JPS5817543A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS5817543A JPS5817543A JP11484381A JP11484381A JPS5817543A JP S5817543 A JPS5817543 A JP S5817543A JP 11484381 A JP11484381 A JP 11484381A JP 11484381 A JP11484381 A JP 11484381A JP S5817543 A JPS5817543 A JP S5817543A
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- JP
- Japan
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- chamber
- bombardment
- magnetic
- bombardment chamber
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/021—Cleaning or etching treatments
- C23C14/022—Cleaning or etching treatments by means of bombardment with energetic particles or radiation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明゛は、合成樹脂からなる非磁性支持体上に真空蒸
着、スパッタリング、イオンブレーティング等により金
属強磁性薄膜を形成するようＩζしたｆｆｌ気配録媒体
の製造方法に関するものである。
着、スパッタリング、イオンブレーティング等により金
属強磁性薄膜を形成するようＩζしたｆｆｌ気配録媒体
の製造方法に関するものである。
Ｃｏ％Ｃｏ−Ｎｉ等からなる金属強磁性薄膜を非磁性プ
ラスチックフィルム上に形成してなる磁気テープや磁気
シートが、高密度記録化が可能である等のために最近脚
光を浴びている。このような金属強磁性薄膜は、通常、
上述したような強磁性金属を蒸着、スパッタリング、イ
オンブレーティング等により真空中で非磁性プラスチッ
クフィルムに付着させて形成Ｔる。
ラスチックフィルム上に形成してなる磁気テープや磁気
シートが、高密度記録化が可能である等のために最近脚
光を浴びている。このような金属強磁性薄膜は、通常、
上述したような強磁性金属を蒸着、スパッタリング、イ
オンブレーティング等により真空中で非磁性プラスチッ
クフィルムに付着させて形成Ｔる。
ところが、このような従−来の製造方法においては、特
に真空槽中で非磁性プラスチックフィルムが帯離し易（
、このため、プラスチックフィルムの走行が円滑に行わ
れなかったりして均一な金属強磁性薄膜を形成すること
が困難になるという問題があった。
に真空槽中で非磁性プラスチックフィルムが帯離し易（
、このため、プラスチックフィルムの走行が円滑に行わ
れなかったりして均一な金属強磁性薄膜を形成すること
が困難になるという問題があった。
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであっ
て、合成樹脂からなる非磁性支持体の帯電を除去して均
一で良好な金属強磁性薄膜を形成し得るようにした憔気
記−媒体の製造方法を提供しようとするものである。
て、合成樹脂からなる非磁性支持体の帯電を除去して均
一で良好な金属強磁性薄膜を形成し得るようにした憔気
記−媒体の製造方法を提供しようとするものである。
以下、本発明を磁気テープの製造方法に適用した一実施
例につき図面を参照して説ｆ１４Ｔる図面は、ポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ）等の合成樹脂からなるテ
ープ状の非磁性ベース上に金属強磁性薄膜を形成するた
めの蒸着装置の概略図であって、供給用リール（１）か
ら繰り出された非磁性ベース（２）は、まず、表面活性
化処理のためのｗＬ１ボンバード室（３）に導入される
。この第１ボンバード室（３）には、バルブ（４）を通
じてＡｒ：０２＝１：１の温合気体が約１Ｑ’Ｔｏｒｒ
のガス圧で導入される。非磁性ベース（２１′はスリッ
ト（５）ヲ通じてこのｓ１ボンバード室（３）に導入さ
れ、対向電極（６）間を走行して表面活性化のためのボ
ンバード処理を受けた後、スリット（７）から導出され
る。対向電極（６）には外部電源（８）から約１，５０
０Ｖの交流電圧が印加され、これにより対向電極（６）
関−に約７５０ Ｖ／ｃｍの電界が形成されるようにな
されている。なお、この第１ボンバード室（３）に導入
するガスは、イオン化するガスであれば嵐く、例えば人
ｒ、０２．Ｎ２等を夫々単独で用いても良い。また−、
ガス圧は１０４〜１Ｔｏｒｒの範囲であるのが良い。
例につき図面を参照して説ｆ１４Ｔる図面は、ポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ）等の合成樹脂からなるテ
ープ状の非磁性ベース上に金属強磁性薄膜を形成するた
めの蒸着装置の概略図であって、供給用リール（１）か
ら繰り出された非磁性ベース（２）は、まず、表面活性
化処理のためのｗＬ１ボンバード室（３）に導入される
。この第１ボンバード室（３）には、バルブ（４）を通
じてＡｒ：０２＝１：１の温合気体が約１Ｑ’Ｔｏｒｒ
のガス圧で導入される。非磁性ベース（２１′はスリッ
ト（５）ヲ通じてこのｓ１ボンバード室（３）に導入さ
れ、対向電極（６）間を走行して表面活性化のためのボ
ンバード処理を受けた後、スリット（７）から導出され
る。対向電極（６）には外部電源（８）から約１，５０
０Ｖの交流電圧が印加され、これにより対向電極（６）
関−に約７５０ Ｖ／ｃｍの電界が形成されるようにな
されている。なお、この第１ボンバード室（３）に導入
するガスは、イオン化するガスであれば嵐く、例えば人
ｒ、０２．Ｎ２等を夫々単独で用いても良い。また−、
ガス圧は１０４〜１Ｔｏｒｒの範囲であるのが良い。
強磁性金属粒子の付着強度を高めるために上記のような
表面活性化処理を受けた非磁性ベース（２）は、特にこ
の第１ボンバード室（３）での帯電を除去するために第
２ボンバード室（９）に送られる。この第・２ボンバー
ド室（９）は上述した第１ボンバード室（３）と殆ど同
様に構成されており、非磁性ベース（２）はスリット顛
を通じてこの第２ボンバード室（９）に導入され、対向
電極住υの間を走行した後、スリット（１３を通じて導
出される。対向電極ａυには外部電源α場から約２００
〜５００ｖの交流電圧が印加され、これにより約１００
〜２５０Ｖ１０１の電界が形成される。第２ボンバード
室（９）の内部はバルブａ◆により約１０−１〜１Ｔｏ
ｒｒのガス圧に維持されている。使用可能なガスの種類
は＄８１ボンバード室（３）の場合と同じである。
表面活性化処理を受けた非磁性ベース（２）は、特にこ
の第１ボンバード室（３）での帯電を除去するために第
２ボンバード室（９）に送られる。この第・２ボンバー
ド室（９）は上述した第１ボンバード室（３）と殆ど同
様に構成されており、非磁性ベース（２）はスリット顛
を通じてこの第２ボンバード室（９）に導入され、対向
電極住υの間を走行した後、スリット（１３を通じて導
出される。対向電極ａυには外部電源α場から約２００
〜５００ｖの交流電圧が印加され、これにより約１００
〜２５０Ｖ１０１の電界が形成される。第２ボンバード
室（９）の内部はバルブａ◆により約１０−１〜１Ｔｏ
ｒｒのガス圧に維持されている。使用可能なガスの種類
は＄８１ボンバード室（３）の場合と同じである。
このようにして帯電を除去された非磁性ベース（２）は
冷却用ドラム（Ｉ！９の外周に巻回されて蒸着寛仁・に
導入される。即ち、冷却用ドラム（ｌ埼は、図示の如≦
、その下側部分が蒸着室舖に露出しており、非磁性ベー
ス（２）はこの冷却用ドラム（１５に巻回された状態で
スリブ）（ｌηから蒸着室ａｅに導入され、所定の金属
強磁、性層が形成された後、スリブ）（１１から導出さ
れる。蒸着室顧は図外の真空ポンプにより１１１１０″
〜１０’Ｔｏｒｒ＠度の高真空に維持されており、この
蒸着室■の下部に、主としてＣｏ％Ｃｏ−Ｎ１等の強磁
性金属からなる蒸着源ａ・が配されてい４この蒸着源儀
嘗は、図示の如く、冷却用ドラムａ９の中心部下方から
前方又は後方へ偏倚した位置に設けられて怠り、この蒸
着源０からの蒸着ビーム（至）がスリット儲珍を通じて
、傾斜した状態の非磁性ベース（２）に轟るようになっ
ている。このよ゛うな構成により、金属強磁性薄膜に＃
ける磁気異方性を磁気テープ（粉の走行方向に揃えるこ
とができる。なお、本例においては、電子銃（２）から
の電子線により蒸着源ａ埴を加熱するようにしているが
、他の加熱手段、例えば抵抗加熱やレーザー等を用いて
も嵐い。
冷却用ドラム（Ｉ！９の外周に巻回されて蒸着寛仁・に
導入される。即ち、冷却用ドラム（ｌ埼は、図示の如≦
、その下側部分が蒸着室舖に露出しており、非磁性ベー
ス（２）はこの冷却用ドラム（１５に巻回された状態で
スリブ）（ｌηから蒸着室ａｅに導入され、所定の金属
強磁、性層が形成された後、スリブ）（１１から導出さ
れる。蒸着室顧は図外の真空ポンプにより１１１１０″
〜１０’Ｔｏｒｒ＠度の高真空に維持されており、この
蒸着室■の下部に、主としてＣｏ％Ｃｏ−Ｎ１等の強磁
性金属からなる蒸着源ａ・が配されてい４この蒸着源儀
嘗は、図示の如く、冷却用ドラムａ９の中心部下方から
前方又は後方へ偏倚した位置に設けられて怠り、この蒸
着源０からの蒸着ビーム（至）がスリット儲珍を通じて
、傾斜した状態の非磁性ベース（２）に轟るようになっ
ている。このよ゛うな構成により、金属強磁性薄膜に＃
ける磁気異方性を磁気テープ（粉の走行方向に揃えるこ
とができる。なお、本例においては、電子銃（２）から
の電子線により蒸着源ａ埴を加熱するようにしているが
、他の加熱手段、例えば抵抗加熱やレーザー等を用いて
も嵐い。
蒸着室−から導出された非磁性ベース（２）は、主とし
て蒸着時の帯電を除去するために第３ボンバード富橢に
送られる。このＩＩ６ボンパード室（２）の構成は既述
した纂２ボンバード室（９）と同様で良に〜即ち、非磁
性ベース（２）はスリット（財）を通じてこのＩＩ！１
ボンバードｉ１＠に導入され、対向電極（ハ）の関を一
行した後、スリットｃＪＩａを通じて導出されて巻取用
リール（至）に巻き取られる。対向電極四には外部電源
■から約２００〜５００ｖの交流電圧が印加専れ、これ
により約１００〜２５０Ｖ／ａｓの電界が形成される。
て蒸着時の帯電を除去するために第３ボンバード富橢に
送られる。このＩＩ６ボンパード室（２）の構成は既述
した纂２ボンバード室（９）と同様で良に〜即ち、非磁
性ベース（２）はスリット（財）を通じてこのＩＩ！１
ボンバードｉ１＠に導入され、対向電極（ハ）の関を一
行した後、スリットｃＪＩａを通じて導出されて巻取用
リール（至）に巻き取られる。対向電極四には外部電源
■から約２００〜５００ｖの交流電圧が印加専れ、これ
により約１００〜２５０Ｖ／ａｓの電界が形成される。
ＩＩ３ボンバードｉｌ＠の内部はバルブ（至）により約
１０″〜１’ｒｏｒｒのガス圧に維持される。
１０″〜１’ｒｏｒｒのガス圧に維持される。
このように本例においては、比較的低真空の第２ボンバ
ード＊ （９）及び第３ボンバード室（至）にて低電圧
のボンバード処理を施すことにより非１１４！ＩＩベー
ス（２）の帯電を除去している。従って、非磁性ベース
（２）の走行状態が＾くなり、均一で嵐好な金属強１１
４４に薄膜を形成することができる。例えば、酔電気測
定の結果、ボンバード処理による帯電除去を行わなかっ
た非磁性ベースでは約２Ｋｖの帯電があったのに対し、
ボンバード処理を施したものでは静電気を検出できなか
った。
ード＊ （９）及び第３ボンバード室（至）にて低電圧
のボンバード処理を施すことにより非１１４！ＩＩベー
ス（２）の帯電を除去している。従って、非磁性ベース
（２）の走行状態が＾くなり、均一で嵐好な金属強１１
４４に薄膜を形成することができる。例えば、酔電気測
定の結果、ボンバード処理による帯電除去を行わなかっ
た非磁性ベースでは約２Ｋｖの帯電があったのに対し、
ボンバード処理を施したものでは静電気を検出できなか
った。
以上、本発明を実施例につき説明したが、上記実施例は
本発明を限定するものでは決してな（を本発明の技術的
思想に轟いて種々に変更が可能１ある０例えば、本発明
による帯電除去ＩＩ＆運は、上記貴論例のように金属強
磁性薄膜を形成Ｔる前後共に行われる必要はなく、第２
ボンバード室（９）及びＩＩ！１ボンバード璽（２）の
うちの一方を省略することがで會る。な詔、このとき、
省略したボンパーＦｌｕの代りに水蒸気（水を含んだ高
温度の空気）吹付工程を設けると有効である。即ち０．
１〜１気圧の水蒸気をノズルから非磁性支持体に吹き付
けるのである・これにより、かなり効果的に帯電を除去
Ｔることができる。
本発明を限定するものでは決してな（を本発明の技術的
思想に轟いて種々に変更が可能１ある０例えば、本発明
による帯電除去ＩＩ＆運は、上記貴論例のように金属強
磁性薄膜を形成Ｔる前後共に行われる必要はなく、第２
ボンバード室（９）及びＩＩ！１ボンバード璽（２）の
うちの一方を省略することがで會る。な詔、このとき、
省略したボンパーＦｌｕの代りに水蒸気（水を含んだ高
温度の空気）吹付工程を設けると有効である。即ち０．
１〜１気圧の水蒸気をノズルから非磁性支持体に吹き付
けるのである・これにより、かなり効果的に帯電を除去
Ｔることができる。
また、蒸着装置の構成は種々に変更することかで会、例
えば複数個の冷却用ドラムを用いても嵐い、更に、上記
実施例においては、各ボンバード電において夫々交流電
界で処理したが、直流電界により処理することもできる
。なお、本発明は、磁気テープ以外の磁気記鎗媒体、例
えば磁気ディスクの躾途方ｗ＆に適用Ｔることも可能で
ある。
えば複数個の冷却用ドラムを用いても嵐い、更に、上記
実施例においては、各ボンバード電において夫々交流電
界で処理したが、直流電界により処理することもできる
。なお、本発明は、磁気テープ以外の磁気記鎗媒体、例
えば磁気ディスクの躾途方ｗ＆に適用Ｔることも可能で
ある。
以上ｌｌ＠したように、本発明においては、金属強磁性
薄膜を形成する前及び後の少なくとも一方において、１
０−１〜１’ｒｏｒｒの真空下でかつ１００〜２５０
Ｖ／Ｃ１ｌの電界中で非磁性支持体を処理し、これによ
り、この非磁性支持体の帯電を除去するようにしている
。従って、非磁性支持体の走行状態が良くなって均一で
棗好な金属強磁性薄膜を形成することができる。しかも
、除電パー等のような放電を用いていないので、非磁性
支持体に放電跡 ・が残ったり、ピンホールを生じるこ
とがない。
薄膜を形成する前及び後の少なくとも一方において、１
０−１〜１’ｒｏｒｒの真空下でかつ１００〜２５０
Ｖ／Ｃ１ｌの電界中で非磁性支持体を処理し、これによ
り、この非磁性支持体の帯電を除去するようにしている
。従って、非磁性支持体の走行状態が良くなって均一で
棗好な金属強磁性薄膜を形成することができる。しかも
、除電パー等のような放電を用いていないので、非磁性
支持体に放電跡 ・が残ったり、ピンホールを生じるこ
とがない。
図面は本発明の一実施例により磁気テープを鋪造するた
めの製造装置の概略図である。 なお図面に用いた符号において、 （２）・・・・・・・・・・・・・・・非磁性ベース（
３）−・・・・・・・・・・・・・・第１ボンバード室
（９）・・・・・・・・・・・・・・・＃Ｉ２ボンバー
ド室■・・・・・・・・・・・・・・・冷却用ドラム■
・・・・・・・・・・・・・・・蒸着源（２）・・・・
＊ａａａａｍａｍ・・・第３ボンバード室である。
“ 代理人 上屋 勝 松材 修 （自発）手続補正書 昭和５６年９月 ７日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５６年特許願第１１４８４３号 事件との関係 特許出願人 東京部品用区北品用６丁目７番３５号 （２１８）ソニー株式会社 ６、補正により増加する発明の数 ８、補正の内容 （１）、特許請求の範囲を別紙の通りに訂正します。 （２）、明細書第４頁７行目及び第６頁３行目の［約２
００〜５００ＶＪを「約６０〜５０ＤＶＪと夫夫訂正し
まＴｏ （３）、同ＩＩ４頁８行目、第６頁４行目及び第７真下
から２〜１行目のｒ１００〜２５０ Ｖ／口」を「３０
〜２５０ Ｖ／ｃ■」と夫々訂正します。 （４）、同第４Ｊｉ［１０行目、第６＊６行目及び第７
頁下から２行目のｒ １０”” 〜１Ｔｏｒｒ Ｊを「
１０−〜１ＱＴｏｒｒＪと夫々訂蓋します。 −以上− ２、特許請求の範囲 、 合成樹脂からなる非磁性支持体上に金属強磁性薄
膜を形成するようにした磁気配置媒体め製造方法におい
て、前記金属強磁性薄膜を形成Ｔる前及び後の少なくと
も一方において％１〇二２〜１ＱＴｂｒｒの真空下でか
つ３０〜２５０ Ｖ／ｃｍの電界中で前記非磁性支持体
を処理し、これにより、前記非磁性支持体の帯電を除去
するようにしたことを特徴とする特許
めの製造装置の概略図である。 なお図面に用いた符号において、 （２）・・・・・・・・・・・・・・・非磁性ベース（
３）−・・・・・・・・・・・・・・第１ボンバード室
（９）・・・・・・・・・・・・・・・＃Ｉ２ボンバー
ド室■・・・・・・・・・・・・・・・冷却用ドラム■
・・・・・・・・・・・・・・・蒸着源（２）・・・・
＊ａａａａｍａｍ・・・第３ボンバード室である。
“ 代理人 上屋 勝 松材 修 （自発）手続補正書 昭和５６年９月 ７日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５６年特許願第１１４８４３号 事件との関係 特許出願人 東京部品用区北品用６丁目７番３５号 （２１８）ソニー株式会社 ６、補正により増加する発明の数 ８、補正の内容 （１）、特許請求の範囲を別紙の通りに訂正します。 （２）、明細書第４頁７行目及び第６頁３行目の［約２
００〜５００ＶＪを「約６０〜５０ＤＶＪと夫夫訂正し
まＴｏ （３）、同ＩＩ４頁８行目、第６頁４行目及び第７真下
から２〜１行目のｒ１００〜２５０ Ｖ／口」を「３０
〜２５０ Ｖ／ｃ■」と夫々訂正します。 （４）、同第４Ｊｉ［１０行目、第６＊６行目及び第７
頁下から２行目のｒ １０”” 〜１Ｔｏｒｒ Ｊを「
１０−〜１ＱＴｏｒｒＪと夫々訂蓋します。 −以上− ２、特許請求の範囲 、 合成樹脂からなる非磁性支持体上に金属強磁性薄
膜を形成するようにした磁気配置媒体め製造方法におい
て、前記金属強磁性薄膜を形成Ｔる前及び後の少なくと
も一方において％１〇二２〜１ＱＴｂｒｒの真空下でか
つ３０〜２５０ Ｖ／ｃｍの電界中で前記非磁性支持体
を処理し、これにより、前記非磁性支持体の帯電を除去
するようにしたことを特徴とする特許
Claims (1)
- 合成樹脂からなる非磁性支持体上に金属強磁性薄膜を形
成するようにした磁気記録媒体の製造方法において、前
記金属強磁性薄膜を形成する前及び後の少なくとも一方
において、１０−１〜１Ｔｏｒｒの真空下でか７）１０
０〜２５０Ｖ／ｃｓａの電界中で前記非磁性支持体を処
理し、これにより、前記非磁性支持体の帯電を除去する
ようにしたことを特徴とＴる方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11484381A JPS5817543A (ja) | 1981-07-22 | 1981-07-22 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11484381A JPS5817543A (ja) | 1981-07-22 | 1981-07-22 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5817543A true JPS5817543A (ja) | 1983-02-01 |
Family
ID=14648090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11484381A Pending JPS5817543A (ja) | 1981-07-22 | 1981-07-22 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5817543A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6020320A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-02-01 | Taiyo Yuden Co Ltd | 真空蒸着による磁気テ−プ製作装置 |
| JPS6057539A (ja) * | 1983-09-07 | 1985-04-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS61278031A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-08 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体の製造方法およびその装置 |
| US4847109A (en) * | 1985-05-31 | 1989-07-11 | Hitachi Maxell, Ltd. | Method of a making magnetic recording medium |
| JPH02281420A (ja) * | 1989-04-21 | 1990-11-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属薄膜型磁気記録媒体の保護膜製造方法およびその装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5814328A (ja) * | 1981-07-20 | 1983-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1981
- 1981-07-22 JP JP11484381A patent/JPS5817543A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5814328A (ja) * | 1981-07-20 | 1983-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS6020320A (ja) * | 1983-07-13 | 1985-02-01 | Taiyo Yuden Co Ltd | 真空蒸着による磁気テ−プ製作装置 |
| JPS6057539A (ja) * | 1983-09-07 | 1985-04-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS61278031A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-08 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体の製造方法およびその装置 |
| US4847109A (en) * | 1985-05-31 | 1989-07-11 | Hitachi Maxell, Ltd. | Method of a making magnetic recording medium |
| JPH02281420A (ja) * | 1989-04-21 | 1990-11-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属薄膜型磁気記録媒体の保護膜製造方法およびその装置 |
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