JPH07331440A - 薄膜形成方法 - Google Patents

薄膜形成方法

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JPH07331440A
JPH07331440A JP12491394A JP12491394A JPH07331440A JP H07331440 A JPH07331440 A JP H07331440A JP 12491394 A JP12491394 A JP 12491394A JP 12491394 A JP12491394 A JP 12491394A JP H07331440 A JPH07331440 A JP H07331440A
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JP
Japan
Prior art keywords
thin film
plasma
reaction tube
carbon
diamond
Prior art date
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Pending
Application number
JP12491394A
Other languages
English (en)
Inventor
Noriyuki Kitaori
典之 北折
Osamu Yoshida
修 吉田
Hirohide Mizunoya
博英 水野谷
Shigemi Wakabayashi
繁美 若林
Akira Shiga
章 志賀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kao Corp
Original Assignee
Kao Corp
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Publication date
Application filed by Kao Corp filed Critical Kao Corp
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Publication of JPH07331440A publication Critical patent/JPH07331440A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 プラズマの発生に支障となっている反応管内
壁の汚染を解決し、薄膜を良好に形成できる技術を提供
することである。 【構成】 プラズマCVDによりダイヤモンドライクカ
ーボン膜を成膜する薄膜形成方法であって、ダイヤモン
ドライクカーボン膜の成膜時にプラズマ反応管の内壁部
分に水素あるいは酸素によるプラズマ層を形成する薄膜
形成方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマCVDにより
ダイヤモンドライクカーボン膜を成膜する薄膜形成方法
に関するものである。
【0002】
【発明の背景】磁気テープ等の磁気記録媒体において
は、高密度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けら
れる磁性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のもの
ではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが
提案されていることは周知の通りである。
【0003】すなわち、無電解メッキといった湿式メッ
キ手段、真空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレ
ーティングといった乾式メッキ手段により磁性層を構成
した磁気記録媒体が提案されている。そして、この種の
磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いことから、高密
度記録に適したものである。ところで、この種の金属薄
膜型磁気記録媒体における金属磁性膜を保護する為に、
従来より各種の保護膜を表面に設けることが提案されて
いる。
【0004】例えば、ダイヤモンドライクカーボン膜も
これらの提案の一つである。このダイヤモンドライクカ
ーボン膜を表面に設ける手段としては各種のものが有
り、その一つとしてCVD(ケミカルベーパーデポジシ
ョン)装置が有る。すなわち、図2に示す如く、金属磁
性膜が支持体上に設けられた磁気記録媒体21を真空容
器22内に配設された供給側ロール23aから冷却キャ
ンローラ24を経て巻取側ロール23bに走行させ、そ
してCVD装置25を作動させ、冷却キャンローラ24
に添接されている磁気記録媒体21の金属磁性膜に対し
て炭化水素ガスのプラズマを吹き付けると、金属磁性膜
の表面にダイヤモンドライクカーボン膜が形成される。
尚、図5中、26はバイアス電源である。
【0005】ところで、このようなCVD手段を用いて
ダイヤモンドライクカーボン膜を形成するに際して、各
種の部分にダイヤモンドライクカーボンが付着している
ことが判って来た。そして、CVD装置における反応管
の内壁部にダイヤモンドライクカーボンが付着すると、
これによってプラズマの発生に支障が引き起こされて来
ることも判って来た。
【0006】
【発明の開示】本発明の目的は、プラズマの発生に支障
となっている反応管内壁の汚染を解決し、薄膜を良好に
形成できる技術を提供することである。この本発明の目
的は、プラズマCVDによりダイヤモンドライクカーボ
ン膜を成膜する薄膜形成方法であって、ダイヤモンドラ
イクカーボン膜の成膜時にプラズマ反応管の内壁部分に
水素あるいは酸素によるプラズマ層を形成しておくこと
を特徴とする薄膜形成方法によって達成される。
【0007】すなわち、CVD作業の実施に伴ってプラ
ズマ反応管の内壁に付いたダイヤモンドライクカーボン
が付着と同時にエッチングされるようにしておけば、常
にクリーンなものとなっている。従って、プラズマの発
生に支障が引き起こされない。尚、これを実施するにあ
たっては、プラズマCVD装置のプラズマ反応管に微細
な孔を形成しておき、この微細孔より酸素や水素のよう
なエッチングガスがプラズマ反応管内に導入されるよう
にしておけば良い。そして、ダイヤモンドライクカーボ
ン膜の成膜原料である炭化水素ガスの導入とは別経路、
すなわち前記微細孔より酸素や水素のようなエッチング
ガスをプラズマ反応管内に導入し、炭化水素ガスによる
プラズマCVDを行っておれば、プラズマ反応管内に付
いたカーボンはプラズマエッチングによって除去され、
常にクリーンな状態が維持される。
【0008】
【実施例】図1は、本発明になる薄膜形成方法が実施さ
れる薄膜形成装置の概略図である。同図中、1は反応
管、2はマグネット、3はマグネトロン電極、4は冷却
ファン、5は電極、6はECRイオン源電源であり、こ
のECRプラズマ蒸着装置Aの反応管1の側壁部には微
細な孔(図示せず)が多数形成されており、この微細孔
を介して水素あるいは酸素などのエッチングガスが導入
されるようになっている。
【0009】又、図示しない供給側ロールから巻取側ロ
ールに走行させられている磁気記録媒体の金属磁性膜7
の表面にプラズマイオンが吹き付けられ、金属磁性膜7
の表面に例えばダイヤモンドライクカーボン薄膜が形成
されるようになっている。すなわち、炭化水素ガスが反
応管1内に供給され、炭化水素を原料としたプラズマイ
オンが吹き付けられ、金属磁性膜7の表面に例えばダイ
ヤモンドライクカーボン薄膜が形成されるようになって
いる。
【0010】上記のように構成させた薄膜形成装置を用
いて磁気記録媒体の金属磁性膜7の表面にダイヤモンド
ライクカーボン薄膜を形成し、この作業が長時間行われ
ていると、反応管1の内壁部分にもダイヤモンドライク
カーボンが付着する。ところで、反応管1の内壁部分へ
のダイヤモンドライクカーボンの付着量が多くなると、
これによってマイクロ波が吸収され、プラズマ化が行わ
れ難くなる。従って、従来では、長時間の連続作業が行
えていなかったのである。
【0011】しかしながら、本発明にあっては、反応管
1の内壁部分にダイヤモンドライクカーボンが付着した
としても、反応管1の内壁部分に沿って酸素あるいは水
素のプラズマ層が形成されているので、このプラズマに
よって付着したダイヤモンドライクカーボンのエッチン
グが行われ、常にクリーンな状態が維持されている。つ
まり、ダイヤモンドライクカーボン膜を形成する為のベ
ンゼン等の炭化水素ガスのプラズマ化が良好になされ、
金属磁性膜7の表面にダイヤモンドライクカーボン膜が
良好に形成される。
【0012】因みに、ダイヤモンドライクカーボン膜を
形成する為、ベンゼン(10sccm)と二酸化炭素
(10sccm)とアルゴン(40sccm)を1μm
径の孔が100個/mm2 の割合で形成された反応管1
内に供給し、又、前記の孔より水素ガス(0.1scc
m)を供給しながら、ECRプラズマCVD作業を行っ
た処、成膜作業24時間後にあっても反応管1内壁にダ
イヤモンドライクカーボンは付着しておらず、ダイヤモ
ンドライクカーボン膜の成膜作業を長時間連続して行う
ことが出来た。
【0013】これに対して、水素ガスを供給しないでE
CRプラズマCVD作業を行った処、24時間後には反
応管1内壁にダイヤモンドライクカーボンが付着してお
り、成膜作業を24時間以上連続して行うことが出来な
かった。尚、水素ガスの代わりに酸素ガスを1μm径の
孔から供給しながら、ECRプラズマCVD作業を行っ
ても、反応管1内壁にダイヤモンドライクカーボンは付
着しておらず、ダイヤモンドライクカーボン膜の成膜作
業を長時間連続して行うことが出来た。
【0014】そして、本発明の如くプラズマエッチング
が行われながらダイヤモンドライクカーボン膜の成膜が
行われた場合のダイヤモンドライクカーボン膜と、プラ
ズマエッチングが行われないでダイヤモンドライクカー
ボン膜の成膜が行われた場合のダイヤモンドライクカー
ボン膜とを調べてみたが、両者の間に保護膜としての機
能上の差異は認められなかった。
【0015】
【効果】本発明によれば、連続してCVD作業を実施で
き、効率良くダイヤモンドライクカーボン薄膜を形成で
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明になる薄膜形成方法が実施される薄膜形
成装置の概略図
【図2】従来の薄膜形成装置の概略図
【符号の説明】
A ECRプラズマ蒸着装置 1 反応管 2 マグネット 3 マグネトロン電極 5 電極 6 ECRイオン源電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 若林 繁美 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 プラズマCVDによりダイヤモンドライ
    クカーボン膜を成膜する薄膜形成方法であって、ダイヤ
    モンドライクカーボン膜の成膜時にプラズマ反応管の内
    壁部分に水素あるいは酸素によるプラズマ層を形成して
    おくことを特徴とする薄膜形成方法。
JP12491394A 1994-06-07 1994-06-07 薄膜形成方法 Pending JPH07331440A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12491394A JPH07331440A (ja) 1994-06-07 1994-06-07 薄膜形成方法

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JP12491394A JPH07331440A (ja) 1994-06-07 1994-06-07 薄膜形成方法

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Publication Number Publication Date
JPH07331440A true JPH07331440A (ja) 1995-12-19

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ID=14897222

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12491394A Pending JPH07331440A (ja) 1994-06-07 1994-06-07 薄膜形成方法

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JP (1) JPH07331440A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000063459A1 (en) * 1999-04-17 2000-10-26 Advanced Energy Industries, Inc. Method and apparatus for deposition of diamond like carbon

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000063459A1 (en) * 1999-04-17 2000-10-26 Advanced Energy Industries, Inc. Method and apparatus for deposition of diamond like carbon
US6451389B1 (en) 1999-04-17 2002-09-17 Advanced Energy Industries, Inc. Method for deposition of diamond like carbon
US6818257B2 (en) 1999-04-17 2004-11-16 Advanced Energy Industries, Inc. Method of providing a material processing ion beam

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