JPH0450384B2 - - Google Patents
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Description
［利用分野］
本発明は、高分子フイルムの基板上にロール・
ツ・ロールで連続的に真空中で薄膜を形成する薄
膜形成方法の改良に関し、薄膜型磁気記録媒体、
透明導電性フイルム、熱線反射フイルム、太陽電
池等の薄膜機能素子等の製造に適用でき、特に基
板に表面に平坦な高分子フイルムを要求される薄
膜型磁気記録媒体の製造に好適なものである。 ［従来技術］ 上述の通り、多方面に適用できるものである
が、以下薄膜型磁気記録媒体の製造を例に説明す
る。 上述の薄膜型磁気記録媒体は、近年高密度磁気
記録用媒体として注目され、既に多くの提案があ
る。例えば特開昭54−147010号公報にはCoの蒸
着膜が、特公昭58−91号公報にはCo−Cr合金の
スパツタ膜からなる垂直磁化膜が開示されてい
る。 このような蒸着、スパツタ又はイオンブレーテ
イング等の薄膜形成手段によつて形成される金属
薄膜は、厚みが1.5mm以下にもかかわらず、磁性
層の厚みが3μm以上である従来の塗布型記録体の
性能を示す。 しかしながら形成される金属薄膜厚さが薄く、
基板の表面状態（表面凹凸）がそのまま磁性膜の
凹凸として発現し、スパーシンゲロスやドロツプ
アウトの原因となる。従つて、電磁変換特性（再
生出力、エラー）の観点からは、基板の表面状態
が出来るだけ平滑であることが好ましい。 一方、基板に高分子樹脂フイルムを用いる場
合、フイルム巻取、巻出しといつたハンドリング
の観点から、フイルム表面が平滑であると、フイ
ルム−フイルム相互の滑り性が悪くブロツキング
現象が発生し、製品にはなり得ず、ベースフイル
ム表面が粗であることが要求される。 このように薄膜型の磁気記録媒体には、基板に
関し、電磁変換特性を向上させようとすれば、そ
のハンドリング性、走行性が悪化するという問題
がある。 ［発明の目的］ 本発明はかかる現状に鑑みなされたもので、非
常に平坦な高分子フイルムを基板としても安定し
てロール・ツ・ロールで連続的に薄膜が形成でき
る薄膜形成方法を目的とするものである。 ［本発明の構成及び作用］ 上述の目的は、以下の本発明により達成され
る。すなわち、本発明は、長尺の高分子フイルム
を基板とし、基板をロール・ツ・ロール方式で移
送しつつ、支持体に支持された基板上に真空中で
連続的に薄膜を形成する薄膜形成方法において、
基板の高分子フイルムを端部に微小な凹凸をつけ
たものとすると共に、基板の平坦部を支持体に密
着させつつ移送して薄膜を形成することを特徴と
する薄膜形成方法である。 なお、ロール・ツ・ロール方式とは、ロールに
した基板から巻き戻しつつ移送し、再びロールに
巻き上げる移送方式のことである。 ところで、上述の本発明は、表面が非常に平坦
な高分子フイルムを基板とした場合でも、端部に
微小な凹凸をつけたものではロールにしても真空
中で安定した取扱いができ、その平坦部を支持体
とし密着させて温度制御可能とすれば、安定な膜
形成ができることを見出しなされたものである。 従来表面の平坦なフイルムを巻きとるための一
つの方法としてその端部に凹凸加工すること−即
ちエンボス加工、ナーリング加工はよく知られて
いた。しかしながらかかるフイルムをベースフイ
ルムとして真空中に挿入し、かつ連続的に移送し
つつ薄膜を形成したところつぎのような問題が見
出された。即ち (1) 冷却ロールあるいは冷却板等の支持体との密
着性が悪く、薄膜形成時に受ける熱にフイルム
が耐えることができないことおよび (2) 巻き取つたロール状のフイルムを真空中に挿
入したときフイルムのロールの中央部にかかる
圧力によりロールの中央部がふくらみフイルム
の変形が大きくシワ、伸び等の欠陥を発生する
こと (3) 薄膜形成後のフイルムロールを大気中に取り
出す際にも(2)と同様の原因により中央部がへこ
みフイルムの永久変形を引き起すとともに、形
成した薄膜に傷、クラツク等の欠点を発生する
ことなどである。しかしながら本発明者らはか
かる問題点について鋭意検討の結果これらの問
題は以下の通り解決可能であることを見出し
た。 すなわち冷却ドラムや冷却板等の支持体とフイ
ルムとの密着性についてはフイルムの凹凸を設け
た両端部を除いた平坦部と支持体との密着性が確
保されれば膜形成には支障がなく、フイルム移送
時の張力を十分かけることにより向上できること
を見出した。なお、フイルムの巾が広い場合には
張力は小さくできる。またとくに端部につけた凹
凸の高さが大きく張力を強くかけることによつて
も密着を十分になしえない場合や、フイルムの巾
が狭い場合、あるいはフイルムに十分な張力をか
けることができない場合などはフイルム巾より狭
いあるいは表面に端部が通る溝部を形成した冷却
ドラム又は、冷却板を用い、前記端部がこれらに
接しないで前記平坦部のみが接するようにすれば
よいことが見出された。さらに真空排気又は破壊
の際にフイルムが圧力を受けて中央部がへこみ現
象に対しては、排気の速度、破壊の速度を十分ゆ
つくり行うことにより、端部の凹凸部によつて保
持されているフイルム間の間隔を真空中あるい
は／および大気中でも保持できる。 これらの速度はフイルム巾、端部の凹凸の高さ
により適宜決定すればよい。即ちフイルム巾が広
い場合、あるいは凹凸が低いときは十分遅い速度
で排気又は破線を行うことにより巻いたフイルム
の外側とフイルム間の間隔内での状態−圧力を均
一に保つことができる。この場合フイルムの表裏
にかかる圧力は同じであるためフイルムは表裏の
いずれからも力を受けずその状態を大気中、真空
中のいずれにおいても保つことができる。 また上充の本発明の可撓性高分子樹脂の基板に
は、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレ
フイン、ナイロン６等のポリアミド、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフ
タレート等のポリエステルその他の熱可塑性樹脂
フイルムが適用できる。中でも、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレ
ートは、低コストで寸法安定性、表面性、耐熱
性、機械的特性に優れている点で好ましい。 ところで、本方法を薄膜型磁気記録媒体に適用
する場合には強磁性薄膜として公知のものが全て
が適用できる。すなわち、従来から開発の盛んな
長手記録用のFe，Ni，Co及びこれらの合金膜か
らなる蒸着膜等は勿論、最近その高密度記録可能
性から注目されている垂直磁気記録方式（特公昭
58−10764号公報参照）に用いる膜面に垂直方向
に磁化容易軸を発現させたCo−Crの合金膜等か
らなる垂直磁化膨（特公昭58−91号公報参照）等
にも適用できる。 特にフレキシブルデイスクを目的とし、両面に
磁気記録層を形成さす場合は、テープのようにバ
ツクコートにより走行性を確保することはできず
本発明の意義は大きく、さらに記録層が前述の垂
直磁気記録層である場合、線記録密度、トラツク
密度共に高くすることが可能であり、Ｄ／ｏや走
行耐久性の観点より本発明の効果は著しい。 なお、上述薄膜の形成手段としては、従来より
公知の真空蒸着法、イオンプレーテイング法、ス
パツタ法等の物理的堆積法が適用できる。中でも
ポリエステルを基板とし、前述の垂直磁気記録層
を形成して垂直磁気記録媒体を得るには低温膜形
成が可能で、且つ垂直異方性膜形成が安定にでき
るという点からマグネトロン式スパツタ法、ある
いは特開昭57−158380号公報等に開示の対向ター
ゲツト式スパツタ法が好ましい。 フイルム端部に凹凸をつける加工法は通常のエ
ンボス加工法が用いられる。本発明でいうエンボ
ス加工はすでに述べた様に表面が平坦で摩擦係数
が大きく通常の巻きとりができないフイルムを巻
きとるためなされる加工であるから、その目的か
ら考えてエンボス加工の巾は狭い方が好ましい。
またその高さ、巾あるいは形状はフイルムの種
類、厚さ、巾などから最適の組合せが選ばれるべ
きであるが、本発明の趣旨から、特に限定されな
いが、実用上通常は凹凸の高さがフイルム厚さの
５〜40％の範囲で適宜選択される。また必ずしも
両端に加工してある必要もない。 以上、上述の本発明の詳細を実施例に基いて説
明する。 第１図は本発明の実施に用いた対向ターゲツト
式スパツタ装置の構造図である。 図から明らかな通り、本装置は前述の特開昭57
−158380号公報で公知の対向ターゲツト式スパツ
タ装置として基本的に同じ構成となつている。 すなわち、図において１０は真空槽、２０は真
空槽１０を排気する真空ポンプ等からなる排気
系、３０は真空槽１０内に所定のガスを導入して
真空槽１０内の圧力を10-1〜10-4Torr程度の所
定のガス圧力に設定するガス導入系である。 そして、真空槽１０内には、図の如く真空槽１
０の側板１１，１２に絶縁部材１３，１４を介し
て固着されたターゲツトホルダー１５，１６によ
り１対のターゲツトT1，T2が、そのスパツタさ
れる面T1s，T2sを空間を隔てて平行に対面する
ように配設してある。そして、ターゲツトT1，
T2とそれに対応するターゲツトホルダー１５，
１６は、冷水パイプ１５１，１６１を介して冷却
水によりターゲツトT1，T2、永久磁石１５２，
１６２が冷却される。磁石１５２，１６２はター
ゲツトT1，T2を介してＮ極、Ｓ極が対向するよ
うに設けてあり、従つて磁界はターゲツトT1，
T2に垂直な方向に、かつターゲツト間のみに形
成される。なお、１７，１８は絶縁部材１３，１
４及びターゲツトホルダー１５，１６をスパツタ
リング時のプラズマ粒子から保護するためとター
ゲツト表面以外の部分の異常放電を防止するため
のシールドである。 また、磁性薄膜が形成される基板４０を保持す
る基板保持手段４１は、真空槽１０内のターゲツ
トT1，T2の側方に設けられ、以下の通り基板４
０をロール・ツ・ロールで移送するようにしてあ
る。基板保持手段４１は、図示省略した支持ブラ
ケツトにより夫々回転自在かつ互いに軸平行に支
持された繰り出しロール４１ａ、支持ロール４１
ｂ、巻取ロール４１ｃの３個のロールからなり、
基板４０をターゲツトT1，T2間の空間に対面す
るようにスパツタ面T1s，T2sに対して略直角方
向に保持するように配置してある。従つて基板４
０は巻取りロール４１ｃによりスパツタ面T1s，
T2sに対して直角方向に移動可能である。なお、
支持ロール４１ｂは基板４０の温度を制御するた
めその表面温度が調節可能となつている。 一方、スパツタ電力を供給する直流電源からな
る電力供給手段５０はプラス側をアースに、マイ
ナス側をターゲツトT1，T2に夫々接続する。従
つて電力供給手段５０からのスパツタ電力は、ア
ースをアノードとし、ターゲツトT1，T2をカソ
ードとして、アノード、カソーード間に供給され
る。 なお、プレスパツタ時基板４０を保護するた
め、基板４０とターゲツトT1，T2との間に出入
するシヤツター（図示省略）が設けてある。 以上の通り、前述の特開昭57−158380号公報の
ものと基本的には同じ構成であり、公知の通り高
速低温スパツタが可能ちなる。すなわち、ターゲ
ツトT1，T2間の空間に、磁界の作用によりスパ
ツタガスイオン、スパツタにより放出されたγ電
子等が束縛され高密度プセズマが形成される。従
つて、ターゲツトT1，T2のスパツタが促進され
て前記空間より析出量が増大し、基板４０上への
堆積速度が増し高度スパツタが出来る上、基板４
０がターゲツトT1，T2の側方にあるので低温ス
パツタも出来る。 なお、本発明の対向ターゲツト式スパツタ法
は、前述の装置のものに限定されるものでなく、
前述の通り一対の対面させたターゲツトの側方に
基板を配し、ターゲツト間に垂直方向の磁界を印
加してスパツクし、基板上に膜を形成するスパツ
タ法を云う。従つて、磁界発生手段も永久磁石で
なく、電磁石を用いても良い。また、磁界もター
ゲツト間の空間にγ電子等を閉じ込めるものであ
れば良く、従つてターゲツト全面でなく、ターゲ
ツト周囲のみに発生させた場合も含む。なお、第
１図で基板４０の走行方向（MD）は、ターゲツ
トT1，T2の対向方向すなわち永久磁石１５２，
１６２からなる磁界発生装置により生ずる磁束φ
の方向とほぼ同じ方向になる。 さらに本発明の薄膜形成方法は実施例に用いた
対向ターゲツトのみに限定されるものでなく通常
の物理的堆積法、例えばマグネトロン式スパタリ
ング、真空蒸着、２極又は３極スパタリング、イ
オンプレーテイングなどの方法が、化学的堆積
法、例えばCVD法などにも適用できることはい
うまでもない。 次に上述の対向ターゲツト式スパツタ装置によ
り実施した本発明に係わる薄膜形成方法の実施例
を説明する。 実施例１，比較例１〜３ ジメチルテレフタレートに対し触媒として酢酸
マンガン40ミリモル％、三酸化アンチモン20ミリ
モル％、亜リン酸40ミリモル％を加えてエステル
交換させ固有粘度η＝0.65（Ｏ−クロロフエノー
ルを溶媒として用い25℃で測定した値）のポリエ
チレンテレフタレートを得た。このポリエチレン
テレフタレートを160℃で乾燥し、280℃で溶融押
出し、40℃に保持したキヤステイングドラム上に
急冷固化せしめて厚さ650μmの未延伸フイルムを
得た。 該未延伸フイルムを縦延伸温度90℃、縦延伸倍
率3.5倍、横延伸温度120℃、横延伸倍率3.8倍で
逐次二軸延伸し、205℃で10秒間熱固定し、厚さ
50μのフイルムのフイルムを得た。このフイルム
は巻きとる為に所定の巾にスリツトしたのち、エ
ンボスロールの温度140℃で両端にそれぞれ10mm
づつエンボス加工を行い２〜10μmの高さの凹凸
をつけた。当該フイルムはエンボス加工なしには
巻きとることはできなかつた。 かかるフイルムを用いてパーマロイ金属
（Fe18％wt、Ni78wt％、Mo4wt％）を前述の第
１図の対向ターゲツトスパツタ装置を用い、スパ
ツタリング法で0.4μmの厚さに形成した。 以下の実施例、比較例はいずれも膜堆積速度
0.5μm／min、支持ドラム４１ｂの温度50℃で行
い、フイルムのエンボス加工した両端部は15mmの
マスクを取りつけることにより、熱輻射による損
傷を防止するようにした。 フイルム巾24cm、支持ドラム４１ｂの巾を30cm
としスパツタリングを行つた。結果を表１に示
す。
ツ・ロールで連続的に真空中で薄膜を形成する薄
膜形成方法の改良に関し、薄膜型磁気記録媒体、
透明導電性フイルム、熱線反射フイルム、太陽電
池等の薄膜機能素子等の製造に適用でき、特に基
板に表面に平坦な高分子フイルムを要求される薄
膜型磁気記録媒体の製造に好適なものである。 ［従来技術］ 上述の通り、多方面に適用できるものである
が、以下薄膜型磁気記録媒体の製造を例に説明す
る。 上述の薄膜型磁気記録媒体は、近年高密度磁気
記録用媒体として注目され、既に多くの提案があ
る。例えば特開昭54−147010号公報にはCoの蒸
着膜が、特公昭58−91号公報にはCo−Cr合金の
スパツタ膜からなる垂直磁化膜が開示されてい
る。 このような蒸着、スパツタ又はイオンブレーテ
イング等の薄膜形成手段によつて形成される金属
薄膜は、厚みが1.5mm以下にもかかわらず、磁性
層の厚みが3μm以上である従来の塗布型記録体の
性能を示す。 しかしながら形成される金属薄膜厚さが薄く、
基板の表面状態（表面凹凸）がそのまま磁性膜の
凹凸として発現し、スパーシンゲロスやドロツプ
アウトの原因となる。従つて、電磁変換特性（再
生出力、エラー）の観点からは、基板の表面状態
が出来るだけ平滑であることが好ましい。 一方、基板に高分子樹脂フイルムを用いる場
合、フイルム巻取、巻出しといつたハンドリング
の観点から、フイルム表面が平滑であると、フイ
ルム−フイルム相互の滑り性が悪くブロツキング
現象が発生し、製品にはなり得ず、ベースフイル
ム表面が粗であることが要求される。 このように薄膜型の磁気記録媒体には、基板に
関し、電磁変換特性を向上させようとすれば、そ
のハンドリング性、走行性が悪化するという問題
がある。 ［発明の目的］ 本発明はかかる現状に鑑みなされたもので、非
常に平坦な高分子フイルムを基板としても安定し
てロール・ツ・ロールで連続的に薄膜が形成でき
る薄膜形成方法を目的とするものである。 ［本発明の構成及び作用］ 上述の目的は、以下の本発明により達成され
る。すなわち、本発明は、長尺の高分子フイルム
を基板とし、基板をロール・ツ・ロール方式で移
送しつつ、支持体に支持された基板上に真空中で
連続的に薄膜を形成する薄膜形成方法において、
基板の高分子フイルムを端部に微小な凹凸をつけ
たものとすると共に、基板の平坦部を支持体に密
着させつつ移送して薄膜を形成することを特徴と
する薄膜形成方法である。 なお、ロール・ツ・ロール方式とは、ロールに
した基板から巻き戻しつつ移送し、再びロールに
巻き上げる移送方式のことである。 ところで、上述の本発明は、表面が非常に平坦
な高分子フイルムを基板とした場合でも、端部に
微小な凹凸をつけたものではロールにしても真空
中で安定した取扱いができ、その平坦部を支持体
とし密着させて温度制御可能とすれば、安定な膜
形成ができることを見出しなされたものである。 従来表面の平坦なフイルムを巻きとるための一
つの方法としてその端部に凹凸加工すること−即
ちエンボス加工、ナーリング加工はよく知られて
いた。しかしながらかかるフイルムをベースフイ
ルムとして真空中に挿入し、かつ連続的に移送し
つつ薄膜を形成したところつぎのような問題が見
出された。即ち (1) 冷却ロールあるいは冷却板等の支持体との密
着性が悪く、薄膜形成時に受ける熱にフイルム
が耐えることができないことおよび (2) 巻き取つたロール状のフイルムを真空中に挿
入したときフイルムのロールの中央部にかかる
圧力によりロールの中央部がふくらみフイルム
の変形が大きくシワ、伸び等の欠陥を発生する
こと (3) 薄膜形成後のフイルムロールを大気中に取り
出す際にも(2)と同様の原因により中央部がへこ
みフイルムの永久変形を引き起すとともに、形
成した薄膜に傷、クラツク等の欠点を発生する
ことなどである。しかしながら本発明者らはか
かる問題点について鋭意検討の結果これらの問
題は以下の通り解決可能であることを見出し
た。 すなわち冷却ドラムや冷却板等の支持体とフイ
ルムとの密着性についてはフイルムの凹凸を設け
た両端部を除いた平坦部と支持体との密着性が確
保されれば膜形成には支障がなく、フイルム移送
時の張力を十分かけることにより向上できること
を見出した。なお、フイルムの巾が広い場合には
張力は小さくできる。またとくに端部につけた凹
凸の高さが大きく張力を強くかけることによつて
も密着を十分になしえない場合や、フイルムの巾
が狭い場合、あるいはフイルムに十分な張力をか
けることができない場合などはフイルム巾より狭
いあるいは表面に端部が通る溝部を形成した冷却
ドラム又は、冷却板を用い、前記端部がこれらに
接しないで前記平坦部のみが接するようにすれば
よいことが見出された。さらに真空排気又は破壊
の際にフイルムが圧力を受けて中央部がへこみ現
象に対しては、排気の速度、破壊の速度を十分ゆ
つくり行うことにより、端部の凹凸部によつて保
持されているフイルム間の間隔を真空中あるい
は／および大気中でも保持できる。 これらの速度はフイルム巾、端部の凹凸の高さ
により適宜決定すればよい。即ちフイルム巾が広
い場合、あるいは凹凸が低いときは十分遅い速度
で排気又は破線を行うことにより巻いたフイルム
の外側とフイルム間の間隔内での状態−圧力を均
一に保つことができる。この場合フイルムの表裏
にかかる圧力は同じであるためフイルムは表裏の
いずれからも力を受けずその状態を大気中、真空
中のいずれにおいても保つことができる。 また上充の本発明の可撓性高分子樹脂の基板に
は、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレ
フイン、ナイロン６等のポリアミド、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフ
タレート等のポリエステルその他の熱可塑性樹脂
フイルムが適用できる。中でも、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリエチレン−２，６−ナフタレ
ートは、低コストで寸法安定性、表面性、耐熱
性、機械的特性に優れている点で好ましい。 ところで、本方法を薄膜型磁気記録媒体に適用
する場合には強磁性薄膜として公知のものが全て
が適用できる。すなわち、従来から開発の盛んな
長手記録用のFe，Ni，Co及びこれらの合金膜か
らなる蒸着膜等は勿論、最近その高密度記録可能
性から注目されている垂直磁気記録方式（特公昭
58−10764号公報参照）に用いる膜面に垂直方向
に磁化容易軸を発現させたCo−Crの合金膜等か
らなる垂直磁化膨（特公昭58−91号公報参照）等
にも適用できる。 特にフレキシブルデイスクを目的とし、両面に
磁気記録層を形成さす場合は、テープのようにバ
ツクコートにより走行性を確保することはできず
本発明の意義は大きく、さらに記録層が前述の垂
直磁気記録層である場合、線記録密度、トラツク
密度共に高くすることが可能であり、Ｄ／ｏや走
行耐久性の観点より本発明の効果は著しい。 なお、上述薄膜の形成手段としては、従来より
公知の真空蒸着法、イオンプレーテイング法、ス
パツタ法等の物理的堆積法が適用できる。中でも
ポリエステルを基板とし、前述の垂直磁気記録層
を形成して垂直磁気記録媒体を得るには低温膜形
成が可能で、且つ垂直異方性膜形成が安定にでき
るという点からマグネトロン式スパツタ法、ある
いは特開昭57−158380号公報等に開示の対向ター
ゲツト式スパツタ法が好ましい。 フイルム端部に凹凸をつける加工法は通常のエ
ンボス加工法が用いられる。本発明でいうエンボ
ス加工はすでに述べた様に表面が平坦で摩擦係数
が大きく通常の巻きとりができないフイルムを巻
きとるためなされる加工であるから、その目的か
ら考えてエンボス加工の巾は狭い方が好ましい。
またその高さ、巾あるいは形状はフイルムの種
類、厚さ、巾などから最適の組合せが選ばれるべ
きであるが、本発明の趣旨から、特に限定されな
いが、実用上通常は凹凸の高さがフイルム厚さの
５〜40％の範囲で適宜選択される。また必ずしも
両端に加工してある必要もない。 以上、上述の本発明の詳細を実施例に基いて説
明する。 第１図は本発明の実施に用いた対向ターゲツト
式スパツタ装置の構造図である。 図から明らかな通り、本装置は前述の特開昭57
−158380号公報で公知の対向ターゲツト式スパツ
タ装置として基本的に同じ構成となつている。 すなわち、図において１０は真空槽、２０は真
空槽１０を排気する真空ポンプ等からなる排気
系、３０は真空槽１０内に所定のガスを導入して
真空槽１０内の圧力を10-1〜10-4Torr程度の所
定のガス圧力に設定するガス導入系である。 そして、真空槽１０内には、図の如く真空槽１
０の側板１１，１２に絶縁部材１３，１４を介し
て固着されたターゲツトホルダー１５，１６によ
り１対のターゲツトT1，T2が、そのスパツタさ
れる面T1s，T2sを空間を隔てて平行に対面する
ように配設してある。そして、ターゲツトT1，
T2とそれに対応するターゲツトホルダー１５，
１６は、冷水パイプ１５１，１６１を介して冷却
水によりターゲツトT1，T2、永久磁石１５２，
１６２が冷却される。磁石１５２，１６２はター
ゲツトT1，T2を介してＮ極、Ｓ極が対向するよ
うに設けてあり、従つて磁界はターゲツトT1，
T2に垂直な方向に、かつターゲツト間のみに形
成される。なお、１７，１８は絶縁部材１３，１
４及びターゲツトホルダー１５，１６をスパツタ
リング時のプラズマ粒子から保護するためとター
ゲツト表面以外の部分の異常放電を防止するため
のシールドである。 また、磁性薄膜が形成される基板４０を保持す
る基板保持手段４１は、真空槽１０内のターゲツ
トT1，T2の側方に設けられ、以下の通り基板４
０をロール・ツ・ロールで移送するようにしてあ
る。基板保持手段４１は、図示省略した支持ブラ
ケツトにより夫々回転自在かつ互いに軸平行に支
持された繰り出しロール４１ａ、支持ロール４１
ｂ、巻取ロール４１ｃの３個のロールからなり、
基板４０をターゲツトT1，T2間の空間に対面す
るようにスパツタ面T1s，T2sに対して略直角方
向に保持するように配置してある。従つて基板４
０は巻取りロール４１ｃによりスパツタ面T1s，
T2sに対して直角方向に移動可能である。なお、
支持ロール４１ｂは基板４０の温度を制御するた
めその表面温度が調節可能となつている。 一方、スパツタ電力を供給する直流電源からな
る電力供給手段５０はプラス側をアースに、マイ
ナス側をターゲツトT1，T2に夫々接続する。従
つて電力供給手段５０からのスパツタ電力は、ア
ースをアノードとし、ターゲツトT1，T2をカソ
ードとして、アノード、カソーード間に供給され
る。 なお、プレスパツタ時基板４０を保護するた
め、基板４０とターゲツトT1，T2との間に出入
するシヤツター（図示省略）が設けてある。 以上の通り、前述の特開昭57−158380号公報の
ものと基本的には同じ構成であり、公知の通り高
速低温スパツタが可能ちなる。すなわち、ターゲ
ツトT1，T2間の空間に、磁界の作用によりスパ
ツタガスイオン、スパツタにより放出されたγ電
子等が束縛され高密度プセズマが形成される。従
つて、ターゲツトT1，T2のスパツタが促進され
て前記空間より析出量が増大し、基板４０上への
堆積速度が増し高度スパツタが出来る上、基板４
０がターゲツトT1，T2の側方にあるので低温ス
パツタも出来る。 なお、本発明の対向ターゲツト式スパツタ法
は、前述の装置のものに限定されるものでなく、
前述の通り一対の対面させたターゲツトの側方に
基板を配し、ターゲツト間に垂直方向の磁界を印
加してスパツクし、基板上に膜を形成するスパツ
タ法を云う。従つて、磁界発生手段も永久磁石で
なく、電磁石を用いても良い。また、磁界もター
ゲツト間の空間にγ電子等を閉じ込めるものであ
れば良く、従つてターゲツト全面でなく、ターゲ
ツト周囲のみに発生させた場合も含む。なお、第
１図で基板４０の走行方向（MD）は、ターゲツ
トT1，T2の対向方向すなわち永久磁石１５２，
１６２からなる磁界発生装置により生ずる磁束φ
の方向とほぼ同じ方向になる。 さらに本発明の薄膜形成方法は実施例に用いた
対向ターゲツトのみに限定されるものでなく通常
の物理的堆積法、例えばマグネトロン式スパタリ
ング、真空蒸着、２極又は３極スパタリング、イ
オンプレーテイングなどの方法が、化学的堆積
法、例えばCVD法などにも適用できることはい
うまでもない。 次に上述の対向ターゲツト式スパツタ装置によ
り実施した本発明に係わる薄膜形成方法の実施例
を説明する。 実施例１，比較例１〜３ ジメチルテレフタレートに対し触媒として酢酸
マンガン40ミリモル％、三酸化アンチモン20ミリ
モル％、亜リン酸40ミリモル％を加えてエステル
交換させ固有粘度η＝0.65（Ｏ−クロロフエノー
ルを溶媒として用い25℃で測定した値）のポリエ
チレンテレフタレートを得た。このポリエチレン
テレフタレートを160℃で乾燥し、280℃で溶融押
出し、40℃に保持したキヤステイングドラム上に
急冷固化せしめて厚さ650μmの未延伸フイルムを
得た。 該未延伸フイルムを縦延伸温度90℃、縦延伸倍
率3.5倍、横延伸温度120℃、横延伸倍率3.8倍で
逐次二軸延伸し、205℃で10秒間熱固定し、厚さ
50μのフイルムのフイルムを得た。このフイルム
は巻きとる為に所定の巾にスリツトしたのち、エ
ンボスロールの温度140℃で両端にそれぞれ10mm
づつエンボス加工を行い２〜10μmの高さの凹凸
をつけた。当該フイルムはエンボス加工なしには
巻きとることはできなかつた。 かかるフイルムを用いてパーマロイ金属
（Fe18％wt、Ni78wt％、Mo4wt％）を前述の第
１図の対向ターゲツトスパツタ装置を用い、スパ
ツタリング法で0.4μmの厚さに形成した。 以下の実施例、比較例はいずれも膜堆積速度
0.5μm／min、支持ドラム４１ｂの温度50℃で行
い、フイルムのエンボス加工した両端部は15mmの
マスクを取りつけることにより、熱輻射による損
傷を防止するようにした。 フイルム巾24cm、支持ドラム４１ｂの巾を30cm
としスパツタリングを行つた。結果を表１に示
す。
【表】
スパツタングはフイルムの張力を変えて、10
cm／minの速度で移送しつつ行つた。フイルム張
力が少なくともフイルムの平坦部を支持ドラムに
密着させるに十分な大きさの場合はフイルムが溶
断することなく良好にパーマロイ膜が形成された
（実施例１）。一方フイルム張力が小さく密着が十
分でない場合（比較例１〜３）はいずれもフイル
ムにシワが入り溶断した。 実施例 ２〜４ 前述の実施例１において冷却ドラムの巾を22cm
に変え、第２図に示すようにフイルム基板４０の
エンボス加工部４０ａ（図の斜線部）が支持ドラ
ム４１ｂの外に出て、フイルムの両端部のエンボ
ス加工部４０ａ以外の平坦部４０ｂのみが支持ド
ラムに接するようにすると共に、張力を前述の比
較例１〜３と同じように２Kg，３Kg，10Kgに変え
てスパツタリングを行つたところ、いずれも良好
にスパツタができ、所望のパーマロイ薄膜を連続
形成できた。
cm／minの速度で移送しつつ行つた。フイルム張
力が少なくともフイルムの平坦部を支持ドラムに
密着させるに十分な大きさの場合はフイルムが溶
断することなく良好にパーマロイ膜が形成された
（実施例１）。一方フイルム張力が小さく密着が十
分でない場合（比較例１〜３）はいずれもフイル
ムにシワが入り溶断した。 実施例 ２〜４ 前述の実施例１において冷却ドラムの巾を22cm
に変え、第２図に示すようにフイルム基板４０の
エンボス加工部４０ａ（図の斜線部）が支持ドラ
ム４１ｂの外に出て、フイルムの両端部のエンボ
ス加工部４０ａ以外の平坦部４０ｂのみが支持ド
ラムに接するようにすると共に、張力を前述の比
較例１〜３と同じように２Kg，３Kg，10Kgに変え
てスパツタリングを行つたところ、いずれも良好
にスパツタができ、所望のパーマロイ薄膜を連続
形成できた。
第１図は本発明の実施例に用いた対向ターゲツ
トスパツタ装置の説明図、第２図は支持ドラム部
の正面図である。 １０：真空槽、２０：排気系、３０：ガス導入
系、４０：基板、５０：電源、T1，T2：ターゲ
ツト。
トスパツタ装置の説明図、第２図は支持ドラム部
の正面図である。 １０：真空槽、２０：排気系、３０：ガス導入
系、４０：基板、５０：電源、T1，T2：ターゲ
ツト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 長尺の高分子フイルムを基板とし、基板をロ
ール・ツ・ロール方式で移送しつつ、支持体に支
持された基板上に真空中で連続的に薄膜を形成す
る薄膜形成方法において、基板の高分子フイルム
を端部に微小な凹凸をつけたものとすると共に、
基板の平坦部を支持体に密着させつつ移送して薄
膜を形成することを特徴とする薄膜形成方法。 ２ 基板の平坦部が支持体に接する一方、その微
小な凹凸をつけた端部は支持体に接しないように
基板を移送する特許請求の範囲第１項記載の薄膜
形成方法。 ３ 基板の巾を支持体の巾より大きくし、前記端
部が支持体外に位置するように移送する特許請求
の範囲第２項記載の薄膜形成方法。 ４ 基板の前記端部に薄膜が形成されないように
マスクした特許請求の範囲第１項、第２項若しく
は第３項記載の薄膜形成方法。 ５ 支持体が回転ドラムである特許請求の範囲第
１項、第２項、第３項若しくは第４項記載の薄膜
形成方法。 ６ 薄膜が物理的堆積法若しくは化学的堆積法に
より形成される特許請求の範囲第１項、第２項、
第３項、第４項若しくは第５項記載の薄膜形成方
法。 ７ 形成される薄膜が磁気記録層である特許請求
の範囲第１項、第２項、第３項、第４項、第５項
若しくは第６項記載の薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17317484A JPS6152361A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17317484A JPS6152361A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6152361A JPS6152361A (ja) | 1986-03-15 |
| JPH0450384B2 true JPH0450384B2 (ja) | 1992-08-14 |
Family
ID=15955461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17317484A Granted JPS6152361A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6152361A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009179446A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Fujifilm Corp | 巻取装置および巻取部材の作製方法 |
| JP6252401B2 (ja) * | 2014-08-18 | 2017-12-27 | 住友金属鉱山株式会社 | 成膜方法及びそれを用いた金属膜付樹脂フィルムの製造方法 |
| CN107815662B (zh) * | 2017-12-08 | 2019-03-15 | 苏州矩阵光电有限公司 | 一种薄膜转移装置及其使用方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5482161U (ja) * | 1977-11-18 | 1979-06-11 |
-
1984
- 1984-08-22 JP JP17317484A patent/JPS6152361A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6152361A (ja) | 1986-03-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |