JPS63279426A - 金属磁性媒体の保護膜形成方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、強磁性体金属薄膜を記録層とするフィルム状
の金属磁性媒体の表面に、例えばダイヤモンド状炭素膜
（以後ＤＬＣ膜と略称する）のような耐久性、すべり性
に優れた保護膜を量産性よく合成する薄膜形成方法及び
その装置に関するものである。

従来の技術 金属磁性媒体は高密度記録に適した新しい媒体として、
従来から多くの報告がなされてきている。

強磁性体金属からなる記録層としてはノイズ低減等の特
性改善を目的として例えばＯｒ、Ｎｉ等の非磁性金属や
Ｃｏｏ　　のような１強磁性体金属の酸化物等の非磁性
部分を一部有するものもあるが、それらにおいても基本
となる磁気特性は強磁性体金属によるものであり、以後
本説明において強磁性体金属からなる記録層としてはそ
れらすべてを含めたものを総称するものとする。しかし
これら金属磁性媒体は記録層が金属から構成されるため
に磁性ヘッド等との摺動による摩擦が大きく、安定性。

信頼性に課題があった。そこで記録層の保護を目的とし
た各種保護膜が、有機薄膜を中心に検討されてきている
。

我々は、この保護膜として硬く良好な滑り性を示すダイ
ヤモンド状炭素膜（以下Ｄ　Ｌ　、Ｃ膜と略称）が効果
的であることを明らかにしく特願昭６０−６００３１号
：磁気記録媒体）、金属磁性薄膜の保護膜合成に適した
新しい成膜方法を開発した（特願昭５９−２２５２号：
プラズマ・インジェクションＣｖＤ装置、特願昭６９−
２５８０３８号：高硬度炭素膜形成方法）これは加速し
たイオンを含む炭化水素ガスのプラズマを吹き付けてＤ
ＬＣ膜を合成する方法で、我々はプラズマ・インジェク
ションＣＶＤ法（ＰＩ−ＣＶＤ法）と称している。第６
図に、ＰＩ−ＣＶＤ装置の概略を示す。金属磁性薄膜１
６は、真空槽３中の巻出しローラー４２巻取ローラー６
、回転ローラー７ａ〜θで構成される駆動系により走搬
される。プラズマ管１は先端がノズル状に絞られ、この
ノズル１ａがキャンローラー〇に相対するように設置さ
れ、外周には励起コイル８が巻き付けられる。プラズマ
管１の内部にはメツシュ状のアノード電極が設置され、
金属磁性薄膜１６の記録層との間に電位差を生じる。記
録層は普通接地電位となっているが、シワ、カール、基
板の熱損傷を防止することを目的としてキャンローラー
６と金属磁性薄膜１５の記録層との密着を高めるために
、記録層とキャンローラー６との間に電位差を設定する
場合がある。プラズマ管１に導入された炭化水素ガス１
３．アルゴンガス１４は、高周波電源１１かも整合器１
０を介して励起コイルに印加された高周波電力によりプ
ラズマ化される。プラズマ中のイオンは、アノード電極
１６と記録層との間の電位差により金属磁性媒体１６方
向に加速され、記録層には電流が生じる。プラズマは、
プラズマ管１と真空槽３との間の圧力差により加速され
たイオンとともに記録層に吹き付けられ、ＤＬＣ膜が合
成される。

ＰＩ−ＣＶＤ法の場合、プラズマ管１の先端をノズル状
に絞り、このノズル１ａのコンダクタンスによりプラズ
マ管１と真空槽３との間に圧力差を設定している。ラジ
カル等プラズマ中の中性種はこの圧力差により効率的に
記録層に吹き付けられ、加速されたイオンと共にＤＬＣ
膜を形成する。

このようにＰＩ−ＣＶＤ法ではプラズマ中のイオンと中
性種を圧力差を利用して効率よく利用することから、高
速でＤＬＣ膜を合成することが可能となるのである。Ｐ
Ｉ−ＣＶＤ法によれば、成膜速度が３００ｏ入／分以上
の高速でＤＬＣ膜が合成でき、量産性を必要とする金属
磁性媒体の保護膜として応用することが可能となった。

連続に走行するフィルム状の金属磁性媒体の表面に膜を
形成する方法としては、他に特許公開扁６０−３８７２
７もしくは６０−６９８２５に示されたようなＣＶＤ法
（第７図参照）が報告されている。これは真空槽１７内
を連続して走行する金属磁性媒体１８表面に、真空槽１
７の一部に設置されるプラズマ発生部１９で励起された
プラズマが流出し、膜を合成するものである。

発明が解決しようとする問題点 しかしながらＰＩ−ＩＶＤ法を含む従来のＣＶＤ法で連
続走行するフィルム状の金属磁性媒体表面にＤＬＣ膜を
形成する場合、成膜領域、成膜速度を高めて量産性を向
上させようとすると次のような問題点を解決しなければ
ならなかった。

第１に、ＰＩ−ＣＶＤ装置では、プラズマ中の中性種を
効率よく金属磁性媒体１５に吹きつけるためにプラズマ
吹出部をノズル状に絞り、プラズマ管１と真空槽３との
間に圧力差を設けなければならない。このだめノズル１
ａの口径を太きくして成膜領域を広げ量産に対応させる
ことは極めて困難であった。

また第７図に示す従来のｃｖｎ法では、成膜域２１内で
圧力が均一になりにくいため膜質の制御が困難である。

また流量、ガス圧等によりプラズマの流れや成膜域２１
が変化するために膜厚の制御も困難となる。さらに成膜
速度を高める（プラズマ密度を高める）と金属磁性媒体
にプラズマの熱が蓄積され熱損傷・熱変形を受けやすく
なる。

またイオンの加速を目的として金属磁性媒体１８の表面
もしくは真空槽・プラズマ発生部等に設置したアノード
電極にバイアスを印加した場合、プラズマ発生部１９と
真空槽１７内の圧力差が小さいために高成膜化を目ざし
てプラズマ発生部１９のガス圧を高めるといたるところ
で火花放電が発生しやすくなる。このため真空槽は少な
くとも０、Ｉ　Ｐａ以下の圧力に保持することが必要と
なる。

第２に、ＰＩ−ｃｖｎ法などのイオンを利用する場合、
成膜時には記録層に電流が生ずる。量産化に対応させる
ため成膜速度を高めようとすると（ＰＩ−ＣＶＤ法でＤ
ＬＣ膜を合成する場合、成膜速度を高めるには、プラズ
マ管内の圧力、アノード電極と記録層との間の電位差を
大きくする）、記録層に流れる電流が大きくなる。電流
が流れると抵抗に応じてジュール熱が生じ、記録層は発
熱する。成膜速度を高めると記録層の発熱量が多くなり
、記録層の変質、ＤＬＯ膜の剥がれ９時には基板（ベー
スフィルム）・記録層の熱損傷といっだ問題点が生じる
。この問題について第６図に示すＰＩ−ＣＶＤ法を例に
あげ具体的に説明する。

加速されたイオンを含むプラズマがノズル１ａから金属
磁性媒体１６に吹き付けられるとノズル１ａから回転ロ
ーラー７ｃにかけて電流が生じる。

この例の場合、キャンローラー６と金属磁性媒体１６と
の密着を高めるために両者の間には電位差が査定されて
いる。巻出しローラー４２巻取ローラー６、及び回転ロ
ーラー７Ｎ−ｄは無電位状態に設置され、回転ローラー
７ｅから金属磁性媒体１６表面の記録層電位を設定する
。そのため電流はノズル１ａから回転ローラー７θにお
ける金属磁性媒体１６の表面を流れ、記録層に発熱をお
こす。流れる電流が大きいと必然的に発熱量も多くなり
、記録層の磁気特性が変化したり記録層とＤＬＣ膜との
付着力が劣化する。発熱による損傷は、回転ローラー７
０と７０の間が最もひどい。

これは熱の逃げる所がないためである。これに比べてキ
ャンローラー６に密着した部分では熱がキャンローラー
へ逃げるため、発熱による損傷は少ない。しかし、金属
磁性媒体１５の変形等で密着不足の肩では熱損傷が生じ
る。このような熱損傷や記録層の変質は、金属磁性媒体
の特性を著しく劣化させると共に信頼性も低下させる。

本発明は上記の点に鑑み、連続して走行するフィルム状
の金属磁性媒体表面に均質で制御しゃすく広範囲にＤＬ
Ｃ膜を合成できる量産性に適した金属磁性媒体の保護膜
形成方法およびその装置を提供することを目的とする。

問題点を解決するだめの手段 本発明において、これらの問題点を解決する手段として
は、プラズマ流出口と成膜ローラーとの間の隙間が均一
になるようにプラズマ管を設置し、この隙間を制御する
ことによりプラズマ管と第１の真空槽との圧力差を設定
しつつＤＬＣ膜を合成すること、また１つ以上の電位ロ
ーラーを、成膜ローラー上及びその近傍の金属磁性媒体
の記録層に接触するよう設置することにより、電流で発
生するジュール熱を成膜ローラーへ効率よく放熱させ、
熱による損傷、特性劣化を防ぐことである。

作用 本発明の特徴は、プラズマ管のプラズマ流出口と成膜ロ
ーラーとの隙間を制御することによりコンダクタンスを
調整し、プラズマ管と第１の真空槽との間に圧力差を設
定するものである。ここでコンダクタンスとは、気体が
流れる時の抵抗（一般に排気抵抗と呼ばれている）の逆
数で、気体の流れやすさをあられすものである。プラズ
マ管に導入されたガスは、プラズマ流出口を通じて主真
空槽に流出する。この時、プラズマ流出口と成膜ローラ
ーとの隙間を小さくすると排気抵抗が大きくなり（即ち
コンダクタンスが小さくなり）、ガスが流出しにくくな
ってプラズマ管と主真空槽との間に圧力差が生じる。プ
ラズマ流出口の大きさ・形状が変わってもこの隙間を適
切に制御することにより、コンダクタンスを一定に保つ
ことができる。従って真空槽内の圧力を０．１Ｐａ以下
に保ちつつプラズマ管内圧力を高めることが可能で、さ
らにプラズマ流出口を大きくすることができ、加えてこ
の時プラズマ管内およびプラズマ流出口の圧力はほぼ均
一に保たれるため、広範囲にわたって制御性よく均質に
ＤＬＣ膜を合成することができる。

また主真空槽の圧力がプラズマ管内の圧力に比べて１桁
以上低く保持されているため、イオンを加速するために
プラズマ管内に設置されたアノード電極にバイアスを印
加した場合でも、主真空槽内での火花放電は発生しにり
く万る。このためプラズマ管内の圧力やアノード電極に
印加するバイアスを大きくして、ＤＬＣ膜の成膜速度を
高めることが可能となる。さらに本発明ではフィルム状
の金属磁性媒体を成膜ローラーに巻き付け、必要とあら
ば成膜ローラーと記録層との間に電位差を設は張付力を
高めて走行させるために、成膜時に発生する熱はすみや
かに成膜ローラーに放熱されて金属磁性媒体の熱損傷・
熱変形は防止される。

また、イオンを含むプラズマが媒体に吹き付けられると
、アノード電極と電位ローラーとの間にプラズマおよび
媒体の記録層を介して電流が生じる。成膜ローラーに巻
き付けて媒体を走行させるためには、巻始めと巻終わ゛
りの成膜ローラー近傍に規制ローラーが必要である（以
後前者を巻始め近接ローラー、後者を巻終わり近接ロー
ラーと略称する）。電位ローラーをプラズマ流出口と近
接ローラーとの間に設置すれば、電流はアノード電極か
らプラズマ、記録層を介して電位ローラーに流れる。電
流により記録層内に発生したジュール熱は、金属磁性媒
体が巻き付いている成膜ローラーへすみやかに放熱され
るため、熱による記録層の劣化・損傷や記録層とＤＬＣ
膜との付着力の劣化を防ぐことができる。記録層と成膜
ローラーとの間に電位差を設けて成膜ローラーと金属磁
性媒体との張付力を強くすれ、ば放熱がさらにすみやか
となり、より効果的である。電位ローラーを複数個備え
、適切に選定された抵抗を直列に設置することで、電流
を複数に分離することができる。各電流系が互いに重な
らないように電位ローラーを設定すれば、ジュール熱が
分離されたことになり、熱による特性劣化防止および成
膜速度の向上には効果的である。

実施例 第１図に本発明の第１の実施例を示す。フィルム状の金
属磁性媒体３４（以下媒体と略称する）は、巻出しロー
ラー２３から回転ローラー２６ａ。

ｂを経て成膜ローラー２７に巻き付けられ、回転ローラ
ー２６ｃ、ｄ、ｅを経て巻取りローラー２６に巻取られ
る。媒体３４表面の記録層には、成膜ローラー２７との
間に電位差ができるように電位ローラー２４により電位
が設定され、媒体３４は成膜ローラー２７へこの電位差
により強固に張付けられる。

主真空槽２２．プラズマ管２８内を真空ポンプにより１
０−２Ｐａ以下の圧力に設定した後、プラズマ管２８内
の圧力が０．５　Ｐａ以上の圧力となるように炭化水素
ガス、アルゴンガスを導入する。

導入されたガスはプラズマ流出口３６を通じて主真空槽
２２へ流出するが、この時、主真空槽２２内の圧力が０
．１　Ｐａ以下の圧力となるように、成膜ローラー２７
とプラズマ流出口３６との間の隙間をＺ軸移動台２９に
より設定する。成膜ローラー２７とプラズマ流出口３６
との間の隙間による低いコンダクタンスのために、プラ
ズマ流出口３６がプラズマ発生部３７の断面より大きな
場合でもプラズマ管２８内の圧力はほぼ均一に保たれる
。プラズマ管２８内°のガスは励起コイル３１に印加さ
れる高周波電力によりプラズマ化され、プラズマ中のイ
オンはアノード電極３０と記録層との間の電位差により
媒体３４方向に加速される。

イオンはアノード電極３Ｑと記録層との間の電気力線に
沿って加速され、プラズマ流出口３６がプラズマ発生部
３７より大きな場合でも電気力線がほぼ均一となるプラ
ズマ流出口３６付近では均等に加速される。またプラズ
マ流出口３６付近のプラズマ密度は圧力が一定であるこ
とからほぼ均一となる。このようにプラズマ流出口３６
付近ではプラズマ密度、イオンの加速が共に均一で、記
録層上に広範囲にわたって膜質、膜厚にムラのない均一
なりＬＣ膜が制御よく合成される。この時真空槽は１０
−’　Ｐａ以下の圧力を保持しており、また高周波電力
は副真空槽３５によりシールドされ主真空槽２２内には
もれないために、主真空槽２２内のグロー放電は発生し
々い。また記録層およびアノード電極３ｏへの印加電位
を大きくしても、主真空槽２２内での火花放電は発生し
にくくなる。

イオンが記録層に到達すると、アノード電極３０と電位
ローラー２４との間にプラズマおよび記録層を介して電
流が生じる。電流により生じる記録層内のジュール熱は
、媒体３４が強固に張付いた成膜ローラーへすみやかに
移動するため、熱による媒体３４の熱損傷、ＤＬＣ膜の
剥れなどの問題点は発生しにくい。まだ、主真空槽の圧
力がプラズマ管内の圧力に比べて１桁以上低く保持され
ているため、イオンを加速するためにプラズマ管内に設
置された一アノード電極にバイアスを印加した場合でも
、主真空槽内での火花放電は発生しにくくなる。このだ
めプラズマ管内の圧力やアノード電極に印加するバイア
スを大きくして、ＤＬＣ膜の成膜速度を高めることが可
能となる。さらに本発明ではフィルム状の金属磁性媒体
を成膜ローラーに巻き付け、必要とあらば成膜ローラー
と記録層との間に電位差を設は張付力を高めて走行させ
るために、成膜時に発生する熱はすみやかに成膜ローラ
ーに放熱されて金属磁性媒体の熱損傷・熱変形は防止さ
れる。本実施例では記録層と成膜ローラー２４との間に
電位差を設は張付きを強固にしているが、熱損傷が生じ
ない場合には電位差を０とし、媒体３４のテンションに
よる張付きのみでもかまわない。

励起コイル３１が設置されたプラズマ発生部３７を含む
プラズマ管２８の外周は、副真空槽３５により主真空槽
２２と同程度の真空に保持される。これは成膜域の拡大
と共にプラズマ管２８を大きくする時、大気圧によるプ
ラズマ管２８の破損を防ぐとともに、大気とプラズマ管
２８内の圧力差によりプラズマ管２８が主真空槽２２内
へ押入されプラズマ流出口３６と成膜ローラー２７との
間の設定隙間が変化することを防止する。さらに励起コ
イル３１に印加される高周波電力が主真空槽２２へ漏れ
ることを防ぎ、かつプラズマ流出口３６から流出したガ
スが励起コイル３１近傍へまわり込むことを防いでいる
。このため励起コイル３１へ高周波電力を印加した時、
プラズマ管２８内以外、例えば主真空槽２２や副真空槽
３５内でのグロー放電は発生せず、また高周波電力によ
る走行系の変調も防止されている。本実施例ではプラズ
マ流出口３６と成膜ローラー２７との間の隙間を調整す
るにあたり、Ｚ軸移動台２９を用いてプラズマ管２８全
体を移動したが、第２図に示すようにプラズマ流出口部
３８とプラズマ発生管３９を分割してジャバラ管４１で
接合し、隙間調整治具４ｏによりプラズマ流出口部３８
を移動調整するような構成でもかまわない。

プラズマ流出口部３８と成膜ローラー２７との間の隙間
はプラズマ流出口部３日の大きさ・形状、必要とする圧
力差などによって異なるが、３００ｍｍＸ１２０ｆｆｆ
ｆのプラズマ流出口を用いた場合効率よ＜ＤＬＣ膜を形
成するには１闘以下の隙間が必要であった。また本実施
例においてプラズマ管内圧力とＤＬＣ成膜速度との関係
を検討したところ表１参照、ＤＬＣ膜を効率よく合成す
るためにはプラズマ管内の圧力を０．６　Ｐａ以上にす
ることが必要で、さらには１０Ｐａ以上が望ましい。

（以下　余　白） 第３図に本発明の第２の実施例を示す。プラズマ管４６
は３個のプラズマ発生部４３と１個の大きなプラズマ流
出口４２とから構成されている。

量産性を考慮してプラズマ流出口４２を大きくする場合
、プラズマ発生部４３を複数個設けてもかまわない。プ
ラズマ流出口４２と成膜ローラー４４との隙間によるコ
ンダクタンスが小さいため、プラズマ管４６内の圧力は
一定となり、各プラズマ発生部に設置された励起コイル
およびアノード電極４７に印加する高周波電力、ＤＣバ
イアスを同じくしておけば、プラズマ流出口４２のプラ
ズマ密度、イオンの加速状態はほぼ一定となる。従って
より広範囲に均一なりＬＣ膜を合成することが可能とな
る。

第４図に本発明の第３の実施例を示す。基本構成は、第
１の実施例とほぼ同じであるが、本実施例の特徴はプラ
ズマ流出口６３と巻始め近接ローラー４９２Ｌおよびプ
ラズマ流出口６３と巻終わり近接ローラー４９ｂとの間
にそれぞれ電位ローラー５０ａ　、ｂを設置し、各電位
ｏ−ラ−ｓ□ａ。

ｂとＤＣ電源５２ａ　、ｂとの間に直列に可変抵抗６１
　＆　、ｂを備えたことにある。本実施例の場合アノー
ド電極６４から電位ローラーに流れる電流は、アノード
電極６４〜プラズマ〜記録層〜電位ローラー５ｏ２Ｌ〜
可変抵抗５１Ｌ　〜ＤＣ電源５２２Ｌの系とアノード電
極５４〜プラズマ〜記録層〜電位ローラーｓｏｂ〜可変
抵抗５１ｂ−ＤＣ電源６２ｂの２系統に分流する。（前
者に流れる電流を工＆・後者をＩｂ　　と称す。）各基
の電流Ｉａ　、　Ｉｂは各々がジュール熱により記録層
の変質・特性劣化や記録層とＤＬＣ膜との間の付着力が
劣化することのない最大電流（以後、許容電流と略称す
る）まで高めることが可能であるため、１つの電流系の
許容電流値で限定される従来例に比べてアノード電極と
電位ローラーとの間に流れる電流Ｉ（１−）ａ−１−Ｉ
ｂ）は、大きくできる。従って成膜速度を大きくするこ
とが可能となり、量産性に優れた媒体を得ることができ
る。また電流Ｉａ　、　Ｉｂの比率は可変抵抗５１　ａ
　、　ｂの比率を選定することで任意に設定することが
可能で（キルヒフォッフの法則による）、ジュール熱に
よりＤＬＯ膜との付着力が劣化するような記録層（例え
ば記録層とＤＬＣ膜との熱膨張率が大きく異なる場合）
表面に成膜する場合には、Ｉａを太き（Ｉｂが小さくな
るように可変抵抗値５１　ａ　、　ｂの比率を設定する
ことで成膜後の熱による付着力劣化を防止することがで
きる。本実施例の場合、成膜ローラーに巻付いた媒体４
８の記録層に接するように電位ローラーｓｏａ　、ｂを
設置したが、電流の大きさによっては巻始めローラ−４
９ａ１巻終わりローラー４９ｂを電位ローラーとしても
かまわない。

第６図に本発明の第４の実施例を示す。量産性を向上す
るために、１個の成膜ローラーに複数個のプラズマ管を
設置してもかまわない。ここでは第５図に示すようにプ
ラズマ管が２本の場合について説明する。第１のプラズ
マ流出口６９１Ｌと第２のプラズマ流出口６・９ｂとの
間には電位ローラーが設置され、成膜ローラー６８の巻
始め側、巻終わり側に設置された電位ローラーｓｅｔ、
ｓｅｂとともに記録層に電位を与える。電位ローラー５
９ａと電位ローラー５９０との間の記録層に流れる電流
は可変抵抗６７？Ｌと６７０の比率によって「第１のア
ノード電極６１ａ〜プラズマ〜第１のプラズマ流出口６
９ａと電位ローラ−５６２Ｌ間の記録層〜電位ローラー
５６ａ」と「第１のアノード電極６１　＆〜プラズマ〜
第１のプラズマ流出口５９１Ｌと電位ローラー５６０間
の記録層〜電位ローラー６６Ｃ」の２系統に分離する。

同様に第２のプラズマ管ｓｏｂでＤＬＣ膜を合成する場
合、「第２のアノード電極６１ｂ〜プラズマ〜第２のプ
ラズマ流出口６９ｂと電位ローラー５６０間の記録層〜
電位ローラー５６Ｃ」と「第２のアノード電極６１ｂ〜
プラズマ〜第２のプラズマ流出口５９ｂと電位ローラ−
６６ｂ間の記録層〜電位ローラー６６ｂ」の２系統に電
流が流れる。各電流系はお互いに重複する部分がなく、
ジュール熱はすみやかに成膜ローラー６８に放熱される
。このだめプラズマ管が２個の場合でも、熱による媒体
５６の熱損傷・特性劣化はなく量産性に優れる。

プラズマ管数がさらに多くなった場合でも同様で、成膜
ローラーの巻始め２巻終わりおよび各プラズマ流出口間
に同電位の電位ローラーを設置すれば各プラズマ管から
の電流を重複することなく分離することができ、本発明
によれば量産性良く媒体を合成することができる。

発明の効果 本発明は強磁性体金属薄膜を記録層とするフィルム上の
金属磁性媒体の前記記録層表面に、連続して高速にダイ
ヤモンド状炭素膜を合成できる金属磁性媒体の保護膜形
成方法及びその装置を提供するものであり、耐久性、信
頼性に優れた金属磁性媒体を量産性良く得ることができ
その効果は非常に大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例における薄膜形成装置の
原理図、第２図は同装置の一部分を変更した部分拡大図
、第３図は本発明の第２の実施例における薄膜形成装置
の原理図、第４図は本発明の第３の実施例における薄膜
形成装置の原理図、第５図は本発明の第５の実施例にお
ける薄膜形成装置の原理図、第６図は従来のＰＩ−ＣＶ
Ｄ装置の原４図、第７図は従来のプラズマＣＶＤ装置の
原理図である。 ２４°°“°゛°電位ローラー、２７・・・・・・成膜
ローラー、２８・・・・・・プラズマ管、３６・・・・
・・プラズマ流出口。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図 電　極 第２図 第　３　図 第４図 第５図 第　６　図　　　　　　　　　　　　　７α〜Ｃ−回数
ローラー１４　　フルｊンカ−ス

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. （１）０．１Ｐａ以下の圧力中を成膜ローラーに巻き付
   いて連続走行する強磁性体金属からなる記録層を備えた
   フィルム状の金属磁性媒体表面に、加速されたイオンを
   含む０．５Ｐａ以上の圧力に保持された炭化水素ガスの
   プラズマを接触させ、前記記録層の表面にダイヤモンド
   状炭素膜を合成する金属磁性媒体の保護膜形成方法。
2. （２）強磁性体金属からなる記録層を備えたフィルム状
   の金属磁性媒体を成膜ローラーに巻き付けて走行させる
   走行系と、この走行系が内設される主真空槽と、炭化水
   素ガスをプラズマ化する手段を備えたプラズマ発生部お
   よびこのプラズマを流出するプラズマ流出口を備えたプ
   ラズマ管と、プラズマ中のイオンを金属磁性媒体方向に
   加速する加速手段と、前記プラズマ管が内設される副真
   空槽とから構成された金属磁性媒体の保護膜形成装置。
3. （３）プラズマ管が、成膜ローラーとプラズマ流出口と
   の間の隙間を均一になるように設置される特許請求の範
   囲第２項記載の金属磁性媒体の保護膜形成装置。
4. （４）成膜ローラーとプラズマ流出口との間の隙間が１
   ．０ｍｍ以下である特許請求の範囲第３項記載の金属磁
   性媒体の保護膜形成装置。
5. （５）プラズマ流出口の断面積がプラズマ発生部の断面
   積より大きい特許請求の範囲第３項記載の金属磁性媒体
   の保護膜形成装置。
6. （６）プラズマ管が複数のプラズマ発生部で構成される
   特許請求の範囲第３項記載の金属磁性媒体の保護膜形成
   装置。
7. （７）走行系を構成する少なくとも一つのローラーが、
   記録層の電位を設定する電位ローラーである特許請求の
   範囲第２項記載の金属磁性媒体の保護膜形成装置。
8. （８）電位ローラーが成膜ローラーと異なった電位を持
   つ特許請求の範囲第７項記載の金属磁性媒体の保護膜形
   成装置。
9. （９）電位ローラーが、成膜ローラーに巻き付いた金属
   磁性媒体表面の記録層に接触するよう設置された特許請
   求の範囲第８項記載の金属磁性媒体の保護膜形成装置。
10. （１０）電位ローラーが、表面にまだダイヤモンド状炭
    素膜の合成されていない記録層と接触するよう設置され
    た特許請求の範囲第８項記載の金属磁性媒体の保護膜形
    成装置。
11. （１１）加速手段が、プラズマ管内に設置されたアノー
    ド電極と記録層との電位差による特許請求の範囲第２項
    記載の金属磁性媒体の保護膜形成装置。