JPS6152361A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
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- JPS6152361A JPS6152361A JP17317484A JP17317484A JPS6152361A JP S6152361 A JPS6152361 A JP S6152361A JP 17317484 A JP17317484 A JP 17317484A JP 17317484 A JP17317484 A JP 17317484A JP S6152361 A JPS6152361 A JP S6152361A
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- Japan
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- film
- substrate
- thin film
- roll
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［利用分野］
本発明は、高分子フィルムの基板上にロール・ッ・ロー
ルで連続的に真空中で薄膜を形成する薄膜形成方法の改
良に関し、薄膜型磁気記録媒体、透明導電性フィルム、
熱線反射フィルム、太陽電池等の薄膜機能素子等の製造
に適用でき、特に基板に表面の平坦な高分子フィルムを
要求される薄膜型磁気記録媒体の製造に好適なものであ
る。
ルで連続的に真空中で薄膜を形成する薄膜形成方法の改
良に関し、薄膜型磁気記録媒体、透明導電性フィルム、
熱線反射フィルム、太陽電池等の薄膜機能素子等の製造
に適用でき、特に基板に表面の平坦な高分子フィルムを
要求される薄膜型磁気記録媒体の製造に好適なものであ
る。
［従来技術］
上述の通り、多方面に適用できるものであるが、以下薄
膜型磁気記録媒体の製造を例に説明する。
膜型磁気記録媒体の製造を例に説明する。
上述の薄膜型磁気記録媒体は、近年高密度磁気記録用媒
体として注目され、既に多くの提案がある。例えば特開
昭５４−１４７０１０号公報にはＣＯの蒸着膜が、特公
昭５８−９１号公報にはｃｏ−Ｃｒ合金のスパッタ膜か
らなる垂直磁化膜が開示されている。
体として注目され、既に多くの提案がある。例えば特開
昭５４−１４７０１０号公報にはＣＯの蒸着膜が、特公
昭５８−９１号公報にはｃｏ−Ｃｒ合金のスパッタ膜か
らなる垂直磁化膜が開示されている。
このような蒸着、スパッタ又はイオンブレーティング等
の薄膜形成手段によって形成される金属薄膜は、厚みが
１．．５Ｍ以下にもかかわらず、磁性層の厚みが３μｍ
以上である従来の塗布型記録媒体の性能を示す。
の薄膜形成手段によって形成される金属薄膜は、厚みが
１．．５Ｍ以下にもかかわらず、磁性層の厚みが３μｍ
以上である従来の塗布型記録媒体の性能を示す。
しかしながら形成される金属薄膜厚さが薄く、基板の表
面状態（表面凹凸）がそのまま磁性膜の凹凸として発現
し、スペーシングロスやドロップアウトの原因となる。
面状態（表面凹凸）がそのまま磁性膜の凹凸として発現
し、スペーシングロスやドロップアウトの原因となる。
従って、電磁変換特性（再生出力、エラー）の観点から
は、基板の表面状態が出来るだけ平滑であることが好ま
しい。
は、基板の表面状態が出来るだけ平滑であることが好ま
しい。
一方、基板に高分子樹脂フィルムを用いる場合、フィル
ム巻取１巻出しといったハンドリングの観点から、フィ
ルム表面が平滑であると、フィルム−フィルム相互の滑
り性が悪くブロッキング現象が発生し、製品にはなり得
す、ベースフィルム表面が粗であることが要求される。
ム巻取１巻出しといったハンドリングの観点から、フィ
ルム表面が平滑であると、フィルム−フィルム相互の滑
り性が悪くブロッキング現象が発生し、製品にはなり得
す、ベースフィルム表面が粗であることが要求される。
このように薄膜型の磁気記録媒体には、基板に関し、電
磁変換特性を向上させようとすれば、そのハンドリング
性、走行性が悪化するという問題がある。
磁変換特性を向上させようとすれば、そのハンドリング
性、走行性が悪化するという問題がある。
［発明の目的］
本発明はかかる現状に鑑みなされたもので、非常に平坦
な高分子フィルムを基板としても安定してロール・ツ・
ロールで連続的に薄膜が形成できる薄膜形成方法を目的
とするものである。
な高分子フィルムを基板としても安定してロール・ツ・
ロールで連続的に薄膜が形成できる薄膜形成方法を目的
とするものである。
［本発明の構成及び作用］
上述の目的は、以下の本発明により達成される。
すなわち、本発明は、長尺の高分子フィルムを基板とし
、基板をロール・ツ・ロール方式で移送しつつ、支持体
に支持された基板上に真空中で連続的に薄膜を形成する
薄膜形成方法において、基板の高分子フィルムを端部に
微小な凹凸をつけたものとすると共に、少なくとも基板
の平坦部を支持体に密着させつつ移送して薄膜を形成す
ることを特徴とする薄膜形成方法である。
、基板をロール・ツ・ロール方式で移送しつつ、支持体
に支持された基板上に真空中で連続的に薄膜を形成する
薄膜形成方法において、基板の高分子フィルムを端部に
微小な凹凸をつけたものとすると共に、少なくとも基板
の平坦部を支持体に密着させつつ移送して薄膜を形成す
ることを特徴とする薄膜形成方法である。
なお、ロール・ツ・ロール方式とは、ロールにした基板
から巻き戻しつつ移送し、再びロールに巻き上げる移送
方式のことである。
から巻き戻しつつ移送し、再びロールに巻き上げる移送
方式のことである。
ところで、上述の本発明は、表面が非常に平坦な高分子
フィルムを基板とした場合でも、端部に微小な凹凸をつ
けたものではロールにしても真空中で安定した取扱いが
でき、少なくその平坦部を支持体とし密着させて温度制
御可能とすれば、安定な膜形成ができることを見出しな
されたものである。
フィルムを基板とした場合でも、端部に微小な凹凸をつ
けたものではロールにしても真空中で安定した取扱いが
でき、少なくその平坦部を支持体とし密着させて温度制
御可能とすれば、安定な膜形成ができることを見出しな
されたものである。
従来表面の平坦なフィルムを巻きとるための一つの方法
としてその端部に凹凸加工すること−即ちエンボス加工
、ナーリング加工はよ（知られていた。しかしながらか
かるフィルムをベースフィルムとして真空中に挿入し、
かつ連続的に移送しつつ薄膜を形成したところつきのよ
うな問題が見出された。即ち （１）冷却ロールあるいは冷却板等の支持体との密着性
が悪く、薄膜形成時に受ける熱にフィルムが耐えること
ができないことおよび （２）巻き取ったロール状のフィルムを真空中に挿入し
たときフィルムのロールの中央部にががる圧力によりロ
ールの中央部がふくらみフィルムの変形が大きくシワ、
伸び等の欠陥を発生ずること（３）薄膜形成俄のフィル
ムロールを大気中に取り出す際にも（２）と同様の原因
により中央部がへこみフィルムの永久変形を引き起すと
ともに、形成した薄膜に傷、クラック等の欠点を発生す
ることなどである。しかしながら本発明者らはかがる問
題点について鋭意検討の結果これらの問題は以下の通り
解決可能であることを見出した。
としてその端部に凹凸加工すること−即ちエンボス加工
、ナーリング加工はよ（知られていた。しかしながらか
かるフィルムをベースフィルムとして真空中に挿入し、
かつ連続的に移送しつつ薄膜を形成したところつきのよ
うな問題が見出された。即ち （１）冷却ロールあるいは冷却板等の支持体との密着性
が悪く、薄膜形成時に受ける熱にフィルムが耐えること
ができないことおよび （２）巻き取ったロール状のフィルムを真空中に挿入し
たときフィルムのロールの中央部にががる圧力によりロ
ールの中央部がふくらみフィルムの変形が大きくシワ、
伸び等の欠陥を発生ずること（３）薄膜形成俄のフィル
ムロールを大気中に取り出す際にも（２）と同様の原因
により中央部がへこみフィルムの永久変形を引き起すと
ともに、形成した薄膜に傷、クラック等の欠点を発生す
ることなどである。しかしながら本発明者らはかがる問
題点について鋭意検討の結果これらの問題は以下の通り
解決可能であることを見出した。
すなわち冷却ドラムや冷却板等の支持体とフィルムとの
密着性についてはフィルムの凹凸を設（ブた両端部を除
いた平坦部と支持体との密着性が確保されれば膜形成に
は支承がなく、フィルム移送時の張力を十分かけること
により向上できることを見出した。なお、フィルムの巾
が広い場合には張力は小さくできる。またとくに端部に
つけた凹凸の高さが大きく張力を強くかけることによっ
ても密着を十分になしえない場合や、フィルムの巾が狭
い場合、あるいはフィルムに十分な張力をかけることが
できない場合などはフィルム巾より狭いあるいは表面に
端部が通る溝部を形成した冷却ドラム又は、冷却板を用
い、前記端部がこれらに接しないで前記平坦部のみが接
するようにすればよいことが見出された。さらに真空排
気又は破壊の際にフィルムが圧力を受けて中央部がへこ
む現象に対しては、排気の速度、破壊の速度を十分ゆっ
くり行うことにより、端部の凹凸部によって保持されて
いるフィルム間の間隔を真空中あるいは／および大気中
でも保持できる。
密着性についてはフィルムの凹凸を設（ブた両端部を除
いた平坦部と支持体との密着性が確保されれば膜形成に
は支承がなく、フィルム移送時の張力を十分かけること
により向上できることを見出した。なお、フィルムの巾
が広い場合には張力は小さくできる。またとくに端部に
つけた凹凸の高さが大きく張力を強くかけることによっ
ても密着を十分になしえない場合や、フィルムの巾が狭
い場合、あるいはフィルムに十分な張力をかけることが
できない場合などはフィルム巾より狭いあるいは表面に
端部が通る溝部を形成した冷却ドラム又は、冷却板を用
い、前記端部がこれらに接しないで前記平坦部のみが接
するようにすればよいことが見出された。さらに真空排
気又は破壊の際にフィルムが圧力を受けて中央部がへこ
む現象に対しては、排気の速度、破壊の速度を十分ゆっ
くり行うことにより、端部の凹凸部によって保持されて
いるフィルム間の間隔を真空中あるいは／および大気中
でも保持できる。
これらの速度はフィルム巾、端部の凹凸の高さにより適
宜決定すればよい。即ちフィルム巾が広い場合、あるい
は凹凸が低いときは十分遅い速度で排気又は破壊を行う
ことにより巻いたフィルムの外側とフィルム間の間隔内
での状態−圧力を均一に保つことができる。この場合フ
ィルムの表裏にかかる圧力は同じであるためフィルムは
表裏のいずれからも力を受けずその状態を大気中、真空
中のいずれにおいても保つことができる。
宜決定すればよい。即ちフィルム巾が広い場合、あるい
は凹凸が低いときは十分遅い速度で排気又は破壊を行う
ことにより巻いたフィルムの外側とフィルム間の間隔内
での状態−圧力を均一に保つことができる。この場合フ
ィルムの表裏にかかる圧力は同じであるためフィルムは
表裏のいずれからも力を受けずその状態を大気中、真空
中のいずれにおいても保つことができる。
また上述の本発明の可撓性高分子樹脂の基板には、ポリ
エチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ナイロ
ン６等のポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレン−２，６−ナフタレート等のポリエステルそ
の他の熱可塑性樹脂フィルムが適用できる。中でも、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリエチレン−２，６−ナ
フタレートは、低コストで寸法安定性２表面性、耐熱性
ｉｌｌｌｌ性的特性れている点で好ましい。
エチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ナイロ
ン６等のポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレン−２，６−ナフタレート等のポリエステルそ
の他の熱可塑性樹脂フィルムが適用できる。中でも、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリエチレン−２，６−ナ
フタレートは、低コストで寸法安定性２表面性、耐熱性
ｉｌｌｌｌ性的特性れている点で好ましい。
ところで、本方法をＭｌ！型磁気記録媒体に適用する場
合には強磁性薄膜としては公知のものが全てが適用でき
る。すなわち、従来から開発の盛んな長手記録用のｌ”
ｅ、Ｎｉ、ｃｏ及びこれらの合金膜からなる蒸着膜等は
勿論、最近その高密度記録可能性から注目されている垂
直磁気記録方式（特公昭５ｇ−１０７６４号公報参照）
に用いる膜面に垂直方向に磁化容易軸を発現させたＣｏ
−０ｒの合金膜等からなる垂直磁化膜〈特公昭５８−９
１号公報参照）等にも適用できる。
合には強磁性薄膜としては公知のものが全てが適用でき
る。すなわち、従来から開発の盛んな長手記録用のｌ”
ｅ、Ｎｉ、ｃｏ及びこれらの合金膜からなる蒸着膜等は
勿論、最近その高密度記録可能性から注目されている垂
直磁気記録方式（特公昭５ｇ−１０７６４号公報参照）
に用いる膜面に垂直方向に磁化容易軸を発現させたＣｏ
−０ｒの合金膜等からなる垂直磁化膜〈特公昭５８−９
１号公報参照）等にも適用できる。
特にフレキシブルディスクを目的とし、両面に磁気記録
層を形成さす場合は、テープのようにバックコートによ
り走行性を確保することはできず本発明の意義は大きく
、さらに記録層が前述の垂直磁気記録層である場合、線
記録密度、トラック密度共に高くすることが可能であり
、Ｄｌｏや走行耐久性の観点より本発明の効果は著しい
。
層を形成さす場合は、テープのようにバックコートによ
り走行性を確保することはできず本発明の意義は大きく
、さらに記録層が前述の垂直磁気記録層である場合、線
記録密度、トラック密度共に高くすることが可能であり
、Ｄｌｏや走行耐久性の観点より本発明の効果は著しい
。
なお、上述薄膜の形成手段としては、従来より公知の真
空蒸着法、イオンブレーティング法、スパッタ法等の物
理的堆積法が適用できる。中でもポリエステルを基板と
し、前述の垂直磁気記録層を形成して垂直磁気記録媒体
を得るには低温膜形成が可能で、且つ垂直異方性膜形成
が安定にできるという点からマグネトロン式スパッタ法
、あるいは特開昭５７−１５８３８０号公報等に開示の
対向ターゲット式スパッタ法が好ましい。
空蒸着法、イオンブレーティング法、スパッタ法等の物
理的堆積法が適用できる。中でもポリエステルを基板と
し、前述の垂直磁気記録層を形成して垂直磁気記録媒体
を得るには低温膜形成が可能で、且つ垂直異方性膜形成
が安定にできるという点からマグネトロン式スパッタ法
、あるいは特開昭５７−１５８３８０号公報等に開示の
対向ターゲット式スパッタ法が好ましい。
フィルム端部に凹凸をつける加工法は通常のエンボス加
工法が用いられる。本発明でいうエンボス加工はすでに
述べた様に表面が平坦で摩擦係数が大きく通常の巻きと
りができないフィルムを巻きとるためなされる加工であ
るから、その目的から考えてエンボス加工の巾は狭い方
が好ましい。
工法が用いられる。本発明でいうエンボス加工はすでに
述べた様に表面が平坦で摩擦係数が大きく通常の巻きと
りができないフィルムを巻きとるためなされる加工であ
るから、その目的から考えてエンボス加工の巾は狭い方
が好ましい。
またその高さ、巾あるいは形状はフィルムの種類、厚さ
、巾などから最適の組合せが選ばれるべきであるが、本
発明の趣旨から、特に限定されないが、実用上通常は凹
凸の高さがフィルム厚さの５〜４０％の範囲で適宜選択
される。また必ずしも両端に加工しである必要もない。
、巾などから最適の組合せが選ばれるべきであるが、本
発明の趣旨から、特に限定されないが、実用上通常は凹
凸の高さがフィルム厚さの５〜４０％の範囲で適宜選択
される。また必ずしも両端に加工しである必要もない。
以上、上述の本発明の詳細を実施例に基いて説明する。
第１図は本発明の実施に用いた対向ターゲラ［一式スパ
ッタ装置の構造図である。
ッタ装置の構造図である。
図から明らかな通り、本装置は前述の特開昭５７−１５
８３８０号公報で公知の対向ターゲット式スバツタ装置
とし基本的に同じ構成となっている。
８３８０号公報で公知の対向ターゲット式スバツタ装置
とし基本的に同じ構成となっている。
すなわち、図において１０は真空槽、２０は真空槽１０
を排気する真空ポンプ等からなる排気系、３０は真空槽
１０内に所定のガスを導入して真空槽１０内の圧力を１
０〜１〜１０刊Ｔ ｏｒｒ程度の所定のガス圧力に設定
するガス導入系である。
を排気する真空ポンプ等からなる排気系、３０は真空槽
１０内に所定のガスを導入して真空槽１０内の圧力を１
０〜１〜１０刊Ｔ ｏｒｒ程度の所定のガス圧力に設定
するガス導入系である。
そして、真空槽１０内には、図示の如く真空槽１０の側
板１１．１２に絶縁部材１３．１４を介して固着された
ターゲットボルダ−１５，１６により１対のターゲット
Ｔ＋ 、Ｔ２が、そのスパッタされる面Ｔ＋ｓ。
板１１．１２に絶縁部材１３．１４を介して固着された
ターゲットボルダ−１５，１６により１対のターゲット
Ｔ＋ 、Ｔ２が、そのスパッタされる面Ｔ＋ｓ。
Ｔ２Ｓを空間を隔てて平行に対面するように配設しであ
る。そして、ターゲットＴ＋ 、Ｔ２とそれに対応する
ターゲットホルダー１５．１６は、冷水パイプ１５１．
１６１を介して冷却水によりターゲットＴ＋ 、Ｔ２
、永久磁石１５２．１６２が冷却される。
る。そして、ターゲットＴ＋ 、Ｔ２とそれに対応する
ターゲットホルダー１５．１６は、冷水パイプ１５１．
１６１を介して冷却水によりターゲットＴ＋ 、Ｔ２
、永久磁石１５２．１６２が冷却される。
磁石１５２．１６２はターゲットＴＩ、Ｔ２を介してＮ
極、Ｓ極が対向するように設けてあり、従って磁界はタ
ーゲットＴＩ、Ｔ２に垂直な方向に、かつターゲット間
のみに形成される。なお、１７．１８は絶縁部材１３．
１４及びターゲットホルダー１５．１６をスパッタリン
グ時のプラズマ粒子から保護するためとターゲット表面
以外の部分の異常放電を防止するためのシールドである
。
極、Ｓ極が対向するように設けてあり、従って磁界はタ
ーゲットＴＩ、Ｔ２に垂直な方向に、かつターゲット間
のみに形成される。なお、１７．１８は絶縁部材１３．
１４及びターゲットホルダー１５．１６をスパッタリン
グ時のプラズマ粒子から保護するためとターゲット表面
以外の部分の異常放電を防止するためのシールドである
。
また、磁性薄膜が形成される基板４０を保持する基板保
持手段４１は、真空槽１０内のターゲラｈＴ＋ 。
持手段４１は、真空槽１０内のターゲラｈＴ＋ 。
Ｔ２の側方に設けられ、以下の通り基板４０をロール・
ツ・ロールで移送するようにしである。基板保持手段４
１は、図示省略した支持ブラケットにより夫々回転自在
かつ互いに軸平行に支持された繰り出しロール４１ａ１
支持ロール４１ｂ１巻取ロール４１ｃの３個のロールか
らなり、基板４０をターゲットＴ＋ 、Ｔ２間の空間に
対面するようにスパッタ面ＴＩＳ、Ｔ２Ｓに対して略直
角方向に保持するように配置しである。従って基板４０
は巻取りロール４１ｃによりスパッタ面ＴＩＳ、Ｔ２Ｓ
に対して直角方向に移動可能である。なお、支持ロール
４１ｂは基板４０の温度を制御するためその表面温度が
調節可能となっている。
ツ・ロールで移送するようにしである。基板保持手段４
１は、図示省略した支持ブラケットにより夫々回転自在
かつ互いに軸平行に支持された繰り出しロール４１ａ１
支持ロール４１ｂ１巻取ロール４１ｃの３個のロールか
らなり、基板４０をターゲットＴ＋ 、Ｔ２間の空間に
対面するようにスパッタ面ＴＩＳ、Ｔ２Ｓに対して略直
角方向に保持するように配置しである。従って基板４０
は巻取りロール４１ｃによりスパッタ面ＴＩＳ、Ｔ２Ｓ
に対して直角方向に移動可能である。なお、支持ロール
４１ｂは基板４０の温度を制御するためその表面温度が
調節可能となっている。
一方、スパッタ電力を供給する直流電源からなる電力供
給手段５０はプラス側をアースに、マイナス側をターゲ
ットＴ＋ 、Ｔ２に夫々接続する。従って電力供給手段
５０からのスパッタ電力は、アースをアノードとし、タ
ーゲットＴ＋ 、Ｔ２をカソードとして、アノード、カ
ソード間に供給される。
給手段５０はプラス側をアースに、マイナス側をターゲ
ットＴ＋ 、Ｔ２に夫々接続する。従って電力供給手段
５０からのスパッタ電力は、アースをアノードとし、タ
ーゲットＴ＋ 、Ｔ２をカソードとして、アノード、カ
ソード間に供給される。
なお、プレスパッタ時基板４０を保護するため、基板４
０とターゲットＴ＋ 、Ｔ２との間に出入するシャッタ
ー（図示省略）が設けである。
０とターゲットＴ＋ 、Ｔ２との間に出入するシャッタ
ー（図示省略）が設けである。
以上の通り、前述の特開昭５７−１５８３８０号公報の
ものと基本的には同じ構成であり、公知の通り高速低温
スパッタが可能となる。すなわち、ターゲットＴ＋ 、
Ｔ２間の空間に、磁界の作用によりスパッタガスイオン
、スパッタにより放出されたγ電子等が束縛され高密度
ブセズマが形成される。
ものと基本的には同じ構成であり、公知の通り高速低温
スパッタが可能となる。すなわち、ターゲットＴ＋ 、
Ｔ２間の空間に、磁界の作用によりスパッタガスイオン
、スパッタにより放出されたγ電子等が束縛され高密度
ブセズマが形成される。
従って、ターゲットＬ、Ｔ２のスパッタが促進されて前
記空間より析出量が増大し、基板４０上への堆積速度が
増し高度スパッタが出来る上、基板４０がターゲットＴ
＋ 、Ｔ２の側方にあるので低温スパッタも出来る。
記空間より析出量が増大し、基板４０上への堆積速度が
増し高度スパッタが出来る上、基板４０がターゲットＴ
＋ 、Ｔ２の側方にあるので低温スパッタも出来る。
なお、本発明の対向ターゲット式スパッタ法は、前述の
装置のものに限定されるものでなく、前述の通り一対の
対面させたターゲットの側方に基板を配し、ターゲット
間に垂直方向の磁界を印加してスパッタし、基板上に膜
を形成するスパッタ法を云う。従って、磁界発生手段も
永久磁石でなく、電磁石を用いても良い。また、磁界も
ターゲット間の空間にγ電子等を閉じ込めるものであれ
ば良く、従ってターゲット全面でなく、ターゲット周囲
のみに発生させた場合も含む。なお、第１図で基板４０
の走行方向（ＭＤ）は、ターゲットＴ＋。
装置のものに限定されるものでなく、前述の通り一対の
対面させたターゲットの側方に基板を配し、ターゲット
間に垂直方向の磁界を印加してスパッタし、基板上に膜
を形成するスパッタ法を云う。従って、磁界発生手段も
永久磁石でなく、電磁石を用いても良い。また、磁界も
ターゲット間の空間にγ電子等を閉じ込めるものであれ
ば良く、従ってターゲット全面でなく、ターゲット周囲
のみに発生させた場合も含む。なお、第１図で基板４０
の走行方向（ＭＤ）は、ターゲットＴ＋。
Ｔ２の対向方向すなわち永久磁石１５２．１６２からな
る磁界発生装置により生ずる磁束φの方向とほぼ同じ方
向になる。
る磁界発生装置により生ずる磁束φの方向とほぼ同じ方
向になる。
さらに本発明の薄膜形成方法は実施例に用いた対向ター
ゲットのみに限定されるものでなく通常の物理的堆積法
、例えばマグネトロン方式スパタリング、真空蒸看、２
極又は３極スパタリング。
ゲットのみに限定されるものでなく通常の物理的堆積法
、例えばマグネトロン方式スパタリング、真空蒸看、２
極又は３極スパタリング。
イオンブレーティングなどの方法や、化学的堆積法、例
えばＣＶＤ法などにも適用できることはいうまでもない
。
えばＣＶＤ法などにも適用できることはいうまでもない
。
次に上述の対向ターゲット式スパッタ装置により実施し
た本発明に係わる薄膜形成方法の実施例を説明する。
た本発明に係わる薄膜形成方法の実施例を説明する。
［実施例１．比較例１〜３］
ジメチルテレフタレートに対し触媒として酢酸マンガン
４０ミリモル％、三酸化アンチモン２０ミリモル％、亜
リン酸４０ミリモル％を加えてエステル交換させ固有粘
度η−０，６５（Ｑ−クロロフェノールを溶媒として用
い２５℃で測定した値）のポリエチレンテレフタレート
を得た。このポリエチレンテレフタレートを１６０℃で
乾燥し、２８０℃で溶融押出し、４０℃に保持したキャ
スティングドラム上に急冷固化せしめて厚さ６５０μｍ
の未延伸フ、ｒルムを得た。
４０ミリモル％、三酸化アンチモン２０ミリモル％、亜
リン酸４０ミリモル％を加えてエステル交換させ固有粘
度η−０，６５（Ｑ−クロロフェノールを溶媒として用
い２５℃で測定した値）のポリエチレンテレフタレート
を得た。このポリエチレンテレフタレートを１６０℃で
乾燥し、２８０℃で溶融押出し、４０℃に保持したキャ
スティングドラム上に急冷固化せしめて厚さ６５０μｍ
の未延伸フ、ｒルムを得た。
該未延伸フィルムを縦延伸湿度９０℃、縦延伸倍率３．
５倍、横延伸温度１２０℃、横延伸倍率３．８倍で逐次
二軸延伸し、２０５℃で１０秒間熱固定し、厚さ５０μ
のフィルムを得た。このフィルムは巻きとる為に所定の
巾にスリットしたのち、エンボスロールの温度１４０℃
で両端にそれぞれＩＯＭづつエンボス加工を行い２〜１
０μｍの高さの凹凸をつ（プた。
５倍、横延伸温度１２０℃、横延伸倍率３．８倍で逐次
二軸延伸し、２０５℃で１０秒間熱固定し、厚さ５０μ
のフィルムを得た。このフィルムは巻きとる為に所定の
巾にスリットしたのち、エンボスロールの温度１４０℃
で両端にそれぞれＩＯＭづつエンボス加工を行い２〜１
０μｍの高さの凹凸をつ（プた。
当該フィルムはエンボス加工なしには巻きとることはで
きなかった。
きなかった。
かかるフィルムを用いてパーマロイ金属（Ｆｅ１８％ｗ
ｔ、 Ｎ ｉ７８ ’＊ｔ％、Ｍｏ４ｗｔ％）を前述の
第１図の対向ターゲットスパッタ装置を用い、スパタリ
ング法で０．４μｍの厚さに形成した。
ｔ、 Ｎ ｉ７８ ’＊ｔ％、Ｍｏ４ｗｔ％）を前述の
第１図の対向ターゲットスパッタ装置を用い、スパタリ
ング法で０．４μｍの厚さに形成した。
以下の実施例、比較例はいずれも膜堆積速度０−”μｍ
／ｍｉｎ 、支持ドラム４１ｂの温度５０℃で行い、フ
ィルムのエンボス加工した両端部は１５Ｉｒｇｎのマス
クを取りつけることにより、熱輻射による損傷を防止す
るようにした。
／ｍｉｎ 、支持ドラム４１ｂの温度５０℃で行い、フ
ィルムのエンボス加工した両端部は１５Ｉｒｇｎのマス
クを取りつけることにより、熱輻射による損傷を防止す
るようにした。
フィルム巾２４Ｃｔｎ、支持ドラ４１ｂの巾を３０ Ｃ
，とじスパッタリングを行った。結果を表１に示す。
，とじスパッタリングを行った。結果を表１に示す。
表 １
スパッタリングはフィルムの張力を変えて、１０Ｃｍ／
１ｎの速度で移送しつつ行った。フィルム張力が少なく
ともフィルムの平坦部を支持ドラムに密着させるに十分
な大きさの場合はフィルムが溶断することなく良好にパ
ーマロイ膜が形成された（実施例１）。一方フイルム張
力が小さく密着が十分でない場合（比較例１〜３）はい
ずれもフィルムにシワが入り溶断した。
１ｎの速度で移送しつつ行った。フィルム張力が少なく
ともフィルムの平坦部を支持ドラムに密着させるに十分
な大きさの場合はフィルムが溶断することなく良好にパ
ーマロイ膜が形成された（実施例１）。一方フイルム張
力が小さく密着が十分でない場合（比較例１〜３）はい
ずれもフィルムにシワが入り溶断した。
［実施例２〜４］
前述の実施例１において冷却ドラムの巾を２２ ｃｍに
変え、第２図に示すようにフィルム基板４０のエンボス
加工部４０ａ（図の斜線部）が支持ドラム４１ｂの外に
出て、フィルムの両端部のエンボス加工部４０ａ以外の
平坦部４０ｂのみが支持ドラムに接するようにすると共
に、張力を前述の比較例１〜３ど同じように２Ｋｇ、
３Ｋｙ、 １０？ｃｙに変えてスパッタリングを行った
ところ、いずれも良好にスパッタができ、所望のパーマ
ロイ薄膜を連続形成できた。
変え、第２図に示すようにフィルム基板４０のエンボス
加工部４０ａ（図の斜線部）が支持ドラム４１ｂの外に
出て、フィルムの両端部のエンボス加工部４０ａ以外の
平坦部４０ｂのみが支持ドラムに接するようにすると共
に、張力を前述の比較例１〜３ど同じように２Ｋｇ、
３Ｋｙ、 １０？ｃｙに変えてスパッタリングを行った
ところ、いずれも良好にスパッタができ、所望のパーマ
ロイ薄膜を連続形成できた。
第１図は本発明の実施に用いた対向ターゲットスパッタ
装置の説明図、第２図は支持ドラム部の正面図である。
装置の説明図、第２図は支持ドラム部の正面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、長尺の高分子フィルムを基板とし、基板をロール・
ツ・ロール方式で移送しつつ、支持体に支持された基板
上に真空中で連続的に薄膜を形成する薄膜形成方法にお
いて、基板の高分子フィルムを端部に微小な凹凸をつけ
たものとすると共に、少なくとも基板の平坦部を支持体
に密着させつつ移送して薄膜を形成することを特徴とす
る薄膜形成方法。 ２、基板の平坦部が支持体に接する一方、その微小な凹
凸をつけた端部は支持体に接しないように基板を移送す
る特許請求の範囲第１項記載の薄膜形成方法。 ３、基板の巾を支持体の巾より大きくし、前記端部が支
持体外に位置するように移送する特許請求の範囲第２項
記載の薄膜形成方法。 ４、基板の前記端部に薄膜が形成されないようにマスク
した特許請求の範囲第１項、第２項若しくは第３項記載
の薄膜形成方法。 ５、支持体が回転ドラムである特許請求の範囲第１項、
第２項、第３項若しくは第４項記載の薄膜形成方法。 ６、薄膜が物理的堆積法若しくは化学的堆積法により形
成される特許請求の範囲第１項、第２項、第３項、第４
項若しくは第５項記載の薄膜形成方法。 ７、形成される薄膜が磁気記録層である特許請求の範囲
第１項、第２項、第３項、第４項、第５項若しくは第６
項記載の薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17317484A JPS6152361A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17317484A JPS6152361A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6152361A true JPS6152361A (ja) | 1986-03-15 |
| JPH0450384B2 JPH0450384B2 (ja) | 1992-08-14 |
Family
ID=15955461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17317484A Granted JPS6152361A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6152361A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009179446A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Fujifilm Corp | 巻取装置および巻取部材の作製方法 |
| JP2016041840A (ja) * | 2014-08-18 | 2016-03-31 | 住友金属鉱山株式会社 | 成膜方法及びそれを用いた金属膜付樹脂フィルムの製造方法 |
| CN107815662A (zh) * | 2017-12-08 | 2018-03-20 | 苏州矩阵光电有限公司 | 一种薄膜转移装置及其使用方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5482161U (ja) * | 1977-11-18 | 1979-06-11 |
-
1984
- 1984-08-22 JP JP17317484A patent/JPS6152361A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5482161U (ja) * | 1977-11-18 | 1979-06-11 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009179446A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Fujifilm Corp | 巻取装置および巻取部材の作製方法 |
| JP2016041840A (ja) * | 2014-08-18 | 2016-03-31 | 住友金属鉱山株式会社 | 成膜方法及びそれを用いた金属膜付樹脂フィルムの製造方法 |
| CN107815662A (zh) * | 2017-12-08 | 2018-03-20 | 苏州矩阵光电有限公司 | 一种薄膜转移装置及其使用方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0450384B2 (ja) | 1992-08-14 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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