JPH0334616B2 - - Google Patents
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- JPH0334616B2 JPH0334616B2 JP23363382A JP23363382A JPH0334616B2 JP H0334616 B2 JPH0334616 B2 JP H0334616B2 JP 23363382 A JP23363382 A JP 23363382A JP 23363382 A JP23363382 A JP 23363382A JP H0334616 B2 JPH0334616 B2 JP H0334616B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は、金属薄膜型の磁気記録媒体の製造方
法に関する。 従来例の構成とその問題点 近年、高密度記録を進める上で、高分子基板上
にCoNi系合金の面内磁化膜を配した媒体や、
CoCr系合金等の垂直磁化膜を配した媒体の開発
が強力に各方面で進められている。 金属薄膜型磁気記録媒体を実現する上で、保磁
力の制御、飽和磁束密度の制御等と同様に重要な
のは、生産技術面で、均一な物性の媒体を大量に
且つ再現良く得る技術の改良である。 基本的には、巻取蒸着機を改良していく訳であ
るが、生産技術面で一番深酷な問題は、これまで
の巻取蒸着で利用された蒸着金属が殆んどアルミ
ニウムであり、それに比べて、磁気記録媒体の製
造では、Co、Ni、Fe等の高融点材料が蒸着の対
象になるため、融点、軟化点の低い高分子基板の
熱破損を起さないように、確実な冷却手段を開発
する必要がある。 本発明者等は、既に静電引力による基板と回転
支持体との間の密着状態の改良による冷却効果の
増大をはかる方法の有用性を提案した。 その後、かかる方法にもより改良を要する課題
のあることが判明した。 幅方向、長手方向について特性の均一性がロツ
トによる得られないことがあり、この傾向は基板
の幅がより広くなるにつれ、より長尺になるにつ
れ、より平滑な表面性になるにつれ増大する。 発明の効果 長尺の媒体の均一性を確保し、ロツト間の再現
性の改良された、金属薄膜型磁気記録媒体の製造
方法の提供を目的とする。 発明の目的 本発明は基板に加速電子を注入し、磁性層を電
子ビーム蒸着するに先立ち、回転支持体に沿つた
高周波電極で基板を高周波グロー放電処理するこ
とを要旨とするものである。 高周波グロー放電処理を、回転支持体に沿つた
状態で行うことの意義は後述する。 本発明でいう回転支持体は、これまで最も多く
使用されてきた、円筒状の回転キヤンであつても
良いし、エンドレスベルトであつてもいい。 高周波グロー放電処理と加速電子の注入は、前
処理とみなせる処理で、蒸着に先立ち前処理の行
われるのは公知であるが、高周波グロー放電処理
の次に加速電子を注入する処理が行われることが
重要であり、これ等の処理が蒸着を受ける基板の
支持、搬送の役目をする１つの回転支持体に沿つ
て行われることが重要で、そこに発明の要点があ
るのである。 先ず、高周波グロー放電の有用性は、加速電子
の注入効果を均一たらしめることにある。 高分子基板に、帯電した状態で加速電子を注入
した時、注入しようとする電子が反発されて同一
量注入されないため、密着状態が局部的に劣化し
時として基板の熱破損につながるか、外見的には
殆んど判別できなくても、スチルライフが極端に
低い場所が生ずるなどの不都合が起つていたが、
本発明により、あらかじめ帯電が除かれるため、
均一に加速電子が注入されることで、前記した問
題が発生しない。 帯電除去目的のグローの種類として、高周波グ
ロー放電以外の他の公知のグロー処理が選ばれ得
なかつたのは、異常放電が発生し易いためであつ
て、本発明の対象とする厳しい均一性能要求に耐
えないからである。 即ち異常放電により、帯電除去目的のグローに
より、逆に帯電してしまうことが起るからであ
る。 後述の実施例で明らかなように、高周波グロー
放電は安定であり、前記した異常放電は起らない
ため、本発明の効果のひとつをもたらしていると
いえる。 高周波グロー放電を、回転支持体に沿つた状態
で主として起した時、他のグローの種類ではみら
れない、回転支持体の周側面に沿つて、グロー放
電を全体に及ぼすことができるが、この現象は、
蒸着過程に、荷電粒子の共存する活性な蒸着を提
供すると共に、蒸着後の基板が永久帯電したこと
で起る不都合である、巻き取り時の過大な張力を
必要とする現象を、従来の巻き取り蒸着と同様に
取り扱えるような帯電除去作用を行うことができ
る利点も併せ持つている。 実施例の説明 前記した如き本発明の作用効果を具体化するた
めに、第１図で示した巻蒸取着装置により、面内
磁化膜、垂直磁化膜の両者の媒体の製造を試み、
従来法にない、媒体の製法としての効果を確かめ
た点について以下詳述する。 勿論、本発明の実施のために用いられる装置は
第１図の構成に限るものではないし、巻き取り蒸
着を実施する上で不可欠であるが、本発明に直接
関係しない要素については簡略化してある。 高分子基板１は、回転支持体２に沿つて移動し
送り出し軸３より、巻取り軸４に巻き取られるよ
う構成される。 中間ローラー５を介して、回転支持体２に沿つ
て入つた基板を、回転支持体２の周側面に沿つて
配設された高周波電極６と、回転支持体２との間
に絶縁導入端子７を介して、整合回路８の調整に
より、高周波電源９より高周波電界を発生させ、
例えば、高周波電極６の図示せぬ支持部より、放
電ガス（例えば酸素、酸素とアルゴンの混合気体
等が利用される）を導入し、高周波グロー放電を
発生させる。 この時、ガス導入量の調節と、排気系の位置、
能力を含めての設計により、回転支持体２の周側
面近傍（全周に渡つて）に、前記高周波電極６と
対向した部分よりは、はるかにプラズマ密度は小
さいが、プラズマが発生するように構成すること
ができる。 条件により若干異なるが、電極６の対向部分に
比べて、1/10〜1/20程度の電子、イオン密度であ
つても、充分後述する効果は得られるものであ
る。 高周波グロー処理された基板へ、均一に電子線
１０が照射されるよう電子銃１１が配設される。 加速電子のエネルギーは、基板の厚みにもよる
が実用的には、15KV〜30KVが適している。更
に高電圧であつても差し支えないが、真空放電の
発生確率が、余り電圧を高くすると増大すること
から、主眼を、電子線の均一照射におくべきであ
る。 そのためのひとつの方法は、電子線のスポツト
径を大きくして、かつ、走査磁界により、基板の
幅以上に、好ましくは基板の幅の20％以上の幅と
なるように走査する方法である。 この電子注入により、基板は静電引力により回
転支持体へ密着し、蒸着時に受ける熱を回転支持
体に逃がし、高分子基板を保護することが、微視
的にみても均一に行われるようになる。 即ち、電子銃１２より発生する加速電子１３に
より、加熱された蒸発源１４より放射される蒸気
流により、基板１上に所望の磁性層が形成される
訳であるが、生産性を向上させるために、蒸発源
の温度はより高温に保持し、大きい蒸発速度を得
ることが工業的には行われるのであり、そのため
に、基板の受ける輻射熱は極めて大きくなり、最
も耐熱性の高い高分子として知られるポリイミド
フイルムでも、冷却に失敗したら（例えば電子注
入を0.1sec止めたら）瞬間に溶けてしまう程で、
冷却が均一に行われることの重要性が理解され
る。 図面では、斜め蒸着による磁気記録媒体の製造
に用いた場合が示されているが、垂直成分に近い
蒸気流による垂直磁化膜の製造も可能で、その場
合、マスク１５が工夫されるだけである。 本発明によれば、蒸着を受ける所にも、前記し
た弱電離気体（例えば酸素イオンを含む）が存在
するため、結晶粒子表面がち密な酸化膜でおおわ
れた、耐久性の高い磁性膜を得ることができる点
にも特長がある。 又蒸着された基板は、中間ローラー１６を介し
て巻取り軸４で容易に巻取れる点は、前述した通
りである。 以上述べた機能、作用を具体化するのに、真空
糟１７は、例えば３室に分離される。Ａ室１８、
Ｂ室１９、Ｃ室２０は夫々、独立した排気系２
１，２２，２３を具備している。２４はかく壁で
ある。 真空度の条件により、必ずしも前記した３室で
なくてもよいし、この点は本発明の制約事項では
ない。 実施例 １ 回転支持体の直径を１ｍとし、高周波電極は曲
率半径53cmで周長は80cmで、注入電子は20KV、
0.1Å／cm2の条件で保持した。 高周波電極の支持部より酸素ガスを導入し、
Ａ、Ｂ、Ｃ室の真空度（酸素分圧）を変えて、第
１表の条件で、磁気記録媒体を製造した。 実施例 ２ 実施例１と共通条件は導入ガスがアルゴンであ
る点を除いて同一とし、垂直（入射角が10゜以内）
入射により、垂直磁気記録媒体を第２表の条件で
製造した。
法に関する。 従来例の構成とその問題点 近年、高密度記録を進める上で、高分子基板上
にCoNi系合金の面内磁化膜を配した媒体や、
CoCr系合金等の垂直磁化膜を配した媒体の開発
が強力に各方面で進められている。 金属薄膜型磁気記録媒体を実現する上で、保磁
力の制御、飽和磁束密度の制御等と同様に重要な
のは、生産技術面で、均一な物性の媒体を大量に
且つ再現良く得る技術の改良である。 基本的には、巻取蒸着機を改良していく訳であ
るが、生産技術面で一番深酷な問題は、これまで
の巻取蒸着で利用された蒸着金属が殆んどアルミ
ニウムであり、それに比べて、磁気記録媒体の製
造では、Co、Ni、Fe等の高融点材料が蒸着の対
象になるため、融点、軟化点の低い高分子基板の
熱破損を起さないように、確実な冷却手段を開発
する必要がある。 本発明者等は、既に静電引力による基板と回転
支持体との間の密着状態の改良による冷却効果の
増大をはかる方法の有用性を提案した。 その後、かかる方法にもより改良を要する課題
のあることが判明した。 幅方向、長手方向について特性の均一性がロツ
トによる得られないことがあり、この傾向は基板
の幅がより広くなるにつれ、より長尺になるにつ
れ、より平滑な表面性になるにつれ増大する。 発明の効果 長尺の媒体の均一性を確保し、ロツト間の再現
性の改良された、金属薄膜型磁気記録媒体の製造
方法の提供を目的とする。 発明の目的 本発明は基板に加速電子を注入し、磁性層を電
子ビーム蒸着するに先立ち、回転支持体に沿つた
高周波電極で基板を高周波グロー放電処理するこ
とを要旨とするものである。 高周波グロー放電処理を、回転支持体に沿つた
状態で行うことの意義は後述する。 本発明でいう回転支持体は、これまで最も多く
使用されてきた、円筒状の回転キヤンであつても
良いし、エンドレスベルトであつてもいい。 高周波グロー放電処理と加速電子の注入は、前
処理とみなせる処理で、蒸着に先立ち前処理の行
われるのは公知であるが、高周波グロー放電処理
の次に加速電子を注入する処理が行われることが
重要であり、これ等の処理が蒸着を受ける基板の
支持、搬送の役目をする１つの回転支持体に沿つ
て行われることが重要で、そこに発明の要点があ
るのである。 先ず、高周波グロー放電の有用性は、加速電子
の注入効果を均一たらしめることにある。 高分子基板に、帯電した状態で加速電子を注入
した時、注入しようとする電子が反発されて同一
量注入されないため、密着状態が局部的に劣化し
時として基板の熱破損につながるか、外見的には
殆んど判別できなくても、スチルライフが極端に
低い場所が生ずるなどの不都合が起つていたが、
本発明により、あらかじめ帯電が除かれるため、
均一に加速電子が注入されることで、前記した問
題が発生しない。 帯電除去目的のグローの種類として、高周波グ
ロー放電以外の他の公知のグロー処理が選ばれ得
なかつたのは、異常放電が発生し易いためであつ
て、本発明の対象とする厳しい均一性能要求に耐
えないからである。 即ち異常放電により、帯電除去目的のグローに
より、逆に帯電してしまうことが起るからであ
る。 後述の実施例で明らかなように、高周波グロー
放電は安定であり、前記した異常放電は起らない
ため、本発明の効果のひとつをもたらしていると
いえる。 高周波グロー放電を、回転支持体に沿つた状態
で主として起した時、他のグローの種類ではみら
れない、回転支持体の周側面に沿つて、グロー放
電を全体に及ぼすことができるが、この現象は、
蒸着過程に、荷電粒子の共存する活性な蒸着を提
供すると共に、蒸着後の基板が永久帯電したこと
で起る不都合である、巻き取り時の過大な張力を
必要とする現象を、従来の巻き取り蒸着と同様に
取り扱えるような帯電除去作用を行うことができ
る利点も併せ持つている。 実施例の説明 前記した如き本発明の作用効果を具体化するた
めに、第１図で示した巻蒸取着装置により、面内
磁化膜、垂直磁化膜の両者の媒体の製造を試み、
従来法にない、媒体の製法としての効果を確かめ
た点について以下詳述する。 勿論、本発明の実施のために用いられる装置は
第１図の構成に限るものではないし、巻き取り蒸
着を実施する上で不可欠であるが、本発明に直接
関係しない要素については簡略化してある。 高分子基板１は、回転支持体２に沿つて移動し
送り出し軸３より、巻取り軸４に巻き取られるよ
う構成される。 中間ローラー５を介して、回転支持体２に沿つ
て入つた基板を、回転支持体２の周側面に沿つて
配設された高周波電極６と、回転支持体２との間
に絶縁導入端子７を介して、整合回路８の調整に
より、高周波電源９より高周波電界を発生させ、
例えば、高周波電極６の図示せぬ支持部より、放
電ガス（例えば酸素、酸素とアルゴンの混合気体
等が利用される）を導入し、高周波グロー放電を
発生させる。 この時、ガス導入量の調節と、排気系の位置、
能力を含めての設計により、回転支持体２の周側
面近傍（全周に渡つて）に、前記高周波電極６と
対向した部分よりは、はるかにプラズマ密度は小
さいが、プラズマが発生するように構成すること
ができる。 条件により若干異なるが、電極６の対向部分に
比べて、1/10〜1/20程度の電子、イオン密度であ
つても、充分後述する効果は得られるものであ
る。 高周波グロー処理された基板へ、均一に電子線
１０が照射されるよう電子銃１１が配設される。 加速電子のエネルギーは、基板の厚みにもよる
が実用的には、15KV〜30KVが適している。更
に高電圧であつても差し支えないが、真空放電の
発生確率が、余り電圧を高くすると増大すること
から、主眼を、電子線の均一照射におくべきであ
る。 そのためのひとつの方法は、電子線のスポツト
径を大きくして、かつ、走査磁界により、基板の
幅以上に、好ましくは基板の幅の20％以上の幅と
なるように走査する方法である。 この電子注入により、基板は静電引力により回
転支持体へ密着し、蒸着時に受ける熱を回転支持
体に逃がし、高分子基板を保護することが、微視
的にみても均一に行われるようになる。 即ち、電子銃１２より発生する加速電子１３に
より、加熱された蒸発源１４より放射される蒸気
流により、基板１上に所望の磁性層が形成される
訳であるが、生産性を向上させるために、蒸発源
の温度はより高温に保持し、大きい蒸発速度を得
ることが工業的には行われるのであり、そのため
に、基板の受ける輻射熱は極めて大きくなり、最
も耐熱性の高い高分子として知られるポリイミド
フイルムでも、冷却に失敗したら（例えば電子注
入を0.1sec止めたら）瞬間に溶けてしまう程で、
冷却が均一に行われることの重要性が理解され
る。 図面では、斜め蒸着による磁気記録媒体の製造
に用いた場合が示されているが、垂直成分に近い
蒸気流による垂直磁化膜の製造も可能で、その場
合、マスク１５が工夫されるだけである。 本発明によれば、蒸着を受ける所にも、前記し
た弱電離気体（例えば酸素イオンを含む）が存在
するため、結晶粒子表面がち密な酸化膜でおおわ
れた、耐久性の高い磁性膜を得ることができる点
にも特長がある。 又蒸着された基板は、中間ローラー１６を介し
て巻取り軸４で容易に巻取れる点は、前述した通
りである。 以上述べた機能、作用を具体化するのに、真空
糟１７は、例えば３室に分離される。Ａ室１８、
Ｂ室１９、Ｃ室２０は夫々、独立した排気系２
１，２２，２３を具備している。２４はかく壁で
ある。 真空度の条件により、必ずしも前記した３室で
なくてもよいし、この点は本発明の制約事項では
ない。 実施例 １ 回転支持体の直径を１ｍとし、高周波電極は曲
率半径53cmで周長は80cmで、注入電子は20KV、
0.1Å／cm2の条件で保持した。 高周波電極の支持部より酸素ガスを導入し、
Ａ、Ｂ、Ｃ室の真空度（酸素分圧）を変えて、第
１表の条件で、磁気記録媒体を製造した。 実施例 ２ 実施例１と共通条件は導入ガスがアルゴンであ
る点を除いて同一とし、垂直（入射角が10゜以内）
入射により、垂直磁気記録媒体を第２表の条件で
製造した。
【表】
【表】
用いた。
【表】
発明の効果
第１表に基板の幅方向の位置で中央部と中央よ
り、20cm離れた位置での、1/4インチ幅のテープ
を選び、長さ方向の位置100ｍ、1000ｍ、2000ｍ、
3000ｍの位置で１ｍに渡つてＣ／Ｎを調べると共
に、30℃90％RHのスチルライフを調べた。比較
として、高周波グロー処理を行なわない場合を掲
げたＣ／Ｎの劣化している所は、顕微鏡観察によ
り基板の異常収縮が起つており、本発明品につい
ては全くそれはみられなかつた。 従来例と比較して、生産性、スチルライフ共に
優れていることが第２表からも理解できる。 本発明は、他の多くの実施例に於ても有用性が
確かめられた。 磁性材料の種類、高分子基板の種類によらず、
本発明の効果は著しいもので、短波長記録を実現
する上で実用上、極めて有用な発明である。
り、20cm離れた位置での、1/4インチ幅のテープ
を選び、長さ方向の位置100ｍ、1000ｍ、2000ｍ、
3000ｍの位置で１ｍに渡つてＣ／Ｎを調べると共
に、30℃90％RHのスチルライフを調べた。比較
として、高周波グロー処理を行なわない場合を掲
げたＣ／Ｎの劣化している所は、顕微鏡観察によ
り基板の異常収縮が起つており、本発明品につい
ては全くそれはみられなかつた。 従来例と比較して、生産性、スチルライフ共に
優れていることが第２表からも理解できる。 本発明は、他の多くの実施例に於ても有用性が
確かめられた。 磁性材料の種類、高分子基板の種類によらず、
本発明の効果は著しいもので、短波長記録を実現
する上で実用上、極めて有用な発明である。
図面は本発明を実施するために用いた巻取蒸着
装置の要部断面構成図である。 １……基板、２……回転支持体、６……高周波
電極、１１……電子銃、１２……電子銃、１４…
…蒸発源。
装置の要部断面構成図である。 １……基板、２……回転支持体、６……高周波
電極、１１……電子銃、１２……電子銃、１４…
…蒸発源。
Claims (1)
- １ 回転支持体に沿つて移動する高分子基板上
に、電子ビーム蒸着にて磁性層を形成する方法で
あつて、前記回転支持体の周側面の一部に沿つた
高周波電極により、高周波グロー放電処理した前
記基板に、加速電子を注入した後に蒸着すること
を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23363382A JPS59124038A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23363382A JPS59124038A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59124038A JPS59124038A (ja) | 1984-07-18 |
| JPH0334616B2 true JPH0334616B2 (ja) | 1991-05-23 |
Family
ID=16958096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23363382A Granted JPS59124038A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59124038A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6378337A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2764278B2 (ja) * | 1988-09-09 | 1998-06-11 | コニカ株式会社 | 磁気記録媒体の製造装置 |
| JPH02166280A (ja) * | 1988-12-21 | 1990-06-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フイルムの温度処理方法 |
| JPH089782B2 (ja) * | 1989-03-17 | 1996-01-31 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜の製造方法 |
| JPH0379763A (ja) * | 1989-08-21 | 1991-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属化フイルムの製造方法 |
| US5224441A (en) * | 1991-09-27 | 1993-07-06 | The Boc Group, Inc. | Apparatus for rapid plasma treatments and method |
| DE4207525C2 (de) * | 1992-03-10 | 1999-12-16 | Leybold Ag | Hochvakuum-Beschichtungsanlage |
-
1982
- 1982-12-29 JP JP23363382A patent/JPS59124038A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59124038A (ja) | 1984-07-18 |
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