JPH0860373A - 薄膜形成方法及びその装置 - Google Patents
薄膜形成方法及びその装置Info
- Publication number
- JPH0860373A JPH0860373A JP19250294A JP19250294A JPH0860373A JP H0860373 A JPH0860373 A JP H0860373A JP 19250294 A JP19250294 A JP 19250294A JP 19250294 A JP19250294 A JP 19250294A JP H0860373 A JPH0860373 A JP H0860373A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- microwave
- ecr
- reaction tube
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜が均一に、かつ、良好に形成できる技術
を提供することである。 【構成】 プラズマ反応管に対向した位置にある支持体
上にＥＣＲプラズマＣＶＤ法により薄膜を形成する方法
であって、前記プラズマ反応管にマイクロ波を導入する
マイクロ波導入部とＥＣＲ点との間の位置に反応ガスを
供給する薄膜形成方法。
を提供することである。 【構成】 プラズマ反応管に対向した位置にある支持体
上にＥＣＲプラズマＣＶＤ法により薄膜を形成する方法
であって、前記プラズマ反応管にマイクロ波を導入する
マイクロ波導入部とＥＣＲ点との間の位置に反応ガスを
供給する薄膜形成方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばダイヤモンド状
カーボン膜と言った薄膜を形成する為の装置に関するも
のである。
カーボン膜と言った薄膜を形成する為の装置に関するも
のである。
【０００２】
【発明の背景】磁気テープ等の磁気記録媒体において
は、高密度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けら
れる磁性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のもの
ではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが
提案されていることは周知の通りである。
は、高密度記録化の要請から、非磁性支持体上に設けら
れる磁性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のもの
ではなく、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが
提案されていることは周知の通りである。
【０００３】すなわち、無電解メッキといった湿式メッ
キ手段、真空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレ
ーティングといった乾式メッキ手段により磁性層を構成
した磁気記録媒体が提案されている。そして、この種の
磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いことから、高密
度記録に適したものである。ところで、この種の金属薄
膜型磁気記録媒体における金属磁性膜を保護する為に、
従来より各種の保護膜を表面に設けることが提案されて
いる。例えば、ダイヤモンド状カーボン膜もこれらの提
案の一つである。このダイヤモンド状カーボン膜を表面
に設ける手段としては各種のものが有る。例えば、熱フ
ィラメントＣＶＤ装置、光ＣＶＤ装置、ＲＦプラズマＣ
ＶＤ装置、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置、ＥＣＲマイ
クロ波プラズマＣＶＤ装置などのＣＶＤ（ケミカルベー
パーデポジション）装置が有る。中でも、ＥＣＲマイク
ロ波プラズマＣＶＤ装置が用いられる。
キ手段、真空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレ
ーティングといった乾式メッキ手段により磁性層を構成
した磁気記録媒体が提案されている。そして、この種の
磁気記録媒体は磁性体の充填密度が高いことから、高密
度記録に適したものである。ところで、この種の金属薄
膜型磁気記録媒体における金属磁性膜を保護する為に、
従来より各種の保護膜を表面に設けることが提案されて
いる。例えば、ダイヤモンド状カーボン膜もこれらの提
案の一つである。このダイヤモンド状カーボン膜を表面
に設ける手段としては各種のものが有る。例えば、熱フ
ィラメントＣＶＤ装置、光ＣＶＤ装置、ＲＦプラズマＣ
ＶＤ装置、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置、ＥＣＲマイ
クロ波プラズマＣＶＤ装置などのＣＶＤ（ケミカルベー
パーデポジション）装置が有る。中でも、ＥＣＲマイク
ロ波プラズマＣＶＤ装置が用いられる。
【０００４】この保護膜形成装置（ＥＣＲマイクロ波プ
ラズマＣＶＤ装置）は、図３のように構成されている。
図３中、２１は金属磁性膜が支持体上に設けられた磁気
記録媒体、２２は冷却キャンローラ、２３は冷却キャン
ローラ２２に対向して設けられているプラズマ反応管、
２４は炭化水素ガス供給用のノズル、２５は導波管、２
６はＥＣＲ用コイルである。そして、磁気記録媒体２１
を真空槽内に配設された供給側ロールから冷却キャンロ
ーラ２２を経て巻取側ロールに走行させると共に、プラ
ズマ反応管２３に炭化水素ガスをノズル２４から供給
し、かつ、導波管２５によってプラズマ反応管２３にマ
イクロ波を導入して、プラズマを励起し、マイクロ波の
進行方向と同方向（あるいは直交方向）にＥＣＲ用コイ
ル２６で磁場を掛け、サイクロトロン共鳴を起こさせる
ことにより、金属磁性膜上にダイヤモンド状カーボン膜
が形成される。
ラズマＣＶＤ装置）は、図３のように構成されている。
図３中、２１は金属磁性膜が支持体上に設けられた磁気
記録媒体、２２は冷却キャンローラ、２３は冷却キャン
ローラ２２に対向して設けられているプラズマ反応管、
２４は炭化水素ガス供給用のノズル、２５は導波管、２
６はＥＣＲ用コイルである。そして、磁気記録媒体２１
を真空槽内に配設された供給側ロールから冷却キャンロ
ーラ２２を経て巻取側ロールに走行させると共に、プラ
ズマ反応管２３に炭化水素ガスをノズル２４から供給
し、かつ、導波管２５によってプラズマ反応管２３にマ
イクロ波を導入して、プラズマを励起し、マイクロ波の
進行方向と同方向（あるいは直交方向）にＥＣＲ用コイ
ル２６で磁場を掛け、サイクロトロン共鳴を起こさせる
ことにより、金属磁性膜上にダイヤモンド状カーボン膜
が形成される。
【０００５】しかしながら、このようなＥＣＲプラズマ
ＣＶＤ法により薄膜を形成するに際して、薄膜が均一に
形成されていないことが判って来た。
ＣＶＤ法により薄膜を形成するに際して、薄膜が均一に
形成されていないことが判って来た。
【０００６】
【発明の開示】本発明の目的は、薄膜が均一に、かつ、
良好に形成できる技術を提供することである。この本発
明の目的は、プラズマ反応管に対向した位置にある支持
体上にＥＣＲプラズマＣＶＤ法により薄膜を形成する方
法であって、前記プラズマ反応管にマイクロ波を導入す
るマイクロ波導入部とＥＣＲ点との間の位置に反応ガス
を供給することを特徴とする薄膜形成方法によって達成
される。
良好に形成できる技術を提供することである。この本発
明の目的は、プラズマ反応管に対向した位置にある支持
体上にＥＣＲプラズマＣＶＤ法により薄膜を形成する方
法であって、前記プラズマ反応管にマイクロ波を導入す
るマイクロ波導入部とＥＣＲ点との間の位置に反応ガス
を供給することを特徴とする薄膜形成方法によって達成
される。
【０００７】又、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法により薄膜を
形成する装置であって、真空槽と、この真空槽内に配設
された支持体に対向した位置にあるプラズマ反応管と、
このプラズマ反応管にマイクロ波を導入するマイクロ波
導入手段と、このマイクロ波導入手段によりプラズマ反
応管にマイクロ波を導入するマイクロ波導入部とＥＣＲ
点との間の位置に反応ガスを供給する反応ガス供給手段
とを具備することを特徴とする薄膜形成装置によって達
成される。
形成する装置であって、真空槽と、この真空槽内に配設
された支持体に対向した位置にあるプラズマ反応管と、
このプラズマ反応管にマイクロ波を導入するマイクロ波
導入手段と、このマイクロ波導入手段によりプラズマ反
応管にマイクロ波を導入するマイクロ波導入部とＥＣＲ
点との間の位置に反応ガスを供給する反応ガス供給手段
とを具備することを特徴とする薄膜形成装置によって達
成される。
【０００８】すなわち、上記の如くマイクロ波導入部と
ＥＣＲ点との間の位置に反応ガスを供給させると、反応
ガスのプラズマ化が効率よく行われ、均一、かつ、良好
な薄膜が形成されていた。尚、プラズマ反応管内に反応
ガスを供給する位置は、マイクロ波導入部とＥＣＲ点と
の間、特にＥＣＲ点と該ＥＣＲ点からマイクロ波の波長
λの１／４だけマイクロ波導入部側の位置との間の位置
であることが更に好ましい結果を奏していた。
ＥＣＲ点との間の位置に反応ガスを供給させると、反応
ガスのプラズマ化が効率よく行われ、均一、かつ、良好
な薄膜が形成されていた。尚、プラズマ反応管内に反応
ガスを供給する位置は、マイクロ波導入部とＥＣＲ点と
の間、特にＥＣＲ点と該ＥＣＲ点からマイクロ波の波長
λの１／４だけマイクロ波導入部側の位置との間の位置
であることが更に好ましい結果を奏していた。
【０００９】又、上記の発明において、マイクロ波導入
部とＥＣＲ点との間の位置に反応ガスを供給する反応ガ
ス供給手段の先端部における多孔質体からプラズマ反応
管内にガスが供給されるよう構成されていることが好ま
しい。すなわち、多孔質体からプラズマ反応管内にガス
が供給されるよう構成していると、ガスは四方八方に吹
き出すようになり、均一に、かつ、効率よく薄膜が形成
される。
部とＥＣＲ点との間の位置に反応ガスを供給する反応ガ
ス供給手段の先端部における多孔質体からプラズマ反応
管内にガスが供給されるよう構成されていることが好ま
しい。すなわち、多孔質体からプラズマ反応管内にガス
が供給されるよう構成していると、ガスは四方八方に吹
き出すようになり、均一に、かつ、効率よく薄膜が形成
される。
【００１０】本発明でダイヤモンド状カーボン膜を成膜
する為に用いられる反応ガスとしては、例えばメタン等
の鎖状炭化水素、ベンゼンやシクロヘキサン等の環状炭
化水素、あるいはこれらの炭化水素と窒素やアンモニア
等の窒素化合物との混合物、又はピラジン、ピラゾリジ
ン、ピラゾリン、ピラゾール、ピリジン、ピリダジン、
ピリミジン、ピペリジン、ピペラジン、イミダゾール、
ピロール、あるいはこれらの同族体や誘導体のような窒
素含有環状炭化水素などが用いられる。
する為に用いられる反応ガスとしては、例えばメタン等
の鎖状炭化水素、ベンゼンやシクロヘキサン等の環状炭
化水素、あるいはこれらの炭化水素と窒素やアンモニア
等の窒素化合物との混合物、又はピラジン、ピラゾリジ
ン、ピラゾリン、ピラゾール、ピリジン、ピリダジン、
ピリミジン、ピペリジン、ピペラジン、イミダゾール、
ピロール、あるいはこれらの同族体や誘導体のような窒
素含有環状炭化水素などが用いられる。
【００１１】本発明における支持体とは、ＰＥＴ等のポ
リエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォ
ン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等のオレフィン
系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂と
いった高分子材料、ガラスやセラミック等の無機系材料
などが挙げられる。又、これらに蒸着手段やスパッタ手
段といった乾式メッキ手段によって金属薄膜型の磁性膜
が設けられたものであっても良い。尚、金属薄膜型の磁
性膜を構成する磁性粒子の材料としては、例えばＦｅ，
Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐ
ｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ
−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合
金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、ある
いはこれらにＡｌ等の金属を含有させたもの等が用いら
れる。
リエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォ
ン、ポリカーボネート、ポリプロピレン等のオレフィン
系の樹脂、セルロース系の樹脂、塩化ビニル系の樹脂と
いった高分子材料、ガラスやセラミック等の無機系材料
などが挙げられる。又、これらに蒸着手段やスパッタ手
段といった乾式メッキ手段によって金属薄膜型の磁性膜
が設けられたものであっても良い。尚、金属薄膜型の磁
性膜を構成する磁性粒子の材料としては、例えばＦｅ，
Ｃｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐ
ｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ
−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合
金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、ある
いはこれらにＡｌ等の金属を含有させたもの等が用いら
れる。
【００１２】
【実施例】図１〜図２は本発明になる薄膜形成装置の一
実施例を示すもので、図１は薄膜形成装置（ＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ装置）全体の概略図、図２は要部の概略図で
ある。各図中、１は金属磁性膜が支持体表面に設けられ
た磁気記録媒体の原反、２は真空槽、３ａは原反１の供
給側ロール、３ｂは原反１の巻取側ロール、４は冷却キ
ャンローラであり、原反１は供給側ロール３ａから冷却
キャンローラ４を経て巻取側ロール３ｂに走行し、巻き
取られて行くように構成されている。
実施例を示すもので、図１は薄膜形成装置（ＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ装置）全体の概略図、図２は要部の概略図で
ある。各図中、１は金属磁性膜が支持体表面に設けられ
た磁気記録媒体の原反、２は真空槽、３ａは原反１の供
給側ロール、３ｂは原反１の巻取側ロール、４は冷却キ
ャンローラであり、原反１は供給側ロール３ａから冷却
キャンローラ４を経て巻取側ロール３ｂに走行し、巻き
取られて行くように構成されている。
【００１３】５は冷却キャンローラ４に対向して設けら
れているプラズマ反応管、６は炭化水素ガス供給用のパ
イプ、６ａはパイプ先端に取り付けられている直径３ｃ
ｍの球状多孔質体（ゼオライト）、７は導波管、８はＥ
ＣＲ用コイルである。そして、炭化水素ガスをパイプ６
先端の球状多孔質体６ａからプラズマ反応管５に供給
し、かつ、導波管７によってプラズマ反応管５にマイク
ロ波を導入して、プラズマを励起し、マイクロ波の進行
方向と同方向にＥＣＲ用コイル８で磁場を掛け、サイク
ロトロン共鳴を起こさせることにより、原反１表面の金
属磁性膜上にダイヤモンド状カーボン膜が形成される。
れているプラズマ反応管、６は炭化水素ガス供給用のパ
イプ、６ａはパイプ先端に取り付けられている直径３ｃ
ｍの球状多孔質体（ゼオライト）、７は導波管、８はＥ
ＣＲ用コイルである。そして、炭化水素ガスをパイプ６
先端の球状多孔質体６ａからプラズマ反応管５に供給
し、かつ、導波管７によってプラズマ反応管５にマイク
ロ波を導入して、プラズマを励起し、マイクロ波の進行
方向と同方向にＥＣＲ用コイル８で磁場を掛け、サイク
ロトロン共鳴を起こさせることにより、原反１表面の金
属磁性膜上にダイヤモンド状カーボン膜が形成される。
【００１４】ところで、本発明においては、パイプ６先
端の球状多孔質体６ａがマイクロ波導入部とＥＣＲ点Ｐ
との間の位置にあるよう設計されている。上記のように
構成させたＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を用いて、３０ｍ
／ｍｉｎの速度で走行する原反１表面の金属磁性膜上に
１００Å厚さのダイヤモンド状カーボン膜を形成した。
端の球状多孔質体６ａがマイクロ波導入部とＥＣＲ点Ｐ
との間の位置にあるよう設計されている。上記のように
構成させたＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を用いて、３０ｍ
／ｍｉｎの速度で走行する原反１表面の金属磁性膜上に
１００Å厚さのダイヤモンド状カーボン膜を形成した。
【００１５】尚、マイクロ波の周波数は２．４５ＧＨ
ｚ、出力は１０００Ｗ、ＥＣＲ磁場は８７５Ｇａｕｓｓ
であり、供給ガスはＣＨ4 ＋Ｈ2 （供給量が４０ｓｃｃ
ｍ＋１００ｓｃｃｍ）、Ｃ6 Ｈ6 ＋Ｈ2 （供給量が１０
ｓｃｃｍ＋２０ｓｃｃｍ）である。又、パイプ６先端の
球状多孔質体６ａの位置をずらしてダイヤモンド状カー
ボン膜を形成した。
ｚ、出力は１０００Ｗ、ＥＣＲ磁場は８７５Ｇａｕｓｓ
であり、供給ガスはＣＨ4 ＋Ｈ2 （供給量が４０ｓｃｃ
ｍ＋１００ｓｃｃｍ）、Ｃ6 Ｈ6 ＋Ｈ2 （供給量が１０
ｓｃｃｍ＋２０ｓｃｃｍ）である。又、パイプ６先端の
球状多孔質体６ａの位置をずらしてダイヤモンド状カー
ボン膜を形成した。
【００１６】そして、得られたダイヤモンド状カーボン
膜の厚さのバラツキ具合を４０００ｍの長さにわたって
調べたので、その結果を表−１に示す。尚、膜厚は、波
長４００ｎｍのＵＶの反射率により求め、１０点平均し
て求めたものである。 表−１ 500m 1000m 1500m 2000m 2500m 3000m 3500m 4000m 実施例1a ０ ０ ０ ０ ＋３ ０ ０ ０ 実施例1b ０ ０ ０ ０ ０ −３ ０ ０ 実施例2a ０ ０ ０ ０ −５ −３ ０ ０ 実施例2b ０ ０ ０ −３ ０ −５ ０ −３ 実施例3a ０ ０ −３ −５ −３ −５ −３ −３ 実施例3b ０ ０ ０ −３ −５ −３ ０ −５ 比較例１ -15 -20 -23 -25 -25 -27 -30 -38 比較例２ -５ -７ -15 -18 -25 -25 -27 -32 ＊数字は基準となる１００ÅからｘÅ厚い場合を＋ｘ、
薄い場合を−ｘで表示 ＊実施例1a,2a,3aの供給ガスはＣＨ4 ＋Ｈ2 、実施例1
b,2b,3bの供給ガスはＣ6 Ｈ6 ＋Ｈ2 、 ＊実施例1a,1b における球状多孔質体６ａの位置はＥＣ
Ｒ点から1/4 波長だけマイクロ波導入部寄り ＊実施例2a,2b における球状多孔質体６ａの位置はＥＣ
Ｒ点とマイクロ波導入部との真ん中 ＊実施例3a,3b における球状多孔質体６ａの位置はマイ
クロ波導入部から1/4波長だけＥＣＲ点寄り ＊比較例１はＣＨ4 ＋Ｈ2 の供給位置がＥＣＲ点よりも
支持体寄り ＊比較例２はＣＨ4 ＋Ｈ2 の供給位置が図３の位置（マ
イクロ波導入部下部） これによれば、本発明のようにして薄膜を形成させる
と、ダイヤモンド状カーボン膜の厚さのバラツキが極め
て少なく、良質な膜が形成されていることが判る。
膜の厚さのバラツキ具合を４０００ｍの長さにわたって
調べたので、その結果を表−１に示す。尚、膜厚は、波
長４００ｎｍのＵＶの反射率により求め、１０点平均し
て求めたものである。 表−１ 500m 1000m 1500m 2000m 2500m 3000m 3500m 4000m 実施例1a ０ ０ ０ ０ ＋３ ０ ０ ０ 実施例1b ０ ０ ０ ０ ０ −３ ０ ０ 実施例2a ０ ０ ０ ０ −５ −３ ０ ０ 実施例2b ０ ０ ０ −３ ０ −５ ０ −３ 実施例3a ０ ０ −３ −５ −３ −５ −３ −３ 実施例3b ０ ０ ０ −３ −５ −３ ０ −５ 比較例１ -15 -20 -23 -25 -25 -27 -30 -38 比較例２ -５ -７ -15 -18 -25 -25 -27 -32 ＊数字は基準となる１００ÅからｘÅ厚い場合を＋ｘ、
薄い場合を−ｘで表示 ＊実施例1a,2a,3aの供給ガスはＣＨ4 ＋Ｈ2 、実施例1
b,2b,3bの供給ガスはＣ6 Ｈ6 ＋Ｈ2 、 ＊実施例1a,1b における球状多孔質体６ａの位置はＥＣ
Ｒ点から1/4 波長だけマイクロ波導入部寄り ＊実施例2a,2b における球状多孔質体６ａの位置はＥＣ
Ｒ点とマイクロ波導入部との真ん中 ＊実施例3a,3b における球状多孔質体６ａの位置はマイ
クロ波導入部から1/4波長だけＥＣＲ点寄り ＊比較例１はＣＨ4 ＋Ｈ2 の供給位置がＥＣＲ点よりも
支持体寄り ＊比較例２はＣＨ4 ＋Ｈ2 の供給位置が図３の位置（マ
イクロ波導入部下部） これによれば、本発明のようにして薄膜を形成させる
と、ダイヤモンド状カーボン膜の厚さのバラツキが極め
て少なく、良質な膜が形成されていることが判る。
【００１７】
【効果】本発明によれば、例えばダイヤモンド状カーボ
ン薄膜が良好に形成される。
ン薄膜が良好に形成される。
【図１】薄膜形成装置（ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置）全
体の概略図
体の概略図
【図２】薄膜形成装置（ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置）要
部の概略図
部の概略図
【図３】従来の薄膜形成装置（ＥＣＲプラズマＣＶＤ装
置）一部の概略図
置）一部の概略図
【符号の説明】 １ 磁気記録媒体の原反 ２ 真空槽 ４ 冷却キャンローラ ５ プラズマ反応管 ６ ガス供給用のパイプ（反応ガス供給手段） ６ａ 球状多孔質体（反応ガス供給手段） ７ 導波管（マイクロ波導入手段） ８ ＥＣＲ用コイル Ｐ ＥＣＲ点
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水野谷 博英 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内 (72)発明者 若林 繁美 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 プラズマ反応管に対向した位置にある支
持体上にＥＣＲプラズマＣＶＤ法により薄膜を形成する
方法であって、前記プラズマ反応管にマイクロ波を導入
するマイクロ波導入部とＥＣＲ点との間の位置に反応ガ
スを供給することを特徴とする薄膜形成方法。 - 【請求項２】 ＥＣＲプラズマＣＶＤ法により薄膜を形
成する装置であって、真空槽と、この真空槽内に配設さ
れた支持体に対向した位置にあるプラズマ反応管と、こ
のプラズマ反応管にマイクロ波を導入するマイクロ波導
入手段と、このマイクロ波導入手段によりプラズマ反応
管にマイクロ波を導入するマイクロ波導入部とＥＣＲ点
との間の位置に反応ガスを供給する反応ガス供給手段と
を具備することを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項３】 マイクロ波導入部とＥＣＲ点との間の位
置に反応ガスを供給する反応ガス供給手段の先端部には
多孔質体が設けられてなり、この多孔質体からプラズマ
反応管内にガスが供給されるよう構成したことを特徴と
する請求項２の薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19250294A JPH0860373A (ja) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | 薄膜形成方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19250294A JPH0860373A (ja) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | 薄膜形成方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0860373A true JPH0860373A (ja) | 1996-03-05 |
Family
ID=16292377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19250294A Pending JPH0860373A (ja) | 1994-08-16 | 1994-08-16 | 薄膜形成方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0860373A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003517903A (ja) * | 1999-12-21 | 2003-06-03 | カルディア イノヴェイション アクチボラゲット | 保護雰囲気を生成するための方法および装置 |
| JP2009114483A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Toppan Printing Co Ltd | 真空成膜装置 |
-
1994
- 1994-08-16 JP JP19250294A patent/JPH0860373A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003517903A (ja) * | 1999-12-21 | 2003-06-03 | カルディア イノヴェイション アクチボラゲット | 保護雰囲気を生成するための方法および装置 |
| JP4657553B2 (ja) * | 1999-12-21 | 2011-03-23 | カルディア イノヴェイション アクチボラゲット | 保護雰囲気を生成するための装置 |
| JP2009114483A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Toppan Printing Co Ltd | 真空成膜装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4755426A (en) | Magnetic recording medium and production of the same | |
| JPH0835069A (ja) | 成膜装置 | |
| JPH0860373A (ja) | 薄膜形成方法及びその装置 | |
| US5731068A (en) | Magnetic recording medium | |
| JPH0849077A (ja) | 薄膜形成方法及びその装置 | |
| JPH0853770A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0860364A (ja) | ダイヤモンド状カーボン膜形成方法及びその装置 | |
| JPH0853768A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2688568B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0853769A (ja) | 薄膜形成方法及びその装置 | |
| JPH08193270A (ja) | ダイヤモンド状カーボン膜の形成方法及びその装置 | |
| JPH08100266A (ja) | 薄膜形成方法及びその装置 | |
| JP2743313B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0991688A (ja) | 保護膜、及び記録媒体 | |
| JPH0849078A (ja) | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 | |
| JPH0991687A (ja) | 保護膜、及び記録媒体 | |
| JPH08193269A (ja) | ダイヤモンド状カーボン膜形成方法及びその装置 | |
| JPH08102052A (ja) | 記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH1046346A (ja) | 成膜装置 | |
| JPH10152778A (ja) | 保護膜の形成方法 | |
| JP2843252B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置 | |
| JP2756241B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH08203074A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH08167141A (ja) | 成膜装置 | |
| JPH11154318A (ja) | 磁気記録媒体 |