JPS641855B2 - - Google Patents
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- JPS641855B2 JPS641855B2 JP423281A JP423281A JPS641855B2 JP S641855 B2 JPS641855 B2 JP S641855B2 JP 423281 A JP423281 A JP 423281A JP 423281 A JP423281 A JP 423281A JP S641855 B2 JPS641855 B2 JP S641855B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高分子成形物基材上に、強磁性層を
配してなる磁気テープ、磁気デイスク、磁気シー
ト等の磁気記録媒体を高速で得る方法ならびに装
置を得ることを目的とする。
配してなる磁気テープ、磁気デイスク、磁気シー
ト等の磁気記録媒体を高速で得る方法ならびに装
置を得ることを目的とする。
近年、蒸着磁気テープに代表される金属薄膜型
の記録媒体が高密度記録に適する媒体として注目
され、各方面で開発が進められている。
の記録媒体が高密度記録に適する媒体として注目
され、各方面で開発が進められている。
これらの媒体は、大別して磁化方向がほぼ膜面
内にあるタイプと、垂直記録体の名で呼ばれるほ
ぼ基材と垂直な方向に磁化容易軸を有するタイプ
の２つに分けられる。
内にあるタイプと、垂直記録体の名で呼ばれるほ
ぼ基材と垂直な方向に磁化容易軸を有するタイプ
の２つに分けられる。
面内磁化タイプは、蒸着磁気テープにて実用化
されているように、高速で強磁性薄膜を得る方法
が見出されているが、垂直記録媒体は成膜速度が
極めて小さく実用化の隘路になつている。
されているように、高速で強磁性薄膜を得る方法
が見出されているが、垂直記録媒体は成膜速度が
極めて小さく実用化の隘路になつている。
本発明は、垂直、面内いずれの媒体を得るにも
共通して利用できる技術であり、また磁性体の種
類を問わないもので、蒸気圧の差により、その磁
気特性の優秀さを知れながらも量産するに至らな
かつた材料からなる記録媒体を得ることができる
等、広範な利点を有する。
共通して利用できる技術であり、また磁性体の種
類を問わないもので、蒸気圧の差により、その磁
気特性の優秀さを知れながらも量産するに至らな
かつた材料からなる記録媒体を得ることができる
等、広範な利点を有する。
スパツタリング技術は良く知られているように
高速化するには、高いプラズマ密度を得る必要が
ある。このために磁場が用いられるが、基材の温
度上昇を抑制する方向で磁場を利用するには、タ
ーゲツト近傍で閉じる磁場を形成するのが最適で
ある。
高速化するには、高いプラズマ密度を得る必要が
ある。このために磁場が用いられるが、基材の温
度上昇を抑制する方向で磁場を利用するには、タ
ーゲツト近傍で閉じる磁場を形成するのが最適で
ある。
一方、ターゲツトが磁性体の場合は、有効な磁
束をターゲツト近傍に得ることが困難なため、前
記高速化手段を実質的に用い得ていなかつた。
束をターゲツト近傍に得ることが困難なため、前
記高速化手段を実質的に用い得ていなかつた。
本発明は、ターゲツトを可撓性基材上にあらか
じめ蒸着、メツキ、溶射等の手段で、目的の強磁
性層を形成するか、または目的の強磁性層の薄い
板をターゲツトに用い、かつ磁場により密度の大
小ができるために生ずる局部的なターゲツトの消
耗を、連続または間歇的移動で、平均化し、ター
ゲツトの使用効率の大幅改善を図ることを特長と
するものである。
じめ蒸着、メツキ、溶射等の手段で、目的の強磁
性層を形成するか、または目的の強磁性層の薄い
板をターゲツトに用い、かつ磁場により密度の大
小ができるために生ずる局部的なターゲツトの消
耗を、連続または間歇的移動で、平均化し、ター
ゲツトの使用効率の大幅改善を図ることを特長と
するものである。
強磁性層が薄いことから、磁束密度を高めるこ
とができ、高速化が図れる訳である。
とができ、高速化が図れる訳である。
以下本発明を実施するための装置の一例を図面
に示し、説明する。
に示し、説明する。
真空容器１の内部に、回転ドラム２とその周側
面に沿つて高分子成形物基材３を移動搬送する搬
送機構を配設する。例えばそれは、送り出し軸４
と捲き取り軸５と回転ローラ６で、必要に応じて
エキスパンダローラを配設することで構成でき
る。前記ドラム２と対向してターゲツト７を配設
する。このターゲツト７は可撓性で捲き取り可能
なように構成する。８は冷却ローラで、ターゲツ
ト７の冷却を搬送と兼ねる役割を有している。送
り出し軸９と捲き取り軸１０は、間歇的か連続的
かいずれかのモードで運転される。ターゲツト７
は冷却を積極的に行わず、例えば強磁性体のキユ
ーリ点以上に加熱してもよいし、軸９，１０を大
気中に取り出せるような差圧機構を用いてもよい
のは勿論である。そしてターゲツト７に近接して
磁場発生機構１１を具備することが要件のひとつ
である。この磁場発生機構１１は電磁石（１２は
この場合の直流電源、１３は絶縁導入端子であ
る）である場合と、永久磁石である場合の選択は
自由である。
面に沿つて高分子成形物基材３を移動搬送する搬
送機構を配設する。例えばそれは、送り出し軸４
と捲き取り軸５と回転ローラ６で、必要に応じて
エキスパンダローラを配設することで構成でき
る。前記ドラム２と対向してターゲツト７を配設
する。このターゲツト７は可撓性で捲き取り可能
なように構成する。８は冷却ローラで、ターゲツ
ト７の冷却を搬送と兼ねる役割を有している。送
り出し軸９と捲き取り軸１０は、間歇的か連続的
かいずれかのモードで運転される。ターゲツト７
は冷却を積極的に行わず、例えば強磁性体のキユ
ーリ点以上に加熱してもよいし、軸９，１０を大
気中に取り出せるような差圧機構を用いてもよい
のは勿論である。そしてターゲツト７に近接して
磁場発生機構１１を具備することが要件のひとつ
である。この磁場発生機構１１は電磁石（１２は
この場合の直流電源、１３は絶縁導入端子であ
る）である場合と、永久磁石である場合の選択は
自由である。
ターゲツト７と回転ドラム２の中間に電極１４
を配設し、直流または交流（高周波も含む）の電
圧を印加できるように構成する。１５はその電源
である。シヤツタ（図示せず）、ガス導入孔（図
示せず）、基材３の前処理機構等の配設は、本発
明の範囲で行うことができるのであり、真空ポン
プ１６の選択も適宜なされるものである。
を配設し、直流または交流（高周波も含む）の電
圧を印加できるように構成する。１５はその電源
である。シヤツタ（図示せず）、ガス導入孔（図
示せず）、基材３の前処理機構等の配設は、本発
明の範囲で行うことができるのであり、真空ポン
プ１６の選択も適宜なされるものである。
以下本発明の具体的実施例について説明する。
実施例 １
高分子成形物基材としてポリエチレンテレフタ
レートフイルムを使用し、厚さ5μ、10μ、25μ、
40μの４通り、回転ドラムは径500mmで、ドラム
とターゲツトの至近距離を９cm、15cm、18cmの３
通り、ターゲツトはSUS304のシート（厚さ38μ）
上にCo86％、Cr14％の合金層を20μイオンプレー
テイングにて形成したものと、銅のシート（厚さ
50μ）上にCo80％、Ni18％、P2％の合金をメツ
キで1μ得たものの２通り、磁場は電磁石で最大
磁束密度250ガウスに調整した。高周波は13.56M
Hzの１通りで他に直流を重畳した場合についても
試みた。
レートフイルムを使用し、厚さ5μ、10μ、25μ、
40μの４通り、回転ドラムは径500mmで、ドラム
とターゲツトの至近距離を９cm、15cm、18cmの３
通り、ターゲツトはSUS304のシート（厚さ38μ）
上にCo86％、Cr14％の合金層を20μイオンプレー
テイングにて形成したものと、銅のシート（厚さ
50μ）上にCo80％、Ni18％、P2％の合金をメツ
キで1μ得たものの２通り、磁場は電磁石で最大
磁束密度250ガウスに調整した。高周波は13.56M
Hzの１通りで他に直流を重畳した場合についても
試みた。
これらの条件の組み合わせで得られた、磁気記
録媒体の磁気特性はBr5500G〜7000G、角形比0.7
〜0.86、保磁力480O¨〜1060O¨eで、平均的膜の形
成速度は、0.8μ／minであつた。
録媒体の磁気特性はBr5500G〜7000G、角形比0.7
〜0.86、保磁力480O¨〜1060O¨eで、平均的膜の形
成速度は、0.8μ／minであつた。
実施例 ２
基材としてポリイミドフイルム（厚さ55μ）、
ターゲツトはSUS304、チタンそれぞれ50μの箔
に溶射法でCo88％、Cr12％の合金層を30μ形成し
たものを用いた。
ターゲツトはSUS304、チタンそれぞれ50μの箔
に溶射法でCo88％、Cr12％の合金層を30μ形成し
たものを用いた。
その他の条件は実施例１と同様であつた。
なお、実施例１、２とも導入ガスはArで、動
作時の圧力は0.1〜0.2Paに保持された。
作時の圧力は0.1〜0.2Paに保持された。
実施例２で得られた記録媒体の磁化容易軸は基
材に垂直方向であり、いわゆる垂直記録媒体で、
従来の膜形成速度の約20倍の高速で、垂直方向の
保磁力950O¨e〜1200O¨eの極めて優れた高密度記
録用媒体であつた。
材に垂直方向であり、いわゆる垂直記録媒体で、
従来の膜形成速度の約20倍の高速で、垂直方向の
保磁力950O¨e〜1200O¨eの極めて優れた高密度記
録用媒体であつた。
実施例１、２のいずれの場合も、平均的な１バ
ツチ当りの製造面積は、記録媒体の強磁性層の膜
厚を0.1μで規格化した時、フイルムの幅15cm×長
さ7200ｍ＝1080〔m2〕で、従来の局部的侵蝕の問
題から制約のあつた場合の50倍強の生産性をもた
らす効果も見逃せない。本発明の効果は、
MnBi、Co−Ｐ、等についても確認できている。
ツチ当りの製造面積は、記録媒体の強磁性層の膜
厚を0.1μで規格化した時、フイルムの幅15cm×長
さ7200ｍ＝1080〔m2〕で、従来の局部的侵蝕の問
題から制約のあつた場合の50倍強の生産性をもた
らす効果も見逃せない。本発明の効果は、
MnBi、Co−Ｐ、等についても確認できている。
以上のように本発明によれば、磁気記録媒体を
高速で得ることができるものであり、その工業性
は非常に大なるものである。
高速で得ることができるものであり、その工業性
は非常に大なるものである。
図面は本発明による磁気記録媒体の製造装置の
一実施例の概略断面正面図である。 １……真空容器、２……回転ドラム、３……高
分子成形物基材、７……可撓性ターゲツト、１１
……磁場発生機構、１４……電極、１５……電
源。
一実施例の概略断面正面図である。 １……真空容器、２……回転ドラム、３……高
分子成形物基材、７……可撓性ターゲツト、１１
……磁場発生機構、１４……電極、１５……電
源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 真空容器内で移動する高分子成形物基材上
に、移動可能な可撓性ターゲツトを用いたスパツ
タリング法にて強磁性層の形成を行うことを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法。 ２ 真空容器の内部に、高分子成形物基材の搬送
機構と、前記高分子成形物基材を見込む側に強磁
性体部分を有する可撓性ターゲツトと、そのター
ゲツトを移動する駆動機構と、前記ターゲツトの
前記高分子成形物基材と反対側に近接して磁場発
生機構とを設けたことを特徴とする磁気記録媒体
の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP423281A JPS57120231A (en) | 1981-01-14 | 1981-01-14 | Method and device for manufacture of magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP423281A JPS57120231A (en) | 1981-01-14 | 1981-01-14 | Method and device for manufacture of magnetic recording medium |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57120231A JPS57120231A (en) | 1982-07-27 |
| JPS641855B2 true JPS641855B2 (ja) | 1989-01-12 |
Family
ID=11578814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP423281A Granted JPS57120231A (en) | 1981-01-14 | 1981-01-14 | Method and device for manufacture of magnetic recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57120231A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2460456A (en) * | 2008-05-30 | 2009-12-02 | Mantis Deposition Ltd | Sputtering apparatus |
| CN112626458A (zh) * | 2020-12-08 | 2021-04-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 磁控溅射装置 |
-
1981
- 1981-01-14 JP JP423281A patent/JPS57120231A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57120231A (en) | 1982-07-27 |
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