズマによりスパッタされ、この結果ダイヤモン
ドからなるクラスターが生成する。そして、このクラス
ターが核になって膜が成長するので、生成する膜はダイ
ヤモンド構造に富むものとなる。本発明でダイヤモンド
状カーボン膜を成膜する為に用いられる反応ガスとして
は、例えばメタン等の鎖状炭化水素、ベンゼンやシクロ
ヘキサン等の環状炭化水素、あるいはこれらの炭化水素
と窒素やアンモニア等の窒素化合物との混合物、又はピ
ラジン、ピラゾリジン、ピラゾリン、ピラゾール、ピリ
ジン、ピリダジン、ピリミジン、ピペリジン、ピペラジ
ン、イミダゾール、ピロール、あるいはこれらの同族体
や誘導体のような窒素含有環状炭化水素などの炭化水素
系のものが用いられる。
カーボン膜を形成すると、成膜時にバルクなダイヤモン
ドがプラズマによりスパッタされ、この結果ダイヤモン
ドからなるクラスターが生成する。そして、このクラス
ターが核になって膜が成長するので、生成する膜はダイ
ヤモンド構造に富むものとなる。本発明でダイヤモンド
状カーボン膜を成膜する為に用いられる反応ガスとして
は、例えばメタン等の鎖状炭化水素、ベンゼンやシクロ
ヘキサン等の環状炭化水素、あるいはこれらの炭化水素
と窒素やアンモニア等の窒素化合物との混合物、又はピ
ラジン、ピラゾリジン、ピラゾリン、ピラゾール、ピリ
ジン、ピリダジン、ピリミジン、ピペリジン、ピペラジ
ン、イミダゾール、ピロール、あるいはこれらの同族体
や誘導体のような窒素含有環状炭化水素などの炭化水素
系のものが用いられる。
【００１２】本発明の磁気記録媒体における支持体は非
磁性のものであり、この支持体はＰＥＴ等のポリエステ
ル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカ
ーボネート、ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、
セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分
子材料、ガラスやセラミック等の無機系材料などが用い
られる。
磁性のものであり、この支持体はＰＥＴ等のポリエステ
ル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカ
ーボネート、ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、
セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分
子材料、ガラスやセラミック等の無機系材料などが用い
られる。
【００１３】そして、この支持体の一面側には、蒸着手
段やスパッタ手段といった乾式メッキ手段によって金属
薄膜型の磁性膜が設けられる。金属薄膜型の磁性膜を構
成する磁性粒子の材料としては、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合
金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれ
らにＡｌ等の金属を含有させたもの等が用いられる。
段やスパッタ手段といった乾式メッキ手段によって金属
薄膜型の磁性膜が設けられる。金属薄膜型の磁性膜を構
成する磁性粒子の材料としては、例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合
金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、あるいはこれ
らにＡｌ等の金属を含有させたもの等が用いられる。
【００１４】
【実施例】図１は本発明になる薄膜形成装置（ＥＣＲプ
ラズマＣＶＤ装置）の全体の概略図、図２はこの装置に
より成膜されたダイヤモンド状カーボン膜のＥＥＬＳで
ある。図１中、１は金属磁性膜が支持体表面に設けられ
た磁気記録媒体の原反、２は真空槽、３ａは原反１の供
給側ロール、３ｂは原反１の巻取側ロール、４は冷却キ
ャンローラであり、原反１は供給側ロール３ａから冷却
キャンローラ４を経て巻取側ロール３ｂに走行し、巻き
取られて行くように構成されている。
ラズマＣＶＤ装置）の全体の概略図、図２はこの装置に
より成膜されたダイヤモンド状カーボン膜のＥＥＬＳで
ある。図１中、１は金属磁性膜が支持体表面に設けられ
た磁気記録媒体の原反、２は真空槽、３ａは原反１の供
給側ロール、３ｂは原反１の巻取側ロール、４は冷却キ
ャンローラであり、原反１は供給側ロール３ａから冷却
キャンローラ４を経て巻取側ロール３ｂに走行し、巻き
取られて行くように構成されている。
【００１５】５は冷却キャンローラ４に対向して設けら
れているプラズマ反応管、６は炭化水素ガス供給用のパ
イプ、６ａはパイプ先端に取り付けられている直径３ｃ
ｍの球状多孔質体（ゼオライト）、７はマイクロ波の導
波管、８はＥＣＲ用コイルである。尚、球状多孔質体６
ａは、プラズマ反応管内におけるＥＣＲ点とマイクロ波
導入部との間の位置に設定されている。そして、炭化水
素ガスをパイプ６先端の球状多孔質体６ａからプラズマ
反応管５に供給し、かつ、導波管７によってプラズマ反
応管５に波長λのマイクロ波を導入して、プラズマを励
起し、マイクロ波の進行方向と同方向にＥＣＲ用コイル
８で磁場を掛け、サイクロトロン共鳴を起こさせること
により、原反１表面の金属磁性膜上にダイヤモンド状カ
ーボン膜が形成される。
れているプラズマ反応管、６は炭化水素ガス供給用のパ
イプ、６ａはパイプ先端に取り付けられている直径３ｃ
ｍの球状多孔質体（ゼオライト）、７はマイクロ波の導
波管、８はＥＣＲ用コイルである。尚、球状多孔質体６
ａは、プラズマ反応管内におけるＥＣＲ点とマイクロ波
導入部との間の位置に設定されている。そして、炭化水
素ガスをパイプ６先端の球状多孔質体６ａからプラズマ
反応管５に供給し、かつ、導波管７によってプラズマ反
応管５に波長λのマイクロ波を導入して、プラズマを励
起し、マイクロ波の進行方向と同方向にＥＣＲ用コイル
８で磁場を掛け、サイクロトロン共鳴を起こさせること
により、原反１表面の金属磁性膜上にダイヤモンド状カ
ーボン膜が形成される。
【００１６】９は、プラズマ反応管５内におけるＥＣＲ
点からλ／８だけ原反１側にずらせ位置に設けられたバ
ルクなダイヤモンドである。１０は、バルクなダイヤモ
ンド９を保持する為の保持具である。尚、この保持具１
０は、例えばＮｉ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｐ
ｔ，Ｃｒ等の材料で構成されており、グラファイト結合
をダイヤモンド結合に変換させ易い触媒機能を有してい
る。
点からλ／８だけ原反１側にずらせ位置に設けられたバ
ルクなダイヤモンドである。１０は、バルクなダイヤモ
ンド９を保持する為の保持具である。尚、この保持具１
０は、例えばＮｉ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｐ
ｔ，Ｃｒ等の材料で構成されており、グラファイト結合
をダイヤモンド結合に変換させ易い触媒機能を有してい
る。
【００１７】１１はバイアス電源であり、金属磁性膜に
３０Ｖのバイアス電圧が掛かっている。上記のように構
成させたＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を用いて、２０ｍ／
ｍｉｎの速度で走行する原反１表面の金属磁性膜上に１
００Å厚さのダイヤモンド状カーボン膜を形成した。
３０Ｖのバイアス電圧が掛かっている。上記のように構
成させたＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を用いて、２０ｍ／
ｍｉｎの速度で走行する原反１表面の金属磁性膜上に１
００Å厚さのダイヤモンド状カーボン膜を形成した。
【００１８】尚、マイクロ波の周波数は２．４５ＧＨ
ｚ、出力は１０００Ｗ、ＥＣＲ磁場は８７５Ｇａｕｓｓ
であり、供給ガスはＣＨ4 ＋Ｈ2 （供給量が７５ｓｃｃ
ｍ＋１５０ｓｃｃｍ）である。そして、得られたダイヤ
モンド状カーボン膜のＥＥＬＳを図２に示す。これによ
れば、図４の場合に比べて、明らかにグラファイト構造
の強度が低下しており、ダイヤモンド構造に富むもので
あることが判る。
ｚ、出力は１０００Ｗ、ＥＣＲ磁場は８７５Ｇａｕｓｓ
であり、供給ガスはＣＨ4 ＋Ｈ2 （供給量が７５ｓｃｃ
ｍ＋１５０ｓｃｃｍ）である。そして、得られたダイヤ
モンド状カーボン膜のＥＥＬＳを図２に示す。これによ
れば、図４の場合に比べて、明らかにグラファイト構造
の強度が低下しており、ダイヤモンド構造に富むもので
あることが判る。
【００１９】すなわち、金属磁性膜上に形成されるダイ
ヤモンド状カーボン膜は、バルクなダイヤモンド９から
のクラスターが核となって成長したから、ダイヤモンド
構造に富むと推察される。又、このようにして得られた
ダイヤモンド状カーボン膜の厚さのバラツキ具合を４０
００ｍの長さにわたって調べると、±１０％以内のバラ
ツキしかなく、極めて均一性に富むものであった。
ヤモンド状カーボン膜は、バルクなダイヤモンド９から
のクラスターが核となって成長したから、ダイヤモンド
構造に富むと推察される。又、このようにして得られた
ダイヤモンド状カーボン膜の厚さのバラツキ具合を４０
００ｍの長さにわたって調べると、±１０％以内のバラ
ツキしかなく、極めて均一性に富むものであった。
【００２０】又、バルクなダイヤモンド９の設置位置を
ＥＣＲ点にずらし、その他の条件は上記の場合と同様に
行った。この場合にも、図４の場合に比べて、明らかに
グラファイト構造の強度が低下しており、ダイヤモンド
構造に富むものであった。又、バルクなダイヤモンド９
の設置位置をＥＣＲ点からλ／４だけ原反１側にずら
し、その他の条件は上記の場合と同様に行った。この場
合にも、図４の場合に比べて、明らかにグラファイト構
造の強度が低下しており、ダイヤモンド構造に富むもの
であった。
ＥＣＲ点にずらし、その他の条件は上記の場合と同様に
行った。この場合にも、図４の場合に比べて、明らかに
グラファイト構造の強度が低下しており、ダイヤモンド
構造に富むものであった。又、バルクなダイヤモンド９
の設置位置をＥＣＲ点からλ／４だけ原反１側にずら
し、その他の条件は上記の場合と同様に行った。この場
合にも、図４の場合に比べて、明らかにグラファイト構
造の強度が低下しており、ダイヤモンド構造に富むもの
であった。
【００２１】
【効果】本発明によれば、ダイヤモンド構造に富むダイ
ヤモンド状カーボン薄膜が良好に形成される。
ヤモンド状カーボン薄膜が良好に形成される。
【図１】薄膜形成装置（ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置）全
体の概略図
体の概略図
【図２】本発明で得られたダイヤモンド状カーボン膜の
ＥＥＬＳ
ＥＥＬＳ
【図３】ダイヤモンド膜及びグラファイト膜のＥＥＬＳ
【図４】従来のＥＣＲプラズマＣＶＤで得たダイヤモン
ド状カーボン膜のＥＥＬＳ
ド状カーボン膜のＥＥＬＳ
１ 磁気記録媒体の原反 ２ 真空槽 ４ 冷却キャンローラ ５ プラズマ反応管 ６ 炭化水素ガス供給用のパイプ ６ａ 球状多孔質体 ７ 導波管 ８ ＥＣＲ用コイル ９ バルクなダイヤモンド １０ 保持具
フロントページの続き (72)発明者 若林 繁美 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】 プラズマ反応管に対向した位置にある支
持体上にプラズマＣＶＤ法によりダイヤモンド状カーボ
ン膜を形成する方法であって、前記プラズマ反応管に反
応ガスを導入する工程と、前記プラズマ反応管内にバル
クなダイヤモンドを配置する工程とを具備することを特
徴とするダイヤモンド状カーボン膜形成方法。 - 【請求項２】 プラズマ反応管に対向した位置にある支
持体上にＥＣＲプラズマＣＶＤ法によりダイヤモンド状
カーボン膜を形成する方法であって、前記プラズマ反応
管に反応ガスを導入する工程と、前記プラズマ反応管内
にバルクなダイヤモンドを配置する工程とを具備するこ
とを特徴とするダイヤモンド状カーボン膜形成方法。 - 【請求項３】 プラズマ反応管内におけるＥＣＲ点から
支持体の側にバルクなダイヤモンドを配置することを特
徴とする請求項２のダイヤモンド状カーボン膜形成方
法。 - 【請求項４】 プラズマＣＶＤ法によりダイヤモンド状
カーボン膜を形成する装置であって、真空槽と、この真
空槽内に配設された支持体に対向した位置にあるプラズ
マ反応管と、このプラズマ反応管に反応ガスを供給する
反応ガス供給手段と、前記プラズマ反応管内に設けられ
たバルクなダイヤモンドとを具備することを特徴とする
ダイヤモンド状カーボン膜形成装置。 - 【請求項５】 ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によりダイヤモ
ンド状カーボン膜を形成する装置であって、真空槽と、
この真空槽内に配設された支持体に対向した位置にある
プラズマ反応管と、このプラズマ反応管に反応ガスを供
給する反応ガス供給手段と、前記プラズマ反応管内に設
けられたバルクなダイヤモンドとを具備することを特徴
とするダイヤモンド状カーボン膜形成装置。 - 【請求項６】 プラズマ反応管内におけるＥＣＲ点から
支持体の側にバルクなダイヤモンドが配置されてなるこ
とを特徴とする請求項５のダイヤモンド状カーボン膜形
成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19250394A JPH0860364A (ja) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | ダイヤモンド状カーボン膜形成方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19250394A JPH0860364A (ja) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | ダイヤモンド状カーボン膜形成方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0860364A true JPH0860364A (ja) | 1996-03-05 |
Family
ID=16292388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19250394A Pending JPH0860364A (ja) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | ダイヤモンド状カーボン膜形成方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0860364A (ja) |
-
1994
- 1994-08-16 JP JP19250394A patent/JPH0860364A/ja active Pending
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