JPS59172163A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS59172163A JPS59172163A JP4631183A JP4631183A JPS59172163A JP S59172163 A JPS59172163 A JP S59172163A JP 4631183 A JP4631183 A JP 4631183A JP 4631183 A JP4631183 A JP 4631183A JP S59172163 A JPS59172163 A JP S59172163A
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- electrode
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度記録特性の優れた垂直磁気記録媒体を真
空蒸着法で作製するための垂直磁気記録媒体の製造方法
に関するものである。
空蒸着法で作製するための垂直磁気記録媒体の製造方法
に関するものである。
従来例の構成とその問題点
短波長記録特性の優れた磁気記録方式として垂直記録方
式がある。この方式においては、媒体の膜面に垂直方向
が磁化容易軸である垂直磁化膜が必要となる。垂直磁気
記録媒体は非強磁性基板上に直接に、あるいはパーマロ
イ等の軟磁性薄膜を介してＧＯとＯｒｆ主成分とし膜面
に垂直方向に磁化容易軸を有する磁性層を、スパッタリ
ング法おるいは真空蒸着法により形成したものである。
式がある。この方式においては、媒体の膜面に垂直方向
が磁化容易軸である垂直磁化膜が必要となる。垂直磁気
記録媒体は非強磁性基板上に直接に、あるいはパーマロ
イ等の軟磁性薄膜を介してＧＯとＯｒｆ主成分とし膜面
に垂直方向に磁化容易軸を有する磁性層を、スパッタリ
ング法おるいは真空蒸着法により形成したものである。
上記の磁性層に一般にＧｏ −Ｏｒ垂直磁化膜と呼ばれ
る。スパッタリング法は磁性薄膜の形成速度が遅いので
、低コストで垂直磁化膜を生産することが困難である。
る。スパッタリング法は磁性薄膜の形成速度が遅いので
、低コストで垂直磁化膜を生産することが困難である。
これに対し真空蒸着法によれば、数１０００人／秒以上
という速い形成速度でＧｏ −Ｏｒ垂直磁化膜が得られ
るので量産に適している。
という速い形成速度でＧｏ −Ｏｒ垂直磁化膜が得られ
るので量産に適している。
真空蒸着法にてＧｏ −Ｃｒ垂直磁化膜を作製する際に
は、基板温度が高い程特性の優れた膜が得られる。第１
図にＧｏ −Ｏｒ蒸着膜の膜面に垂直方向の保磁力Ｈｃ
と蒸着時の基板温度Ｔｓｕｂ との関係を示す。
は、基板温度が高い程特性の優れた膜が得られる。第１
図にＧｏ −Ｏｒ蒸着膜の膜面に垂直方向の保磁力Ｈｃ
と蒸着時の基板温度Ｔｓｕｂ との関係を示す。
Ｇｏ −Ｃｒ垂直磁化膜に記録された信号の再生量カバ
ＨＣの増加に従い大きくなる。すなわちＨｃ の大きな
Ｇｏ −Ｏｒ垂直磁化膜程、大きな再生出力を有する特
性の優れた膜と言える。実験の結果、充分な再生出力を
得るためには少なくとも６゜。６程度のＨａ が必要
でろることが明らかになった。第１図より、６０００ｅ
以上のＨＣを得るためには、Ｔｓｕｂ を約１５０
℃以上にしなければならないことが分る。従って基板と
してアルミニウム板やポリイミドあるいはポリアミドか
ら成る耐熱性高分子フィルムを使用する場合には、基板
温度を上げることにより容易に特性の優れたＧｏ −Ｃ
ｒ垂直磁化膜が得られる。しかし、現在磁電テープとし
て広く使用されているポリエチレンテレフタレートフィ
ルムは耐熱性が悪い為に、１５０℃以上にするととは不
可能である。
ＨＣの増加に従い大きくなる。すなわちＨｃ の大きな
Ｇｏ −Ｏｒ垂直磁化膜程、大きな再生出力を有する特
性の優れた膜と言える。実験の結果、充分な再生出力を
得るためには少なくとも６゜。６程度のＨａ が必要
でろることが明らかになった。第１図より、６０００ｅ
以上のＨＣを得るためには、Ｔｓｕｂ を約１５０
℃以上にしなければならないことが分る。従って基板と
してアルミニウム板やポリイミドあるいはポリアミドか
ら成る耐熱性高分子フィルムを使用する場合には、基板
温度を上げることにより容易に特性の優れたＧｏ −Ｃ
ｒ垂直磁化膜が得られる。しかし、現在磁電テープとし
て広く使用されているポリエチレンテレフタレートフィ
ルムは耐熱性が悪い為に、１５０℃以上にするととは不
可能である。
ポリエチレンテレフタレートフィルムが熱的ダメージを
受けずに使用可能な基板温度は約１００℃以下である。
受けずに使用可能な基板温度は約１００℃以下である。
すなわち従来の真空蒸着法では、基板トシてポリエチレ
ンテレフタレートフィルムを使用した場合には、５００
６ 以上のＨｃ を有する特性の優れたＣｏ −Ｃｒ
垂直磁化膜を作製することは不可能である。
ンテレフタレートフィルムを使用した場合には、５００
６ 以上のＨｃ を有する特性の優れたＣｏ −Ｃｒ
垂直磁化膜を作製することは不可能である。
発明の目的
本発明は真空蒸着法により、耐熱性の曹い基板上に特性
の優れたＧｏ −Ｃｒ垂直磁化膜を形成することを目的
とする。
の優れたＧｏ −Ｃｒ垂直磁化膜を形成することを目的
とする。
発明の構成
本発明は基板上にｃｏとＯｒを主成分とする垂直磁化膜
を真空蒸着法により形成する際に、蒸発源の近傍に蒸発
源及び基板ホルダに対して正電位の電極を配置すること
を特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法であり、本発
明の方法を用いることにより、耐熱性の悪い基板上に特
性の優れたＣｊｏ −Ｏｒ 垂直磁化膜が形成できる。
を真空蒸着法により形成する際に、蒸発源の近傍に蒸発
源及び基板ホルダに対して正電位の電極を配置すること
を特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法であり、本発
明の方法を用いることにより、耐熱性の悪い基板上に特
性の優れたＣｊｏ −Ｏｒ 垂直磁化膜が形成できる。
実施例の説明
以下に第２図〜第４図を用いて本発明の説明を行なう。
第２図は本発明の方法を実施する為の真空蒸着装置の１
例の概略図を示す。１は金属製の基板ホルダ、２は基板
、３は蒸発源、４は蒸発源及び基板ホルダに対して正電
位のループ状の電極であり、蒸発源の近傍に配置されて
いる。６は電極４に正電位を印加するための１源である
。第２図に示される真空蒸着装置にて、非強磁性基板上
地 にＣｏ −Ｃｒ垂直磁化膜を椎積した場合の、Ｈｅ’と
電極４の電位との関係の１例を第３図の曲線６に示す。
例の概略図を示す。１は金属製の基板ホルダ、２は基板
、３は蒸発源、４は蒸発源及び基板ホルダに対して正電
位のループ状の電極であり、蒸発源の近傍に配置されて
いる。６は電極４に正電位を印加するための１源である
。第２図に示される真空蒸着装置にて、非強磁性基板上
地 にＣｏ −Ｃｒ垂直磁化膜を椎積した場合の、Ｈｅ’と
電極４の電位との関係の１例を第３図の曲線６に示す。
ただし基板温度は３０℃としている。第３図の曲線６よ
り、電極４の一位が３００Ｖ以下では電位がＯの場合と
同程度のＨａ であるが、３ｏＯＶよりも大きくなると
Ｈａ が大きくなることがわかる。電極４の電位をｔ
ｓｏｏＶ以上にすると、５０００ｅ 以上のＨｅ
を有するＧｏ −Ｃｒ垂直磁化膜が、３０℃の基板温度
においても得られる。すなわち、従来の真空蒸着法では
基板温度が３０℃の場合に、５００ Ｗｅ 以上のＨ
ｃ を有するＧｏ−Ｃｒ垂直磁化膜が得らｎないのに
対し、本発明の方法６ベー２゛ では容易に得られる。このような現象が生じる原因はま
だ明らかではないが、次のように考えられる。電極４と
基板ホルダ１との間の電位差が大きくなると、両者間で
蒸発原子が放電状態になる。
り、電極４の一位が３００Ｖ以下では電位がＯの場合と
同程度のＨａ であるが、３ｏＯＶよりも大きくなると
Ｈａ が大きくなることがわかる。電極４の電位をｔ
ｓｏｏＶ以上にすると、５０００ｅ 以上のＨｅ
を有するＧｏ −Ｃｒ垂直磁化膜が、３０℃の基板温度
においても得られる。すなわち、従来の真空蒸着法では
基板温度が３０℃の場合に、５００ Ｗｅ 以上のＨ
ｃ を有するＧｏ−Ｃｒ垂直磁化膜が得らｎないのに
対し、本発明の方法６ベー２゛ では容易に得られる。このような現象が生じる原因はま
だ明らかではないが、次のように考えられる。電極４と
基板ホルダ１との間の電位差が大きくなると、両者間で
蒸発原子が放電状態になる。
放電１により生じたイオンが電極４と基板ホルダ１との
間の電界により、加速されて大きな運動エネルギーを持
って基板２に衝突する。その結果Ｃ０−Ｃｒ＠の特性が
良くなるものと思われる。なお従来の真空蒸着法で特性
の優れたＧｏ −Ｃｒ垂直磁化膜を作製するためには、
基板全体の温度を上昇させる必要があるために耐熱性の
悪い基板を使用することは不可能であったが本発明の方
法では温度上昇は基板表面に限られるので耐熱性の悪い
基板が使用できる。
間の電界により、加速されて大きな運動エネルギーを持
って基板２に衝突する。その結果Ｃ０−Ｃｒ＠の特性が
良くなるものと思われる。なお従来の真空蒸着法で特性
の優れたＧｏ −Ｃｒ垂直磁化膜を作製するためには、
基板全体の温度を上昇させる必要があるために耐熱性の
悪い基板を使用することは不可能であったが本発明の方
法では温度上昇は基板表面に限られるので耐熱性の悪い
基板が使用できる。
また、基板と蒸発源の間に電界を設ける方法としては本
発明の方法の他に基板側に電圧を加える方法が可能であ
るが、これは長尺媒体の生産には適さない。即ち基板側
に電圧を印加する手段として基板ホルダに電圧を印加す
ると電圧２００Ｖ程度以上では長尺媒体生産時に用いる
搬送ローラ。
発明の方法の他に基板側に電圧を加える方法が可能であ
るが、これは長尺媒体の生産には適さない。即ち基板側
に電圧を印加する手段として基板ホルダに電圧を印加す
ると電圧２００Ｖ程度以上では長尺媒体生産時に用いる
搬送ローラ。
巻取りローラ等で媒体面が接地されるとここで膜が放電
により破壊される。壕だ基板ホルダの出入口で基板ホル
ダと基板間の静電気力によって基板がなめらかに移動せ
ずにしわになったりする。これを防ぐ為には長尺媒体の
膜面が搬送系で接地されない様な構成にするか、或いは
媒体膜面が接する搬送糸ローラにも基板ホルダと同程度
の電圧を印加すること等が考えられる。しかしそうする
と巻増糸において媒体が帯電している為に巻きしわ等の
開門が発生する。この様に基板イロ１１に高い電圧全印
加すると様々な問題が発生するが、本発明の方法はこれ
に比べて実現が容易である。
により破壊される。壕だ基板ホルダの出入口で基板ホル
ダと基板間の静電気力によって基板がなめらかに移動せ
ずにしわになったりする。これを防ぐ為には長尺媒体の
膜面が搬送系で接地されない様な構成にするか、或いは
媒体膜面が接する搬送糸ローラにも基板ホルダと同程度
の電圧を印加すること等が考えられる。しかしそうする
と巻増糸において媒体が帯電している為に巻きしわ等の
開門が発生する。この様に基板イロ１１に高い電圧全印
加すると様々な問題が発生するが、本発明の方法はこれ
に比べて実現が容易である。
蒸発源としては抵抗加熱蒸発源、誘導加熱蒸発源、電子
ビーム蒸発源等があるが、電子ビーム蒸発源を使用した
場合に、最も安定に特性の優れたＧｏ −Ｏｒ垂直磁化
膜が得られた。
ビーム蒸発源等があるが、電子ビーム蒸発源を使用した
場合に、最も安定に特性の優れたＧｏ −Ｏｒ垂直磁化
膜が得られた。
第４図を用いて本発明のもう１つの実施例について説明
する。第４図に示される真空蒸着装置は正電位の電極４
以外に、該電極と基板ホルダ１との間に高周波電力を供
給するための電極７が配置されている。８は高周波電源
である。第４図に示さｎる真空蒸着装置にて蒸発原子を
高周波放電の状態にして、Ｇｏ−Ｏｒ垂直磁化膜を形成
すると第２図の装置を用いた場合よりも、更に特性の優
れた膜が得られる。第３図の曲線９は、第４図に示さ扛
る装置により作製されたＧｏ −Ｏｒ垂直磁化膜のＨａ
と電極４の電位との関係の１例を示す。ただし基板
温度は前と同様に３ｏ℃である。電極４の電位をｅｏｏ
ｖとした場合に、１００００ｅ 以上のＨａ ｆ有
するＧｏ −Ｏｒ垂直磁化膜が、３０’Ｃの基板温度に
おいても得られている。以上のように蒸発原子を高周波
放電の状態にすると膜の特性がよくなる原因は、高周波
放電のない場合に比べて、電離により生じるイオン数が
増加することにあるものと考えられる。
する。第４図に示される真空蒸着装置は正電位の電極４
以外に、該電極と基板ホルダ１との間に高周波電力を供
給するための電極７が配置されている。８は高周波電源
である。第４図に示さｎる真空蒸着装置にて蒸発原子を
高周波放電の状態にして、Ｇｏ−Ｏｒ垂直磁化膜を形成
すると第２図の装置を用いた場合よりも、更に特性の優
れた膜が得られる。第３図の曲線９は、第４図に示さ扛
る装置により作製されたＧｏ −Ｏｒ垂直磁化膜のＨａ
と電極４の電位との関係の１例を示す。ただし基板
温度は前と同様に３ｏ℃である。電極４の電位をｅｏｏ
ｖとした場合に、１００００ｅ 以上のＨａ ｆ有
するＧｏ −Ｏｒ垂直磁化膜が、３０’Ｃの基板温度に
おいても得られている。以上のように蒸発原子を高周波
放電の状態にすると膜の特性がよくなる原因は、高周波
放電のない場合に比べて、電離により生じるイオン数が
増加することにあるものと考えられる。
次に本発明のより具体的な実施例について第５図を用い
て説明する。真空蒸着法においては、高分子材料よりな
る基板を円筒状キャンの周側面に沿わせて走行させつつ
蒸着を行なうと、長尺のＣ。
て説明する。真空蒸着法においては、高分子材料よりな
る基板を円筒状キャンの周側面に沿わせて走行させつつ
蒸着を行なうと、長尺のＣ。
−Ｏｒ 垂直磁気記録媒体を作製することが可能である
。第６図はそのような連続巻取式真空蒸着に、本発明の
方法を適用した場合の概略図である。基板１１としては
、膜厚１０／１ｍのポリエチレンテレフタレートフィル
ムを使用した。この基板は円筒状キャン１２の周側面に
沿って走行する。１４゜１５は基＆を巻くためのロール
であり、１３は蒸発原子の高入射角成分をじゃへいする
ためのマスクである。１０は電子ビーム蒸発源であり、
これによってＣＯ及びＯｒ ｆ蒸発させる。基板ホルダ
としての円筒状キャン１２．マスク１３及び電子ビーム
蒸発源１ｏは接地されており、電ｆＭ４にはｅｏｏｖの
電圧を印加した。８波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力
は３ＫＷ投入した。円筒状キャン１２の周側面の温度を
２６℃、 Ｇｏ −Ｏｒ膜の堆積速度を８０００人／秒
として膜厚１６０ｏへの垂直磁化膜を形成した。得られ
た膜のＨａ は８００６ であり、実際に信号の記録再
生を行なうと、充分な再生出力が得られた。
。第６図はそのような連続巻取式真空蒸着に、本発明の
方法を適用した場合の概略図である。基板１１としては
、膜厚１０／１ｍのポリエチレンテレフタレートフィル
ムを使用した。この基板は円筒状キャン１２の周側面に
沿って走行する。１４゜１５は基＆を巻くためのロール
であり、１３は蒸発原子の高入射角成分をじゃへいする
ためのマスクである。１０は電子ビーム蒸発源であり、
これによってＣＯ及びＯｒ ｆ蒸発させる。基板ホルダ
としての円筒状キャン１２．マスク１３及び電子ビーム
蒸発源１ｏは接地されており、電ｆＭ４にはｅｏｏｖの
電圧を印加した。８波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力
は３ＫＷ投入した。円筒状キャン１２の周側面の温度を
２６℃、 Ｇｏ −Ｏｒ膜の堆積速度を８０００人／秒
として膜厚１６０ｏへの垂直磁化膜を形成した。得られ
た膜のＨａ は８００６ であり、実際に信号の記録再
生を行なうと、充分な再生出力が得られた。
発明の効果
本発明の方法によれば、ポリエチレンテレフタ１ ｏべ
、−二゛ レートフィルム等の耐熱性の悪い基板上に、特性の優れ
たＧｏ −Ｏｒ垂直磁化膜を真空蒸着法により作製する
ことが可能である。
、−二゛ レートフィルム等の耐熱性の悪い基板上に、特性の優れ
たＧｏ −Ｏｒ垂直磁化膜を真空蒸着法により作製する
ことが可能である。
第１図は従来の真空蒸着法で作製されたＧｏ −Ｏｒ垂
直磁化膜のＨａ と基板温度との関係を示す特性図、
第２図及び第４図は本発明の方法を実施するための真空
蒸着装置の概略図、第３図は本発明の方法で作製された
Ｇｏ −（５ｒ垂直磁化膜のＨｃ と正電位電極の電
位との関係を示す特性図、第６図は本発明の具体的な実
施例を説明するための図である。 １・・・・・・基板ホルダ、３・・・・・・蒸発源、４
・・・・・・正電位の電極、７・・・・・・高周波電極
、１２・・・・・・円筒状キャン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 Ｔｓａ６ （’ｌ） 第２図 第３図 ４Ｌｊｂｌｔｌ）Ｌｔｖ＞ 第４図
直磁化膜のＨａ と基板温度との関係を示す特性図、
第２図及び第４図は本発明の方法を実施するための真空
蒸着装置の概略図、第３図は本発明の方法で作製された
Ｇｏ −（５ｒ垂直磁化膜のＨｃ と正電位電極の電
位との関係を示す特性図、第６図は本発明の具体的な実
施例を説明するための図である。 １・・・・・・基板ホルダ、３・・・・・・蒸発源、４
・・・・・・正電位の電極、７・・・・・・高周波電極
、１２・・・・・・円筒状キャン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 Ｔｓａ６ （’ｌ） 第２図 第３図 ４Ｌｊｂｌｔｌ）Ｌｔｖ＞ 第４図
Claims (4)
- （１）基板上にＧｏとＯｒを主成分とする垂直磁化膜を
真空蒸着法により形成する際に、蒸発源の近傍に蒸発源
及び基板ホルダに対して正電位の電極を配置することを
特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 - （２）蒸発源として電子ビーム蒸発源を用いることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の垂直磁気記録媒体
の製造方法。 - （３）電極と基板ホルダとの間に高周波電力を供給する
ための電極を配置することを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。 - （４）正電位の電極と基板ホルダとの間に高周波電力を
供給するための電極を配置することを特徴とする特許請
求の範囲第２項記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。 ２ベー二゛
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4631183A JPS59172163A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4631183A JPS59172163A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59172163A true JPS59172163A (ja) | 1984-09-28 |
Family
ID=12743631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4631183A Pending JPS59172163A (ja) | 1983-03-18 | 1983-03-18 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59172163A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6297134A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US20090220803A1 (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Fujifilm Corporation | Film depositing apparatus, gas barrier film, and process for producing gas barrier films |
| US20090229523A1 (en) * | 2008-03-14 | 2009-09-17 | Fujifilm Corporation | Film depositing apparatus |
-
1983
- 1983-03-18 JP JP4631183A patent/JPS59172163A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6297134A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US20090220803A1 (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Fujifilm Corporation | Film depositing apparatus, gas barrier film, and process for producing gas barrier films |
| US20090229523A1 (en) * | 2008-03-14 | 2009-09-17 | Fujifilm Corporation | Film depositing apparatus |
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