JPS5897135A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS5897135A JPS5897135A JP19415081A JP19415081A JPS5897135A JP S5897135 A JPS5897135 A JP S5897135A JP 19415081 A JP19415081 A JP 19415081A JP 19415081 A JP19415081 A JP 19415081A JP S5897135 A JPS5897135 A JP S5897135A
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- Japan
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- film
- polymer film
- cooling
- substrate
- magnetic recording
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は強磁性金属薄膜蒸着層を有する磁気記碌媒体を
製造する方法に関する。
製造する方法に関する。
近年、記鍮密変の飛躍的増大を目的として、樹脂バイン
ダーを使用せずに非磁性基材上に磁気１ｅｆｊｋ層とし
て強磁性金属薄膜を設は九、磁気テープ等ＯＩ！気記鍮
媒体を真空蒸着法、スパッタリング法イオンブレーティ
ング法、クラスターイオンビーム法等の薄膜形成法を用
いて製造する方法が精力的に研究開発され、一部紘夾用
に供されている。
ダーを使用せずに非磁性基材上に磁気１ｅｆｊｋ層とし
て強磁性金属薄膜を設は九、磁気テープ等ＯＩ！気記鍮
媒体を真空蒸着法、スパッタリング法イオンブレーティ
ング法、クラスターイオンビーム法等の薄膜形成法を用
いて製造する方法が精力的に研究開発され、一部紘夾用
に供されている。
特に１真空度がＩＸＩＧ ）−ル以下の高真空中で行
なわれる、特願昭５５−３０８０７号によって提案され
ている様なイオングレーティング法によって形成される
磁気記録媒体は磁気性能に優れ、かつ基材との密着性が
龜わめて高く、磁性層の耐摩耗性に優れるなど磁気テー
プの如き磁気記碌媒体の製造方法として好適であるが、
該方法によ〉工業的規模で長尺の磁気記ｌＩｋ媒体を製
造するに＃′ｉ以下のような問題点があった。
なわれる、特願昭５５−３０８０７号によって提案され
ている様なイオングレーティング法によって形成される
磁気記録媒体は磁気性能に優れ、かつ基材との密着性が
龜わめて高く、磁性層の耐摩耗性に優れるなど磁気テー
プの如き磁気記碌媒体の製造方法として好適であるが、
該方法によ〉工業的規模で長尺の磁気記ｌＩｋ媒体を製
造するに＃′ｉ以下のような問題点があった。
即ち、上記方法にもとづいて、為エネルギーＯイオンを
誘電体であるポリエチレンテレフタレート０如龜高分子
フィルムの１１両に連続して入射させて磁性層を形成さ
せると、形成される磁性層に上記入射イオンに起因する
電荷の蓄積が起り、フィルム冷却ドラム、冷却板、加速
電極等の金属体に対して、これに接触走行するフィルム
基材が静電吸着され、フィルムテンションが過丈となる
結果、咳フィルム基材にシワや跋シワの発生に基づく熱
変形を発生させたシ、はなはだしい場合はフィルム走行
が困難になるなどの問題点を有していた。
誘電体であるポリエチレンテレフタレート０如龜高分子
フィルムの１１両に連続して入射させて磁性層を形成さ
せると、形成される磁性層に上記入射イオンに起因する
電荷の蓄積が起り、フィルム冷却ドラム、冷却板、加速
電極等の金属体に対して、これに接触走行するフィルム
基材が静電吸着され、フィルムテンションが過丈となる
結果、咳フィルム基材にシワや跋シワの発生に基づく熱
変形を発生させたシ、はなはだしい場合はフィルム走行
が困難になるなどの問題点を有していた。
本発明は上記の如き欠点を解消して、連続的に安定して
優れた性能の磁気記録媒体を製造することの出来る方法
を提供することを目的としてなされ丸ものであシ、その
要旨は、高真空中において長尺の為分子フィルムを冷却
基板の表面に接触させて連続的に走行させながら高分子
フィルム面上に電界加速され九イオ／を含む強磁性金属
蒸発粒子を入射させて磁性層を形成させて磁気記録媒体
を製造するに際し、イオンの電界加速の九めＯ加速電極
を前記冷却基板の背面に該冷却基板と絶縁された状態で
配置することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法に存
する。
優れた性能の磁気記録媒体を製造することの出来る方法
を提供することを目的としてなされ丸ものであシ、その
要旨は、高真空中において長尺の為分子フィルムを冷却
基板の表面に接触させて連続的に走行させながら高分子
フィルム面上に電界加速され九イオ／を含む強磁性金属
蒸発粒子を入射させて磁性層を形成させて磁気記録媒体
を製造するに際し、イオンの電界加速の九めＯ加速電極
を前記冷却基板の背面に該冷却基板と絶縁された状態で
配置することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法に存
する。
本発明において使用される高分子フィルムとは、ポリ塩
化ビニル、ポリ７フ化ビニル、酢酸セルロース、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネイト、ポ
リイミド、ポリエーテルフルフオン、ポリパラバン酸等
の高分子材料から製せられ九長尺のフィルムであり、好
適にはポリエチレンテレフタレートのフィルムが用いら
れる。
化ビニル、ポリ７フ化ビニル、酢酸セルロース、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネイト、ポ
リイミド、ポリエーテルフルフオン、ポリパラバン酸等
の高分子材料から製せられ九長尺のフィルムであり、好
適にはポリエチレンテレフタレートのフィルムが用いら
れる。
又該高分子フィルムの厚みは特に制限されるものではな
いが３声〜２０戸の範Ｈのものが好適に使用される。
いが３声〜２０戸の範Ｈのものが好適に使用される。
本発明においては、高分子フィルム面上に強磁性金属か
らなる磁性層を形成させる方法として、高真空中におい
て走行中の長尺高分子フィルムに電界加速されたイオン
を含む強磁性金属蒸発粒子を入射させて磁性層を形成さ
せる方法が採用されるのであ夛、例えば特願昭５５−３
０８０７号で提案され九様なｇｘｔＯ−）−ル以下の真
空度の高真空に排気され九真空檜内に於て、−放畿のル
ツボに強磁性金属材料を供給し、とれを抵抗加熱、電子
ビーム加熱、電子ボンバード加熱、誇導加熱等の手段に
て加熱し、該金属材料を蒸気化せしめ、次いで、電子放
射源から放出される電子を電界加速し、上記蒸気粒子と
衝突させることによシこれを一部イオン化し、更に該イ
オン化蒸気粒子を電界効果により加速して１ ｅＶ〜Ｉ
ＯＫ・■の高エネルギーを付与して餉記基材樅面上に衝
突せしめて薄膜を形成する方法が好適に採用される。
らなる磁性層を形成させる方法として、高真空中におい
て走行中の長尺高分子フィルムに電界加速されたイオン
を含む強磁性金属蒸発粒子を入射させて磁性層を形成さ
せる方法が採用されるのであ夛、例えば特願昭５５−３
０８０７号で提案され九様なｇｘｔＯ−）−ル以下の真
空度の高真空に排気され九真空檜内に於て、−放畿のル
ツボに強磁性金属材料を供給し、とれを抵抗加熱、電子
ビーム加熱、電子ボンバード加熱、誇導加熱等の手段に
て加熱し、該金属材料を蒸気化せしめ、次いで、電子放
射源から放出される電子を電界加速し、上記蒸気粒子と
衝突させることによシこれを一部イオン化し、更に該イ
オン化蒸気粒子を電界効果により加速して１ ｅＶ〜Ｉ
ＯＫ・■の高エネルギーを付与して餉記基材樅面上に衝
突せしめて薄膜を形成する方法が好適に採用される。
以下図面を参照しながら本発明方法について説明する。
第１図は本発明に用いられる装置の一例を示す模式図で
ある。
ある。
真空槽ｌ内拡排気口２に連結される排気系装置（油回転
ボ／プ、油拡散ポンプ等で構成されているが図示されて
いない）によってｌＸｌ０）−ルまでの高真空に排気す
ることかで龜るようになされている。
ボ／プ、油拡散ポンプ等で構成されているが図示されて
いない）によってｌＸｌ０）−ルまでの高真空に排気す
ることかで龜るようになされている。
真空槽１内には蒸着イオン源３、長尺の高分子フィルム
４、その供給ロール５と巻取りロール６ （但しロール
駆動装置は図示されていない）、金属ガイドロール７．
８さらに冷却基板１０゜該冷却基板１０の背面に絶縁碍
子１１を介して該基板１０と絶縁された状態で配置され
た加速電極９が設置されておプ、冷却基板１０には熱交
換を行うための冷却媒体を通すパイプ１２が取シ付けら
れている。そして腋冷却基板ｌＯは電気的に接地されて
おらず、蒸着中との接地されない状態に保たれており、
この様な状態に保つのが冷却基板１０と走行するフィル
ム４との摺動抵抗をよシ低める点からして好ましい。
４、その供給ロール５と巻取りロール６ （但しロール
駆動装置は図示されていない）、金属ガイドロール７．
８さらに冷却基板１０゜該冷却基板１０の背面に絶縁碍
子１１を介して該基板１０と絶縁された状態で配置され
た加速電極９が設置されておプ、冷却基板１０には熱交
換を行うための冷却媒体を通すパイプ１２が取シ付けら
れている。そして腋冷却基板ｌＯは電気的に接地されて
おらず、蒸着中との接地されない状態に保たれており、
この様な状態に保つのが冷却基板１０と走行するフィル
ム４との摺動抵抗をよシ低める点からして好ましい。
前記蒸着イオン源３はＥガン蒸発源１３及び蒸気イオン
化装置１４によ）構成されておシ、セしてＥガン蒸発源
１３ｄｌ ８０°偏向ガン１５、水冷銅ハース１６及び
鉄、コバルト等の強磁性金属からなる蒸発源材料が入れ
られ九ルツボ１７から構成され、蒸気イオン化装置１４
は熱電子放出用フィラメント１８、放出され良熱電子を
電界加速する網状電極１９及び電界制御のためのガード
２０により構成されている。
化装置１４によ）構成されておシ、セしてＥガン蒸発源
１３ｄｌ ８０°偏向ガン１５、水冷銅ハース１６及び
鉄、コバルト等の強磁性金属からなる蒸発源材料が入れ
られ九ルツボ１７から構成され、蒸気イオン化装置１４
は熱電子放出用フィラメント１８、放出され良熱電子を
電界加速する網状電極１９及び電界制御のためのガード
２０により構成されている。
更に第１図に於いては蒸気イオン化装置１１４を動作さ
せる丸めの交流電源２１及び直流電源２λさらに加速電
極９に負の直流電圧を印加させるための電源２３とその
回路が示されている。
せる丸めの交流電源２１及び直流電源２λさらに加速電
極９に負の直流電圧を印加させるための電源２３とその
回路が示されている。
次に上述の装置により本発明にもとづいて磁気記録媒体
の製造を行った例について説明する。
の製造を行った例について説明する。
先ず、例えば厚さ１４声、幅５００ｆｉのポリエチレン
テレフタレートフィルムの如ｅｘ分子フィルムが巻かれ
丸供給ロール５から高分子フィルム４を引き出して、第
１図に示される様にガイトロール８、冷却基板１０．ガ
イドロール７を経て巻取シロール６に巻取られる様に配
置し、次にＥガン蒸発源１３のルツボ１７に例えばコバ
ルト金属塊（純ｆ９“９．５％）１００ｊＦ からなる
蒸発源材料を供給し、蒸着イオン源３がらの高分子フィ
ルム４面へのイオンビーム入射角度（フィルム面法線と
のなす角）が６０° 以上となるように、金属ガイドロ
ール７．８及び冷却基板１０の配置調節を行なり九。
テレフタレートフィルムの如ｅｘ分子フィルムが巻かれ
丸供給ロール５から高分子フィルム４を引き出して、第
１図に示される様にガイトロール８、冷却基板１０．ガ
イドロール７を経て巻取シロール６に巻取られる様に配
置し、次にＥガン蒸発源１３のルツボ１７に例えばコバ
ルト金属塊（純ｆ９“９．５％）１００ｊＦ からなる
蒸発源材料を供給し、蒸着イオン源３がらの高分子フィ
ルム４面へのイオンビーム入射角度（フィルム面法線と
のなす角）が６０° 以上となるように、金属ガイドロ
ール７．８及び冷却基板１０の配置調節を行なり九。
次いで真空槽１内を１×１０ トールまで排気した後、
ロール駆動系（モーター、ギア等で構成されているが図
示されていない）を動作させて、フィルム送９速度が１
００ｚ／−となるようにした。このとき巻取りロール６
にかかるトルクを計測することで判明した冷却基板１０
と高分子フィルム４との摺動抵抗は約２Ｋｇであった。
ロール駆動系（モーター、ギア等で構成されているが図
示されていない）を動作させて、フィルム送９速度が１
００ｚ／−となるようにした。このとき巻取りロール６
にかかるトルクを計測することで判明した冷却基板１０
と高分子フィルム４との摺動抵抗は約２Ｋｇであった。
次いで蒸着イオンｇｉ３を作動させ、Ｅガン蒸発源１３
で蒸発させたコバルト蒸発粒子に蒸気イオン化装置にお
いて加速された熱電子を衝撃させてイオン化することに
より発生したコバルトイオン及びコバルト中性蒸気から
なるビームを高分子フィルム４面に入射させ、同時に加
速電極９に電源２３によｆｉ−１０００Ｖ の直流電圧
を印加して蒸着を開始した。
で蒸発させたコバルト蒸発粒子に蒸気イオン化装置にお
いて加速された熱電子を衝撃させてイオン化することに
より発生したコバルトイオン及びコバルト中性蒸気から
なるビームを高分子フィルム４面に入射させ、同時に加
速電極９に電源２３によｆｉ−１０００Ｖ の直流電圧
を印加して蒸着を開始した。
王妃条件で蒸着中における高分子フィルム４の摺動抵抗
を測定したととる該抵抗は４．５ Ｋｇであり安定して
おシ、又、高分子フィルム４の熱変形やシワの発生は認
められなかつ九。
を測定したととる該抵抗は４．５ Ｋｇであり安定して
おシ、又、高分子フィルム４の熱変形やシワの発生は認
められなかつ九。
なお、比較のために、冷却基板１０をイオン加速用の電
極として兼用し、これに−１０００Ｖの直流電圧を印加
して加速電極９には直流電圧を印加しなかったこと以外
は前記と同様にして高分子フィルム４に蒸着を行なった
が、この時の摺動抵抗は５０−以上にも達し、フィルム
４が破断するに至った。
極として兼用し、これに−１０００Ｖの直流電圧を印加
して加速電極９には直流電圧を印加しなかったこと以外
は前記と同様にして高分子フィルム４に蒸着を行なった
が、この時の摺動抵抗は５０−以上にも達し、フィルム
４が破断するに至った。
前記本発明方法によシ得られた磁気記録媒体は磁気特性
とくに抗磁力、残留磁束密度、角形比等にすぐれており
、さらに磁性層のフィルム基面との密着強度がすぐれ耐
摩耗性のすぐれ九４のであつ九。
とくに抗磁力、残留磁束密度、角形比等にすぐれており
、さらに磁性層のフィルム基面との密着強度がすぐれ耐
摩耗性のすぐれ九４のであつ九。
本発明の磁気記録媒体の製造方法は上述の通〉の方法で
あるので、冷却基材とこれに接触して走行する高分子フ
ィルムとの間の摺動抵抗が大きくなることを防止出来、
すぐれた性能の磁気記録媒体を連続して、安定した状態
で製造することが出来るのである。
あるので、冷却基材とこれに接触して走行する高分子フ
ィルムとの間の摺動抵抗が大きくなることを防止出来、
すぐれた性能の磁気記録媒体を連続して、安定した状態
で製造することが出来るのである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明方法に用いられる装置の一例を示す模式
図である。 １・・・・真空槽、２・・・・排気口、３・・・・蒸着
イオン源、４・・・・高分子フィルム、５・・・・供給
ロール、６・・・パ巻取ロール、９・・・・加速電極、
１０・・・・冷却基板、１３・・・・Ｅガン蒸発源、１
４・・・・蒸気イオン化装置、１７・・・・ルツボ、２
１．２２．２３・・・・電源特許出願人 積水化学工業株式会社 代表者 藤 沼 基 利
図である。 １・・・・真空槽、２・・・・排気口、３・・・・蒸着
イオン源、４・・・・高分子フィルム、５・・・・供給
ロール、６・・・パ巻取ロール、９・・・・加速電極、
１０・・・・冷却基板、１３・・・・Ｅガン蒸発源、１
４・・・・蒸気イオン化装置、１７・・・・ルツボ、２
１．２２．２３・・・・電源特許出願人 積水化学工業株式会社 代表者 藤 沼 基 利
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 高真空中において長尺の高分子フィルムを冷却基
板ＯＳ両ＫＩＩ触させて連続的に走行させながら高分子
フィルム面上に電界加速され九イオンを含む強磁性金属
蒸発粒子を入射させて磁性層を形成させて磁気記碌媒体
を製造するに際し、イオンＯ電昇加速〇九め０加連電極
を前記冷却基板Ｑ背面に該冷却基板と絶縁され良状態で
配置することを特徴とする磁気記録媒体Ｏｍｌｍｌ法。 １ 冷却基板が接地されていない状態に保たれる菖１項
記載０＠気記鍮媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19415081A JPS5897135A (ja) | 1981-12-01 | 1981-12-01 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19415081A JPS5897135A (ja) | 1981-12-01 | 1981-12-01 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5897135A true JPS5897135A (ja) | 1983-06-09 |
| JPH0121540B2 JPH0121540B2 (ja) | 1989-04-21 |
Family
ID=16319743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19415081A Granted JPS5897135A (ja) | 1981-12-01 | 1981-12-01 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5897135A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6274633A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-06 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性熱可塑性樹脂長尺体の製造方法 |
-
1981
- 1981-12-01 JP JP19415081A patent/JPS5897135A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6274633A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-06 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性熱可塑性樹脂長尺体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0121540B2 (ja) | 1989-04-21 |
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