JPH09212859A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH09212859A JPH09212859A JP1961896A JP1961896A JPH09212859A JP H09212859 A JPH09212859 A JP H09212859A JP 1961896 A JP1961896 A JP 1961896A JP 1961896 A JP1961896 A JP 1961896A JP H09212859 A JPH09212859 A JP H09212859A
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- magnetic recording
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高密度磁気記録が可能な強磁性金属薄膜を磁
気記録層とする磁気記録媒体において、繰り返し走行時
のヘッド摩耗が少なくまた出力が安定した磁気記録媒体
の製造方法の提供を目的とする。 【解決手段】 炭化水素系の材料ガスをプラズマ照射面
積１ｃｍ2当たり０．０５ＳＣＣＭ以上供給し、供給さ
れる炭素原子数に対してプラズマを発生させるために加
える電力の範囲を限定してカーボン保護膜を形成するこ
とにより最適な保護膜が得られる。
気記録層とする磁気記録媒体において、繰り返し走行時
のヘッド摩耗が少なくまた出力が安定した磁気記録媒体
の製造方法の提供を目的とする。 【解決手段】 炭化水素系の材料ガスをプラズマ照射面
積１ｃｍ2当たり０．０５ＳＣＣＭ以上供給し、供給さ
れる炭素原子数に対してプラズマを発生させるために加
える電力の範囲を限定してカーボン保護膜を形成するこ
とにより最適な保護膜が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体の製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜形成法としては真空蒸着法、
スパッタ法などが多く用いられてきたが、従来の薄膜製
造法に加えて近年プラズマＣＶＤを用いた薄膜の製造方
法が多く用いられるようになってきた。プラズマＣＶＤ
法による薄膜は化学反応による複雑な組成の薄膜や、ス
パッタ法と同等の薄膜を高速で形成することが可能とな
る。ここで、プラズマの発生方法としては様々な手法が
考えられているが、磁場とマイクロ波の組み合わせによ
り強いプラズマを発生させ、生産性を高める技術が普及
しつつある。このプラズマＣＶＤ技術を用いて、真空チ
ャンバー内でマイクロ波と磁場によりＥＣＲ（電子サイ
クロトロン共鳴）状態を作ることにより、薄膜型磁気テ
ープの表面にダイヤモンド状カーボン保護膜を形成する
方法が特開平７−２５４１３６号公報、特開平７−２５
４１３７号公報及び特開平７−２５４１４５号公報に開
示されている。
スパッタ法などが多く用いられてきたが、従来の薄膜製
造法に加えて近年プラズマＣＶＤを用いた薄膜の製造方
法が多く用いられるようになってきた。プラズマＣＶＤ
法による薄膜は化学反応による複雑な組成の薄膜や、ス
パッタ法と同等の薄膜を高速で形成することが可能とな
る。ここで、プラズマの発生方法としては様々な手法が
考えられているが、磁場とマイクロ波の組み合わせによ
り強いプラズマを発生させ、生産性を高める技術が普及
しつつある。このプラズマＣＶＤ技術を用いて、真空チ
ャンバー内でマイクロ波と磁場によりＥＣＲ（電子サイ
クロトロン共鳴）状態を作ることにより、薄膜型磁気テ
ープの表面にダイヤモンド状カーボン保護膜を形成する
方法が特開平７−２５４１３６号公報、特開平７−２５
４１３７号公報及び特開平７−２５４１４５号公報に開
示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来のマ
イクロ波プラズマＣＶＤ法で形成されたカーボン保護膜
を有する磁気テープは保護膜が硬すぎる為にヘッドの摩
耗が大きいという問題があった。特に異なる材料から構
成されるＭＩＧヘッドに対しては偏摩耗（材料によって
摩耗量が異なり段差が出来る）が発生しスペーシングロ
スにより出力が低下するという問題があった。
イクロ波プラズマＣＶＤ法で形成されたカーボン保護膜
を有する磁気テープは保護膜が硬すぎる為にヘッドの摩
耗が大きいという問題があった。特に異なる材料から構
成されるＭＩＧヘッドに対しては偏摩耗（材料によって
摩耗量が異なり段差が出来る）が発生しスペーシングロ
スにより出力が低下するという問題があった。
【０００４】そこで、本発明は、上記事情を鑑みてなさ
れたもので、磁気記録媒体の保護膜として耐候保存性、
耐久性を具備しつつヘッドに優しい保護膜の製造方法を
提供することを目的とするものである。
れたもので、磁気記録媒体の保護膜として耐候保存性、
耐久性を具備しつつヘッドに優しい保護膜の製造方法を
提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、プラズマＣ
ＶＤ装置に供給するガスの供給量及びプラズマを発生さ
せる電力の関係を限定したものである。
めに、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、プラズマＣ
ＶＤ装置に供給するガスの供給量及びプラズマを発生さ
せる電力の関係を限定したものである。
【０００６】これにより、磁気記録媒体の保護膜として
最適なカーボン保護膜を得られる。
最適なカーボン保護膜を得られる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、磁気記録媒体の保護膜をプラズマＣＶＤ法を用いて
形成する際に炭素と水素を主体に構成される炭化水素系
ガスをプラズマ照射面積１ｃｍ2あたり０．０５ＳＣＣ
Ｍ以上流し、炭素原子の供給量が１個／秒につき５×１
０-19Ｗ以上かつ１×１０-17Ｗ以下の電力を加えてプラ
ズマを発生させ、薄膜カーボン膜を形成したものであ
る。
は、磁気記録媒体の保護膜をプラズマＣＶＤ法を用いて
形成する際に炭素と水素を主体に構成される炭化水素系
ガスをプラズマ照射面積１ｃｍ2あたり０．０５ＳＣＣ
Ｍ以上流し、炭素原子の供給量が１個／秒につき５×１
０-19Ｗ以上かつ１×１０-17Ｗ以下の電力を加えてプラ
ズマを発生させ、薄膜カーボン膜を形成したものであ
る。
【０００８】材料ガスの供給量に対して投入電力を大き
くすると薄膜のダイヤモンド化が進み、出来た保護膜が
硬くなりすぎ、また、投入電力が小さいと有機重合膜状
となり保護膜としての効果がなくなるのに対し、投入電
力の範囲を限定することにより最適なカーボン保護膜が
得られるのである。
くすると薄膜のダイヤモンド化が進み、出来た保護膜が
硬くなりすぎ、また、投入電力が小さいと有機重合膜状
となり保護膜としての効果がなくなるのに対し、投入電
力の範囲を限定することにより最適なカーボン保護膜が
得られるのである。
【０００９】以下、本発明の実施の形態について、図面
を用いて説明する。 （実施の形態１）図１は、本発明で磁気記録媒体の保護
膜を形成するために用いられる製造装置を示すものであ
る。図１において支持体上に金属磁性膜が設けられた磁
気記録媒体１を真空槽５内に配設された供給ロール２ａ
からパスロール３及び冷却ロール４を経て巻取りロール
２ｂに走行させながらプラズマＣＶＤ装置６を作動させ
磁気記録媒体１の金属磁性膜上に炭化水素プラズマを吹
き付けて金属磁性膜上にカーボン保護膜を形成する。
尚、図１中、７はプラズマを発生する手段としてのマイ
クロ波発振器、８はガス導入管である。また９はバイア
ス電源でありパスロール３を介して金属磁性膜にバイア
ス電位を与えるものである。
を用いて説明する。 （実施の形態１）図１は、本発明で磁気記録媒体の保護
膜を形成するために用いられる製造装置を示すものであ
る。図１において支持体上に金属磁性膜が設けられた磁
気記録媒体１を真空槽５内に配設された供給ロール２ａ
からパスロール３及び冷却ロール４を経て巻取りロール
２ｂに走行させながらプラズマＣＶＤ装置６を作動させ
磁気記録媒体１の金属磁性膜上に炭化水素プラズマを吹
き付けて金属磁性膜上にカーボン保護膜を形成する。
尚、図１中、７はプラズマを発生する手段としてのマイ
クロ波発振器、８はガス導入管である。また９はバイア
ス電源でありパスロール３を介して金属磁性膜にバイア
ス電位を与えるものである。
【００１０】この保護膜形成装置を用い、厚み９．３μ
ｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの上に、コバ
ルトを酸素雰囲気中で１５０ｎｍの厚みに斜方蒸着して
金属磁性層を形成した磁気記録媒体に、保護膜形成条件
を種々変えながら厚み１０ｎｍのカーボン保護膜を形成
した。カーボン保護膜の厚みは５ｎｍ以下になると保護
膜としての効果が無く、また厚すぎるとスペーシングロ
スにより出力が低下するので５ｎｍ以上５０ｎｍ以下が
好ましい。
ｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの上に、コバ
ルトを酸素雰囲気中で１５０ｎｍの厚みに斜方蒸着して
金属磁性層を形成した磁気記録媒体に、保護膜形成条件
を種々変えながら厚み１０ｎｍのカーボン保護膜を形成
した。カーボン保護膜の厚みは５ｎｍ以下になると保護
膜としての効果が無く、また厚すぎるとスペーシングロ
スにより出力が低下するので５ｎｍ以上５０ｎｍ以下が
好ましい。
【００１１】カーボン膜の材料ガスである炭化水素系の
ベンゼンを５０ＳＣＣＭ（日本タイラン株製マスフロー
コントローラＦＣ７８０で測定）導入しプラズマ発生手
段であるマイクロ波を加えてプラズマを発生させ金属磁
性層上にプラズマを照射しカーボン保護膜を形成した。
プラズマが照射される面積は金属磁性薄膜上で約３００
ｃｍ2であった。導入されるガスの流量は５０ＳＣＣＭ
であるが分子中に含まれる炭素原子の供給数としては、
１秒間当たり２．２×１０19個である。
ベンゼンを５０ＳＣＣＭ（日本タイラン株製マスフロー
コントローラＦＣ７８０で測定）導入しプラズマ発生手
段であるマイクロ波を加えてプラズマを発生させ金属磁
性層上にプラズマを照射しカーボン保護膜を形成した。
プラズマが照射される面積は金属磁性薄膜上で約３００
ｃｍ2であった。導入されるガスの流量は５０ＳＣＣＭ
であるが分子中に含まれる炭素原子の供給数としては、
１秒間当たり２．２×１０19個である。
【００１２】次に、カーボン保護膜表面に厚み４ｎｍの
フッ素系潤滑剤を塗布した後、幅８ｍｍに裁断して磁気
テープを得た。
フッ素系潤滑剤を塗布した後、幅８ｍｍに裁断して磁気
テープを得た。
【００１３】この磁気テープを８ｍｍＶＴＲ（ＳＯＮＹ
社製ＥＶＳ−９００）を用い５℃８０％環境で２００時
間走行させヘッドの摩耗量を測定した。テープは２時間
長を用い１０パス毎に交換した。また初期出力と２００
時間走行後のヘッド出力を同一テープを用いて比較し偏
摩耗による出力低下を測定した。
社製ＥＶＳ−９００）を用い５℃８０％環境で２００時
間走行させヘッドの摩耗量を測定した。テープは２時間
長を用い１０パス毎に交換した。また初期出力と２００
時間走行後のヘッド出力を同一テープを用いて比較し偏
摩耗による出力低下を測定した。
【００１４】なお以上の説明では材料ガスとしてベンゼ
ンを使用したが分子内部に飽和結合と不飽和結合を有す
る他の材料例えば、トルエン、キシレン、２、３ヘキセ
ン等についても同様に実施可能である。さらにアルゴン
等の不活性ガス、膜の性質を調整するためのフッ素系、
窒素系のガス等も必要であれば適宜添加されるものであ
る。
ンを使用したが分子内部に飽和結合と不飽和結合を有す
る他の材料例えば、トルエン、キシレン、２、３ヘキセ
ン等についても同様に実施可能である。さらにアルゴン
等の不活性ガス、膜の性質を調整するためのフッ素系、
窒素系のガス等も必要であれば適宜添加されるものであ
る。
【００１５】またプラズマ発生手段としてはマイクロ波
を使用したが、通常のＤＣ電源、ＲＦ電源についても同
様に実施可能である。
を使用したが、通常のＤＣ電源、ＲＦ電源についても同
様に実施可能である。
【００１６】（表１）は材料ガスの流量を一定として、
材料ガスの種類、この時加えられるマイクロ波の電力を
変化させて得られた磁気テープの評価結果である。
材料ガスの種類、この時加えられるマイクロ波の電力を
変化させて得られた磁気テープの評価結果である。
【００１７】保護膜形成時にメタンまたはブタンを材料
ガスとしてカーボン膜を形成し、同様に磁気テープを作
成し比較例とした。
ガスとしてカーボン膜を形成し、同様に磁気テープを作
成し比較例とした。
【００１８】
【表１】
【００１９】（表１）から明らかなようにプラズマＣＶ
Ｄによりカーボン膜を形成する際に供給炭素原子１個／
秒につきプラズマを発生させるための電力を５×１０
-19から１×１０-17Ｗの範囲で加えることによりヘット
゛摩耗の少ない良好な磁気記録媒体を得ることが出来
た。
Ｄによりカーボン膜を形成する際に供給炭素原子１個／
秒につきプラズマを発生させるための電力を５×１０
-19から１×１０-17Ｗの範囲で加えることによりヘット
゛摩耗の少ない良好な磁気記録媒体を得ることが出来
た。
【００２０】尚、（表１）中で極端にヘッド摩耗が大き
い条件の磁気テープはカーボン保護膜が弱く金属磁性層
表面が削れたためにコバルト粉末とヘッド間で粉体摩耗
により摩耗が促進されたものと考えられる。
い条件の磁気テープはカーボン保護膜が弱く金属磁性層
表面が削れたためにコバルト粉末とヘッド間で粉体摩耗
により摩耗が促進されたものと考えられる。
【００２１】（表２）はガス流量をパラメータとしてカ
ーボン膜を形成し（表１）の例と同様に磁気テープを作
成しカーボン膜の評価を行った結果である。尚、この時
のプラズマに加える電力は材料ガスの供給量に比例させ
た。
ーボン膜を形成し（表１）の例と同様に磁気テープを作
成しカーボン膜の評価を行った結果である。尚、この時
のプラズマに加える電力は材料ガスの供給量に比例させ
た。
【００２２】
【表２】
【００２３】（表２）から明らかなように単位プラズマ
照射面積当たりのガス供給量を大きくすることによりヘ
ッド摩耗が少なく、またヘッド偏摩耗の少ない磁気記録
媒体を得ることが出来た。
照射面積当たりのガス供給量を大きくすることによりヘ
ッド摩耗が少なく、またヘッド偏摩耗の少ない磁気記録
媒体を得ることが出来た。
【００２４】尚、以上の説明では金属磁性層を有する磁
気記録媒体の保護膜として適用する例で説明したが、そ
の他の磁気ディスク等についても同様に実施可能であ
る。
気記録媒体の保護膜として適用する例で説明したが、そ
の他の磁気ディスク等についても同様に実施可能であ
る。
【００２５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、繰り返し
走行をしてもヘッド摩耗が少なく、また偏摩耗が少ない
ためにヘッド出力が安定するという効果を有する磁気記
録媒体が得られる。
走行をしてもヘッド摩耗が少なく、また偏摩耗が少ない
ためにヘッド出力が安定するという効果を有する磁気記
録媒体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における巻取り式保護膜製造装置の概略
図
図
１ 磁気記録媒体 ２ａ 供給ロール ２ｂ 巻取りロール ３ パスロール ４ 冷却ロール ５ 真空槽 ６ プラズマＣＶＤ装置 ７ マイクロ波発振器 ８ ガス導入管 ９ バイアス電源
Claims (2)
- 【請求項１】 炭化水素系ガスをプラズマ照射面積１ｃ
ｍ2あたり０．０５ＳＣＣＭ以上流し、プラズマを発生
させるために印加する電力は、炭素原子の供給量１個／
秒に対して５×１０-19Ｗ以上で１×１０-17Ｗ以下でカ
ーボン保護膜を形成したことを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法。 - 【請求項２】 プラズマを発生させる手段としてマイク
ロ波を用いたことを特徴とする請求項１記載の磁気記録
媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1961896A JPH09212859A (ja) | 1996-02-06 | 1996-02-06 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1961896A JPH09212859A (ja) | 1996-02-06 | 1996-02-06 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09212859A true JPH09212859A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=12004185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1961896A Pending JPH09212859A (ja) | 1996-02-06 | 1996-02-06 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09212859A (ja) |
-
1996
- 1996-02-06 JP JP1961896A patent/JPH09212859A/ja active Pending
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