JPH02281420A - 金属薄膜型磁気記録媒体の保護膜製造方法およびその装置 - Google Patents
金属薄膜型磁気記録媒体の保護膜製造方法およびその装置Info
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- JPH02281420A JPH02281420A JP10203689A JP10203689A JPH02281420A JP H02281420 A JPH02281420 A JP H02281420A JP 10203689 A JP10203689 A JP 10203689A JP 10203689 A JP10203689 A JP 10203689A JP H02281420 A JPH02281420 A JP H02281420A
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Landscapes
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒
体の表面にダイヤモンド状炭素膜（以下、ＤＬＣｆｉと
称す）のような保護膜を量産性良く形成する金属薄膜型
磁気記録媒体の保護膜製造方法およびその装置に関する
ものである。
体の表面にダイヤモンド状炭素膜（以下、ＤＬＣｆｉと
称す）のような保護膜を量産性良く形成する金属薄膜型
磁気記録媒体の保護膜製造方法およびその装置に関する
ものである。
従来の技術
強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体は高密度記録に適した
新しい媒体として各方面で開発が進められている０強磁
性金属薄膜としてはＣｏ −ＮｉＯ系の斜め蒸着膜、Ｃ
ｏ−Ｃｒ系の垂直磁化膜などが構成の中心である。一方
、これらのＷＡＭでは磁気ヘッドとの摺動による摩擦・
牽耗の劣化が大きいことや保存信頼性が低いことなどの
課題が指摘されている。現在、これらの課題を解決する
べく各種保護膜や潤滑剤層の提案が数多くなされている
。その中で、ＤＬ（Ｊによる保護膜は、厚さ１００〜２
００Ａと薄い領域においても、緻密で硬く良好の滑性を
有するため、上記課題を解決するものとして有望視され
ている。
新しい媒体として各方面で開発が進められている０強磁
性金属薄膜としてはＣｏ −ＮｉＯ系の斜め蒸着膜、Ｃ
ｏ−Ｃｒ系の垂直磁化膜などが構成の中心である。一方
、これらのＷＡＭでは磁気ヘッドとの摺動による摩擦・
牽耗の劣化が大きいことや保存信頼性が低いことなどの
課題が指摘されている。現在、これらの課題を解決する
べく各種保護膜や潤滑剤層の提案が数多くなされている
。その中で、ＤＬ（Ｊによる保護膜は、厚さ１００〜２
００Ａと薄い領域においても、緻密で硬く良好の滑性を
有するため、上記課題を解決するものとして有望視され
ている。
発明が解決しようとする課題
広幅、長尺といった量産規模でＤＬＣ膜を有する金属薄
膜型磁気記録媒体を製造する場合、一般にロール状に巻
かれた原反（高分子基板上に強磁性金属薄膜層を形成し
たもの）を真空中で連続的に引き出し、１ＱＯＯＶ前後
の放電電圧を利用したプラズマＣＶＤ法によりＤＬＣＪ
Ｊｉを形成するのが背通である。このような高い放電電
圧で製造しているときに、短かいときには数分後、通常
１０〜３０分毎に異常放電（アーク状火花放電）がプラ
ズマ中に発生し、その影響を受けて放電の状態が不安定
となり生産不能に陥る。この異常放電が発生すると、原
反にＤＬＣＪｌｉ未形成部ができるばかりではなく、異
常電流上昇により磁性層が樹枝状に飛散したり、電流集
中したところは溶融・欠損部が発生ずる。また、通電系
路の破壊、電源の故障へもつながるといったトラブルが
派生的に起る。したがって、長尺の製品ができないと言
うだけでなく、自動化、省力化を目的とした無人運転も
できず、量産化を進める上での隘路となっている。
膜型磁気記録媒体を製造する場合、一般にロール状に巻
かれた原反（高分子基板上に強磁性金属薄膜層を形成し
たもの）を真空中で連続的に引き出し、１ＱＯＯＶ前後
の放電電圧を利用したプラズマＣＶＤ法によりＤＬＣＪ
Ｊｉを形成するのが背通である。このような高い放電電
圧で製造しているときに、短かいときには数分後、通常
１０〜３０分毎に異常放電（アーク状火花放電）がプラ
ズマ中に発生し、その影響を受けて放電の状態が不安定
となり生産不能に陥る。この異常放電が発生すると、原
反にＤＬＣＪｌｉ未形成部ができるばかりではなく、異
常電流上昇により磁性層が樹枝状に飛散したり、電流集
中したところは溶融・欠損部が発生ずる。また、通電系
路の破壊、電源の故障へもつながるといったトラブルが
派生的に起る。したがって、長尺の製品ができないと言
うだけでなく、自動化、省力化を目的とした無人運転も
できず、量産化を進める上での隘路となっている。
本発明はこのような課題を解決するもので、量産性に優
れた保護膜の製造方法およびその装置を提供することを
目的とするものである。
れた保護膜の製造方法およびその装置を提供することを
目的とするものである。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために本発明は、金属薄膜型磁気記
録媒体を構成する高分子基板上の強磁性金属薄膜表面に
プラズマＣＶＤにより保護膜を形成する際に、形成前後
の真空中で前記磁気記録媒体の両面を帯電除去処理する
ものである。また本発明は、高分子基板上に強磁性金属
薄膜表面けてなる金属薄膜型磁気記録媒体の移動経路中
にプラズマＣＶＤによる保護膜形成部の前後において前
記磁気記録螺体の両面を処理する除電器を設けたもので
ある。
録媒体を構成する高分子基板上の強磁性金属薄膜表面に
プラズマＣＶＤにより保護膜を形成する際に、形成前後
の真空中で前記磁気記録媒体の両面を帯電除去処理する
ものである。また本発明は、高分子基板上に強磁性金属
薄膜表面けてなる金属薄膜型磁気記録媒体の移動経路中
にプラズマＣＶＤによる保護膜形成部の前後において前
記磁気記録螺体の両面を処理する除電器を設けたもので
ある。
作用
この構成により、保護膜を連続して形成しても何ら異常
を発生すること無く、極めて安定した放電が得られ、量
産化を図ることができる。
を発生すること無く、極めて安定した放電が得られ、量
産化を図ることができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面に基づいて説明
する。
する。
図において、真空ポンプ１が接続された真空容器２内に
、被処理原反３を搬送する走行系とＤＬＣ膜を形成する
プラズマ放電室４が設けられている。
、被処理原反３を搬送する走行系とＤＬＣ膜を形成する
プラズマ放電室４が設けられている。
前記真空容器２は拡散ポンプやクライオボン１なとで排
気され、その到達真空度は１Ｇ−’ｔｏｒｒ以下となっ
ている。ただし、プラズマ放電時は供給された原料ガス
が漏れてくるため１０４〜１０−’ｔｏｒｒとなる。
気され、その到達真空度は１Ｇ−’ｔｏｒｒ以下となっ
ている。ただし、プラズマ放電時は供給された原料ガス
が漏れてくるため１０４〜１０−’ｔｏｒｒとなる。
前記被処理原反３は１０〜２０μｍ厚のポリエチレンテ
レフタレートを中心とした高分子フィルム基板とその上
に真空蒸着法やスパッタ法により形成した０、１〜０．
５ μｍの厚さのＣｏ−ＮｉやＣＯ−Ｃ「を中心とした
強磁性金属薄膜からなっている。
レフタレートを中心とした高分子フィルム基板とその上
に真空蒸着法やスパッタ法により形成した０、１〜０．
５ μｍの厚さのＣｏ−ＮｉやＣＯ−Ｃ「を中心とした
強磁性金属薄膜からなっている。
この被処理原反３は最初は巻出しロール５に捲回されて
おり、これが逐次引き出されガイドローラー６、ドラム
７を経て巻取りロール８に捲回される。被処理原反３の
搬送速度は１〜２０ｍ／ｌ１ｉｎまで変えることができ
、これによりＤＬＣ膜のＷＡ厚調整をしている。冷却さ
れたドラム７の下では、プラズマ放電室４が設置されて
おり、この中には原料ガス導入口９よりメタン、エタン
、プロパン、ベンゼン、メタノール、アセトンなどの炭
化水素あるいはメチル基を含む有機化合物のモノマーが
単独で、あるいはＨ２やＡ「と混合して供給されている
。プラズマ放電室４内の真空度は１０−２〜１ｔＯ「「
で、この領域は比較的成膜速度が高く、放電も安定して
いる。放電は板状ｔ［ｉｌＧに正の、被処理原反３の強
磁性金属薄膜に通電ローラー１１を介して負の電圧を直
流な源１２から印加してプラズマ放電室４内に発生させ
る。放電は約５００ｖより開始し、電圧の増加とともに
電流が多く流れプラズマ発光も強くなり、ＤＬＣＩＩの
成膜速度も上昇する。主な放電条件としては、印加電圧
が８００〜１０００Ｖ 、電流密度は０．２〜２ｍ＾／
−であり、これにより２０〜５０八／ｓｅｃの成膜速度
が得られ、１００〜２ＧＯＡの膜厚のＤＬＣｌｌｊが５
〜１０ｍ／ｆｆ１ｉｎの搬送速度で連続して形成される
。１４００〜１５００Ｖ以上印加すると放電がグロー放
電からアーク放電に変わり、異常放電と同じような現象
が発生するため、注意を要する。放電のときの電圧はＡ
ｒなとのガスと混合することによってもｍｕでき、保８
１１１Ｗの性能を考慮して決める。
おり、これが逐次引き出されガイドローラー６、ドラム
７を経て巻取りロール８に捲回される。被処理原反３の
搬送速度は１〜２０ｍ／ｌ１ｉｎまで変えることができ
、これによりＤＬＣ膜のＷＡ厚調整をしている。冷却さ
れたドラム７の下では、プラズマ放電室４が設置されて
おり、この中には原料ガス導入口９よりメタン、エタン
、プロパン、ベンゼン、メタノール、アセトンなどの炭
化水素あるいはメチル基を含む有機化合物のモノマーが
単独で、あるいはＨ２やＡ「と混合して供給されている
。プラズマ放電室４内の真空度は１０−２〜１ｔＯ「「
で、この領域は比較的成膜速度が高く、放電も安定して
いる。放電は板状ｔ［ｉｌＧに正の、被処理原反３の強
磁性金属薄膜に通電ローラー１１を介して負の電圧を直
流な源１２から印加してプラズマ放電室４内に発生させ
る。放電は約５００ｖより開始し、電圧の増加とともに
電流が多く流れプラズマ発光も強くなり、ＤＬＣＩＩの
成膜速度も上昇する。主な放電条件としては、印加電圧
が８００〜１０００Ｖ 、電流密度は０．２〜２ｍ＾／
−であり、これにより２０〜５０八／ｓｅｃの成膜速度
が得られ、１００〜２ＧＯＡの膜厚のＤＬＣｌｌｊが５
〜１０ｍ／ｆｆ１ｉｎの搬送速度で連続して形成される
。１４００〜１５００Ｖ以上印加すると放電がグロー放
電からアーク放電に変わり、異常放電と同じような現象
が発生するため、注意を要する。放電のときの電圧はＡ
ｒなとのガスと混合することによってもｍｕでき、保８
１１１Ｗの性能を考慮して決める。
前記巻出しロール５とプラズマ放電室４との間に第１の
除電器１３を、プラズマ放電室４と巻取りロール８との
間に第２の除電器１４をそれぞれ被処理原反３の裏表の
両面に対向した形で配置している。これら除電器１３．
１４としては、金属Ｍｌ！・導電性繊維から成る除電ブ
ラシや放電を利用したイオン発生器を用いることができ
る。その取付けの位置としては極力、剥離部やローラー
接触部に近いところで、かつ被処理原反３に接近させて
設置することが望ましく、そうすることにより効果がよ
り一層発揮される０代表的な実験例としては、ステンレ
ス繊維から成る除電ブラシを巻出しロール剥離部、ガイ
ドローラー接触部から１０■離れたところで、被処理原
反３から裏表それぞれ１鴫離れたところに設置し、電気
的にはアースと接続させる。この除電ブラシは場所もと
らず、Ｗｉ汲いが簡単で便利であり、実用的に問題の無
いレベルまで除電できる。さらに除電が必要とされると
きはイオン発生器による除電が有効である。
除電器１３を、プラズマ放電室４と巻取りロール８との
間に第２の除電器１４をそれぞれ被処理原反３の裏表の
両面に対向した形で配置している。これら除電器１３．
１４としては、金属Ｍｌ！・導電性繊維から成る除電ブ
ラシや放電を利用したイオン発生器を用いることができ
る。その取付けの位置としては極力、剥離部やローラー
接触部に近いところで、かつ被処理原反３に接近させて
設置することが望ましく、そうすることにより効果がよ
り一層発揮される０代表的な実験例としては、ステンレ
ス繊維から成る除電ブラシを巻出しロール剥離部、ガイ
ドローラー接触部から１０■離れたところで、被処理原
反３から裏表それぞれ１鴫離れたところに設置し、電気
的にはアースと接続させる。この除電ブラシは場所もと
らず、Ｗｉ汲いが簡単で便利であり、実用的に問題の無
いレベルまで除電できる。さらに除電が必要とされると
きはイオン発生器による除電が有効である。
以上実施例について述べたが、通常金属薄膜型磁気記録
螺体の原反は帯電防止剤などを含んでいないこと、ある
いは真空中であることなどにより、引き出されたときに
は剥離帯電が、走行中にはローラーとの阜擦帯電が起こ
りやすい、その帯電電圧は数百から数千ボルトに達し、
ある電圧を越えると急激に放電を始める。この瞬間的な
放電で周波数の高いパルス状の電流が発生し、これがＤ
ＬｃＷＡを形成しているプラズマ放電中の電圧に重畳し
、異常放電を誘発する。したがって本発明実施例ではＤ
ＬＣＪＩＱの成膜前後に両面に設けた除電器１３、１４
が異常放電のトリガーとなる記録Ｍ、体原反の帯電・放
電を抑制するように作用し、結果的にはプラズマ成膜中
の異常放電の発生を防ぐことになる。このためＤＬＣ膜
を金属薄膜型磁気記録媒体の原反上に長時間安定して形
成することが可能となった。
螺体の原反は帯電防止剤などを含んでいないこと、ある
いは真空中であることなどにより、引き出されたときに
は剥離帯電が、走行中にはローラーとの阜擦帯電が起こ
りやすい、その帯電電圧は数百から数千ボルトに達し、
ある電圧を越えると急激に放電を始める。この瞬間的な
放電で周波数の高いパルス状の電流が発生し、これがＤ
ＬｃＷＡを形成しているプラズマ放電中の電圧に重畳し
、異常放電を誘発する。したがって本発明実施例ではＤ
ＬＣＪＩＱの成膜前後に両面に設けた除電器１３、１４
が異常放電のトリガーとなる記録Ｍ、体原反の帯電・放
電を抑制するように作用し、結果的にはプラズマ成膜中
の異常放電の発生を防ぐことになる。このためＤＬＣ膜
を金属薄膜型磁気記録媒体の原反上に長時間安定して形
成することが可能となった。
そこで以上述べた実施例の製造装置を用いた実験でＤ
ＬＣＪ３５１を連続して１〜２時間形成しても何ら異常
を発生すること無く、極めて安定な放電が得られること
を確認している。また、他の！ＫＪ造条件の異なる被処
理原反においても同様の効果が得られる。さらに、被処
理原反３の走行性が改良され、しわの発生や折れ込み、
蛇行といった問題も同時に解消された。
ＬＣＪ３５１を連続して１〜２時間形成しても何ら異常
を発生すること無く、極めて安定な放電が得られること
を確認している。また、他の！ＫＪ造条件の異なる被処
理原反においても同様の効果が得られる。さらに、被処
理原反３の走行性が改良され、しわの発生や折れ込み、
蛇行といった問題も同時に解消された。
ところで、本発明はＤＬＣ膜の形成のみに限定を受ける
ものではなく、シリコン膜や各種有機薄膜などの保護膜
形成にも有効である。さらに、本発明実施例では直流放
電を利用したＤＣプラズマＣＶＤ法を中心に扱っている
が、高周波放電を利用したＲＦプラズマＣＶＤ法、ＤＣ
バイアスのＲＦプラズマＣＶＤ法、ＲＦ−ＤＣ混合プラ
ズマＣＶＤ法でも有効である。
ものではなく、シリコン膜や各種有機薄膜などの保護膜
形成にも有効である。さらに、本発明実施例では直流放
電を利用したＤＣプラズマＣＶＤ法を中心に扱っている
が、高周波放電を利用したＲＦプラズマＣＶＤ法、ＤＣ
バイアスのＲＦプラズマＣＶＤ法、ＲＦ−ＤＣ混合プラ
ズマＣＶＤ法でも有効である。
発明の効果
以上のように本発明によれば、耐久性・保存信頼性に漬
れたダイヤモンド状炭＃膜などの保ａＩ膜を磁気記録媒
体の表面に連続に長時間かつほとんど無人化に近い作業
形態で製造でき、量産化を図ることができる。
れたダイヤモンド状炭＃膜などの保ａＩ膜を磁気記録媒
体の表面に連続に長時間かつほとんど無人化に近い作業
形態で製造でき、量産化を図ることができる。
図面は本発明の一実施例におけるＤＬＣ膜形成装置の概
略構成図である。 １・・・真空ポンプ、２・・・真空容器、３・・・被処
理原反、４・・・プラズマ放電室、５・・・巻出しロー
ル、６・・・ガイドローラー、７・・・ドラム、８・・
・巻取りロール、９・・・原料ガス導入口、１０・・・
板状電極、１１・・・通電ローラー、１２・・・直流電
源、１３・・・第１の除電器、１４・・・第２の除電器
。 代理人 森 本 義 弘
略構成図である。 １・・・真空ポンプ、２・・・真空容器、３・・・被処
理原反、４・・・プラズマ放電室、５・・・巻出しロー
ル、６・・・ガイドローラー、７・・・ドラム、８・・
・巻取りロール、９・・・原料ガス導入口、１０・・・
板状電極、１１・・・通電ローラー、１２・・・直流電
源、１３・・・第１の除電器、１４・・・第２の除電器
。 代理人 森 本 義 弘
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、金属薄膜型磁気記録媒体を構成する高分子基板上の
強磁性金属薄膜表面にプラズマＣＶＤにより保護膜を形
成する際に、形成前後の真空中で前記磁気記録媒体の両
面を帯電除去処理する金属薄膜型磁気記録媒体の保護膜
製造方法。 ２、高分子基板上に強磁性金属薄膜を設けてなる金属薄
膜型磁気記録媒体の移動経路中にプラズマＣＶＤによる
保護膜形成部の前後において前記磁気記録媒体の両面を
処理する除電器を設けた金属薄膜型磁気記録媒体の保護
膜製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10203689A JPH02281420A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 金属薄膜型磁気記録媒体の保護膜製造方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10203689A JPH02281420A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 金属薄膜型磁気記録媒体の保護膜製造方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02281420A true JPH02281420A (ja) | 1990-11-19 |
Family
ID=14316540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10203689A Pending JPH02281420A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | 金属薄膜型磁気記録媒体の保護膜製造方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02281420A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04248125A (ja) * | 1991-01-09 | 1992-09-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US5224441A (en) * | 1991-09-27 | 1993-07-06 | The Boc Group, Inc. | Apparatus for rapid plasma treatments and method |
| EP0617143A1 (fr) * | 1993-03-26 | 1994-09-28 | Sollac S.A. | Procédé et dispositif pour le revêtement en continu d'un matériau métallique |
| WO2022264921A1 (ja) | 2021-06-14 | 2022-12-22 | 東洋紡株式会社 | 加工プラスチックフィルムの製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5817543A (ja) * | 1981-07-22 | 1983-02-01 | Sony Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS62279521A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-04 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1989
- 1989-04-21 JP JP10203689A patent/JPH02281420A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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| FR2703073A1 (fr) * | 1993-03-26 | 1994-09-30 | Lorraine Laminage | Procédé et dispositif pour le revêtement en continu d'un matériau métallique en défilement par un dépôt de polymère à gradient de composition, et produit obtenu par ce procédé. |
| US5437725A (en) * | 1993-03-26 | 1995-08-01 | Sollac, Societe Anonyme | Device for the continuous coating of a metallic material in motion with a polymer deposition having a composition gradient |
| WO2022264921A1 (ja) | 2021-06-14 | 2022-12-22 | 東洋紡株式会社 | 加工プラスチックフィルムの製造方法 |
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