JPH07331440A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
- Publication number
- JPH07331440A JPH07331440A JP12491394A JP12491394A JPH07331440A JP H07331440 A JPH07331440 A JP H07331440A JP 12491394 A JP12491394 A JP 12491394A JP 12491394 A JP12491394 A JP 12491394A JP H07331440 A JPH07331440 A JP H07331440A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- plasma
- reaction tube
- carbon
- diamond
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマの発生に支障となっている反応管内
壁の汚染を解決し、薄膜を良好に形成できる技術を提供
することである。 【構成】 プラズマＣＶＤによりダイヤモンドライクカ
ーボン膜を成膜する薄膜形成方法であって、ダイヤモン
ドライクカーボン膜の成膜時にプラズマ反応管の内壁部
分に水素あるいは酸素によるプラズマ層を形成する薄膜
形成方法。
壁の汚染を解決し、薄膜を良好に形成できる技術を提供
することである。 【構成】 プラズマＣＶＤによりダイヤモンドライクカ
ーボン膜を成膜する薄膜形成方法であって、ダイヤモン
ドライクカーボン膜の成膜時にプラズマ反応管の内壁部
分に水素あるいは酸素によるプラズマ層を形成する薄膜
形成方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマＣＶＤにより
ダイヤモンドライクカーボン膜を成膜する薄膜形成方法
に関するものである。
ダイヤモンドライクカーボン膜を成膜する薄膜形成方法
に関するものである。
【０００２】
【発明の背景】磁気テープ等の磁気記録媒体において
は、高密度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けら
れる磁性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のもの
ではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが
提案されていることは周知の通りである。
は、高密度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けら
れる磁性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のもの
ではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが
提案されていることは周知の通りである。
【０００３】すなわち、無電解メッキといった湿式メッ
キ手段、真空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレ
ーティングといった乾式メッキ手段により磁性層を構成
した磁気記録媒体が提案されている。そして、この種の
磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いことから、高密
度記録に適したものである。ところで、この種の金属薄
膜型磁気記録媒体における金属磁性膜を保護する為に、
従来より各種の保護膜を表面に設けることが提案されて
いる。
キ手段、真空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレ
ーティングといった乾式メッキ手段により磁性層を構成
した磁気記録媒体が提案されている。そして、この種の
磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いことから、高密
度記録に適したものである。ところで、この種の金属薄
膜型磁気記録媒体における金属磁性膜を保護する為に、
従来より各種の保護膜を表面に設けることが提案されて
いる。
【０００４】例えば、ダイヤモンドライクカーボン膜も
これらの提案の一つである。このダイヤモンドライクカ
ーボン膜を表面に設ける手段としては各種のものが有
り、その一つとしてＣＶＤ（ケミカルベーパーデポジシ
ョン）装置が有る。すなわち、図２に示す如く、金属磁
性膜が支持体上に設けられた磁気記録媒体２１を真空容
器２２内に配設された供給側ロール２３ａから冷却キャ
ンローラ２４を経て巻取側ロール２３ｂに走行させ、そ
してＣＶＤ装置２５を作動させ、冷却キャンローラ２４
に添接されている磁気記録媒体２１の金属磁性膜に対し
て炭化水素ガスのプラズマを吹き付けると、金属磁性膜
の表面にダイヤモンドライクカーボン膜が形成される。
尚、図５中、２６はバイアス電源である。
これらの提案の一つである。このダイヤモンドライクカ
ーボン膜を表面に設ける手段としては各種のものが有
り、その一つとしてＣＶＤ（ケミカルベーパーデポジシ
ョン）装置が有る。すなわち、図２に示す如く、金属磁
性膜が支持体上に設けられた磁気記録媒体２１を真空容
器２２内に配設された供給側ロール２３ａから冷却キャ
ンローラ２４を経て巻取側ロール２３ｂに走行させ、そ
してＣＶＤ装置２５を作動させ、冷却キャンローラ２４
に添接されている磁気記録媒体２１の金属磁性膜に対し
て炭化水素ガスのプラズマを吹き付けると、金属磁性膜
の表面にダイヤモンドライクカーボン膜が形成される。
尚、図５中、２６はバイアス電源である。
【０００５】ところで、このようなＣＶＤ手段を用いて
ダイヤモンドライクカーボン膜を形成するに際して、各
種の部分にダイヤモンドライクカーボンが付着している
ことが判って来た。そして、ＣＶＤ装置における反応管
の内壁部にダイヤモンドライクカーボンが付着すると、
これによってプラズマの発生に支障が引き起こされて来
ることも判って来た。
ダイヤモンドライクカーボン膜を形成するに際して、各
種の部分にダイヤモンドライクカーボンが付着している
ことが判って来た。そして、ＣＶＤ装置における反応管
の内壁部にダイヤモンドライクカーボンが付着すると、
これによってプラズマの発生に支障が引き起こされて来
ることも判って来た。
【０００６】
【発明の開示】本発明の目的は、プラズマの発生に支障
となっている反応管内壁の汚染を解決し、薄膜を良好に
形成できる技術を提供することである。この本発明の目
的は、プラズマＣＶＤによりダイヤモンドライクカーボ
ン膜を成膜する薄膜形成方法であって、ダイヤモンドラ
イクカーボン膜の成膜時にプラズマ反応管の内壁部分に
水素あるいは酸素によるプラズマ層を形成しておくこと
を特徴とする薄膜形成方法によって達成される。
となっている反応管内壁の汚染を解決し、薄膜を良好に
形成できる技術を提供することである。この本発明の目
的は、プラズマＣＶＤによりダイヤモンドライクカーボ
ン膜を成膜する薄膜形成方法であって、ダイヤモンドラ
イクカーボン膜の成膜時にプラズマ反応管の内壁部分に
水素あるいは酸素によるプラズマ層を形成しておくこと
を特徴とする薄膜形成方法によって達成される。
【０００７】すなわち、ＣＶＤ作業の実施に伴ってプラ
ズマ反応管の内壁に付いたダイヤモンドライクカーボン
が付着と同時にエッチングされるようにしておけば、常
にクリーンなものとなっている。従って、プラズマの発
生に支障が引き起こされない。尚、これを実施するにあ
たっては、プラズマＣＶＤ装置のプラズマ反応管に微細
な孔を形成しておき、この微細孔より酸素や水素のよう
なエッチングガスがプラズマ反応管内に導入されるよう
にしておけば良い。そして、ダイヤモンドライクカーボ
ン膜の成膜原料である炭化水素ガスの導入とは別経路、
すなわち前記微細孔より酸素や水素のようなエッチング
ガスをプラズマ反応管内に導入し、炭化水素ガスによる
プラズマＣＶＤを行っておれば、プラズマ反応管内に付
いたカーボンはプラズマエッチングによって除去され、
常にクリーンな状態が維持される。
ズマ反応管の内壁に付いたダイヤモンドライクカーボン
が付着と同時にエッチングされるようにしておけば、常
にクリーンなものとなっている。従って、プラズマの発
生に支障が引き起こされない。尚、これを実施するにあ
たっては、プラズマＣＶＤ装置のプラズマ反応管に微細
な孔を形成しておき、この微細孔より酸素や水素のよう
なエッチングガスがプラズマ反応管内に導入されるよう
にしておけば良い。そして、ダイヤモンドライクカーボ
ン膜の成膜原料である炭化水素ガスの導入とは別経路、
すなわち前記微細孔より酸素や水素のようなエッチング
ガスをプラズマ反応管内に導入し、炭化水素ガスによる
プラズマＣＶＤを行っておれば、プラズマ反応管内に付
いたカーボンはプラズマエッチングによって除去され、
常にクリーンな状態が維持される。
【０００８】
【実施例】図１は、本発明になる薄膜形成方法が実施さ
れる薄膜形成装置の概略図である。同図中、１は反応
管、２はマグネット、３はマグネトロン電極、４は冷却
ファン、５は電極、６はＥＣＲイオン源電源であり、こ
のＥＣＲプラズマ蒸着装置Ａの反応管１の側壁部には微
細な孔（図示せず）が多数形成されており、この微細孔
を介して水素あるいは酸素などのエッチングガスが導入
されるようになっている。
れる薄膜形成装置の概略図である。同図中、１は反応
管、２はマグネット、３はマグネトロン電極、４は冷却
ファン、５は電極、６はＥＣＲイオン源電源であり、こ
のＥＣＲプラズマ蒸着装置Ａの反応管１の側壁部には微
細な孔（図示せず）が多数形成されており、この微細孔
を介して水素あるいは酸素などのエッチングガスが導入
されるようになっている。
【０００９】又、図示しない供給側ロールから巻取側ロ
ールに走行させられている磁気記録媒体の金属磁性膜７
の表面にプラズマイオンが吹き付けられ、金属磁性膜７
の表面に例えばダイヤモンドライクカーボン薄膜が形成
されるようになっている。すなわち、炭化水素ガスが反
応管１内に供給され、炭化水素を原料としたプラズマイ
オンが吹き付けられ、金属磁性膜７の表面に例えばダイ
ヤモンドライクカーボン薄膜が形成されるようになって
いる。
ールに走行させられている磁気記録媒体の金属磁性膜７
の表面にプラズマイオンが吹き付けられ、金属磁性膜７
の表面に例えばダイヤモンドライクカーボン薄膜が形成
されるようになっている。すなわち、炭化水素ガスが反
応管１内に供給され、炭化水素を原料としたプラズマイ
オンが吹き付けられ、金属磁性膜７の表面に例えばダイ
ヤモンドライクカーボン薄膜が形成されるようになって
いる。
【００１０】上記のように構成させた薄膜形成装置を用
いて磁気記録媒体の金属磁性膜７の表面にダイヤモンド
ライクカーボン薄膜を形成し、この作業が長時間行われ
ていると、反応管１の内壁部分にもダイヤモンドライク
カーボンが付着する。ところで、反応管１の内壁部分へ
のダイヤモンドライクカーボンの付着量が多くなると、
これによってマイクロ波が吸収され、プラズマ化が行わ
れ難くなる。従って、従来では、長時間の連続作業が行
えていなかったのである。
いて磁気記録媒体の金属磁性膜７の表面にダイヤモンド
ライクカーボン薄膜を形成し、この作業が長時間行われ
ていると、反応管１の内壁部分にもダイヤモンドライク
カーボンが付着する。ところで、反応管１の内壁部分へ
のダイヤモンドライクカーボンの付着量が多くなると、
これによってマイクロ波が吸収され、プラズマ化が行わ
れ難くなる。従って、従来では、長時間の連続作業が行
えていなかったのである。
【００１１】しかしながら、本発明にあっては、反応管
１の内壁部分にダイヤモンドライクカーボンが付着した
としても、反応管１の内壁部分に沿って酸素あるいは水
素のプラズマ層が形成されているので、このプラズマに
よって付着したダイヤモンドライクカーボンのエッチン
グが行われ、常にクリーンな状態が維持されている。つ
まり、ダイヤモンドライクカーボン膜を形成する為のベ
ンゼン等の炭化水素ガスのプラズマ化が良好になされ、
金属磁性膜７の表面にダイヤモンドライクカーボン膜が
良好に形成される。
１の内壁部分にダイヤモンドライクカーボンが付着した
としても、反応管１の内壁部分に沿って酸素あるいは水
素のプラズマ層が形成されているので、このプラズマに
よって付着したダイヤモンドライクカーボンのエッチン
グが行われ、常にクリーンな状態が維持されている。つ
まり、ダイヤモンドライクカーボン膜を形成する為のベ
ンゼン等の炭化水素ガスのプラズマ化が良好になされ、
金属磁性膜７の表面にダイヤモンドライクカーボン膜が
良好に形成される。
【００１２】因みに、ダイヤモンドライクカーボン膜を
形成する為、ベンゼン（１０ｓｃｃｍ）と二酸化炭素
（１０ｓｃｃｍ）とアルゴン（４０ｓｃｃｍ）を１μｍ
径の孔が１００個／ｍｍ2 の割合で形成された反応管１
内に供給し、又、前記の孔より水素ガス（０．１ｓｃｃ
ｍ）を供給しながら、ＥＣＲプラズマＣＶＤ作業を行っ
た処、成膜作業２４時間後にあっても反応管１内壁にダ
イヤモンドライクカーボンは付着しておらず、ダイヤモ
ンドライクカーボン膜の成膜作業を長時間連続して行う
ことが出来た。
形成する為、ベンゼン（１０ｓｃｃｍ）と二酸化炭素
（１０ｓｃｃｍ）とアルゴン（４０ｓｃｃｍ）を１μｍ
径の孔が１００個／ｍｍ2 の割合で形成された反応管１
内に供給し、又、前記の孔より水素ガス（０．１ｓｃｃ
ｍ）を供給しながら、ＥＣＲプラズマＣＶＤ作業を行っ
た処、成膜作業２４時間後にあっても反応管１内壁にダ
イヤモンドライクカーボンは付着しておらず、ダイヤモ
ンドライクカーボン膜の成膜作業を長時間連続して行う
ことが出来た。
【００１３】これに対して、水素ガスを供給しないでＥ
ＣＲプラズマＣＶＤ作業を行った処、２４時間後には反
応管１内壁にダイヤモンドライクカーボンが付着してお
り、成膜作業を２４時間以上連続して行うことが出来な
かった。尚、水素ガスの代わりに酸素ガスを１μｍ径の
孔から供給しながら、ＥＣＲプラズマＣＶＤ作業を行っ
ても、反応管１内壁にダイヤモンドライクカーボンは付
着しておらず、ダイヤモンドライクカーボン膜の成膜作
業を長時間連続して行うことが出来た。
ＣＲプラズマＣＶＤ作業を行った処、２４時間後には反
応管１内壁にダイヤモンドライクカーボンが付着してお
り、成膜作業を２４時間以上連続して行うことが出来な
かった。尚、水素ガスの代わりに酸素ガスを１μｍ径の
孔から供給しながら、ＥＣＲプラズマＣＶＤ作業を行っ
ても、反応管１内壁にダイヤモンドライクカーボンは付
着しておらず、ダイヤモンドライクカーボン膜の成膜作
業を長時間連続して行うことが出来た。
【００１４】そして、本発明の如くプラズマエッチング
が行われながらダイヤモンドライクカーボン膜の成膜が
行われた場合のダイヤモンドライクカーボン膜と、プラ
ズマエッチングが行われないでダイヤモンドライクカー
ボン膜の成膜が行われた場合のダイヤモンドライクカー
ボン膜とを調べてみたが、両者の間に保護膜としての機
能上の差異は認められなかった。
が行われながらダイヤモンドライクカーボン膜の成膜が
行われた場合のダイヤモンドライクカーボン膜と、プラ
ズマエッチングが行われないでダイヤモンドライクカー
ボン膜の成膜が行われた場合のダイヤモンドライクカー
ボン膜とを調べてみたが、両者の間に保護膜としての機
能上の差異は認められなかった。
【００１５】
【効果】本発明によれば、連続してＣＶＤ作業を実施で
き、効率良くダイヤモンドライクカーボン薄膜を形成で
きる。
き、効率良くダイヤモンドライクカーボン薄膜を形成で
きる。
【図１】本発明になる薄膜形成方法が実施される薄膜形
成装置の概略図
成装置の概略図
【図２】従来の薄膜形成装置の概略図
Ａ ＥＣＲプラズマ蒸着装置 １ 反応管 ２ マグネット ３ マグネトロン電極 ５ 電極 ６ ＥＣＲイオン源電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 若林 繁美 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 プラズマＣＶＤによりダイヤモンドライ
クカーボン膜を成膜する薄膜形成方法であって、ダイヤ
モンドライクカーボン膜の成膜時にプラズマ反応管の内
壁部分に水素あるいは酸素によるプラズマ層を形成して
おくことを特徴とする薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12491394A JPH07331440A (ja) | 1994-06-07 | 1994-06-07 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12491394A JPH07331440A (ja) | 1994-06-07 | 1994-06-07 | 薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07331440A true JPH07331440A (ja) | 1995-12-19 |
Family
ID=14897222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12491394A Pending JPH07331440A (ja) | 1994-06-07 | 1994-06-07 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07331440A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000063459A1 (en) * | 1999-04-17 | 2000-10-26 | Advanced Energy Industries, Inc. | Method and apparatus for deposition of diamond like carbon |
-
1994
- 1994-06-07 JP JP12491394A patent/JPH07331440A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000063459A1 (en) * | 1999-04-17 | 2000-10-26 | Advanced Energy Industries, Inc. | Method and apparatus for deposition of diamond like carbon |
| US6451389B1 (en) | 1999-04-17 | 2002-09-17 | Advanced Energy Industries, Inc. | Method for deposition of diamond like carbon |
| US6818257B2 (en) | 1999-04-17 | 2004-11-16 | Advanced Energy Industries, Inc. | Method of providing a material processing ion beam |
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