JPS63279426A - 金属磁性媒体の保護膜形成方法及びその装置 - Google Patents

金属磁性媒体の保護膜形成方法及びその装置

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JPS63279426A
JPS63279426A JP11507187A JP11507187A JPS63279426A JP S63279426 A JPS63279426 A JP S63279426A JP 11507187 A JP11507187 A JP 11507187A JP 11507187 A JP11507187 A JP 11507187A JP S63279426 A JPS63279426 A JP S63279426A
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英雄 黒川
Tsutomu Mitani
力 三谷
Taketoshi Yonezawa
米澤 武敏
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、強磁性体金属薄膜を記録層とするフィルム状
の金属磁性媒体の表面に、例えばダイヤモンド状炭素膜
(以後DLC膜と略称する)のような耐久性、すべり性
に優れた保護膜を量産性よく合成する薄膜形成方法及び
その装置に関するものである。
従来の技術 金属磁性媒体は高密度記録に適した新しい媒体として、
従来から多くの報告がなされてきている。
強磁性体金属からなる記録層としてはノイズ低減等の特
性改善を目的として例えばOr、Ni等の非磁性金属や
Coo  のような1強磁性体金属の酸化物等の非磁性
部分を一部有するものもあるが、それらにおいても基本
となる磁気特性は強磁性体金属によるものであり、以後
本説明において強磁性体金属からなる記録層としてはそ
れらすべてを含めたものを総称するものとする。しかし
これら金属磁性媒体は記録層が金属から構成されるため
に磁性ヘッド等との摺動による摩擦が大きく、安定性。
信頼性に課題があった。そこで記録層の保護を目的とし
た各種保護膜が、有機薄膜を中心に検討されてきている
我々は、この保護膜として硬く良好な滑り性を示すダイ
ヤモンド状炭素膜(以下D L 、C膜と略称)が効果
的であることを明らかにしく特願昭60−60031号
:磁気記録媒体)、金属磁性薄膜の保護膜合成に適した
新しい成膜方法を開発した(特願昭59−2252号:
プラズマ・インジェクションCvD装置、特願昭69−
258038号:高硬度炭素膜形成方法)これは加速し
たイオンを含む炭化水素ガスのプラズマを吹き付けてD
LC膜を合成する方法で、我々はプラズマ・インジェク
ションCVD法(PI−CVD法)と称している。第6
図に、PI−CVD装置の概略を示す。金属磁性薄膜1
6は、真空槽3中の巻出しローラー42巻取ローラー6
、回転ローラー7a〜θで構成される駆動系により走搬
される。プラズマ管1は先端がノズル状に絞られ、この
ノズル1aがキャンローラー〇に相対するように設置さ
れ、外周には励起コイル8が巻き付けられる。プラズマ
管1の内部にはメツシュ状のアノード電極が設置され、
金属磁性薄膜16の記録層との間に電位差を生じる。記
録層は普通接地電位となっているが、シワ、カール、基
板の熱損傷を防止することを目的としてキャンローラー
6と金属磁性薄膜15の記録層との密着を高めるために
、記録層とキャンローラー6との間に電位差を設定する
場合がある。プラズマ管1に導入された炭化水素ガス1
3.アルゴンガス14は、高周波電源11かも整合器1
0を介して励起コイルに印加された高周波電力によりプ
ラズマ化される。プラズマ中のイオンは、アノード電極
16と記録層との間の電位差により金属磁性媒体16方
向に加速され、記録層には電流が生じる。プラズマは、
プラズマ管1と真空槽3との間の圧力差により加速され
たイオンとともに記録層に吹き付けられ、DLC膜が合
成される。
PI−CVD法の場合、プラズマ管1の先端をノズル状
に絞り、このノズル1aのコンダクタンスによりプラズ
マ管1と真空槽3との間に圧力差を設定している。ラジ
カル等プラズマ中の中性種はこの圧力差により効率的に
記録層に吹き付けられ、加速されたイオンと共にDLC
膜を形成する。
このようにPI−CVD法ではプラズマ中のイオンと中
性種を圧力差を利用して効率よく利用することから、高
速でDLC膜を合成することが可能となるのである。P
I−CVD法によれば、成膜速度が300o入/分以上
の高速でDLC膜が合成でき、量産性を必要とする金属
磁性媒体の保護膜として応用することが可能となった。
連続に走行するフィルム状の金属磁性媒体の表面に膜を
形成する方法としては、他に特許公開扁60−3872
7もしくは60−69825に示されたようなCVD法
(第7図参照)が報告されている。これは真空槽17内
を連続して走行する金属磁性媒体18表面に、真空槽1
7の一部に設置されるプラズマ発生部19で励起された
プラズマが流出し、膜を合成するものである。
発明が解決しようとする問題点 しかしながらPI−IVD法を含む従来のCVD法で連
続走行するフィルム状の金属磁性媒体表面にDLC膜を
形成する場合、成膜領域、成膜速度を高めて量産性を向
上させようとすると次のような問題点を解決しなければ
ならなかった。
第1に、PI−CVD装置では、プラズマ中の中性種を
効率よく金属磁性媒体15に吹きつけるためにプラズマ
吹出部をノズル状に絞り、プラズマ管1と真空槽3との
間に圧力差を設けなければならない。このだめノズル1
aの口径を太きくして成膜領域を広げ量産に対応させる
ことは極めて困難であった。
また第7図に示す従来のcvn法では、成膜域21内で
圧力が均一になりにくいため膜質の制御が困難である。
また流量、ガス圧等によりプラズマの流れや成膜域21
が変化するために膜厚の制御も困難となる。さらに成膜
速度を高める(プラズマ密度を高める)と金属磁性媒体
にプラズマの熱が蓄積され熱損傷・熱変形を受けやすく
なる。
またイオンの加速を目的として金属磁性媒体18の表面
もしくは真空槽・プラズマ発生部等に設置したアノード
電極にバイアスを印加した場合、プラズマ発生部19と
真空槽17内の圧力差が小さいために高成膜化を目ざし
てプラズマ発生部19のガス圧を高めるといたるところ
で火花放電が発生しやすくなる。このため真空槽は少な
くとも0、I Pa以下の圧力に保持することが必要と
なる。
第2に、PI−cvn法などのイオンを利用する場合、
成膜時には記録層に電流が生ずる。量産化に対応させる
ため成膜速度を高めようとすると(PI−CVD法でD
LC膜を合成する場合、成膜速度を高めるには、プラズ
マ管内の圧力、アノード電極と記録層との間の電位差を
大きくする)、記録層に流れる電流が大きくなる。電流
が流れると抵抗に応じてジュール熱が生じ、記録層は発
熱する。成膜速度を高めると記録層の発熱量が多くなり
、記録層の変質、DLO膜の剥がれ9時には基板(ベー
スフィルム)・記録層の熱損傷といっだ問題点が生じる
。この問題について第6図に示すPI−CVD法を例に
あげ具体的に説明する。
加速されたイオンを含むプラズマがノズル1aから金属
磁性媒体16に吹き付けられるとノズル1aから回転ロ
ーラー7cにかけて電流が生じる。
この例の場合、キャンローラー6と金属磁性媒体16と
の密着を高めるために両者の間には電位差が査定されて
いる。巻出しローラー42巻取ローラー6、及び回転ロ
ーラー7N−dは無電位状態に設置され、回転ローラー
7eから金属磁性媒体16表面の記録層電位を設定する
。そのため電流はノズル1aから回転ローラー7θにお
ける金属磁性媒体16の表面を流れ、記録層に発熱をお
こす。流れる電流が大きいと必然的に発熱量も多くなり
、記録層の磁気特性が変化したり記録層とDLC膜との
付着力が劣化する。発熱による損傷は、回転ローラー7
0と70の間が最もひどい。
これは熱の逃げる所がないためである。これに比べてキ
ャンローラー6に密着した部分では熱がキャンローラー
へ逃げるため、発熱による損傷は少ない。しかし、金属
磁性媒体15の変形等で密着不足の肩では熱損傷が生じ
る。このような熱損傷や記録層の変質は、金属磁性媒体
の特性を著しく劣化させると共に信頼性も低下させる。
本発明は上記の点に鑑み、連続して走行するフィルム状
の金属磁性媒体表面に均質で制御しゃすく広範囲にDL
C膜を合成できる量産性に適した金属磁性媒体の保護膜
形成方法およびその装置を提供することを目的とする。
問題点を解決するだめの手段 本発明において、これらの問題点を解決する手段として
は、プラズマ流出口と成膜ローラーとの間の隙間が均一
になるようにプラズマ管を設置し、この隙間を制御する
ことによりプラズマ管と第1の真空槽との圧力差を設定
しつつDLC膜を合成すること、また1つ以上の電位ロ
ーラーを、成膜ローラー上及びその近傍の金属磁性媒体
の記録層に接触するよう設置することにより、電流で発
生するジュール熱を成膜ローラーへ効率よく放熱させ、
熱による損傷、特性劣化を防ぐことである。
作用 本発明の特徴は、プラズマ管のプラズマ流出口と成膜ロ
ーラーとの隙間を制御することによりコンダクタンスを
調整し、プラズマ管と第1の真空槽との間に圧力差を設
定するものである。ここでコンダクタンスとは、気体が
流れる時の抵抗(一般に排気抵抗と呼ばれている)の逆
数で、気体の流れやすさをあられすものである。プラズ
マ管に導入されたガスは、プラズマ流出口を通じて主真
空槽に流出する。この時、プラズマ流出口と成膜ローラ
ーとの隙間を小さくすると排気抵抗が大きくなり(即ち
コンダクタンスが小さくなり)、ガスが流出しにくくな
ってプラズマ管と主真空槽との間に圧力差が生じる。プ
ラズマ流出口の大きさ・形状が変わってもこの隙間を適
切に制御することにより、コンダクタンスを一定に保つ
ことができる。従って真空槽内の圧力を0.1Pa以下
に保ちつつプラズマ管内圧力を高めることが可能で、さ
らにプラズマ流出口を大きくすることができ、加えてこ
の時プラズマ管内およびプラズマ流出口の圧力はほぼ均
一に保たれるため、広範囲にわたって制御性よく均質に
DLC膜を合成することができる。
また主真空槽の圧力がプラズマ管内の圧力に比べて1桁
以上低く保持されているため、イオンを加速するために
プラズマ管内に設置されたアノード電極にバイアスを印
加した場合でも、主真空槽内での火花放電は発生しにり
く万る。このためプラズマ管内の圧力やアノード電極に
印加するバイアスを大きくして、DLC膜の成膜速度を
高めることが可能となる。さらに本発明ではフィルム状
の金属磁性媒体を成膜ローラーに巻き付け、必要とあら
ば成膜ローラーと記録層との間に電位差を設は張付力を
高めて走行させるために、成膜時に発生する熱はすみや
かに成膜ローラーに放熱されて金属磁性媒体の熱損傷・
熱変形は防止される。
また、イオンを含むプラズマが媒体に吹き付けられると
、アノード電極と電位ローラーとの間にプラズマおよび
媒体の記録層を介して電流が生じる。成膜ローラーに巻
き付けて媒体を走行させるためには、巻始めと巻終わ゛
りの成膜ローラー近傍に規制ローラーが必要である(以
後前者を巻始め近接ローラー、後者を巻終わり近接ロー
ラーと略称する)。電位ローラーをプラズマ流出口と近
接ローラーとの間に設置すれば、電流はアノード電極か
らプラズマ、記録層を介して電位ローラーに流れる。電
流により記録層内に発生したジュール熱は、金属磁性媒
体が巻き付いている成膜ローラーへすみやかに放熱され
るため、熱による記録層の劣化・損傷や記録層とDLC
膜との付着力の劣化を防ぐことができる。記録層と成膜
ローラーとの間に電位差を設けて成膜ローラーと金属磁
性媒体との張付力を強くすれ、ば放熱がさらにすみやか
となり、より効果的である。電位ローラーを複数個備え
、適切に選定された抵抗を直列に設置することで、電流
を複数に分離することができる。各電流系が互いに重な
らないように電位ローラーを設定すれば、ジュール熱が
分離されたことになり、熱による特性劣化防止および成
膜速度の向上には効果的である。
実施例 第1図に本発明の第1の実施例を示す。フィルム状の金
属磁性媒体34(以下媒体と略称する)は、巻出しロー
ラー23から回転ローラー26a。
bを経て成膜ローラー27に巻き付けられ、回転ローラ
ー26c、d、eを経て巻取りローラー26に巻取られ
る。媒体34表面の記録層には、成膜ローラー27との
間に電位差ができるように電位ローラー24により電位
が設定され、媒体34は成膜ローラー27へこの電位差
により強固に張付けられる。
主真空槽22.プラズマ管28内を真空ポンプにより1
0−2Pa以下の圧力に設定した後、プラズマ管28内
の圧力が0.5 Pa以上の圧力となるように炭化水素
ガス、アルゴンガスを導入する。
導入されたガスはプラズマ流出口36を通じて主真空槽
22へ流出するが、この時、主真空槽22内の圧力が0
.1 Pa以下の圧力となるように、成膜ローラー27
とプラズマ流出口36との間の隙間をZ軸移動台29に
より設定する。成膜ローラー27とプラズマ流出口36
との間の隙間による低いコンダクタンスのために、プラ
ズマ流出口36がプラズマ発生部37の断面より大きな
場合でもプラズマ管28内の圧力はほぼ均一に保たれる
。プラズマ管28内°のガスは励起コイル31に印加さ
れる高周波電力によりプラズマ化され、プラズマ中のイ
オンはアノード電極30と記録層との間の電位差により
媒体34方向に加速される。
イオンはアノード電極3Qと記録層との間の電気力線に
沿って加速され、プラズマ流出口36がプラズマ発生部
37より大きな場合でも電気力線がほぼ均一となるプラ
ズマ流出口36付近では均等に加速される。またプラズ
マ流出口36付近のプラズマ密度は圧力が一定であるこ
とからほぼ均一となる。このようにプラズマ流出口36
付近ではプラズマ密度、イオンの加速が共に均一で、記
録層上に広範囲にわたって膜質、膜厚にムラのない均一
なりLC膜が制御よく合成される。この時真空槽は10
−’ Pa以下の圧力を保持しており、また高周波電力
は副真空槽35によりシールドされ主真空槽22内には
もれないために、主真空槽22内のグロー放電は発生し
々い。また記録層およびアノード電極3oへの印加電位
を大きくしても、主真空槽22内での火花放電は発生し
にくくなる。
イオンが記録層に到達すると、アノード電極30と電位
ローラー24との間にプラズマおよび記録層を介して電
流が生じる。電流により生じる記録層内のジュール熱は
、媒体34が強固に張付いた成膜ローラーへすみやかに
移動するため、熱による媒体34の熱損傷、DLC膜の
剥れなどの問題点は発生しにくい。まだ、主真空槽の圧
力がプラズマ管内の圧力に比べて1桁以上低く保持され
ているため、イオンを加速するためにプラズマ管内に設
置された一アノード電極にバイアスを印加した場合でも
、主真空槽内での火花放電は発生しにくくなる。このだ
めプラズマ管内の圧力やアノード電極に印加するバイア
スを大きくして、DLC膜の成膜速度を高めることが可
能となる。さらに本発明ではフィルム状の金属磁性媒体
を成膜ローラーに巻き付け、必要とあらば成膜ローラー
と記録層との間に電位差を設は張付力を高めて走行させ
るために、成膜時に発生する熱はすみやかに成膜ローラ
ーに放熱されて金属磁性媒体の熱損傷・熱変形は防止さ
れる。本実施例では記録層と成膜ローラー24との間に
電位差を設は張付きを強固にしているが、熱損傷が生じ
ない場合には電位差を0とし、媒体34のテンションに
よる張付きのみでもかまわない。
励起コイル31が設置されたプラズマ発生部37を含む
プラズマ管28の外周は、副真空槽35により主真空槽
22と同程度の真空に保持される。これは成膜域の拡大
と共にプラズマ管28を大きくする時、大気圧によるプ
ラズマ管28の破損を防ぐとともに、大気とプラズマ管
28内の圧力差によりプラズマ管28が主真空槽22内
へ押入されプラズマ流出口36と成膜ローラー27との
間の設定隙間が変化することを防止する。さらに励起コ
イル31に印加される高周波電力が主真空槽22へ漏れ
ることを防ぎ、かつプラズマ流出口36から流出したガ
スが励起コイル31近傍へまわり込むことを防いでいる
。このため励起コイル31へ高周波電力を印加した時、
プラズマ管28内以外、例えば主真空槽22や副真空槽
35内でのグロー放電は発生せず、また高周波電力によ
る走行系の変調も防止されている。本実施例ではプラズ
マ流出口36と成膜ローラー27との間の隙間を調整す
るにあたり、Z軸移動台29を用いてプラズマ管28全
体を移動したが、第2図に示すようにプラズマ流出口部
38とプラズマ発生管39を分割してジャバラ管41で
接合し、隙間調整治具4oによりプラズマ流出口部38
を移動調整するような構成でもかまわない。
プラズマ流出口部38と成膜ローラー27との間の隙間
はプラズマ流出口部3日の大きさ・形状、必要とする圧
力差などによって異なるが、300mmX120fff
fのプラズマ流出口を用いた場合効率よ<DLC膜を形
成するには1闘以下の隙間が必要であった。また本実施
例においてプラズマ管内圧力とDLC成膜速度との関係
を検討したところ表1参照、DLC膜を効率よく合成す
るためにはプラズマ管内の圧力を0.6 Pa以上にす
ることが必要で、さらには10Pa以上が望ましい。
(以下 余 白) 第3図に本発明の第2の実施例を示す。プラズマ管46
は3個のプラズマ発生部43と1個の大きなプラズマ流
出口42とから構成されている。
量産性を考慮してプラズマ流出口42を大きくする場合
、プラズマ発生部43を複数個設けてもかまわない。プ
ラズマ流出口42と成膜ローラー44との隙間によるコ
ンダクタンスが小さいため、プラズマ管46内の圧力は
一定となり、各プラズマ発生部に設置された励起コイル
およびアノード電極47に印加する高周波電力、DCバ
イアスを同じくしておけば、プラズマ流出口42のプラ
ズマ密度、イオンの加速状態はほぼ一定となる。従って
より広範囲に均一なりLC膜を合成することが可能とな
る。
第4図に本発明の第3の実施例を示す。基本構成は、第
1の実施例とほぼ同じであるが、本実施例の特徴はプラ
ズマ流出口63と巻始め近接ローラー492Lおよびプ
ラズマ流出口63と巻終わり近接ローラー49bとの間
にそれぞれ電位ローラー50a 、bを設置し、各電位
o−ラ−s□a。
bとDC電源52a 、bとの間に直列に可変抵抗61
 & 、bを備えたことにある。本実施例の場合アノー
ド電極64から電位ローラーに流れる電流は、アノード
電極64〜プラズマ〜記録層〜電位ローラー5o2L〜
可変抵抗51L 〜DC電源522Lの系とアノード電
極54〜プラズマ〜記録層〜電位ローラーsob〜可変
抵抗51b−DC電源62bの2系統に分流する。(前
者に流れる電流を工&・後者をIb  と称す。)各基
の電流Ia 、 Ibは各々がジュール熱により記録層
の変質・特性劣化や記録層とDLC膜との間の付着力が
劣化することのない最大電流(以後、許容電流と略称す
る)まで高めることが可能であるため、1つの電流系の
許容電流値で限定される従来例に比べてアノード電極と
電位ローラーとの間に流れる電流I(1−)a−1−I
b)は、大きくできる。従って成膜速度を大きくするこ
とが可能となり、量産性に優れた媒体を得ることができ
る。また電流Ia 、 Ibの比率は可変抵抗51 a
 、 bの比率を選定することで任意に設定することが
可能で(キルヒフォッフの法則による)、ジュール熱に
よりDLO膜との付着力が劣化するような記録層(例え
ば記録層とDLC膜との熱膨張率が大きく異なる場合)
表面に成膜する場合には、Iaを太き(Ibが小さくな
るように可変抵抗値51 a 、 bの比率を設定する
ことで成膜後の熱による付着力劣化を防止することがで
きる。本実施例の場合、成膜ローラーに巻付いた媒体4
8の記録層に接するように電位ローラーsoa 、bを
設置したが、電流の大きさによっては巻始めローラ−4
9a1巻終わりローラー49bを電位ローラーとしても
かまわない。
第6図に本発明の第4の実施例を示す。量産性を向上す
るために、1個の成膜ローラーに複数個のプラズマ管を
設置してもかまわない。ここでは第5図に示すようにプ
ラズマ管が2本の場合について説明する。第1のプラズ
マ流出口691Lと第2のプラズマ流出口6・9bとの
間には電位ローラーが設置され、成膜ローラー68の巻
始め側、巻終わり側に設置された電位ローラーset、
sebとともに記録層に電位を与える。電位ローラー5
9aと電位ローラー590との間の記録層に流れる電流
は可変抵抗67?Lと670の比率によって「第1のア
ノード電極61a〜プラズマ〜第1のプラズマ流出口6
9aと電位ローラ−562L間の記録層〜電位ローラー
56a」と「第1のアノード電極61 &〜プラズマ〜
第1のプラズマ流出口591Lと電位ローラー560間
の記録層〜電位ローラー66C」の2系統に分離する。
同様に第2のプラズマ管sobでDLC膜を合成する場
合、「第2のアノード電極61b〜プラズマ〜第2のプ
ラズマ流出口69bと電位ローラー560間の記録層〜
電位ローラー56C」と「第2のアノード電極61b〜
プラズマ〜第2のプラズマ流出口59bと電位ローラ−
66b間の記録層〜電位ローラー66b」の2系統に電
流が流れる。各電流系はお互いに重複する部分がなく、
ジュール熱はすみやかに成膜ローラー68に放熱される
。このだめプラズマ管が2個の場合でも、熱による媒体
56の熱損傷・特性劣化はなく量産性に優れる。
プラズマ管数がさらに多くなった場合でも同様で、成膜
ローラーの巻始め2巻終わりおよび各プラズマ流出口間
に同電位の電位ローラーを設置すれば各プラズマ管から
の電流を重複することなく分離することができ、本発明
によれば量産性良く媒体を合成することができる。
発明の効果 本発明は強磁性体金属薄膜を記録層とするフィルム上の
金属磁性媒体の前記記録層表面に、連続して高速にダイ
ヤモンド状炭素膜を合成できる金属磁性媒体の保護膜形
成方法及びその装置を提供するものであり、耐久性、信
頼性に優れた金属磁性媒体を量産性良く得ることができ
その効果は非常に大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例における薄膜形成装置の
原理図、第2図は同装置の一部分を変更した部分拡大図
、第3図は本発明の第2の実施例における薄膜形成装置
の原理図、第4図は本発明の第3の実施例における薄膜
形成装置の原理図、第5図は本発明の第5の実施例にお
ける薄膜形成装置の原理図、第6図は従来のPI−CV
D装置の原4図、第7図は従来のプラズマCVD装置の
原理図である。 24°°“°゛°電位ローラー、27・・・・・・成膜
ローラー、28・・・・・・プラズマ管、36・・・・
・・プラズマ流出口。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 電 極 第2図 第 3 図 第4図 第5図 第 6 図             7α〜C−回数
ローラー14  フルjンカ−ス

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)0.1Pa以下の圧力中を成膜ローラーに巻き付
    いて連続走行する強磁性体金属からなる記録層を備えた
    フィルム状の金属磁性媒体表面に、加速されたイオンを
    含む0.5Pa以上の圧力に保持された炭化水素ガスの
    プラズマを接触させ、前記記録層の表面にダイヤモンド
    状炭素膜を合成する金属磁性媒体の保護膜形成方法。
  2. (2)強磁性体金属からなる記録層を備えたフィルム状
    の金属磁性媒体を成膜ローラーに巻き付けて走行させる
    走行系と、この走行系が内設される主真空槽と、炭化水
    素ガスをプラズマ化する手段を備えたプラズマ発生部お
    よびこのプラズマを流出するプラズマ流出口を備えたプ
    ラズマ管と、プラズマ中のイオンを金属磁性媒体方向に
    加速する加速手段と、前記プラズマ管が内設される副真
    空槽とから構成された金属磁性媒体の保護膜形成装置。
  3. (3)プラズマ管が、成膜ローラーとプラズマ流出口と
    の間の隙間を均一になるように設置される特許請求の範
    囲第2項記載の金属磁性媒体の保護膜形成装置。
  4. (4)成膜ローラーとプラズマ流出口との間の隙間が1
    .0mm以下である特許請求の範囲第3項記載の金属磁
    性媒体の保護膜形成装置。
  5. (5)プラズマ流出口の断面積がプラズマ発生部の断面
    積より大きい特許請求の範囲第3項記載の金属磁性媒体
    の保護膜形成装置。
  6. (6)プラズマ管が複数のプラズマ発生部で構成される
    特許請求の範囲第3項記載の金属磁性媒体の保護膜形成
    装置。
  7. (7)走行系を構成する少なくとも一つのローラーが、
    記録層の電位を設定する電位ローラーである特許請求の
    範囲第2項記載の金属磁性媒体の保護膜形成装置。
  8. (8)電位ローラーが成膜ローラーと異なった電位を持
    つ特許請求の範囲第7項記載の金属磁性媒体の保護膜形
    成装置。
  9. (9)電位ローラーが、成膜ローラーに巻き付いた金属
    磁性媒体表面の記録層に接触するよう設置された特許請
    求の範囲第8項記載の金属磁性媒体の保護膜形成装置。
  10. (10)電位ローラーが、表面にまだダイヤモンド状炭
    素膜の合成されていない記録層と接触するよう設置され
    た特許請求の範囲第8項記載の金属磁性媒体の保護膜形
    成装置。
  11. (11)加速手段が、プラズマ管内に設置されたアノー
    ド電極と記録層との電位差による特許請求の範囲第2項
    記載の金属磁性媒体の保護膜形成装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH04103024A (ja) * 1990-08-22 1992-04-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気記録媒体の製造方法
JPH06204063A (ja) * 1993-06-14 1994-07-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 炭素膜がコートされた磁気部材の作製方法
US20110091662A1 (en) * 2008-06-16 2011-04-21 Matthias Fahland Coating method and device using a plasma-enhanced chemical reaction

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